三相整流模块 MDS200A
200A IGBT 参数

102
Cies
8
IC = 400A
101
Coes
6
IC = 200A
102
7 5 3 2
4
100
Cres VGE = 0V
2
IC = 80A
0 0 4 8 12 16 20
Diode Reverse Recovery Time Diode Reverse Recovery Charge
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25 °C unless otherwise specified
Characteristics Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Case Contact Thermal Resistance Symbol Rth(j-c) Rth(j-c) Rth(c-f) Test Conditions Per IGBT Per FWDi Per Module, Thermal Grease Applied Min. – – – Typ. – – – Max. 0.085 0.18 0.045 Units °C/W °C/W °C/W
Units °C °C Volts Volts Amperes Amperes Amperes Amperes Watts N·m N·m Grams Vrms
Static Electrical Characteristics, Tj = 25 °C unless otherwise specified
Sep.1998
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DY-24H
三相整流模块 MDS150A

2 11.4 1.5 I t Vs.Time
11
9
7
5
3 1
ᯊ䯈 t,ms
10
Fig.5 ℷ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.6 I2t⡍ᗻ᳆㒓
三相整流模块
2/3
MDS150A
外形尺寸图
103A
103A-1
乐清市柳晶整流器有限公司(编)
三相整流模块
3/3
Fig.2 ⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature 0'6Vs.Mean forward Current
᳔ℷࡳ㗫P F(AV)(max),W
3Ⳍ ℷᑇഛ⬉⌕ IF(AV),A
Fig.3 ᳔ℷࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕ⱘ݇㋏᳆㒓
MDS150A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小, 重量轻
典型应用
1). 仪器设备的直流电源 2). PWM 变频器的输入整流电源 3). 逆变焊机
IO VRRM IFSM I2t
150A 600~1600V 1.5 KA 11.4 103A2S
150 25
三相整流模块
1/3
MDS150A
性能曲线图
Peak forward 0'46 Voltage Vs.Peak forward ℷዄؐ⬉य़V FM,V ℷዄؐ⬉⌕ IFM,A Tj=150e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time
三相整流桥MDS200A

600
150 150 150
150
IFM=200A
25
180°正弦半波,单面散热
180°正弦半波,单面散热
50HZ , R.M.S , t=1min
Iiso:1mA(max)
与散热器固定
2500 -40
M373
参数值 典型
最大 200
单位 A
1600 1800 V
15 mA
2.1 KA
22.1 103A2S
200A 600~1800V 2.1KA 22.1 103A2S
符号
参数
IO
直流输出电流
VRRM 反向重复峰值电压
IRRM IFSM I2t VFO rF VFM Rth(j-c) Rth(c-h)
反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 正向峰值电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(结至散)
0.80 V
2.8 mΩ
1.15
1.35 V
0.10 ℃/W
0.07 ℃/W
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
125 ℃
420gΒιβλιοθήκη 杭州西整电力电子科技有限公司
第1页
三相整流桥模块 Diode Module
MDS200A
杭州西整电力电子科技有限公司
第2页
三相整流桥模块 Diode Module
Install Size Diagram:
MDS200A
杭州西整电力电子科技有限公司
第3页
三相整流桥模块 Diode Module
MDS200A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器,需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时,应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热,在设备未断电及模块未完全冷却降温之前,严禁用手触摸模块
NBC气保焊使用说明书要点

