Fe掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜微观结构与电学性质的影响研究

合集下载

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

ＡｂｔａｔＩｈｓｐａｅｔｅＢａ５Ｓ０５Ｔｉ３ｆｌｓｗｉｈＦｅｄｓｒｃ：ｎｔｉｐｒ，ｈ０ｒＯｉｍｔｏｐｉｏｅ０．，．，．，．０ｎｇｃｎｔｎｔｏｆ０，５１０２０３
科技篇（研究与开发）０年０月（２１８上）２
陶瓷Ｃｒｉｅｍｃａｓ
・２３・
Ｆ掺杂对Ｂｒ．薄膜ｅ．５ｉ３ａ５ＯＳＯＴＯ微观结构与电学性质的影响研究
娄本浊
（陕西理工学院物理与电信工程学院陕西汉中７３０）２０３
相对介电常数和电容均呈现下降趋势，Ｆ掺杂含量分别为０５、．及２０时薄膜具有较小的漏电流密度。且ｅ．１０．关键词Ｂ。ＳＴｉ薄膜Ｆ掺杂效应射频磁控溅镀法微观结构电学性质ａ．０。ｅ
．．
ａｄ２０．ｎ．
Ｋｅｒｓ：ｏ５Ｓｒ５Ｔｉｉ；ＦｅｄｐｎｆｅｔｙｗｏｄＢａ０Ｏ３ｆｌｍｏｉｇｅｆｃ；ＲＦｍａｎｔｏｐｔｅｔｏ；Ｍｉｒｓｒｃｕｅｇｅｒｎｓｕｔｒｍｅｈｄｃｏｔｕｔｒ；Ｅｌｃｒｃｐｏｅｔｅｔｉｒｐｒｙ
中图分类号：Ｑ１４１文献标识码：Ｔ７．Ａ文章编号：０２８２２１）８０２ —０１０ —２７（０２０－０３３
．．
ＡｔｙｏｐｉｆｃｎｈｅＭｉｒｓｒｔｅａｅｔｉｏｐｒｙｏｆＢａ５Ｓｏ５ＴｉａＦｉｍＳｕｄｆＦｅＤｏｎｇＥｆｅｔｏｔｃｏｔｕｃｕｒｎｄＥｌｃｒｃＰｒｅｔ０ｒＯｌ
．．
ａ．０ｎｄ５
ａｅｐｒａｅｒｅｐｒｄｂｙＲＦ
ｍａｎｔｏｐｔｅｔｏｎＰ／ｉ／ｉｓｂｔａｅ，ｎｈｆｅｔｏｅｄｐｄｃｎｅｔｎｔｅｍｉｒｓｒｃｕｅａｄｅｅｔｉｐｏｅｔｆｇｅｒｎｓｕｔｒｍｅｈｄｏｔＳＯ２ＳｕｓｒｔｓａｄｔｅｅｆｃｆＦｏｅｏｔｎｈｃｏｔｕｔｒｎｌｃｒｃｒｐｒｙｏｏ
摘要笔者利用射频磁控溅镀法在Ｐ／ｉ／ｉ１０基板上制备出Ｆ掺杂量分别为００５、．、．、．及５０的ｔＳＯ２Ｓ（０）ｅ、．１０２０３０．
ＢＳ００。膜，ａｒＴｉ薄并讨论了Ｆｅ掺杂含量对其微观结构结与电学性质的影响。由ＸＤ分析可知，ｅ杂对Ｂ。Ｓ。Ｔｉ薄膜的ＲＦ掺ａ．ｒ．０。晶体结构并无较大的影响；ＳＭ结果则可得出，量Ｆ从Ｅ微ｅ掺杂时薄膜较为致密，晶粒大小较一致。电性结果表明，Ｆ且掺ｅ薄膜的
ｔｅｅｆｌｓａｅｄｓｕｓｄＴｈｅｕｔｏｈｓｉｒｉｃｓｅ．ｅｒｓｌｆｍＸＲＤｎｌｓｓｓｏｈｔＦｅｄｐｎｆｅｔｏｈｒｓａｔｕｔｒｆｈｉｃｎｂｅｌｃｅ．ａａｙｉｈｗｓｔａｏｉｇｅｆｃｎｔｅｃｙｔｌｒｃｕｅｏｅｆｍａｅｎｇｅｔｄｓｔｌＴｈｅｕｔｏＥＭｈｗｓｔａｈｉｓｂｃｍｅｄｎｅｏｍａｌｏｉｇｃｎｅｔａｄｔｅｇａｎｓｚｓｂｓｃｌｄｎｉａ．ｅｍｅｓｒｄｅｒｓｌｆＳｓｏｈｔｔｅｆｌｅｏｅｓｒｆｒｓｌｄｐｎｏｔｎｎｈｒｉｉｅｉａｉａｌｉｅｔｃ１ＴｈａｕｅｍｙｒｓｌｓｏｌｃｒｃｐｏｅｔｉｅｔａｈｅａｉｅｄｅｅｔｉｃｎｔｎｎａａｉｎｅｏｏｅｉｓｂｔｅｒａｅａｄｔｅｅｆｌａｅｅｕｔｆｅｔｉｒｐｒｙｇｖｈｔｔｅｒｌｔｖｉｌｃｒｏｓａｔａｄｃｐｃｔｃｆｅｃａＦｅｄｐｄｆｍｏｈｄｃｅｓｎｈｓｉｌｍｓｈｖｓｌｒｌａａｅｃｒｅｔｄｎｉｏｅｄｐｎｏｔｎｅｎ．．．ｍａｌｅｋｇｕｒｎｅｓｔｆｒＦｏｉｇｃｎｅｔｂｉｇ０５ｅｙ１０
ＬｕＢｎｈｏ（ｈａｘＵｎｖｒｉｆｃｎｌｇ，ｃｏｌｆｈｓｓａｄＴｌｃｍｍｕｉｔｎＥｇｎｅｉ，ｈａｘ，ｎｈｎ－２０３ｏｅｚｕＳａｎｉｉｃｎａｉｎｉｅｒｇＳａｎｉＨａｚｏｇ７３０）ｃｏｎ