红色精神主题班会稿
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e3ne ln Λ(2 + Z eff )
2 4πε 0 m0 E
(1) (a)低杂波嵌套在IBW中, (b) IBW嵌套在低杂波中： 研 究IBW对逃逸产额的影响（等离子体参数:Ip=100kA, ne=1, LHW&IBW的功率都是:200kW） (2) LHCD下,用密度爬升代替IBW引起的密度(环电压)增 加,研究协同实验中逃逸增强是否是由等离子体密度/ 环电压/有效电荷数的增加而引起的.(Ip=100kA,ne=1, Power of LHW:200kw)
2009年HT-7逃逸电子实验提案
卢洪伟 胡立群 2009-6-18
实验主题
• Slide-away放电模式的实验研究 放电模式的实验研究
• LHCD+IBW协同下的逃逸电子行为 协同下的逃逸电子行为
研究动机
• Slide-away放电模式的实验研究 放电模式的实验研究 slide-away:抑制逃逸电子能量，降低放电过程中的环电 压，等离子体具有相对高的约束状态。 • LHCD+IBW协同下的逃逸电子行为 协同下的逃逸电子行为 研究LHW&IBW协同下的逃逸电子产生机制，IBW对 逃逸电子产额的影响，抑制逃逸的可能方法，以寻找 LHCD+IBW两波协同下抑制逃逸电子（产额和能量） 的等离子体放电模式
LHCD only
LHCD+IBW
HXR-flux GAM-counts
中逃逸分布比较弱，当加入IBW后，逃逸增强。 在LHCD target 中逃逸分布比较弱，当加入 后 逃逸增强。 IBW引起 、Zeff增加，导致等离子体环电压 l上升。增强的原因 引起ne、 增加， 引起 增加 导致等离子体环电压V 上升。增强的原因?
JFT-2（LHW）和HT-7(ohmic)的slide-away实验结果
ECE HXR
Ha ECE
ω 实现条件： pe
/ ω ce ≤ 0.3
实验参数
Ip=100kA,150kA,200kA击穿后停止充气，让密度开始从 开始衰减到 击穿后停止充气，让密度开始从1开始衰减到 击穿后停止充气 0.4左右 研究不同电流下 左右:研究不同电流下 放电的密度阈值。 左右 研究不同电流下,slide-away放电的密度阈值。 放电的密度阈值 电流压缩：中心弦平均密度 等离子体电流在 等离子体电流在0.4s(平顶阶段 压缩，从 平顶阶段)压缩 电流压缩：中心弦平均密度1,等离子体电流在 平顶阶段 压缩， 200kA到100kA，改变电流压缩速率，研究 到 ，改变电流压缩速率，研究slide-away放电的密度阈值随 放电的密度阈值随 电流压缩速率的变化关系。 电流压缩速率的变化关系。
二.LHCD+IBW下的逃逸电子行为
在低杂波与离子波恩斯坦波协同效应下，快 电子尾部具有更高的能量。这些快电子尾部的 能量接近逃逸的阈值，在一定条件下转化为逃 逸电子，引发强的逃逸分布，从而影响等离子 体品质以及装置的安全运行。 本提案拟探索低杂波与离子波恩斯坦波协同 效应下逃逸电子的产生机制、逃逸电子的约束 行为以及逃逸电子与波的相互作用，为优化高 参数先进运行模式提供一定的物理基础，也为 逃逸电子的能量控制提供一定的参考。
谢谢！ 谢谢！
Slide-away 放电
非麦克斯维尔分布的逃逸电子会激发一些等离子体不稳定性。 电子等离子体频率和密度成正比，密度的降低引起电子等离子体 频率降低，而电子回旋频率不变，当低密度下等离子体中心满足 电子等离子体频率低于回旋频率时，一些电子等离子体频率附近 的波被激发，逃逸电子和波作用被散射，垂直能量增加。 垂直能量的增加会增大逃逸电子的同步辐射功率，从而使得 逃逸电子能量降低。这些低能逃逸电子可以有效携带等离子体电 流，从而等离子体环电压下降。由于低能逃逸电子数量多，ECE 信号上会观察到辐射增强。等离子体约束状态变好。
