电子科技大学(成都) 考研真题_电力电子技术2007年试卷+答案
07级电力电子技术考试试题(A卷)
北京交通大学学生考试试题课程名称：电力电子技术（A卷）2009 –2010学年2学期出题：课程组一、单选题（每题2分，共20分）1、下列功率器件中，哪种器件最适合于小功率、高开关频率的变换器？①SCR ②IGBT ③MOSFET ④IGCT2、在单相全控桥带大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为：①0.707U2②1.414U2③0.9U2④3.14U23、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说，触发脉冲的移相范围是：①0︒~90︒②0︒~120︒③0︒~150︒④0︒~180︒4、下列哪个电路不能实现输入输出之间的能量双向流动：①PWM整流电路②无源逆变电路③交交变频电路④BUCK电路5、单端反激变换器是①BOOST变换器的派生电路②BUCK变换器的派生电路③丘克变换器的派生电路④BUCK—BOOST变换器的派生电路6、在谐振变换器中，ZVS表示①零电压开关②零电流开关③硬开关④PWM开关7、采用并联缓冲吸收电路的目的是为了①减小导通损耗②减小关断过电压③实现开关器件的并联④实现软开关8、在晶闸管串联电路中，实现动态均压的主要元件是：①二极管②电感③电阻④电容9、晶闸管交流调压电路采用以下哪种控制方式：①相位控制②周期控制③通断控制④斩波控制10、在下列哪个电路中采用晶闸管时，需要加入强迫关断电路：①相控整流电路②有源逆变电路③无源逆变电路④交交变频电路二、判断题，正确的划“√”，不正确的划“×”（每题2分，共10分）（注意：每个小题后面有4个判断，答对4个判断得2分；答对3个判断得1分；其它不得分）1、三相电压型无源逆变器，每相桥臂由上下两个开关器件构成，下列哪些说法正确？①输出电压波形与负载性质有关（）②可以采用同步调制，也可以采用异步调制（）③可以采用方波控制，也可以采用PWM控制（）④桥臂上下两个开关器件换相时，在控制上应的控制需遵循“先断后开”的原则（）2、在带有大电感负载且触发角相同的情况下，单相全控桥电路与单相半控桥电路相比：①全控桥的输出电压平均值低于半控桥（）②全控桥的功率因数低于半控桥（）③全控桥负载电流连续而半控桥负载电流不连续（）④都会存在失控现象（）3、Boost DC—DC变换器：①工作状态（连续或断续）是根据负载电流的情况定义的（）②在连续工作状态下，输入电流是连续的（）③电感的作用是储能和滤波（）④又可称降压斩波器（）4、在谐振变换器中，下列哪些说法是正确的？①零电压开关、零电流开关都属于软开关（）②软开关的开关损耗比硬开关大（）③软开关的开关频率可以比硬开关高（）④软开关的电压、电流应力与硬开关相同（）5、晶闸管相控整流电路，考虑交流侧电抗时存在换相重叠角，其大小与许多因素有关：①直流负载电流越大，换相重叠角越大（）②输入变压器漏抗越大，换相重叠角越大（）③交流输入电压越大，换相重叠角越大（）④触发角α越大，换相重叠角越大（）三、简答题（共20分）1、如图所示交－直－交系统电路图， （1）简要说明图中各个变流器的作用；（2）当负载电机工作在发电状态时，说明该变流系统中的能量传递路径。
电力电子技术试题20套及答案【范本模板】
考试试卷( 1 ）卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者.2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态.当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同.5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___.6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为.7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2，VD2表示）。
（1) 0～t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____；(3）t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____;（4）t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；（5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通.A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1～t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断,P组整流D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D ）A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（ C )变换电路。
成都电子科技大学电力电子技术2007-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题2分，共30分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
)1、三相电压型逆变采用°导通方式。
需进行“先下后上”的纵向换流方式。
A. 120B. 90C. 180D. 602、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。
A.蓄电池B.电感C. 电容D.电动机3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。
A. 分流B. 降压C. 过电压保护D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。
A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A. 0ºB.10º-15ºC.0º-10ºD.30º-35º7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A .α和U2 B. α以及负载电流I dC . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度B.减小三角波频率C.减小正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。
A.减小输出谐波B.增大输出幅值C. 减小输出幅值D.减小输出功率10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。
A. 电阻性B. 阻感反C. 反电动势D. 电感性电力电子技术试题第 1 页共4 页11、请写出电磁兼容性英文缩写。
A.MACB.EMCC.CMED.AMC12、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是。
成都电子科技大学金融学基础2007-2011,2015-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：808 金融学基础注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一. 判断题，正确的标注“✓”，错误的标注“✗”。