▲ NBC(列逆变式CO抗体保护焊机是一种用于CO质体保护焊的高性能通用半自动电焊机。
可使用)1.0〜①1.6直径实芯及药芯焊丝焊接低碳钢低合金钢构件。
该系列逆变焊机具有合理的静外特性及良好的动态性能。
该系列逆变焊机性能特点如下:台逆变技术可以保证焊接电压在电网电压波动及电弧长度变化的情况下高度平稳,电弧自调节能力强,焊接过程稳定。
台焊接飞溅小,金属熔敷率高。
台焊缝成型好,焊接变形小。
台采用强脉冲引弧,引弧成功率高。
台收弧时具有消球功能。
台自锁功能在大规范长焊缝焊接是时可降低焊工劳动强度。
台送丝电路采用高稳定电源,送丝平稳。
台送丝装置接口独立,便于拆装加长电缆。
台体积小,重量轻,便于移动。
节能省电,使用费用低,对电网容量要求低。
该系列焊机的制造符合标准GB15579.1-2004《弧焊设备第一部分:焊接电源》,L 一般安全注意事项•请务必遵守本说明书规定的注意事项,否则可能发生事故。
•输入电源的设计施工,安装场地的选择,高压气体的使用等,请按照相关标准和规定进行。
•无关人员请勿进入焊接作业场所内。
•请有专业资格的人员对焊机进行安装,检修,保养及使用。
•不得将本焊机用于焊接以外的用途(如充电,加热,管道解冻等等)。
•如果地面不平,要注意防止焊机倾倒。
企防止触电造成电击或灼伤•请勿接触带电部位。
•请专业电气人员用规定截面的铜导线将焊机接地。
•请专业电气人员用规定截面的铜导线将焊机接入电源,绝缘护套不得破损。
•在潮湿,活动受限处作业时,要确保身体与母材之间的绝缘。
•高空作业时,请使用安全网。
不用时请关闭输入电源。
* 避免焊接烟尘及气体对人体的危害•请使用规定的排风设备,避免发生气体中毒和窒息等事故。
•在容器底部作业时,保护气体会沉积在周围,造成窒息。
应特别注意通风。
小避免焊接弧光,飞溅及焊渣对人体的危害•请佩戴足够遮光度的保护眼镜。
弧光会引起眼部发炎,飞溅及焊渣会烫伤眼睛。
•请使用焊接用的皮质保护手套,长袖衣服,帽子,护脚,围裙等保护用品,以免弧光,飞溅及焊渣灼伤,烫伤皮肤。
普通晶闸管 可控硅模块 MTC200A1600V

Gate Trigger Zone at varies temperature 90$
-30°C -10°C 25°C 125°C
䮼ᵕ⬉य़,VGTˈ V
2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 50
100
150
200
250
䮼ᵕ⬉⌕ ,IGT ˈmA
Fig.9 䮼ᵕࡳ⥛᳆㒓
Fig.10 䮼ᵕ㾺থ⡍ᗻ᳆㒓
MTC200A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘,2500V交流电压 2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小,重量轻
典型应用
1). 交直流电机控制 2). 各种整流电源 3). 变频器
IT(AV) VDRM/VRRM ITSM I2t
200A 600~1800V 7.2 A×103 259 A2S*103
外形尺寸图
214F3
216F3
401F
乐清市柳晶整流器有限公司(编)
普通晶闸管、可控硅模块
3/3
主要参数
符号 IT(AV) IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM It VTO rT VTM dv/dt di/dt IGT VGT IH VGD Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size
2
参数 通态平均电流 方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率 通态电流临界上升率 门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散) 绝缘电压 安装扭矩(M8) 安装扭矩(M6) 贮存温度 质量 包装盒尺寸
变频器硬件基础知识培训

