Nand Flash Writer Programs User's Guide
Nand-Flash存储器介绍及编程
Nand-Flash存储器1概述NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。
Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程序代码的存储中。
Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发展；而NAND-flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。
但NAND-flash存储器需要特殊的接口来操作，因此它的随机读取速度不及Nor-flash存储器。
二者以其各自的特点，在不同场合发挥着各自的作用。
NAND-flash存储器是flash存储器的一种技术规格，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案，因而现在得到了越来越广泛的应用。
例如体积小巧的U盘就是采用NAND-flash存储器的嵌入式产品。
由于NAND-flash（非线性flash）存储器内部结构不同于Nor-flash（线性flash）存储器，因此对它的读写操作也有较大的区别。
BF533中没有像支持SDRAM一样提供直接与NAND-flash存储器的接口，读写的过程要靠软件编程来完成。
本实验将以东芝公司的TC58DVM82A1FT芯片为例，介绍NAND-flash存储器芯片的读写流程和时序。
2 实验内容和目标包括以下几点。
2编写程序，读出器件的识别码（ID）。
3对NAND-flash的一个或若干个块进行擦除操作。
4在被擦除的一个或若干个块写入数据。
5将写入的数据读出并进行验证。
6查找坏块。
3NAND-flash介绍及编程指导NAND-flash存储器中的宏单元彼此相连，仅第一个和最后一个Cell分别与Work Line和BIT Line相连，因此NAND-flash架构的存储容量较Nor-flash架构的高。
NAND-flash存储器的容量较大，改写速度快，主要应用在大量资料的存储，如嵌入式产品中，包括数码相机、MP3随身听记忆卡等。
NANDFlash硬件读写原理
NAND Flash硬件读写原理导读：Nand Flash 控制器通过将Nand Flash 芯片的内设命令写到其特殊功能寄存器中，从而实现对Nand flash 芯片读、检验和编程控制的。
特殊功能寄存器有：NFCONF 、NFCMD 、NFADDR 、NFDATA 、NFSTAT 、NFECC 。
1.nand接口s3c2440板的Nand Flash模块由两部分组成：Nand Flash控制器(集成在s3c2440)和Nand Flash存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成。
当要访问Nand Flash中的数据时,必须通过Nand Flash控制器发送命令序列才能完成。
所以, Nand Flash相当于s3c2440的一个外设,而不位于它的内存地址区.。
Samsung的K9F1208U0B，数据存储容量为64MB ，采用块页式存储管理。
8 个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。
2. 重要芯片引脚功能I/O0-7：复用引脚。
可以通过它向nand flash 芯片输入数据、地址、nand flash 命令以及输出数据和操作状态信息。
CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许-CE: 芯片选择-RE: 读允许-WE: 写允许-WP: 在写或擦除期间，提供写保护R/-B: 读/忙输出3.芯片内部存储布局一片Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为：1设备(Device) = 4096 块(Blocks)1块(Block) = 32 页/ (Pages/rows) ;页与行是相同的意思,叫法不一样1页(Page) = 528 字节(Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes)在每一页中，最后16 个字节（又称OOB）用于Nand Flash 命令执行完后设置状态用，剩余512 个字节又分为前半部分和后半部分。
NAND_FLASH_内存详解与读写寻址方式
NAND FLASH内存详解与读写寻址方式一、内存详解NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。
擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh)。
有必要通过编程，将已擦除的位从"1"变为"0"。
最小的编程实体是字节(byte)。
一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。
虽然NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法，在系统级实现这一点。
这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。
NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。
