体声波谐振器

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Advance Wireless Semiconductor Division
具有气隙的FBAR
缺点
具有气隙的现有技术中的FBA剖视图
在刻蚀气隙期 间,由于膜层 很不稳定,似 的膜层的结构 变形并与衬底 分开。
HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary
AOpdtivcaalnNcaveigdatiWon iDrievilseiosns Semiconductor Division
薄膜体声波谐振器及其制造方法
关文海 2015年2月3日
申请号:02157838.9 公开日:2003年10月22日 申请人:三星电机株式会所
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带有支撑层的气隙结构的FBAR
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翼尖问题
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制造步骤
一、绝缘层的形成
绝缘层102可以通过以下两 种方法:
高温氧化法
淀积法 a
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二、牺牲层的形成
牺牲层的选择条
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六、电极的形成
电极107、109的材料可以 用Al、W、Au、Pt等
i
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具有反射层的FBAR
劣势:
反射层的厚度应当是 谐振频率的1/4波长, 而且在形成反射层时 要考虑它们之间的应 力,因此,制造过程 变得很复杂。还有反 射特性低于气隙方法。
具有反射层的现有技术中FBAR的剖视图
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件:具有容易形
成和去除的良好
的表面粗超度并
且使用下面的过
程中的干刻蚀过
b
程执行去除方面
具有优点。
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三、气隙形状的形成
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总结
如上所述,总结如下。通过在衬底上 形成具有高质量的绝缘层,防止信号 传输到具有导电性的衬底,并且最小 化插入损失,在形成牺牲层的操作中, 形成基本上垂直于该牺牲层和光刻胶 层没有任何翼尖的平面,以及通过刻 蚀于激活层相对应的绝缘层可增加谐 振频率的中心频率的控制和传输增益。
背景技术
移动通信终端向着小型化和多 功能的方向发展,滤波器是移 动通信终端中关键的部件
需要一种超高频带的部件,但是 这种部件在尺寸最小化和制造成 本方面是很困难的
FBAR 应运而生
引入声波表面谐振器代替代替 谐振器,但插入损耗很大
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f
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五、激活区的形成
g
h
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第二特性
有效地控制了谐振频率的中 心频率,并且通过调节对应 于激活区的膜层56的厚度提高 了传输增益。控制部分在于56 的下陷部分。
剖视图
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
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c 覆盖光刻胶
d 刻蚀
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四、支撑层的形成
覆盖一层绝缘材料,绝缘材料可以是氮 化硅、为氧化硅、氧化铝等
e
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上述问题的解决方法
第一特性
绝缘层52能防止 从激活区生成的 信号传送到衬底 51。
剖视图
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七、气隙的刻蚀
通过通孔H3来对多晶 硅进行刻蚀,形成气 隙A3。
j
注意事项:在干刻蚀过程前在约140摄氏度的温度烘焙 该FBAR约10分钟,以便防止二氟化氙形成HF污染衬底 101的表面。
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解决的方法——提供支撑层
缺点
由于现有技术中的FBAR包 括由掺杂的硅制成的衬底 具有高的导电性,1GHz以 上的高频可从激活区传送 到衬底,因此,当在高频 带中操作的集成电路中实 现该FBAR时,会使现有技 术中的FBAR特性恶化。
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