英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

小只推荐：在电源系统应用中如何选择COOLMOS

小只推荐：在电源系统应用中如何选择COOLMOS
宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来；此句是中国流传下来的一句古训，喻为如果想要取得成绩，获取成就，就要能吃苦，勤于锻炼，这样才能靠自己的努力赢得胜利。

各个行业皆是如此。

在电源网论坛里，就存在这样一些人，他们时常能DIY出被网友们称之为的经典设计，出于大家能够共同学习的目的，小编抓住了难得的机会，整理了这些经典帖，供分享学习。

本文来自semipower-xinpai。

--------小编语。

COOLMOS在电源上的应用已经初具规模，英飞凌的产品已经全为COOLMOS系列，做为电源工程师，在电源开发的过程中选用COOLMOS应该注意什幺呢？我简单的整理了几点，发出来。

抛砖引玉，争取共同进步。

COOLMOS与VDMOS的结构差异
为了克服传统MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾，一些人在VDMOS 基础上提出了一种新型的理想器件结构，称为超结器件或COOLMOS，COOLMOS的结构如图2所示，其由一些列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。

在截止态时，由于P型和N型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应，使P型和N型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。

导通时，这种高浓度的掺杂可以使其导通电阻显着下降，大约有两个数量级。

因为这种特殊的结构，使得COOLMOS的性能优于传统的VDMOS。

对于常规VDMOS器件结构，Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，。

英飞凌太阳能微型逆变器解决方案

Page 2
太阳能微型逆变器的特点和优势
设计灵活＆安装便利更小的尺寸可以根据实际需要，通过多个微型逆变器并联实现大功率输出输入端太阳能电池板的连接线路更为简单提高发电量

由于对每个太阳能电池板进行最大功率点追踪，可以提高电池板的利用率，进而提高系统的效率在太阳能电池板处于光照条件不好的情况下（比如被遮光，或电池板上有杂物覆盖时），相比其他类型的太阳能逆变器，可以输出更多的功率和太阳能优化器相比，微型逆变器不需要额外的组串型逆变器没有额外的成本增加和额外的损耗，可以获得更高的系统效率
英飞凌高性能太阳能微型逆变器解决方案
李和明系统应用工程师
目录
太阳能微型逆变器的特点和优势ＭＰＰＴ常用解决方案
英飞凌功率器件在微型逆变器中的应用英飞凌２００Ｗ微型逆变器解决方案总结
3/22/2011
Copyright © Infineon Technologies 2011. All rights reserved.
Recommended IFX part
SiC SBD 600V or G5 650V SiC Diode
关于逆变侧功率器件的建议
截止目前还没有相关规定要求太阳能微型逆变器具有处理无功功率的能力(VDE4105) 通常使用４颗ＭＯＳＦＥＴ组成一个全桥逆变器
对于电流源型逆变器：
800V/900V CoolMOS™ C3
Buck-boost……工作原理
Buck电路 Boost 电路
三种工作模式：
＋降压：Ｓ３恒通，Ｓ１，Ｓ２ＰＷＭ＋升压：Ｓ１恒通，Ｓ４，Ｓ３ＰＷＭ＋旁路：Ｓ１＆Ｓ３恒通
S1 / S2: 低压ＭＯＳＦＥＴ工作在同步整流模式，降低损耗，提高效率ＭＯＳＦＥＴ的要求：更低的Ｒｄｓｏｎ，ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｇ＆ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｏｓｓ S3 / S4:低压ＭＯＳＦＥＴ工作在同步整流模式，降低损耗，提高效率ＭＯＳＦＥＴ的要求：更低的Ｒｄｓｏｎ，ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｇ＆ＦｏＭＲｏｎ＊Ｑｏｓｓ