NAND闪存单元的大小比NOR要小(4F2：10F2)的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。
NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。
虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。
此外，跟硬盘一样，NAND 器件存在坏的扇区，需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。
存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。
在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品。
NAND闪存用于几乎所有可擦除的存储卡。
NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。
这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。
NAND与NOR闪存比较NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。
NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。
NAND Flash驱动程序结构
NAND Flash驱动程序1、NAND Flash驱动程序框架FAT文件系统下的NAND Flash驱动程序采用了分层结构。
驱动程序的上层是Flash抽象层，是物理操作无关层，该层对NAND Flash的操作进行抽象，并采用一定的策略平衡了NAND Flash的擦写。
NAND Flash驱动程序的结构如图5.5所示。
图5.5 FAT下NAND Flash驱动结构在图中：File System即文件系统。
在这里，采用的是FAT文件系统。
FAT文件系统是一种采用链式分配方式的文件系统。
并没有对NAND Flash的特点优化，因此需要在下层的驱动程序做优化。
Flash Driver即NAND Flash驱动程序。
对上层的文件系统提供以DSK为前缀的流驱动接口。
该层驱动程序本身分为两层：FAL层、F MD层。
（1）、FAL层即Flash Abstraction Layer，Flash抽象层。
该层主要提供三个功能：A、将物理的Flash抽象成统一的接口提供给上层的文件系统。
B、将逻辑扇区地址转换成物理扇区地址。
上层的FAT文件系统使用的是逻辑扇区地址，并不是真正的物理扇区，其转换由FAL实现。
C、对Flash实现损耗平衡（"Wear-level"）。
为了避免反复的擦写Flash的同一个块，需要一种策略来减少反复的擦写块。
（2）、FMD层即Flash Media Driver，Flash介质驱动层。
该层实现FAL层的请求，对Flash物理扇区进行操作。
Flash Hardware即NAND Flash物理芯片。
2、FAL层（Flash Abstraction Layer）1)函数接口定义FAL层对上的函数接口也就是整个NAND Flash驱动程序的对外接口，由于NAND Flash 是块设备，Windows CE中块设备采用的是流驱动接口，流驱动接口是一个标准的统一接口，只是各个驱动的前缀不同，在这里NAND Flash函数接口的前缀为“DSK”，这个前缀也使得Windows CE将“DSKxx：”的文件名看作为设备，使得我们能够通过Windows CE标准的Win32 API，如CreateFile、DeviceIOControl等来对设备进行打开、读写等操作。
nand flash 读写流程
nand flash 读写流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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1. 擦除块（Erase Block）。
AM335X UBIFS NandFlash Programming Guide v1.1
return omap_bootmode[0]; } } /* End */
修改完后重新编译。
Linux Kernel:
由于 SDK 是 3.2 的内核，需要打以下补丁，关于该补丁的描述参见 https:///patch/1245721/，并且该补丁已融入 3.4.7 内核中 /pub/linux/kernel/v3.x/ChangeLog-3.4.7：
至此，mtd-utils 编译完成。
制作 UBI Filesystem
打开终端，输入： cd [your base dirctory]/mtd-utils-1.5.0 mkfs.ubifs/mkfs.ubifs -r [your filesystem directory]/ -F -o ubifs.img -m 2048 -e 126976 -c 1580
编译 mtd-utils..........................................................................................................................3 制作 UBI Filesystem.................................................................................................................4
