光阻知识
光阻
光阻光阻光阻，亦称为光阻剂，是一个用在许多工业制程上的光敏材料。
像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。
光阻的类别光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist) 正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。
负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。
在紫外线和短波长的吸收光阻通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)。
例如DNQ在300纳米到450纳米间有很强的吸收。
正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在LED芯片制造的金属电极蒸镀Lift-off制程中，由于LED电极所使用的金属材料不易经由蚀刻的方式制作电路图形，所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上，再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部分拔起，完成金属电极的图案。
半导体制程常用的正型光阻剂，在光学曝光方式下，光阻剂上层接受能量较下层光阻高，使得正型光阻剂成像大部分图形为上窄下宽，无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形，而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反，所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。
作者：LED小知识光阻液光阻材料简介光阻主要由树脂(resin)，感光剂(sensitizer)，溶剂(solvant)三种成分混合而成。
光阻种类: 光阻分为正光阻及负光阻两种。
1. 正光阻: 光阻本身难溶于显影液，曝光后解离成小分子，形成容易溶于显影液的结构。
2. 负光阻: 曝光后形成不容易溶于显影液的结构。
一般Array photo process 对正型光阻的需求如下:1. 涂布Coating: Thickness uniformity and Mura free.2. 曝光Exposure: Photospeed.3. Development: Thickness loss, taper and process window.4. Postbaking: Heat resistance and reflow.5. Etching: Etching resistance and adhesion.6. Stripping: Resist removability.。
光阻电阻介绍
光敏电阻原理-光敏电阻的特性-应用电路-光敏电阻路灯控制器-光敏电阻的阻值-参数-型号来源:互联网作者:电子电路图【大中小】光敏电阻结构图片光敏电阻外观图片光敏电阻器以硫化隔制成，所以简称为CDS，通常使用热压结晶体之光电传导零件，其特性有：1.光传导零件之特性:CDS之相对灵敏度与照射光线之灵敏度有关，波长从5500至6500A(1A=1．10-8cm)之间有最大的灵敏度。
2.照度特性：在同样之电压下，照度愈强，光电流愈大，亦即是电阻愈小，适当的添加杂质，便能使照度在小1~1000 lux范围内保持与光电时间的直线关系。
3.时间响应特性:光照射到度件，光电流达到正常值之63%的时间，称为"上升时间"，反之一，将光遮断，而光电流减少为原来的63%之时间，则叫做" 衰弱时间"。
一般其值为10毫秒至数秒，若置于黑暗的时间较短而有照度愈强，向应时间就有愈短之倾向，此外，负载电阻增大，则上升时间就变短而衰弱时间就变长。
4.温度特性:CDS之禁带宽度高达2.4eV(eV为电子伏特)，故可以在-20℃～70℃之范围内工作，当温度上升，光灵敏度减少，在低照度时特别显著。
.光敏电阻CDS之符号光敏电阻光谱图光敏电阻特性曲线几种CdS光敏电阻的参数应用电路：采用双D触发器CD4013的路灯控制器本例介绍的光控路灯采用CD4013双D触发器集成电路，电路结构简单、容易制作、工作稳定可靠。
电路工作原理电路原理如图1所示。
图1采用双D触发器CD4013的路灯控制器电路图该光控路灯电路由电源电路、光控电路和控制执行电路组成。
交流220V电压经VD1~VD4整流、R1限流、C1滤波及VS稳压后，为光控电路和执行电路提供+12V工作电压。
白天，RG1和RG2受光照射而呈低阻状态，IC的S1端为低电平，R1端为高电平，1端输出低电平，VT处于截止状态，K处于释放状态，照明灯EL不亮。
夜晚，RG1和RG2因无光照射或光照变弱而阻值增大，使IC的S1端变为高电平，R1端变为低电平，Q1端输出高电平，VT饱和导通，K通电吸和，其常开触头接通，EL点亮。
光阻主要可分为正光阻及负光阻二种
光阻主要可分为正光阻及负光阻二种,正光阻就是被光照射的部份可以被显影液去除掉,而未曝光的光阻则不会被显影液去除(左边)。