主触头
辅助触头
线圈接线端子
主触头 L1,L2,L3,T1,T2,T3
辅助触头NO常开点 NC常闭点
线圈电压等级标识
A1,A2线圈接线端子
THE END
MDC160/16 机器。
逆变部分:
将直流转换为交流的过程称之为逆变。当前低压变频 器所采用的逆变器件大部分为IGBT。在通用变频器中使用 的IGBT一般都是模块型结构,根据变频器的使用特点,在 IGBT单管旁反并了一个续流二极管。通常IGBT模块有一 单元,二单元,和六单元三种封装方式。根据变频器的电 压等级的不同,又分 为1200V(用于380V电压等级)和 600V(用于220V电压等级)两种不同的规格。其实物的 示意图如下:
风机
由于模块的开关损耗会导致发热,而过高的环境温度会加速器件 的老化,甚至会导致模块的损坏,所以变频器要采取散热措施,而变 频器最常采用的散热方式就是强迫风冷即在散热器上加装风机加速热 空气流通而到达加强散热作用。我们的小功率的机器所采用直流风机 散热,分别是6025/24V和8025/24V两种风机。6025指的是风机的长 和宽是60㎜,厚度为25㎜,同样8025指的是风机的长和宽是80㎜, 厚度为25㎜。中大功率的散热风机是单相220V交流风机.由于热空气 是向上流通的所以风机的安装方向要保证空气是向上流通的,这一点 在装配的过程中值得注意一下。
耐压1200V
额定电流150A
三菱模块
CM 300
公司代号 额定电流 2单元封装
DY – 24 A
产品系列号 耐压1200V
主电容
这里所说的主电容指的是并联在直流母线两端的电解电容,其在 变频器内所起的作用就是储能和滤波,可以缓冲由泵升电压带给整流 器件和逆变器件的冲击。与其相关的主要参数就是容值和耐压值。我 们所采用的主电容的耐压值为400VDC。对于220V电压等级的变频器 而言,我们将高于电网电压20%视为过电压,而此时折算到直流母线 上的直流电压为: V=220V*1.2*1.414=373.3V〈400V所以对于该电 压等级的变频器耐压400V的电容已足以满足耐压标准。当容值不够可 以采取并联电容的方法以增大容值。同理,对于380V电压等级的变频 器电容所要承受的电压为:V=380*1.2*1.414=644.8V〉400V,所以 为了满足耐压要求就得采取串接的方式;但是由于每个电容都有等效 的内阻,而且该等效内阻的阻值差异较大,若电容直接串联则必然会 带来电容两端的分压不平均导致内阻较大的电容两端所分担的电压过 高,甚至高于其耐压值而损坏。为了避免该现象,每个串联的电容两 端并接一个较大阻值的电阻以减小内阻差异带来的分压不均。该电阻 称为均压电阻。这里要提一下的是同型号电容并联耐压值保持不便, 但其容值随并联的电容的个数倍增;同型号电容串联,耐压值随所串 接的电容的个数倍增,但其容值随之成倍递减。主电容是采用电解电 容,通常电解电容是有极性的,电容并联时要注意保持极性一致,串 联时要注意串接电容的极性正负相连。
DX系列中波发射机典型故障速查表

DX系列中波发射机典型故障速查表
(本附录故障分析以762厂AM1035-Ⅱ型发射机为例)表1:无法正常开机故障
表1续:无法正常开机故障
表3:电源故障
表3续:电源故障
表4:联锁故障
表5:自动掉高压故障
表6:过流故障
表7:激励器故障
表8:射频包络故障
表8:射频包络故障
表9:烧功放板故障
表9续:烧功放板故障
表9续:烧功放板故障
表10:冷却故障
表10续:冷却故障
表11:缓冲放大故障
表12:预推动大故障
表13:功率异常故障
表13续:功率异常故障
表13续:功率异常故障
表14:调制编码板故障
表15:直流稳压B+/B-故障
表15续:直流稳压B+/B-故障
表16:失真故障
表17:欠激励、过激励故障
表17续:欠激励、过激励故障
表17续:欠激励、过激励故障
表18:转换错误故障
表18续:转换错误故障
表19:网络驻波故障
表19续:网络驻波故障
表19续:网络驻波故障
表20:其它故障
表20续:其它故障。
金属全密封大电流三相整流模块的设计与制作

Ke wo d :e t e ;mo u e d sg y r s rc i r i f d l e i n;me au g c sn ei g/me a l s a e t r i itr l n tl l e ld a—
1 引 言
为满 足军 品用 户 的需要 , 据 S2 6 8 1 9 t 根 J0 6 — 9 81 中
第4 2卷 第 l 2期
20 0 8年 1 2月
三相整流模块 MDS100A