或通过 Git 获取源码： git:///mtd-utils.git
推荐使用 mtd-utils 1.4.8 以上
NAND FLASH驱动程序
怎么判断烧写完成？
答4. 通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙
问5. 怎么操作NAND FLASH呢？
答5. 根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：
发出命令
发出地址
ALE,CLE设为低电平
在DATA0~DATA7上输出数据值
发出一个写脉冲
读数据 选中芯片 val=NFDATA
发出读脉冲
读DATA0~DATA7的数据
2. 读内容: 读0地址的数据
使用UBOOT命令:
nand dump 0
Page 00000000 dump:
17 00 00 ea 14 f0 9f e5 14 f0 9f e5 14 f0 9f e5
S3C2440 u-boot
选中 NFCONT的bit1设为0 md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1
发出命令0x00 NFCMMD=0x00 mw.b 0x4E000008 0x00
mtd->write = nand_write;
s3c2410_nand_add_partition
add_mtd_partitions
add_mtd_device
list_for_each(this, &mtd_notifiers) { // 问. mtd_notifiers在哪设置
发出数据/读数据
NAND FLASH S3C2440
发命令 选中芯片
CLE设为高电平 NFCMMD=命令值
在DATA0~DATA7上输出命令值
NAND Flash烧录说明及注意事项
烧录时的注意点（2）
4)是否使用Spare Area?（Spare Area：小页 Nand为每页的最后16个字节，大页Nand为 每页的最后64个字节，也有其他格式，具 体根据芯片） 5)Spare Area要存放的数据在准备烧录的数 据文件里，还是由编程器或者程序产生？
烧录时的注意点（3）
6)如果Spare Area要存放的信息由编程器或者程序 产生，需要客户提供它的数据结构。要求细致 到字节的含义。 7)如果在Spare Area中存放ECC信息，请问您使用 那种ECC算法？ A.512B ECC Code B.256W ECC Code C.4-bit ECC Code D.其他 8)客户是否可以提供ECC算法源程序？如果SPARE 区无须烧录器常用的三种坏块处理方法
• A) 跳过坏块 (Skip bad block)。 这是一种最常用的坏块处理方法。它的实 现原理比较简单，顺序烧录，发现某一块 为坏块后，将相应数据烧录到下有个好块， 如果发现连续的坏块的话，也连续的跳过 这些坏块，并把数据烧录的下一个出现的 好块中。其原理如下图
谢谢
北京兆易创新科技股份有限公司 北京市海淀区学院路30号 科大天工大厦A座12层 电话：+86-10-82881666 info@
NAND FLASH烧录的复杂性(4)
烧录时的注意点（1）
1)使用哪一种坏块处理方式？ A.直接跳过（Skip Bad Block） B.保留替代 （Reserved） C.分区模式（Partition） D.XSR E.其他 2)要烧录的映像文件有多大？由几个文件构 成，对地址有没有定位要求？ 3)烧录程序中是否改变了坏块标志位，如果 改变了，重新存放在什么地方？
跳过坏块 (Skip bad block)
Nand-Flash详述(绝对经典)
NandFlash详述1. 硬件特性：【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。
这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。
Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。
NAND Flash 读写操作
NAND Flash 读写操作（三）2009-03-26 13:02Fisrt part ：NAND flash和NOR flash的不同NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。
NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。
8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND的读和写单位为512Byte 的页，擦写单位为32页的块。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》Second part：NAND Flash结构与驱动分析一、NAND flash的物理组成NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。
这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。
这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。
具体一片flash上有多少个Block视需要所定。
我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。
NandFlash驱动超详细分析