而负光阻则相反,被光照射的部份不会被显影液去除,而其余不被光所照射的区域将会被显影液所去除(右边)。
.tw/m_facture/Nanotech/Web/ch2.htm肖特基二极管在太阳能电路中有防反向充点作用，可是怎么接线？如题，最好画出接线图，还有，我的太阳能电池板是10W单晶硅的，电瓶是12AH的。
二极管正极接光伏板，负极接电池，防止晚上光伏不能正常发电时，电池把光伏板当负载，影响光伏板的寿命热斑效应时的电池与旁路二极管工作原理问题在太阳能组件上,一块组件根据需要会并联若干个二极管,为方便理解我假设一个电池片并联一只二极管，由电池片被遮挡等原因，会出现热斑效应,此时该块电池片会被与之并联的二极管旁路掉,二极管正向导通,另外几个电池片仍能够正常工作.现在我有以下问题请教各位前辈:1、假设被旁路掉的电池片（下称坏片）被完全遮挡，意思就是这个电池片起不到任何发电的作用，这个电池片就相当于一个PN结静态状态，此时P极多空穴，N极多电子，PN结簿层有一个内在自建电场，P侧带负电，N侧带正电，对外保持电中性，当该坏片接入电池组时，其它电池正常发电，由于与之相邻的电池片在工作故产生电压，此时加在这个坏片上的两端的电压有势差，即P极电压高于N极电压（关键地方，不知道对不对？），此时坏片才有可能作为耗电部件存在，有P向N的正向电流导通，耗电发热，直到烧掉该电池，甚至整个串联电路停止供电，进而影响光伏供电系统。
基于此假设，旁路二极管才起到旁路的作用，由于旁路二极管反向电阻无穷大，阻止电流通过二极管与坏片组成的内部电路（除漏电流外，无反向电流通过坏片），又由于二极管的正向导电性能，使坏片相邻的两片电池通过二极管正向导通，仍形成完整电池供电电路。
上述理解是否正确，我主要疑点是坏片的正极电压高于负极这个假设是不是成立，以及在这种势差下，由于并联了一个反向电阻无穷大的二极管，就能截断反向电流通过坏片的的假设是否正确？2、请高手解释一下，N个电池片串联时，电压等于每个电池片的两端电压之和，假设低电位端电势为零，那就是一个一个的电池片电压向高处爬升，如果用PN电池片的原理来解释，该怎么解释啊。
光刻工艺基础知识
光刻工艺基础知识PHOTOPHOTO 流程?答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
光刻的一些简单知识
何谓RTMS，其主要功能是什幺？ 答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？ 答：一周一次
何为Reticle? 答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle? 答：Pellicle是Reticle上为了防止灰尘(dust)或者微尘粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
光罩室同时不能超过多少人在其中？ 答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？ 答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？ 答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
何谓 ADI CD? 答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓 CD-SEM? 其功能为何? 答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
何为CR Mask？ 答：传统的铬膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要应用在较不Critical 的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？ 答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光敏电阻的主要参数与特性
光敏电阻的主要参数与特性光敏电阻（Light Dependent Resistor，简称LDR），也被称为光敏电阻器、光敏电阻元件或光敏电阻器件，是一种感光元件，其电阻值随环境光照强度的变化而变化。
光敏电阻广泛应用于光电自动控制、光敏传感器、光学测量仪器等领域。
以下是光敏电阻的主要参数与特性的详细介绍。
1.参数：1.1光敏特性：光敏电阻的一个主要参数是光敏特性，它描述了光敏电阻的电阻值随着光照强度的变化情况。
光敏特性通常表示为灵敏度曲线，以光照强度与电阻值之间的关系来表示。
1.2光敏范围：光敏电阻的光敏范围是指其对环境光照强度的响应范围。
一般来说，光敏电阻器件对可见光较敏感，但对红外和紫外光的响应范围较窄。
1.3 光阻率：光阻率是指光敏电阻在规定照明光源下单位阻值的阻值。
通常以光强度为1 lx时的电阻值作为标准进行计算。
1.4暗阻抗：暗阻抗是指光敏电阻在无照光的情况下的电阻值。
暗阻抗是光敏电阻的一个重要参考参数，它与光照强度的变化有关。
1.5环境温度特性：光敏电阻在不同环境温度下的电阻值变化也是一个重要参数。