英飞凌推出全新650VCooIMOSCFDA

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■ ＣｈｎｔｇａｅｒｕｔΒιβλιοθήκη ｉａＩｅｒｔｄＣｉｉｎｃ
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英飞凌推出的这种全新解决方案兼具快速开关超结ＭＯＦＴ的所有优点：高的轻载效率、低ＳＥ更更的栅极电荷、低的开关损耗、易使用以及出类拔更更萃的可靠性等。英飞凌全新推出的６０５ＶＣｏＭＯＣＤ是一种卓越的解决方案，满足汽ｏ１ＳＦＡ，可积通态电阻和易于控制的开关行为，以及业界首屈
ＣｓｃＣｒｕｔ预计在本年内对２ｏｍｉｉｉｃｓ８纳米Ｔ艺节点的
这款封装专为包括混合动力车辆电池管理、电动助力转向、主动式交流发电机和其他大负载电气
系统在内的大电流汽车应用而设计。Ｏ无铅封装是Ｔ
息娱乐系统应用。这些高集成度器件为连接电池的
开关电源提供业界领先的转换比。
ＮＣＶ８０１０ＮＣＶ８０１ＮＣＶ８０１０ＮＣＶ８ — ９０９０１９３９０
１１ＮＶ９２０ＮＶ９２１ＮＶ９２１结合３、Ｃ８００、Ｃ８００及Ｃ８０３均内部电源开关，２兆赫兹频率工作。这２ＭＨ开以ｚ关频率令设计人员可在输入及输出滤波器采用更小、成本更低的电感及电容。ＮＶ９１１Ｃ８００、ＮＣ８０３、Ｃ９２１ＮＰ９２１Ｖ９１１ＮＶ８００及Ｃ８０３器件的开关频率也可以同步至外部时钟源。（自安森美半导来

新一代大众型CoolMOS

新一代大众型CoolMOS™ C6上市及应用英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。

有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。

全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

C6系列是英飞凌推出的新一代CoolMOS™金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

英飞凌在CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP等前代系列产品的基础上，进一步提高了开关速度并降低了导通电阻。

CoolMOS™ C3是一个应用非常广泛的产品系列，而CP系列可满足需要最高开关速度和最低导通电阻的各种专门应用的需求。

最新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP两个产品系列的优势。

例如，电源厂商可受益于超结CP系列的优势——包括极低电容损耗和极低单位面积导通电阻等，设计出更高效、更紧凑、更轻更凉的电源产品。

与此同时，开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。

相对于CP系列的设计而言，CoolMOS™ C6简化了PCB系统布局。

具体而言，这意味着在CoolMOS™ C6系列内，栅极电荷、电压/电流斜率和内部栅极电阻达到了优化和谐状态，即使低至零欧姆的栅极电阻，也不会产生过高的电压或电流斜率。

此外，C6器件具备出色的体二极管硬换流抗受能力，因此可避免使用昂贵的快速体二极管组件。

650V高压MOS管进口MOS管

nC
ns

-
433 7.3 28
16 A 70 1.2 V ns μC A
G
S
TJ = 25 °C, IS = 12 A, VGS = 0 V
Notes a. Coss(er) is a fixed capacitance that gives the same energy as Coss while VDS is rising from 0 % to 80 % VDSS. b. Coss(tr) is a fixed capacitance that gives the same charging time as Coss while VDS is rising from 0 % to 80 % VDSS.
SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER Static Drain-Source Breakdown Voltage VDS Temperature Coefficient Gate-Source Threshold Voltage (N) Gate-Source Leakage Zero Gate Voltage Drain Current Drain-Source On-State Resistance Forward Transconductance Dynamic Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Effective Output Capacitance, Energy Relateda Effective Output Capacitance, Time Relatedb Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Gate Input Resistance Drain-Source Body Diode Characteristics Continuous Source-Drain Diode Current Pulsed Diode Forward Current Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current IS ISM VSD trr Qrr IRRM TJ = 25 °C, IF = IS = 12 A, dI/dt = 100 A/μs, VR = 25 V MOSFET symbol showing the integral reverse p - n junction diode

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域IGBT芯片技术及其发展：功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色。