今天学习了NandFlash的驱动，硬件操作非常简单，就是这个linux下的驱动比较复杂，主要还是MTD层的问题，用了一下午时间整理出来一份详细的分析，只是分析函数结构和调用关系，具体代码实现就不看了，里面有N个结构体，搞得我头大。
我用内核，2440板子，先从启动信息入手。
内核启动信息，NAND部分：S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronicss3c2440-nand s3c2440-nand: Tacls=2, 20ns Twrph0=3 30ns, Twrph1=2 20ns NAND device: Manufacturer ID: 0xec, Chip ID: 0x76 (Samsung NAND 64MiB 3,3V 8-bit)Scanning device for bad blocksCreating 3 MTD partitions on "NAND 64MiB 3,3V 8-bit":0x00000000-0x00040000 : "boot"0x0004c000-0x0024c000 : "kernel"0x0024c000-0x03ffc000 : "yaffs2"第一行，在driver/mtd/nand/中第910行，s3c2410_nand_init函数：printk("S3C24XX NAND Driver, (c) 2004 Simtec Electronics\n");行二行，同一文件，第212行，s3c2410_nand_inithw函数：dev_info(info->device, "Tacls=%d, %dns Twrph0=%d %dns, Twrph1=%d %dns\n", tacls, to_ns(tacls, clkrate), twrph0, to_ns(twrph0, clkrate), twrph1, to_ns(twrph1, clkrate));第三行，在driver/mtd/nand/中第2346行，printk(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:" " 0x%02x, Chip ID:0x%02x (%s %s)\n", *maf_id, dev_id, nand_manuf_ids[maf_idx].name,type->name);第四行，在driver/mtd/nand/中第380行，creat_bbt函数：Printk(KERN INFO " Scanning device for bad blocks \n");第五行，在driver/mtd/中第340行，add_mtd_partitions函数：printk (KERN_NOTICE "Creating %d MTD partitions on \"%s\":\n", nbparts, master->name);下面三行，是flash分区表，也在同一函数中，第430行：printk (KERN_NOTICE "0x%08x-0x%08x : \"%s\"\n", slave->offset,slave->offset + slave->, slave->;MTD体系结构：在linux中提供了MTD（Memory Technology Device，内存技术设备）系统来建立Flash针对linux的统一、抽象的接口引入MTD后，linux系统中的Flash设备驱动及接口可分为4层:设备节点MTD设备层MTD原始设备层硬件驱动层硬件驱动层：Flash硬件驱动层负责底层硬件设备实际的读、写、擦除，Linux MTD 设备的NAND型Flash驱动位于driver/mtd/nand子目录下s3c2410对应的nand Flash驱动为MTD原始设备层：MTD原始设备层由两部分构成，一部分是MTD原始设备的通用代码，另一部分是各个特定Flash的数据，比如分区主要构成的文件有：drivers/mtd/ 支持mtd字符设备driver/mtd/ 支持mtd块设备MTD设备层：基于MTD原始设备，Linux系统可以定义出MTD的块设备（主设备号31) 和字符设备（设备号90），构成MTD设备层简单的说就是：使用一个mtd层来作为具体的硬件设备驱动和上层文件系统的桥梁。
nand flash 读写(基本操作)
开场白：希望通过这篇文章记录一下自己在调试NAND flash的经验。
希望对大家有用。
上个月搞了一块开发板QT210。
说实话没有找到很多的datasheet就开始搞了。
最早还是从boot说起，说到这这里不得不提到boot中打印的错误信息****CRC Error*****。
最后还是决定静心调试看看怎么回事。
结果发现资料还是确少，怎么办？找了以前的omap开发板。
（个人觉得omap的板子BSP还是做的比较好的）。
在omap上调试了一下并测试了一些基本的NAND的读写操作。
210的板子准备在linux中使用MTD去管理者块flash。
并且留下了疑问：s5pc110的片子memory map给nand 和onenand留下了256MB的空间，但是210的板子使用的是三星的1GMB的flash。
多余的7百多兆的flash的空间如何管理？nand bsp分析：型号：MT29F2G16xxxx硬件平台：omap3530在分析之前，确定硬件平台和device的型号还是很有必要的。
应为在3530的板子上是使用的LPDDR（micron）。
在以前的工作中和供应商打过交道。
其实flash的型号以及位宽和一些其他的参数可以从芯片的命名的法则上了解。
在查阅了相关文档后确定NAND的型号。
基本的read函数。