（每题2分，共20分）1、理性投资者在任何情况下都不会投资NPV为负的项目。
（）2、CAPM意味着在均衡时，切点证券组合与市场证券组合有相同的风险资产相对比例。
（）3、其他因素相同的情况下，可转换债券相对于不可转换债券具有更高的价格和更低的到期收益率。
（）4、假定标的资产的预期价格不变，标的资产价格波动性的增加将导致买入和卖出期权价值均增加。
（）5、对特定项目而言，不同的融资方式（如发行股票、债券等）将使得项目的资本成本有所不同。
（）6、投资零息债券没有风险。
（）7、对于一个由两种风险资产组成的有效投资组合，其中一种资产的收益率下降必然会改变原来的组合，即减少收益率下降的资产持有比例，同时增加另外一个资产的比例。
（）8、远期合约、期货合约、互换合约均是风险对冲（Hedging）的工具，而期权合约是一种保险（Insuring）工具。
（）9、根据组合选择理论，风险容忍度低的投资者可以通过融资的方式来增加其对切点组合的投资。
（）10、如果新投资项目的收益率超过了企业的市场资本化率，那么增加企业的留存比率会增加当前股票的价格。
（）二. 单项选择（每题3分，共30分）1、一个企业在获得银行的贷款后投资于高风险的项目体现了（）A. 逆向选择（adverse selection）共 5 页，第1 页B. 道德风险（moral hazard）C. 风险规避D. 风险留存2、2014年，某公司实现11.5%的资产报酬率（ROA）。
现已知2014年该公司的负债比率为30%，债务的利率为5%，适用的公司所得税税率为30%。
请问该公司当年的权益报酬率（ROE）为（）A. 10%B. 13%C. 15%D. 以上均不正确3、假设你投资了一个具有永续现金流的资产。
电力电子技术题库及答案整理版
电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空（每项1分，共50分）1、对同一晶闸管，维持电流ih与擎住电流il在数值大小上有il__大于__ih。
2.功率集成电路的Pic可分为两类，一类是高压集成电路，另一类是高压集成电路_________智能功率集成电路。
3.晶闸管关闭状态下的不重复电压UDSM和转向电压UBO的值应为，UDSM_u_________________。
在带电阻负载的三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压UFM等于UFM？是相电压的有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻r是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变spwm逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14.为了使二极管的功率与二极管的开关时间相匹配，需要使用功率晶体管缓冲保护电路中的二极管。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。
电力电子技术试题及答案(精编文档).doc
系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………【最新整理，下载后即可编辑】德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题 《电力电子技术》试卷题 号 一二 三 四 合 计分 数阅卷人 得分1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1 B 、2 C 、3 D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ）A 、在栅极加正电压B 、在集电极加正电压C 、在栅极加负电压D 、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（ ）电力场效应管 A 、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压为（ ） A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V 16、下列电力电子器件中，（ ）的驱动功率小，驱动电路简单 A 、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（ ） A 、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过0.3V 才导通 D 、系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………超过0.7V 才导通 18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO 器件电路符号的是（ ）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR 器件电路符号的是（ ）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET 器件电路符号的是（ ） 21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（ ）工作特性设计的A 、截止区B 、负阻区C 、饱和区D 、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（ ）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题及答案
.考试十二一、选择题：（本题共10小题，每小题2分，共20分）1、晶闸管的伏安特性是指( ) A.阳极电压与门极电流的关系 B.门极电压与门极电流的关系 C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为( )A.T dTf I I K =B.dTT f I I K =C. K f =I dT ·I TD.K f =Id T -I T3、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( ) A.转折电压B.反向击穿电压C.阈值电压D.额定电压4、单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( )A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 65、在三相桥式不可控整流电路中，整流输出电压的平均值为( )A.22U 34.2U 63≈π或B.22U 17.1U 263≈π或C ．22U 56.1U 62≈π或D.22U 78.0U 6≈π或6、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器D.无源逆变器7、全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中，当降下重物时，Ud 与Ed 的比值为( )A.1E U dd> B.1E U dd< C.1E U dd= D.0E U dd=8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T 为( ).A.d I 31B.dI 31C.d I 32D.I d9、三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( )A.3π=αB.2π<α C.4π=αD.2π>α10、触发电路中的触发信号应具有（ ） A.足够大的触发功率 B.足够小的触发功率 C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度二、问答题：（本题共4小题，每小题5分，共20分）1、什么是控制角а？导通角θ？为什么一定要在晶闸管承受正向电压时触发晶闸管？（5分）2、什么是有源逆变？实现有源逆变的条件是什么？哪些电路可以实现有源逆变？（5分）3、为什么半控桥的负载侧并有续流管的电路不能实现有源逆变？（5分）4、用单结晶体管的触发电路,当移相到晶闸管达到某一导通角时,再继续调大导通角时,忽然晶闸管变成全关断是何原因?（5分）三、计算题：（本题共1小题，共10分）1、具有续流二极管VDR 半波可控整流电路，对发电机励磁绕组供电。