如何提高功率密度是功率器件发展的主题：芯片技术和功率密度：芯片技术的发展趋势——以600/650V 为例600V IGBT 新的里程碑——HighSpeed3：器件型号芯片技术Ic [A]@100°C 大小[mm2]SPW47N60C3 CoolmosTM C3 30 69.3 IKW30T60 TRENCHSTOPTM 30 15.2 IGW40N60H3 High Speed 3 40 19.3HighSpeed3 特性芯片面积只有CoolMOS的28%功率密度高芯片和模块成本低在高温在拖尾电流也很小关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%,是CoolMOS的120%平滑的开关波形，振荡很有限TRENCHSTOP™5 - 25°C Trade-off 曲线Vce(sat) 对Eoff：与英飞凌的Best-in-class Highspeed3 比, TRENCHSTOPTM5 : >60% 低的开关损耗10% 低的导通损耗TRENCHSTOP™5开关特性–接近MOSFET的开关特性，消除拖尾电流。

TRENCHSTOP™5 –应用目标，填补IGBT与MOSFET之间的中到高频开关应用650V TRENCHSTOP™5，产品家族。

F5：超高性能版本需要超低寄生电感设计开关频率：~120kHzH5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热R5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热L5：低饱和压降目标：Vcesat =1V @ Inom, 25°C600V/650V 芯片技术的发展：发展背景：•600V 主要应用220V 马达驱动,电源，以小功率为主。

•电动汽车，太阳能等新兴应用功率大，追求高效率，对芯片技术有新的要求IGBT2---IGBT3di/dt 降低25%.过电压减小25%更短的拖尾电流关断损耗在同一水平短路时间6us600V---650Vdi/dt 进一步降低关断损耗增加短路时间10us耐压增加50V电压余量增加180V芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：IGBT4 P4 的软特性：2400A-模块的关断特性at Tvj=25°C , Ic= 0,5 Inom (Rg=0,3Ohm,没有有源嵌位) IGBT 3 E3 在测试条件下, 300V 直流电压下就开始振荡。

【测评报告】Infineon CoolMOS

【测评报告】Infineon CoolMOS™ P7 提高电源效
率评比
作者：贝能国际有限公司
Infineon 公司CoolMOS™系列一直是行业标杆，从跨时代意义的CoolMOS™C3 到升级版的CoolMOS™C6、CoolMOS™C7、CoolMOS™P6、CoolMOS™CE，及最新一代超高性价比的CoolMOS™P7，每系列产品一经推出都在CoolMOS™市场独领风骚。

全新CoolMOS™ P7 专为满足小功率SMPS 市场的需求而设计，具备出色的性能和易用性，而设计人员可以充分利用其经过改进的外形。

该器件采用
具有价格竞争力的超结技术，可为客户削减物料成本（BOM）。

本文将基于
新一代CoolMOS™P7 在各个细分市场的应用，并测试比较其性能相较于前几代CoolMOS™系列的提升和改善之处。

MSN6504F 摩矽MOS管规格书

TO-220F top view
Schematic diagram
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Device Package
MSN6504F
MSN6504F
TO-220F-3L
Reel Size
-
Tape width
MSN6504F
ID, Drain Current (A)
4.2
3.5
VGS=10,9,8,6V 2.8
2.1
1.4
VGS=5V
0.7
0 0 2.5
VGS=4V 5 7.5 10 12.5 15
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
IS, Source-drain current (A)
101 VGS=0V
100
10-1 0.4 0.6
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current
MORE Semiconductor Company Limited

3/5
VGS, Gate to Source Voltage (V) ID, Drain Current (A)
10 VDS=480V ID=4A
8
6
4
2
0
0
3
6
9

英飞凌汽车电子器件选型

Lowbeam Indicator Park Optional Fog
55W
27W 10W 2x 55W
Park Indicator Lowbeam Highbeam
10W 27W 55W
65W
Highbeam 65W
Lowbeam 55W
Indicator 27W
Left Front-Light
Control
Right Front-Light
Control
LEDs
Relays
m n
Low-Side Driver
HITFET ™ BTS3110/18
BTS3134 BTS3160D
Interior Light
LED Driver
Basic LED Driver without Status
BCR40x
Basic LED Driver TLE424x
Power System ICs
C Smart Power C System Integration
– ABS/Airbag – Powertrain – Body
Inﬁneon® Embedded Power ICs
C Single Package C Smart Power and
Controller Integration
System Basis Chip TLE826xE TLE826x-2E
Optional: DC/DC Regulator
TLF50281
Single or Dual High-Side Driver
Supply
Communication
32-bit Multicore/Lockstep