通常情况下，光敏电阻的电阻值会随着环境温度的升高而下降。
2.特性：2.1灵敏度高：光敏电阻在可见光范围内对光照变化非常敏感，能够快速响应光照强度的变化。
2.2高分辨率：由于光敏电阻的灵敏度高，它可以提供高分辨率的光照测量结果，适用于需要高精度的应用。
2.3反应迅速：光敏电阻的响应速度快，能够在毫秒级别内对光照变化作出响应。
2.4线性度高：光敏电阻的电阻值与光照强度呈线性关系，可以实现较高的测量精度。
2.5低功耗：光敏电阻在工作时只需要较低的功率供应，能够节省能源和电池寿命。
2.6可靠性强：光敏电阻器件具有较长的使用寿命和稳定性，不容易受到外界环境的影响。
2.7尺寸小：光敏电阻器件体积小、重量轻，尺寸便于微型化设计和集成。
2.8易于控制：光敏电阻器件的电阻值可以通过改变外界光照强度来控制，便于实现自动控制和调节。
(小知识)LED知识之光阻剂
LED知识之光阻剂
光阻z u，亦称为光阻剂，是一个用在许多工业制程上的光敏材料。
像是光刻技术，可以在材料○
表面刻上一个图案的被覆层。
光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)
正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部份不会溶于光阻显影液。
负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部份会溶于光阻显影液。
正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在LED芯片制造的金属电极蒸镀Lift-off制程中，由于LED电极所使用的金属材料不易经由蚀刻的方式制作电路图形，所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上，再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部份拔起，完成金属电极的图案。
半导体制程常用的正型光阻剂，在光学曝光方式下，光阻剂上层接受能量较下层光阻高，使得正型光阻剂成像大部份图形为上窄下宽，无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形，而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反，所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。
光阻和光刻胶
光阻和光刻胶
光阻（Photoresist）和光刻胶（Photoresist）通常在微电子和半导体制造工艺中使用，用于制作集成电路和其他微纳米结构。
•光阻（Photoresist）：光阻是一种特殊的化学物质，用于覆盖在硅片表面，然后通过光刻技术进行图案的传递和转移。
光阻的主要作用是在光刻工艺中，承载并保护着芯片上所需的图案，防止光刻机器上的紫外线（UV）光照射到芯片上的特定区域。
光刻机器照射的紫外线使得光阻在曝光区域发生化学或物理性质的改变，从而使得暴露区域能够被溶剂去除，形成所需的微纳米结构或电路图案。
•光刻胶（Photoresist）：光刻胶是一种用于制作微电子器件中光刻工艺的材料。
它具有光敏性，能够对紫外光或其他特定波长的光线敏感。
光刻胶覆盖在硅片或其他基板上，经过光刻机器照射后，在被光照射的区域发生化学变化，使得光刻胶的性质改变，从而使得暴露的部分能够被去除。
通过这个过程，光刻胶承载着所需的图案，在制造微电子器件时起到关键的传递和保护作用。
这两种材料都是在微电子制造领域中非常重要的材料，对于微纳米制造工艺有着重要的应用。
通过光阻和光刻胶的使用，可以精确地制造出微小尺度的电路和结构，为现代电子器件的制造提供了基础。
UV知识总结
2.2.20Di-TMPTA
1．SR-355，EM-242；
2．固化快；
3．硬度高；
4．低刺激性；
5．油墨中用。
iv.DPHA
1.SR-399,EM-265;
2.四、五、六酯的混合物；
3.粘度高，＞３０００ｃｐｓ；
4.固化快，收缩大；
5.硬度高；
6.常用于电子油墨，日本化药公司的最有名。
EO：亲水性好，柔韧型好、反应可能比较快，耐黄性较差；
PO：疏水性、硬度高。
2.2.2TPGDA、DPGDA（双官能团）
1.TPGDA，SR-306，EM-223，DPGDA，SR-508，EM-222；
2低粘度，<20cps；
3.成本低，其中TPGDA广泛应用于木器；
4.硬度TPGDA<DPGDA，这一特性使DPGDA可用于光盘保护胶。
2.1.1178价格很高，添加量少常低于千分之一，一般在多层板难照到光的地方使用；
2.1.122EAQ通常制作单层板时应用；
2.1.13下面几个光引发剂的敏感度高一般用作HA、MEK 、454、NPG。
其中96、97是制作黑墨最常用的材料，DMBI 、MEK有客户反映也可用以制作黑墨。
5.对金属附着力不错；
6.可用于油墨和涂料，在日本的使用较多。
2.2.11ACMO
1.低粘度，约1-12cps；
2.刺激性低，耐黄变性（日本产量大，多用于木器）；
3.高反应度；
4.对塑胶及玻璃的附着力好，尤其对塑胶。
