体声波谐振器

Advance Wireless Semiconductor Division
具有反射层的FBAR
劣势：
反射层的厚度应当 是谐振频率的1/4 波长，而且在形成 反射层时要考虑它 们之间的应力，因 此，制造过程变得 很复杂。还有反射 特性低于气隙方法。
具有反射层的现有技术中FBAR的剖视图
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七、气隙的刻蚀
通过通孔H3来对多晶 硅进行刻蚀，形成气 隙A3。
j 注意事项：在干刻蚀过程前在约140摄氏度的温度烘焙 该FBAR约10分钟，以便防止二氟化氙形成HF污染衬底 101的表面。
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Thank you
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b
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三、气隙形状的形成
c
d
刻蚀
覆盖光刻胶
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制造步骤
一、绝缘层的形成
绝缘层102可以通过以下两 种方法：
高温氧化法
淀积法
a
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二、牺牲层的形成
牺牲层的选择 条件：具有容 易形成和去除 的良好的表面 粗超度并且使 用下面的过程 中的干刻蚀过 程执行去除方 面具有优点。
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具有气隙的FBAR
缺点
在刻蚀气隙期 间，由于膜层 很不稳定，似 的膜层的结构 变形并与衬底 分开。
具有气隙的现有技术中的FBA剖视图
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第二特性
有效地控制了谐振频率的中 心频率，并且通过调节对应 于激活区的膜层56的厚度提高 了传输增益。控制部分在于56 的下陷部分。
剖视图
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总结
如上所述，总结如下。通过在 衬底上形成具有高质量的绝缘 层，防止信号传输到具有导电 性的衬底，并且最小化插入损 失，在形成牺牲层的操作中， 形成基本上垂直于该牺牲层和 光刻胶层没有任何翼尖的平面， 以及通过刻蚀于激活层相对应 的绝缘层可增加谐振频率的中 心频率的控制和传输增益。
五、激活区的形成
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六、电极的形成
电极107、109的材料可以 用Al、W、Au、Pt等
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上述问题的解决方法
第一特性
绝缘层52能防 止从激活区 生成的信号 传送到衬底51。
剖视图
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Advanced Wireless Semiconductor Division Optical Navigation Division
薄膜体声波谐振器及其制造方法
关文海 2015年2月3日
申请号：02157838.9 公开日：2003年10月22日 申请人：三星电机株式会所
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背景技术
移动通信终端向着小型化和多 功能的方向发展，滤波器是移 动通信终端中关键的部件
需要一种超高频带的部件，但是 这种部件在尺寸最小化和制造成 本方面是很困难的
FBAR 应运而生
引入声波表面谐振器代替代替 谐振器，但插入损耗很大
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四、支撑层的形成
覆盖一层绝缘材料，绝缘材料可以是氮 化硅、为氧化硅、氧化铝等
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解决的方法——提供支撑层
缺点
由于现有技术中的 FBAR包括由掺杂的硅 制成的衬底具有高的 导电性，1GHz以上的 高频可从激活区传送 到衬底，因此，当在 高频带中操作的集成 电路中实现该FBAR时， 会使现有技术中的 FBAR特性恶化。
带有支撑层的气隙结构的FBAR
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翼尖问题
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