英飞凌600-700V超结场效应管详细参数

DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
DPAK (TO-252) DPAK (TO-252) DPAK (TO-252)
Packages PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3
IPD70R1K4P7S IPD70R1K4CE IPD65R1K5CE

英飞凌Cool Mos 应用手册

Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved.
Page 17
针对≥15W准谐振(QR)以及串联谐振(LLC)型号
500V
RDS(ON) [mΩ]
3000 2000 1400 950 800 650 500 380 280 190
IPA60R800CE IPA60R650CE IPA60R500CE IPA60R400CE
TO-252 DPAK
IPD60R2K1CE IPD60R1K5CE IPD60R1K0CE IPD60R800CE IPD60R650CE IPD60R500CE IPD60R400CE
TO-251 IPAK
Page 6
230Vac输入时的效率差异
CE 由于栅极电荷更小，因此关断损耗更低
CE 由于寄生电容更小，因此开关损耗更低
低开关损耗支撑更高的效率
November 26, 2014
Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved.
IPD80R1K0CE
TO-251 IPAK
IPU80R2K8CE
IPU80R1K4CE
IPU80R1K0CE
Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved.
Page 18
英飞凌电源管理与射频在线技术社区
November 26, 2014
TO-220
TO-247
TO-251 IPAK
IPU50R3K0CE IPU50R2K0CE IPU50R1K4CE IPU50R950CE

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域

英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域IGBT芯片技术及其发展：功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色。

如何提高功率密度是功率器件发展的主题：芯片技术和功率密度：芯片技术的发展趋势——以600/650V 为例600V IGBT 新的里程碑——HighSpeed3：器件型号芯片技术Ic [A]@100°C 大小[mm2]SPW47N60C3 CoolmosTM C3 30 69.3 IKW30T60 TRENCHSTOPTM 30 15.2 IGW40N60H3 High Speed 3 40 19.3HighSpeed3 特性芯片面积只有CoolMOS的28%功率密度高芯片和模块成本低在高温在拖尾电流也很小关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%,是CoolMOS的120%平滑的开关波形，振荡很有限TRENCHSTOP™5 - 25°C Trade-off 曲线Vce(sat) 对Eoff：与英飞凌的Best-in-class Highspeed3 比, TRENCHSTOPTM5 : >60% 低的开关损耗10% 低的导通损耗TRENCHSTOP™5开关特性–接近MOSFET的开关特性，消除拖尾电流。

TRENCHSTOP™5 –应用目标，填补IGBT与MOSFET之间的中到高频开关应用650V TRENCHSTOP™5，产品家族。

F5：超高性能版本需要超低寄生电感设计开关频率：~120kHzH5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热R5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热L5：低饱和压降目标：Vcesat =1V @ Inom, 25°C600V/650V 芯片技术的发展：发展背景：•600V 主要应用220V 马达驱动,电源，以小功率为主。

•电动汽车，太阳能等新兴应用功率大，追求高效率，对芯片技术有新的要求IGBT2---IGBT3di/dt 降低25%.过电压减小25%更短的拖尾电流关断损耗在同一水平短路时间6us600V---650Vdi/dt 进一步降低关断损耗增加短路时间10us耐压增加50V电压余量增加180V芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：IGBT4 P4 的软特性：2400A-模块的关断特性at Tvj=25°C , Ic= 0,5 Inom (Rg=0,3Ohm,没有有源嵌位) IGBT 3 E3 在测试条件下, 300V 直流电压下就开始振荡。