2.2.123,3,5-TMCHA
1.CD-420；
2.高Tg值；
3.硬度不错；
4.耐黄变性能不错；
低粘度；
CF 光阻概论
PS 光阻简介
Hardness & Chemical Test Method
Pencil Hardness Test Method
PS 光阻简介
Chemical Test Method
THANKS！
Spacer Shape
Spacer Height Definition
PS 光阻简介
Mechanical Property of Photo-Spacer
PS 光阻简介
Deformation & Elastic Recovery vs Steepness PS 光阻简介
Property of Photo-Spacer
Pattern Profile
➢ Line Straightness Ex:
RGB 光阻简介
Evaluation Item of Color Resist In Process
RGB 光阻简介
Adhesion Test
Ex:
BM 光阻简介
Technology of Black Resin
Carbon Technology ( Carbon, Dispersant)
BM 光阻简介
Feature of High OD Resin BM
BM 光阻简介
PS 光阻简介
Key Technology of Photo-Spacer Material
PS 光阻简介
Curing Mechanism of Photo-Spacer Material
PS 光阻简介
Material Design for Slit Coating Method
Performance Roadmap
光阻主要可分为正光阻及负光阻二种
光阻主要可分为正光阻及负光阻二种,正光阻就是被光照射的部份可以被显影液去除掉,而未曝光的光阻则不会被显影液去除(左边)。
而负光阻则相反,被光照射的部份不会被显影液去除,而其余不被光所照射的区域将会被显影液所去除(右边)。
.tw/m_facture/Nanotech/Web/ch2.htm肖特基二极管在太阳能电路中有防反向充点作用，可是怎么接线？如题，最好画出接线图，还有，我的太阳能电池板是10W单晶硅的，电瓶是12AH的。
二极管正极接光伏板，负极接电池，防止晚上光伏不能正常发电时，电池把光伏板当负载，影响光伏板的寿命热斑效应时的电池与旁路二极管工作原理问题在太阳能组件上,一块组件根据需要会并联若干个二极管,为方便理解我假设一个电池片并联一只二极管，由电池片被遮挡等原因，会出现热斑效应,此时该块电池片会被与之并联的二极管旁路掉,二极管正向导通,另外几个电池片仍能够正常工作.现在我有以下问题请教各位前辈:1、假设被旁路掉的电池片（下称坏片）被完全遮挡，意思就是这个电池片起不到任何发电的作用，这个电池片就相当于一个PN结静态状态，此时P极多空穴，N极多电子，PN结簿层有一个内在自建电场，P侧带负电，N侧带正电，对外保持电中性，当该坏片接入电池组时，其它电池正常发电，由于与之相邻的电池片在工作故产生电压，此时加在这个坏片上的两端的电压有势差，即P极电压高于N极电压（关键地方，不知道对不对？），此时坏片才有可能作为耗电部件存在，有P向N的正向电流导通，耗电发热，直到烧掉该电池，甚至整个串联电路停止供电，进而影响光伏供电系统。
基于此假设，旁路二极管才起到旁路的作用，由于旁路二极管反向电阻无穷大，阻止电流通过二极管与坏片组成的内部电路（除漏电流外，无反向电流通过坏片），又由于二极管的正向导电性能，使坏片相邻的两片电池通过二极管正向导通，仍形成完整电池供电电路。
上述理解是否正确，我主要疑点是坏片的正极电压高于负极这个假设是不是成立，以及在这种势差下，由于并联了一个反向电阻无穷大的二极管，就能截断反向电流通过坏片的的假设是否正确？2、请高手解释一下，N个电池片串联时，电压等于每个电池片的两端电压之和，假设低电位端电势为零，那就是一个一个的电池片电压向高处爬升，如果用PN电池片的原理来解释，该怎么解释啊。
光阻的分类
光阻的分类《光阻那些事儿》嘿，朋友们！今天咱来唠唠光阻的分类这事儿。
这光阻啊，就像是一群有着不同个性的小伙伴，各有各的特点和用处呢。
首先，咱说说正光阻。
这正光阻就像是个乖乖仔，特别听话。
你让它在哪出现，它就在哪留下痕迹，乖乖地按照你的要求来形成图案。
它干活可利落啦，一点都不拖泥带水，而且精准得很，就像神枪手一样，指哪打哪，专门对付那些需要精确图案的活儿。
然后呢，是负光阻。
这个家伙可就有点特别啦，它就像是个调皮鬼，有点反其道而行之的意思。
你让它曝光的地方，它反而就“耍赖皮”似的不愿意被溶解掉，没曝光的地方反而能被洗掉。
别看它调皮，在有些地方还真少不了它，就像那种需要留下一些特别形状的情况，它就能大显身手啦。
还有一种光阻叫化学增幅光阻。
这个家伙可厉害了，就像个魔法师一样。
它呢，能让曝光后的反应变得更强烈，就像是给反应施了个魔法，让效果变得超级明显。
它在一些对精度要求特别高的场合，那可是能发挥出大作用的哟。
这各种光阻啊，就像是一支队伍，每个成员都有自己独特的技能和用处。
它们在电子行业、半导体领域里可都是大功臣呢！没有它们，那些精细的电路、芯片啥的可就没法制造出来啦。
有时候我就想啊，要是光阻们也能开口说话，那它们肯定会互相调侃。