下来了解一下nand的操作时序：io是复用的。
即是data又是cmd。
但是注意16bits位宽的device在cmd和寻址时候是8bits位宽，数据读出时候是16bits位宽。
简单通过一个函数：read，但是在read之前先要把上图中现实的cmd 以及addr作用到总线上。
这就是软件的作用了。
在这里不得不提一下omap的GPMC。
其实这就是一个包含NAND Controller的硬件模块。
具体的初始化和寄存器设置工作状态在别的文章中解释。
（GPMC的设置也是要花时间去调试和跟踪的，不想影响了NAND的分析）只要记住软件正确的操作了GPMC相关的NAND控制器，就是对NAND devide进行相关操作了。
谈NANDFlash的底层结构和解析
谈NANDFlash的底层结构和解析NAND Flash是一种非易失性存储器，用于存储数据。
它通常用于固态硬盘（SSD）、智能手机、平板电脑等设备中。
NAND Flash采用了一种称为“闪存”的存储技术，相较于传统的存储技术，如硬盘驱动器（HDD），具有更高的速度和更低的功耗。
NAND Flash的底层结构是由多个存储单元（cell）组成的。
每个存储单元中存储着一个或多个位的数据。
一个存储单元的位数被称为“页”（page），通常是512字节或2048字节。
多个页组成了一个“块”（block），块的大小通常是128或256个页。
多个块组成了一个“平面”（plane），平面的大小取决于芯片的制造工艺，一般在32到256个块之间。
最后，多个平面组成了整个NAND Flash存储芯片。
与传统的存储单元不同，NAND Flash存储单元使用一种特殊的电荷存储方式。
这些存储单元由一对互补的MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）组成，这些MOSFET被称为“浮动栅（floating gate）”。
在普通的MOSFET中，栅氧化层旁边有一个控制栅，在普通操作中，电荷通过控制栅释放或积累。
但在NAND Flash中，控制栅旁边还有一个浮动栅。
浮动栅中存储着电子，而不是电荷。
当电子被存储在浮动栅中时，它会改变MOSFET的蓝色电流特性。
对于将数据写入NAND Flash的操作，有两个主要的步骤：擦除（erase）和编程（program）。
擦除是将一个块内的所有页设置为“1”的过程。
这是因为在擦除之前，所有的页都需要被擦除，然后才能被重新编程。
编程是将一些页设置为“0”的过程。
擦除和编程操作是通过将高电压应用于特定的电极来完成的，以控制电子在浮动栅上的存储。
NAND Flash在读取数据时，是通过传感器检测存储单元中的电子状态来实现的。
根据电子的数量来确定一个存储单元是“0”或“1”。
通过读取一个页面的所有位，并将它们转换为二进制数据，可以还原出原始的存储数据。
nandflash基础——读写擦操作
以上过程只是针对SLC cell，对于MLC，TLC，具有更多的状态，读的过程也更加复杂。
参考
Inside NAND Flash Memories
nandflash基础——读写擦操作 Nhomakorabea当对一个cell进行读操作时，对相应的wordline施加Vread电压，对其他wordline施加Vpass电压，如上图所示。状态为“0”的cell（被program的cell）的Vth均大于0，状态为“1”的cell（被erase的cell）的Vth均小于1，且所有cell的Vth有一个上限，所以对其他cell施加一个能确保导通的Vpass电压， 对要读数据的cell加一个电压值在两种状态之间的Vread，如果该cell为“0”，则不会形成source到drain端的通路，在bitline上检测不到电流，反之可以检测到电流。电流的检测是通过sense amplifier实现的。
nand flash 读写流程
nand flash 读写流程NAND flash memory is a type of non-volatile storage technology that does not require power to retain data. NAND flash存储器是一种无需电源即可保留数据的非易失性存储技术。
It is commonly used in devices such as USB drives, digital cameras, and smartphones. 它通常用于USB驱动器、数码相机和智能手机等设备中。
The process of reading and writing data to NAND flash involves several steps and is crucial for the performance and reliability of the storage device. 读写数据到NAND闪存的过程涉及几个步骤，对存储设备的性能和可靠性至关重要。
Understanding the intricacies of the read/write process is essential for anyone working with NAND flash technology. 理解读写过程的复杂性对于任何与NAND闪存技术相关的人来说都是至关重要的。
When it comes to writing data to NAND flash memory, the first step is to program the memory cells. 在向NAND闪存存储器写入数据时，第一步是对存储单元进行编程。