特点
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小, 重量轻
典型应用
1). 仪器设备的直流电源 2). PWM 变频器的输入整流电源 3). 逆变焊机
IO VRRM IFSM I2t
100A 600~1600V 1.2 KA 7.2 103A2S
150 25
三相整流模块
1/3
MDS100A
性能曲线图
Peak forward Voltage Vs.Peak forward Current 0'46 ℷዄؐ⬉य़VFM,V ℷዄؐ⬉⌕ IFM,A Tj=150e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W Thermai Impedance Vs.Time Max. junction To case
10
ᯊ䯈t,ms
Fig.5 ℷ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.6 I2t⡍ᗻ᳆㒓
三相整流模块
2/3
MDS100A
外形尺寸图
102A-1
102A
乐清市柳晶整流器有限公司(编)
三相整流模块
3/3
ᯊ䯈 tˈS
Fig.1 ℷӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean forward Current 0'6 ㅵ⏽ᑺTc(max),e C ℷᑇഛ⬉⌕ IF(AV),A 3Ⳍ
Surge Current Vs.Cycles 1.2 ℷ⌾⍠⬉⌕IFSM,KA ਼⊶᭄ n,@ 50Hz
三相整流模块 MDS400A

ᯊ䯈 tˈ S
Fig.1 ℷӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean forward Current 0'6 3Ⳍ ᳔ℷࡳ㗫PF(AV)(max),W ℷᑇഛ⬉⌕ IF(AV),A ㅵ⏽ᑺ Tc(max),e C
MDS400A
特点
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小, 重量轻
典型应用
1). 仪器设备的直流电源 2). PWM 变频器的输入整流电源 3). 逆变焊机
IO VRRM IFSM I2t
400A 600~1600V 2.1 KA 22.1 103A2S
25
Fig.4 ㅵ⏽ᑺϢᑇഛ⬉⌕ⱘ݇㋏᳆㒓
2 2.1 I 22.1 t Vs.Time
ℷ⌾⍠⬉⌕IFSM,KA
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A 2S
20
15
10
਼⊶᭄ n,@ 50Hz
5
1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.5 ℷ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.6 I2t⡍ᗻ᳆㒓
三相整流模块
2/3
MDS400A
外形尺寸图
104A
乐清市柳晶整流器有限公司(编)
三相整流模块
3/3
主要参数
符号 参数 测试条件 结温 Tj(℃) IO VRRM IRRM IFSM I2t VFO rF VFM Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 直流输出电流 反向重复峰值电压 反向重复峰值电流 正向不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 正向峰值电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散热器) 绝缘电压 安装扭矩(M6) 安装扭矩(M5) 贮存温度 质量 包装盒尺寸 外形为104A 115×83×51(1只装) -40 450 IFM=400A 单面散热 单面散热 50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max) 2500 6 4 125 三相全波整流电路, TC=100℃ VRRM tp=10ms VRSM= VRRM+200V at VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 150 150 150 150 600 最小 参数值 典型 最大 400 1600 15 2.1 22.1 0.8 2.8 1.35 0.10 0.07 A V mA KA A2s*103 V mΩ V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
mds三相整流桥模块作用

mds三相整流桥模块作用
MDS三相整流桥模块用于将三相交流电转换为直流电。
其作
用如下:
1. 整流:将交流电转换为直流电。
MDS三相整流桥模块内部
包含三个二极管桥,可以将三相交流电的正半周转换为正向的直流电,并将负半周转换为反向的直流电。
2. 平滑:通过整流作用,MDS三相整流桥模块可以将交流电
中的频率成分剔除,使输出的直流电变得更加平滑。
这样可以减小直流电的波动,并提供更加稳定的电源给后续的设备使用。
3. 电压变换:MDS三相整流桥模块可以通过选择合适的附件
电容和电阻来改变输出直流电的电压大小。
这使得它可以适应不同电压要求的设备。
4. 电能转换:MDS三相整流桥模块可以将交流电转换为直流电,从而实现电能的转换和利用。
这对于一些需要使用直流电的设备和系统来说非常重要,例如电动机、直流电源等。
总的来说,MDS三相整流桥模块的作用是将三相交流电转换
为直流电,并提供稳定的电源给后续的设备使用。
它在能源转换和电源稳定方面发挥重要的作用。
可控硅模块MTC200A