正光阻可能会说：“我可是最听话的，主人让干啥就干啥。
”负光阻就会不服气地反驳：“哼，我才特别呢，我能做出你们做不到的。
”而化学增幅光阻就会得意洋洋地说：“你们都不行，我最厉害，我的魔法你们谁也比不上。
”哎呀呀，光阻的分类可真是个有趣的话题。
它们虽然看起来小小的，不太起眼，但是却有着大大的作用。
在科技发展的道路上，这些小小的光阻们可是默默无闻地贡献着自己的力量呢。
光阻法半导体
光阻法半导体
光阻法半导体是指在半导体器件制作中采用光阻剂的一种工艺技术。
具体来说，在半导体制程中，需要在一大片晶圆上选择性地将某一区域保护起来，以便在其它区域进行加工处理。
这时候会涂上一层光阻剂，由于光阻剂会吸收特定波长的光线，因此可以利用光线选择性地将光阻剂去除，留下来的光阻剂就形成了一个掩模。
然后通过这个掩模，在晶圆上加工出所需要的电路或器件结构。
在制造工艺中，光阻剂通常涂在晶圆表面，形成一层薄膜。
在涂光阻剂之前，通常需要先涂一层底漆，以提高附着力和防腐蚀性。
光阻剂有很多种，选择哪种光阻剂取决于所需加工的材料、工艺步骤和光线波长等因素。
光阻法的优点是精度高、成本低、操作简便等，因此在半导体制造中得到了广泛应用。
然而，光阻法也存在一些缺点，例如容易受到环境温度和湿度的影响、光阻剂容易脱落等。
因此，在实际应用中需要注意控制环境和操作规范。
半导体光阻材料对温度的要求
半导体光阻材料对温度的要求半导体光阻材料在工业和科研领域中被广泛应用于光刻工艺，制造集成电路和其他微结构器件。
在这些应用中，光阻材料的性能对于实现高分辨率、高质量的图案转移至关重要。
其中，温度对于半导体光阻材料的要求具有重要影响。
首先，温度对于光阻的黏度和粘度有着直接的影响。
黏度指的是液体流动阻力的大小，粘度指的是黏度和密度之比。
通常情况下，随着温度的升高，光阻的黏度会下降，流动性增强。
这对于利用光阻进行涂覆、旋涂、喷涂等工艺具有重要影响。
光阻黏度的降低可使得涂覆光阻的均匀性变好，可以减小涂覆厚度的非均匀性。
然而，在实际操作中，黏度过低会导致流动过快，涂覆过程不稳定，容易产生滴状和颗粒状的沉积物，从而影响图案质量。
因此，半导体光阻材料对于涂覆工艺的温度要求较高，通常在特定的温度范围内进行涂覆，以保证工艺的可控性。
其次，温度对于光阻感光性的要求也很高。
光阻的感光性能是指材料在受到光照后，能够产生物理或化学变化以实现图案转移的能力。
这种变化可以是光解反应、化学反应、聚合反应等，取决于光阻的化学组成和特性。
温度对于感光性能的要求在不同的光阻类型中有所不同。
对于正常感光的光阻，通常需要在相对较低的温度下使用，以保持光阻的感光性能。
例如，氮化苯胺光阻在感光过程中需要低温下进行，否则会引起光解反应的竞争反应，从而影响图案的质量。
而一些高温感光光阻，如硝基苯胺光阻，在高温下具有更好的感光性能。
此外，温度对于光刻过程的解理和分辨率也具有重要影响。
温度的变化可以改变光阻表面的张力和粘附力，从而影响光刻胶的流动性和图案的边沿分辨率。
例如，在高温下，粘附力的增加可能导致图案边沿出现模糊，降低了分辨率。
因此，光刻过程中对于温度的控制十分关键，通常需要在特定的温度范围内进行，以保持高分辨率的图案。
综上所述，温度对于半导体光阻材料的要求非常重要。
它直接影响到涂覆工艺的可控性、感光性能以及光刻过程的解理和分辨率。
因此，在实际应用中，需要根据具体情况选择适当的温度，以确保半导体光阻材料的性能和图案的质量。
MSDS_光阻UVN30-0.5
环境危害：无资料
燃爆危险：易燃的
第四部分急救措施
皮肤接触：用水洗涤皮肤。持续洗涤至少15分钟。如果出现起泡或发红不退，请就医。
眼睛接触：立刻大量用水冲洗眼睛至少15分钟，撑开眼睛。如果疼痛或发红不退，请就医。
吸入：自暴露区移开。如果呼吸困难，请给予氧气。如果症状持续不退，请就医。
企业名称：罗门哈斯电子材料（东莞）有限公司
地址：中国广东省东莞市东城区牛山外经工业园
邮编：--
电子邮件地址：--
传真号码：86 769 2290483
企业应急电话：+800-2537-8747
技术说明书编码：C0400260
生效日期：2005年7月27日
国家应急电话：事故应急救援（021）62533429(F) , FAX(021)62563255 ,火警119
(1H,3H)-dione,-tetrahydro-1,3,
4,6-tetrakis(hydroxymethyl)-
3a-methyl-6a-propyl
2-甲氧基-1-丙醇乙酸酯0.25 - < 0.5 % 70657-70-4
第三部分危险性概述
危险性类别：3易燃液体
侵入途径：吸入,食入,眼睛/皮肤接触
有关贮存的进一步的信息：切勿靠近热源、火花、火焰和其它火源。做好个人卫生以预防意外暴露。
储存注意事项：
存放在原来的容器中。
切勿靠近热源和火源。
储存区域应该是：凉爽干燥通风良好切勿阳光直射。
第八部分接触控制/个体防护
最高容许浓度：
成分
规章
列表格式
值
乙酸-1-甲氧基-2-丙基酯
光阻法和电阻法
光阻法和电阻法是两种常见的测量方法，用于检测或测量材料的特性或参数。
它们在不同领域有着广泛的应用。
光阻法（Photoresist Method）是一种利用光敏材料的特性进行测量的方法。