e3ne ln Λ(2 + Z eff )
2 4πε 0 m0 E
(1) (a)低杂波嵌套在IBW中, (b) IBW嵌套在低杂波中： 研 究IBW对逃逸产额的影响（等离子体参数:Ip=100kA, ne=1, LHW&IBW的功率都是:200kW） (2) LHCD下,用密度爬升代替IBW引起的密度(环电压)增 加,研究协同实验中逃逸增强是否是由等离子体密度/ 环电压/有效电荷数的增加而引起的.(Ip=100kA,ne=1, Power of LHW:200kw)
2009年HT-7逃逸电子实验提案
卢洪伟 胡立群 2009-6-18
实验主题
• Slide-away放电模式的实验研究 放电模式的实验研究
• LHCD+IBW协同下的逃逸电子行为 协同下的逃逸电子行为
研究动机
• Slide-away放电模式的实验研究 放电模式的实验研究 slide-away:抑制逃逸电子能量，降低放电过程中的环电 压，等离子体具有相对高的约束状态。 • LHCD+IBW协同下的逃逸电子行为 协同下的逃逸电子行为 研究LHW&IBW协同下的逃逸电子产生机制，IBW对 逃逸电子产额的影响，抑制逃逸的可能方法，以寻找 LHCD+IBW两波协同下抑制逃逸电子（产额和能量） 的等离子体放电模式
LHCD only
LHCD+IBW
HXR-flux GAM-counts
中逃逸分布比较弱，当加入IBW后，逃逸增强。 在LHCD target 中逃逸分布比较弱，当加入 后 逃逸增强。 IBW引起 、Zeff增加，导致等离子体环电压 l上升。增强的原因 引起ne、 增加， 引起 增加 导致等离子体环电压V 上升。增强的原因?
JFT-2（LHW）和HT-7(ohmic)的slide-away实验结果
ECE HXR
Ha ECE
ω 实现条件： pe
/ ω ce ≤ 0.3
实验参数
Ip=100kA,150kA,200kA击穿后停止充气，让密度开始从 开始衰减到 击穿后停止充气，让密度开始从1开始衰减到 击穿后停止充气 0.4左右 研究不同电流下 左右:研究不同电流下 放电的密度阈值。 左右 研究不同电流下,slide-away放电的密度阈值。 放电的密度阈值 电流压缩：中心弦平均密度 等离子体电流在 等离子体电流在0.4s(平顶阶段 压缩，从 平顶阶段)压缩 电流压缩：中心弦平均密度1,等离子体电流在 平顶阶段 压缩， 200kA到100kA，改变电流压缩速率，研究 到 ，改变电流压缩速率，研究slide-away放电的密度阈值随 放电的密度阈值随 电流压缩速率的变化关系。 电流压缩速率的变化关系。
二.LHCD+IBW下的逃逸电子行为
在低杂波与离子波恩斯坦波协同效应下，快 电子尾部具有更高的能量。这些快电子尾部的 能量接近逃逸的阈值，在一定条件下转化为逃 逸电子，引发强的逃逸分布，从而影响等离子 体品质以及装置的安全运行。 本提案拟探索低杂波与离子波恩斯坦波协同 效应下逃逸电子的产生机制、逃逸电子的约束 行为以及逃逸电子与波的相互作用，为优化高 参数先进运行模式提供一定的物理基础，也为 逃逸电子的能量控制提供一定的参考。
谢谢！ 谢谢！
Slide-away 放电
非麦克斯维尔分布的逃逸电子会激发一些等离子体不稳定性。 电子等离子体频率和密度成正比，密度的降低引起电子等离子体 频率降低，而电子回旋频率不变，当低密度下等离子体中心满足 电子等离子体频率低于回旋频率时，一些电子等离子体频率附近 的波被激发，逃逸电子和波作用被散射，垂直能量增加。 垂直能量的增加会增大逃逸电子的同步辐射功率，从而使得 逃逸电子能量降低。这些低能逃逸电子可以有效携带等离子体电 流，从而等离子体环电压下降。由于低能逃逸电子数量多，ECE 信号上会观察到辐射增强。等离子体约束状态变好。