士兰微电子8A、650V N沟道增强型场效应管说明书

典型值 ----
536.47 3.66
最大值 8.0 32.0 1.4 ---
单位
A
V ns µC
杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3 2012.06.04 共8页第3页
典型特性曲线
SVF8N65T/F 说明书
漏极电流 – ID(A)
漏极电流 – ID(A)
VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ
VDD=325V，ID=8.0A， RG=25Ω
(注 2,3)
VDS=520V，ID=8.0A，
VGS=10V
(注 2,3)
最小值 650 --2.0 ------------
典型值 ----1.2
902.3 99 3.2
28.40 51.47 38.93 29.07 14.47 5.04 4.72
杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3 2012.06.04 共8页第6页
封装外形图
TO-220-3L
SVF8N65T/F 说明书
单位: mm
TO-220F-3L
单位: mm
杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3 2012.06.04 共8页第7页
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG 10V
tp
VDS ID
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
1 2
LIAS2
BVDSS BVDSS - VDD

英飞凌推出最新600V P6产品系列壮大其CooIMOSTM产品阵营

【ｌ】国集成电路
ＣｈｉｎａｉｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ
业界要闻一
收器和显示器相连，从而消除了基于Ｗｉ — Ｆｉ无线方案所有的干扰问题。（来自矽映公司）
益于其细化的产品组合，ＣｏｏｌＭＯＳＭＴＰ６产品系列的
媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时，而不牺牲电池使用寿命的情况下，嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗，意法半导体２８纳米ＡＤＩ公司最近发布了四通道、１２位／单通道、ｌ４位的１８０ＭＳＰＳ波形发生器ＡＤ９１０６／ＡＤ９１０２，均片内集成静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）和直接数字频率合成器（ＤＤＳ），用于复杂波形生成。ＡＤＩ最新
相移输出。模式数据可包含直接生成的ＳＲＡＭ存储
波形、ＳＲＡＭ调幅ＤＤＳ输出或来自ＳＲＡＭ的ＤＤＳ频率调谐字，具有线性调频或频移键控（ＦＳＫ）调制
英飞凌推出最新６００ＶＰ６产品系列
壮大其ＣｏｏＩＭＯＳＭ产品阵营Ｔ
Ｃｏ０ｌＭ０ＳｎＩＣ６或Ｅ６）之间的鸿沟。Ｐ６产品可在诸如
Ｔｒｉ０ｕｉｎｔ推出新氮化镓晶体管可使放大器尺寸减小５０％
ＴｒｉＱｕｉｎｔ半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（ＧａＮ）ＨＥＭＴ射频

英飞凌650 V CoolMOS CFD7兼具更高效率,更高功率密度

订阅每月新品
在工业应用 SMPS 的设计上，最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑，也因此触发了对 650V击穿电压功率器件的需求。

英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下 650 V
CoolMOS™ CFD7 产品系列即可满足上述需求。

此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。

新款 650 V器件扩展了声誉卓越的 CoolMOS CFD7 系列的电压范围，且
为 CoolMOS CFD2 的后继产品。

新款 650 V 产品可搭配 LLC 和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。

本产品系列击穿电压提升 50 V，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。

极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。

开关损耗与 RDS(on) 过热相依性皆大幅降低，此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。

由于闸极电荷 (Qg) 改善，加上快速的开关性能，
650 V CoolMOS
CFD7 系列可提高整个负载范围的效率。

在主要的SMPS应用中，相较于竞争产
品，这些 MOSFET提供绝佳的轻载效率，满载效率也有所提升。

此外，同级最
低 RDS(on) 也能让客户能以极具竞争力的价格，提升 SMPS 的功率密度。

供货情况
TO-220、TO-247 及 TO-247 4 引脚封装的 650 V CoolMOS CFD7 现已接
受订购。

英飞凌650 V CoolMOS CFD7兼具更高效率，更高功率密度。

英飞凌节能芯片以出色性能帮助全球降低能耗

英飞凌节能芯片以出色性能帮助全球降低能耗之一。

作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌通过提供IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等产品，为降低全球能耗作出了巨大贡献。