光敏材料，也称为光阻剂，是一种能够对光辐射产生响应并发生化学或物理变化的物质。
在光阻法中，将光阻涂覆在待测样品表面，然后通过照射光源使光阻发生变化。
根据光阻的变化程度，可以推断出待测样品的一些特性，如表面形貌、厚度、光学性质等。
电阻法（Resistance Method）是一种利用电阻测量进行分析的方法。
通过将待测样品接入电路中，测量电阻值来获得样品的特性信息。
电阻值与物质的电导率、电阻率以及样品的几何形状等因素相关。
通过测量电阻值的变化，可以推断出样品的一些特性，如导电性、电阻率、温度等。
光阻法和电阻法在不同领域有各自的应用。
光阻法常用于微电子制造、半导体工艺、光刻技术等领域，用于制作微电子器件和光学元件。
电阻法常用于材料科学、电子工程、传感器技术等领域，用于分析材料性质、测量电路参数等。
需要注意的是，具体使用哪种方法取决于具体的应用需求和测量对象的特性。
在实际应用中，需要根据具体情况选择合适的方法，并根据
相关标准和规范进行操作和分析。
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电子光刻工艺基础知识PHOTO 流程?答：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。
其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。
前处理主要包括Bake，HDMS等过程。
其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS 工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。
光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。
其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影?答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。
他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓I-line？答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓DUV？答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。
I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。
DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整个exposure field,一个一个曝过去何谓Scanner? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一个exposure field曝光时, 先Scan完整个field, Scan完后再移到下一个field.何为象差？答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？答：Exposure Field大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。
如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。
因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?答：Pellicle是Reticle上为了防止灰尘(dust)或者微尘粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何为CR Mask？答：传统的铬膜光罩,只是利用光讯0与1干涉成像,主要应用在较不Critical 的layer光罩编号各位代码都代表什幺？答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）光罩室同时不能超过多少人在其中？答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放如何避免静电破坏Mask？答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓Track?答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？答：均为4个机台上亮红灯的处理流程？答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。
若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓WEE? 其功能为何?答：Wafer Edge Exposure。
由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。
