高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响

高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响
罗伟科;王翼;李亮;李传皓;张东国;杨乾坤;彭大青;李忠辉
【期刊名称】《固体电子学研究与进展》
【年(卷),期】2024(44)2
【摘要】采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。

研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发生重构,晶粒合并,位错和层错缺陷减少,晶格排列整齐,晶体质量得到提升。

通过优化生长温度和退火温度,获得了高质量的200 nm厚AlN模板,其(002)和(102)面的X射线双晶衍射摇摆曲线半高宽分别为107 arcsec和257 arcsec,位错密度
比退火前降低了2~3个数量级。

【总页数】6页(P167-172)
【作者】罗伟科;王翼;李亮;李传皓;张东国;杨乾坤;彭大青;李忠辉
【作者单位】南京电子器件研究所;固态微波器件与电路全国重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.2
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