电力电子技术试题20套及答案【范本模板】
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题，每空1分,共２0分）1、电子技术包括__________＿＿＿_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者．2、为减少自身损耗，提高效率,电力电子器件一般都工作在＿____＿＿_＿状态。
当器件的工作频率较高时，__＿＿_____损耗会成为主要的损耗。
３、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为__＿______＿___，当它为常数时的调制方式称为____＿＿__＿调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步____＿____调制。
4、面积等效原理指的是,＿_＿冲量__＿＿_＿相等而＿_形状___＿_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
５、在ＧTR 、ＧTO、ＩGBT与MＯSFET中,开关速度最快的是__ＭOSFET_，单管输出功率最大的是＿_ＧTO_,应用最为广泛的是__ＩＧBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即，其承受的最大正向电压为.７、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路（用V1,VD１,V2，VD2表示)。
(1) 0~ｔ1时间段内，电流的通路为_＿_VD１_＿_＿_;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1＿___;（３) t2～t3时间段内，电流的通路为_＿VＤ２＿＿__＿；（4) ｔ3~t4时间段内，电流的通路为＿_V2_____;(5）ｔ4～ｔ５时间段内,电流的通路为___VＤ１____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PＷM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是（B )A、V１与V4导通，V2与Ｖ3关断Ｂ、V1常通,Ｖ2常断,Ｖ3与V4交替通断Ｃ、V1与V４关断,V2与V3导通D、Ｖ1常断，V ２常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(Ｃ)Ａ、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于１8０度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通.A、1个B、2个Ｃ、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1～ｔ2时间段内，P组晶闸管变流装置与Ｎ组晶闸管变流装置的工作状态是()Ａ、P组阻断,Ｎ组整流B、P组阻断,N组逆变C、Ｎ组阻断,P组整流D、N组阻断,Ｐ组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D )A、3０°～150B、0°~120°Ｃ、1５°~125°Ｄ、0°~１50°6、桓流驱动电路中加速电容Ｃ的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件７、直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。
2007年考研试题及答案A
一、填空题（30分）：1. （6分）由晶闸管构成的三相半波可控整流电路，当输入交流电压为t u ωsin 3112=，纯阻性负载且其值为10R =Ω，当控制角45α=时，输出平均电压为 ，输出的功率因数是 。
2．（6分）由晶闸管构成的单相桥式全控整流电路，当输入交流电压为t u ωsin 1412=，负载为反电动势且直流侧串联平波电抗器，已知60V, L=2E R =∞=Ω，，当控制角30α=时，输出平均电压为 ，输出平均电流为 。
3．（3分）缓冲电路( Snubber Circuit ) 的作用是 。
4．（3分）在交流供电系统中，当基波电流为140A I =，各次谐波电流分别为35792A, 1A, 0.5A, 0.2A I I I I ====, 则电流谐波总畸变THD 为 。
5．（3分）在逆变电路中，对于同一桥臂的开关管要采取“先断后通”的方法，也就是死区时间的设定，其目的是 。
6．（6分）单相桥式电压型逆变电路，180导通角，d 560V U =，则输出电压的基波有效值是 ，当只考虑10次以内的谐波电压时，输出电压的有效值是 。
7．（3分）在SPWM （Sinusoidal Pulse Width Modulation ）控制的三相逆变电路中，设定的开关管的开关频率是20KHz ，逆变电路输出交流电压的频率为400Hz ，那么SPWM 控制电路中载波频率和调制波频率应分别设置为 和 。
二、简答题（60分）：1． （7分）IGBT 在过流及短路过程中，系统如何检测并实施保护的？2． （7分）为什么晶闸管的触发信号通常不使用直流信号？ 3． （7分）试说明有关晶闸管和电力晶体管的关断过程？4． （7分）请叙述电力二极管的反向恢复过程，在高频开关电路中，应选择什么型号的二极管？5． （8分）利用晶闸管SCR 构成的简易照明延时开关电路如图1所示，HL 是灯泡，SB 是开关，试分析此电路的工作原理。
电力电子技术试题20套与答案
考试试卷( 1 ) 卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示)。
(1) 0~t1 时间段内，电流的通路为___VD1_____ ；(2) t1~t2 时间段内，电流的通路为___V1____ ；(3) t2~t3 时间段内，电流的通路为__VD2_____ ；(4) t3~t4 时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____ ；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）A、V1 与V4 导通，V2 与V3 关断B、V1 常通，V2 常断，V3 与V4 交替通断C、V1 与V4 关断，V2 与V3 导通D、V1 常断，V2 常通，V3 与V4 交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2 时间段内，有（）晶闸管导通。