（消除standing waves）PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER 是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓Overlay? 其功能为何?答：迭对测量仪。
由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。
因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓ADI CD?答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。
曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。
因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓CD-SEM? 其功能为何?答：扫描电子显微镜。
是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？答：PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect何为OOC, OOS，OCAP？答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？答：需要。
因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？答：20PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？答：#1，#6，#15，#24; 统计随机的考虑何谓RTMS，其主要功能是什幺？答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理PHOTO区的主机台进行PM的周期？答：一周一次PHOTO区的控片主要有几种类型答：(1) Particle :作为Particle monitor用的芯片,使用前测前需小于10颗(2) Chuck Particle :作为Scanner测试Chuck平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus:作为Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做为photo区daily monitor CD稳定度的wafer(5) PR thickness :做为光阻厚度测量的wafer(6) PDM :做为photo defect monitor的wafer当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量光阻WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？答：有光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机) 为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺答：Photo Lithography常听说的.18 或点13 技术是指什幺?答：它是指某个产品,它的最小"CD" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里?答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺?答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的?答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径;k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.如何提高曝光机的分辨率呢?答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺?答：F2 激光器. 波长157nm我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量CD如何做Overlay 测量呢?答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺答：曝光机;5-15 百万美金/台曝光机贵在哪里?答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统(使用激光工作台)激光工作台的定位精度有多高?答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm曝光机是如何保证Overlay<50nm答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field?答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。