诸如电视机、计算机、电源装置、游戏机、服务器、电机和机器等各类电子和电气设备纷纷使用了英飞凌的节能芯片。

英飞凌科技副总裁兼电源管理和分立式器件业务部总经理Andreas Urschitz表示：利用英飞凌节能半导体解决方案，最多可将全球总能耗降低25%。

我们的产品的节能效果甚至超过了国际能效标准，因而能为我们的客户带来明显的竞争优势。

英飞凌在PCIM Europe 2011展会上展出的电源管理产品和解决方案一览：最新RC-D快速IGBT以很高的开关频率实现了最高达96%的能效，同时缩小变频器的尺寸并降低其成本英飞凌的逆导型(RC)600V IGBT家族又添两名新成员。

这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。

利用这些全新推出的RC-D快速IGBT，可以设计出更高能效的电机驱动家用电器，它们使用尺寸更小的元件，因此成本比同类系统更低。

如欲了解更多信息，敬请登录infineon/rcdf 英飞凌最新推出市场领先的集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2产品，可将诸如服务器、太阳能设备、电信机房开关电源和照明装置等设备的能效提升至新的高度英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET实现了又一项创新，设立了能源效率的新标准。

英飞凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，。

650V CoolMOS CFD2：MOSFET

650V CoolMOS CFD2：MOSFET
佚名
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2011(000)007
【摘要】英飞凌推出了650V CoolMOS CFD2，它是漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。

器件延续了600VCFD产品的特点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI）。

【总页数】1页(P31-31)
【正文语种】中文
【中图分类】TN323.2
【相关文献】
1.SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用[J], 梁美;郑琼林;可翀;李艳;游小杰
2.Super Junction MOSFET（CoolMOS） [J], 郝晓波;宋海娟;常婷婷
3.英飞凌推出集成快速体二极管的65V CoolMOS CFD2产品 [J], 无
4.英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件 [J], ;
5.Super Junction MOSFET（CoolMOS） [J], 郝晓波;宋海娟;常婷婷
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英飞凌新一代CoolMOSCFD2超结器件随着功率密度不断提高半桥

英飞凌新一代CoolMOS CFD2超结器件随着功率密度不断提高，半桥(例如HID半桥或LLC)和全桥(例如ZVS全桥)等软开关拓扑成为理想的解决方案。

由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能，采用这些拓扑可降低系统的开关损耗，提高可靠性。

这种情况主要出现在轻载条件下。

事实证明，CoolMOS这样的超结器件可以克服这个问题，由于其内部优化了反向恢复过程电荷载流子去除功能，并且消除内部寄生NPN双极晶体管的栓锁问题。

通过增强注入载流子的结合率可大幅降低反向恢复电荷，而且增强结合率可降低关断过程中的反向恢复峰值电流，并使反向恢复电荷大幅降低至约为原来的十分之一。

对于优化体二极管(图1)性能在硬开关条件下应用而言，反向恢复波形的形状和印刷电路板的设计尤其重要。

新一代CoolMOS 650V CFD2改进了体二极管反向恢复性能，而且给击穿电压留有更大的安全裕量。

图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图。

反向恢复行为新一代CoolMOS 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。

与标准器件相比，新一代CoolMOS 650V CFD器件具备极低的反向恢复电荷Qrr、极短的反向恢复时间trr和极小的反向恢复电流最大值Irrm。

图2是在di/dt=100A/μs、25°C和Vr=400V等条件下测量的反向恢复波形。

相对于标准器件，新一代CFD器件具备极低的Qrr、trr和Irrm。

与此同时，尽管Qrr、trr和Irrm大幅降低，但这种新器件的波形仍然显示出软特性。

这种特性十分适用于硬换流，旨在避免电压过冲和确保器件可靠运行。

换流耐用性图3新一代CoolMOS 650V CFD2器件的反向恢复波形。

即使在测试仪达到最大功率条件下，这些器件也不会受损。

图3的反向恢复测量结果(在di/dt " 2000A/μs的条件下)显示了CoolMOS(tm) 650V CFD2器件的换流耐用性。

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC^(TM)MOSFETG2

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC^(TM)MOSFETG2佚名
【期刊名称】《变频器世界》
【年(卷),期】2024(27)3
【摘要】2024年3月12日,英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅
(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。

与上一代产品相比,英飞凌全新的CoolSiC^(TM) MOSFET 650V和1200V Generation2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。

【总页数】1页(P37-37)
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
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