通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳)
测试条件
180°正弦半波,50HZ 单面散 热,Tc=85℃
ITM=600A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A,门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V,IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
180°正弦半波,单面散热
杭州西整电力电子科技有限公司
Hangzhouxizheng Power electronics technology co. LTD.
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
200A 600~1800V 7.2 KA 259 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD Rth(j-c)
参数
通态平均电流
参数值 典型
1600
最大 200 314 1800
单位
A A V
30
mA
7.20 KA
259 103A2S
0.80
V
1.27 mΩ
1.65
V
800 V/μs
100 A/μs
50
180 mA
1.0
2.5
V
100 mA
国晶科技(三相整流模块)MDS200 说明书

参数值符号 参数测试条件结温Tj (℃)最小典型最大单位I O 直流输出电流 三相全波整流电路,T c =100℃ 150 200 A V RRM 反向重复峰值电压 V RRM tp=10ms V RsM =V RRM +200V 150 12001600 1800 VI RRM 反向重复峰值电流V RM = V RRM 150 15 mA I FSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽,正弦半波 150 2.1 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM150 22.1103A 2S V FO 门槛电压 0.80 Vr F 斜率电阻150 2.8 m ΩV FM 正向峰值电压 I FM =200A 25 1.15 1.35 V R th(j-c)热阻抗(结至壳) 180°正弦半波,单面散热 0.10 ℃/W R th(c-h)热阻抗(结至散) 180°正弦半波,单面散热 0.07 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ,R.M.S ,t=1min I iso :1mA(max) 2500 V F m 安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6)4.0 6.0N ·m N ·mT sbg 储存温度 -40 125 ℃W t质量420 gOutline M373中国·杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询:*************1中国·杭州国晶电子科技有限公司 技术咨询:*************2模块典型电路电联结形式模块外型图、安装图M373使用说明:一、使用条件及注意事项:1、使用环境应无剧烈振动和冲击,环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温:整流为-40℃∽150℃;环境温度不得高于40℃;环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器,散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
一种接线简单的三相电源启动模组[实用新型专利]
![一种接线简单的三相电源启动模组[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/23003e81011ca300a7c3901e.png)
专利名称:一种接线简单的三相电源启动模组专利类型:实用新型专利
发明人:李佳华
申请号:CN201721016753.7
申请日:20170815
公开号:CN207530731U
公开日:
20180622
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型实施例提供了一种接线简单的三相电源启动模组,包括:单片机、功率组件与继电器控制电路、电源电路,所述电源电路为所述单片机好所述功率组件与继电器控制电路提供工作电压,所述单片机与所述功率组件与继电器控制电路相连。
应用本实用新型实施例提供的在简化接线的同时也使安装空间得到了很大的优化,同时也消除了因接错线、接线不良而带来的负面影响。
申请人:珠海瑞景电子科技有限公司
地址:519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-6559
国籍:CN
代理机构:广州三环专利商标代理有限公司
代理人:温旭
更多信息请下载全文后查看。
三相整流模块MDS200-16 ASEMI 200A 1600V