This involves applying voltage to the control gate of each memory cell, which traps electrons in the floating gate, thus altering the cell's threshold voltage. 这涉及将电压应用于每个存储单元的控制门，从而使电子被困在浮动门中，从而改变了单元的阈值电压。
nandwrite 原理
nandwrite 原理
nandwrite是一种用于在闪存设备上进行写操作的命令行工具。
它的原理是通过与闪存设备进行交互，将数据写入闪存存储器中。
nandwrite可以用于各种嵌入式系统中，包括手机、平板电脑、智能电视等。
使用nandwrite进行写操作的过程可以分为以下几步：
1. 打开闪存设备：首先，nandwrite会尝试打开指定的闪存设备。
通过与设备驱动程序进行通信，nandwrite可以访问闪存设备的存储空间。
2. 擦除存储区域：在写入新数据之前，需要先将存储区域擦除为全0。
nandwrite会向闪存设备发送擦除命令，设备将执行擦除操作。
3. 写入数据：擦除完成后，nandwrite会将待写入的数据发送给闪存设备。
数据会被写入到指定的存储区域中。
nandwrite会确保写入的数据不会超出闪存设备的容量限制。
4. 校验数据：写入完成后，nandwrite会从闪存设备中读取已写入的数据，并与原始数据进行比较，以确保数据写入的正确性。
5. 关闭闪存设备：最后，nandwrite会关闭闪存设备，释放相关资源。
总的来说，nandwrite通过与闪存设备进行交互，实现了将数据写
入闪存存储器的功能。
它能够保证数据写入的正确性，并提供了简单易用的命令行接口。
无论是嵌入式系统开发者还是普通用户，都可以通过使用nandwrite来进行闪存写操作。
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Nand Flash Writer Programs User's Guide
概述： 文档介绍 PC2440a 实训包的 Nand Flash 的烧写方法。
名称： Nand Flash Writer Programs 用户指南 版本： version 1.0 修改：
版本 V1.0
修改时间 2009/4/1
修正作者 侯德振
修正说明 文件创建
Note：任何修改操作请在上述表格备注说明
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1、概述
文档简要描述如何在 WINDOWS 下通过 SJF2440 软件通过 ICE16 仿真器对 PC2440a 实训包的 NADN Flash 进行烧写。
2、安装
在此步骤对 SJF2440 软件进行安装， 并对并口 JTAG 驱动程序进 行安装。
a、并口 JTAG 驱动程序的安装 下面以 WinXP 为例，介绍驱动的安装方法。
在 XP 下 以 管 理 员 身 份 登 陆 。
拷 贝 giveio.sys 文 件 到 “%systemroot%\system32\drivers.”目录下，记住去掉只读属性（如 图 1） 。
图 1 拷贝 giveio.sys 文件 选择控制面板， “添加硬件” 。
出现对话框后点击下一步按钮，出
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现如图 2 对话框。
图 2 添加硬件向导 1 选择“是，硬件已连接好” ，点击下一步按钮。
出现如图 3 对话 框。
选择添加新的硬件设备，点击下一步。
出现如图 4 对话框。
选 择手动安装，点击下一步。
出现如图 5 对话框。
图 3 添加硬件向导 2
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图 4 添加硬件向导 3
图 5 添加硬件向导 4 选择显示所有设备，点击下一步。
出现如图 6 对话框，选择从磁 盘安装，点击下一步。
图 6 添加硬件向导 5
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选择”\Tools\sjf2440_Rev02\GIVEIO”文件夹中的 giveio.inf 文件 （如图 7） 。
图 7 添加硬件向导 6 确定后在添加硬件向导对话框中一直选择下一步， 直到出现硬件 安装对话框（如图 8） 。
图 8 硬件安装对话框 选择仍然继续，完成安装。
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b、硬件的安装 取出并口线，一端接 ICE16 的并口，而另一端接 PC 机的并 口；而 ICE16 的 JTAG 接口接 PC2440a 板上的 JTAG 口。
然后打开 PC2440a 的电源。
3、烧写
下面以 U-boot.bin 的烧写为例进行 NAND Flash 烧写的说明。
a、打开 PC 端的命令行界面 在 PC 的开始菜单中选择运行，输入 cmd 并按回车，进入命令行 状态
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b、进入 SJF2440 工具的文件夹（如 I:\sjf2440）
c、键入命令进行烧写操作 （ （注意：必须把要烧录的 vivi 文件复制到 SJF2440 工具的文件夹 中。
）
图 9 烧录 Nand-Flash 大概一分钟后，u-boot.bin 烧录完成，选择 2 退出程序。
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