符号 IRRM VFM Rth(j-c)
参数名称
直流输出电流 正向浪涌电流 I2t 值 绝缘电压 工作结温 额定结温 储存温度 安装力矩(铜底板) M5 安装力矩(接线端) M6 重量
参数名称
反向重复峰值电流 正向峰值电压 热阻抗(结-壳)
MDS200 -12 1200 1300
额定值
大
通
态
功
耗
(W
)
时间 (s)
管
管壳温度与通态平均电流关系曲线
壳
温
度
(℃
)
通态平均电流 (A)
通 态
通态浪涌电流与周波数的关系曲线
浪
涌 电 流
(K
A)
通态平均电流 (A)
电
流
I2t 特性曲线
平
方
时
间
积
(10 3A2
S)
周波数 @50Hz
第2页共2页
时间 (ms)
特点
●国际标准封装 ●低正向压降 ●绝缘电压 2500V~
三相整流桥整流模块
MDS 200A
应用
● 仪器设备的直流电源 ● PWM 变频器的输入整流电源 ● 逆变焊机
■ 最大值 符号
参数名称
VRRM
反向重复峰值电压
VRSM
反向不重复峰值电压
符号
IO IFSM
I2t VISO Tj Tjm Tstg
Md
g
测试条件
VR=VRRM,正弦半波,Tj=150℃
IFM =200A, Tj=25℃
单面散热,正弦半波
额定值 单位
15
mA
1.35
V
0.1
MDS200-16-ASEMI三相整流模块MDS200-16

MDS200-16-ASEMI 三相整流模块MDS200-16
编辑・z
MDS200-16在M22封装里采用的6个芯片,是一款三相整流模块。
MDS200-16的浪涌电流lfsm为2000A,漏电流(lr)为5mA,其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。
MDS200-16采用GPP硅芯片材质,里面有6颗芯片组成。
MDS200-16的电性参数是:正向电流(Io)为200A, 反向耐压为1600V,正向电压(VF)为1.5V,其中有5条引线。
MDS200-16参数描述
型号:MDS200-16
封装:MDS模块
特性:三相整流模块
电性参数:200A1600V
芯片材质:GPP
正向电流(Io): 200A
芯片个数:6
正向电压(VF): 1.5V
芯片尺寸:Φ16
浪涌电流lfsm: 2000A
漏电流(Irj: 5mA
工作温度:-40~+150°C
引线数量:5
≡EΛff≡
MDS200-16三相模块封装系列。
它的本体长度为94mm,宽度为73mm,高度为36mm,脚
间距为34mm。
MDS200-16可用做电源用三相整流器,直流电机励磁电源整流器,电池充电器整流器,变频驱动器的输入整流器。
以上就是关于MDS200-16-ASEMI三相整流模块MDS200-16的详细介绍。
整流桥MDS100A1600V

三相整流桥模块 three phase bridge recitifer module
三相整流桥模块
MDS100
IO VRRM IFSM I2t
100A 1200~1800V 1.20 KA 7.20 103A2S
符号
IO
VRRM IRRM IFSM
I2t VFO rF VFM Rth(j-c) Rth(c-h) Viso
Fm Tsbg Wt
参数
直流输出电流
反向重复峰值电压
反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电 流 浪涌电流平均时间 积 门槛电压 斜率电阻 正向峰值电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(结至散)
绝缘电压
安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 储存温度 质量
测试条件
三相全波整流电路, Tc=100℃ VRRM tp=10ms VRsM=VRRM+200V VRM= VRRM 10ms 底宽,正弦半波
VR=0.6 VRRM
IFM=100A 180°正弦半波,单面散热 180°正弦半波,单面散热 50HZ , R.M.S , t=1min Iiso:1Ma(max)
模块封装图(M340&M342):
三相整流桥模块 three phase bridge recitifer module
MDS100
电路联结图:
~~~
+
结温
参数值
Tj(℃) 最小 典型 最大
150
100
150 1200 1600 1800
150
5
150
1.20
150
7.20
整流模块外形和型号

中达:
2.1 MCS3000H系统,单模块50A, 整流模块料号:ESRH-48/50A;ESR-48/50D E
2.2 MCS3000D系统,单模块50A , 整流模块料号:ESR-48/56A C;
2.3 MCS3000系统整流模块,整流模块料号: ESR-48/50A CD;
2.4 ES3000系统整流模块,整流模块料号:ESR-48/50A A;
2.4系统整流模块,整流模块料号:30A/48V,中达ESR-48/30D DCE
因为中达整流模块型号较多,领货容易混淆。
与厂家确认后,现在提供相关信息如下:
1、ESR-48/56A C = ESR-48/56A C-E = DPR48/50-C-DCE
2、ESR-48/50 C F = ESR-48/50 C D = ESR-48/50A CD
艾默生:
PS48400-2C/50系统整流模块;整流模块料号:HD4850-2C;
PS48400-3/2900-X3系统整流模块;整流模块:R48-2900;
中兴:
ZXDU68 S301系统整流模块;整流模块:ZXD2400;
PS:以上都是50A的容量。
一.艾默生锂电电源柜:
二.八达机柜:
1动力源嵌入式DC
2.珠江嵌入式DC
三.艾默生单仓柜:
四:华脉机柜
五,天汇一体化机柜
普天洲际DMA10-48/100S1 对应普天洲际DUM14电源
铭普。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
特点
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压 2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 3). 体积小, 重量轻
典型应用
1). 仪器设备的直流电源 2). PWM 变频器的输入整流电源 3). 逆变焊机
IO VRRM IFSM I2t
200A 600~1600V 2.1 KA 22.1 103A2S
ห้องสมุดไป่ตู้
ᯊ䯈 tˈ S
Fig.1 ℷӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
Max. Power Dissipation Vs.Mean forward Current 0'6 3Ⳍ ᳔ℷࡳ㗫PF(AV)(max),W ℷᑇഛ⬉⌕ IF(AV),A ㅵ⏽ᑺ Tc(max),e C
25
Fig.4 ㅵ⏽ᑺϢᑇഛ⬉⌕ⱘ݇㋏᳆㒓
2 2.1 I 22.1 t Vs.Time
ℷ⌾⍠⬉⌕IFSM,KA
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈鳥I2t,103A 2S
20
15
10
਼⊶᭄ n,@ 50Hz
5
1
ᯊ䯈t,ms
10
Fig.5 ℷ⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
Fig.6 I2t⡍ᗻ᳆㒓
主要参数
符号 参数 测试条件 结温 Tj(℃) IO VRRM IRRM IFSM I2t VFO rF VFM Rth(j-c) Rth(c-h) Viso Fm Tstg Wt Size 直流输出电流 反向重复峰值电压 反向重复峰值电流 正向不重复浪涌电流 浪涌电流平方时间积 门槛电压 斜率电阻 正向峰值电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(壳至散热器) 绝缘电压 安装扭矩(M6) 安装扭矩(M5) 贮存温度 质量 包装盒尺寸 外形为103A、103A-1 115×83×51(1只装) -40 450 IFM=200A 单面散热 单面散热 50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max) 2500 6 4 125 三相全波整流电路, TC=100℃ VRRM tp=10ms VRSM= VRRM+200V at VRRM 10ms 正弦半波 VR=0.6VRRM 150 150 150 150 600 最小 参数值 典型 最大 200 1600 15 2.1 22.1 0.8 2.8 1.35 0.10 0.07 A V mA KA A2s*103 V mΩ V ℃ /W ℃ /W V N·m N·m ℃ g mm 单位
三相整流模块
2/3
MDS200A
外形尺寸图
103A
103A-1
乐清市柳晶整流器有限公司(编)
三相整流模块
3/3
Fig.2 ⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. case Temperature Vs.Mean forward Current 0'6
3Ⳍ
ℷᑇഛ⬉⌕ IF(AV),A
Fig.3 ᳔ℷࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕ⱘ݇㋏᳆㒓
Surge Current Vs.Cycles 2.1
150 25
三相整流模块
1/3
MDS200A
性能曲线图
Peak forward Voltage Vs.Peak forward Current 0'6 ℷዄؐ⬉य़V FM,V ℷዄؐ⬉⌕ IFM,A Tj=150e C ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e C/W Max. junction To case Thermai Impedance Vs.Time