高性能栅极驱动器提高HEV和EV应用的效率和可靠性
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
高性能栅极驱动器提高HEV和EV应用的效率和可靠性
FAN7190 汽车向电气化方向发展,需要具有更高效率、更大驱动电流和更强抗噪能力和符合汽车标准要求的逆变器。
尤其是在混合动力汽车(HEV)和
电动汽车(EV)领域,逆变器在运动控制、电池管理(充电和控制)以及DC/DC 转
换器得到广泛应用。
飞兆半导体公司(Fairchild)技术行销副经理张瑞斌告诉记者,2010 年EV 逆变器动力传动系统就比2004 年EV 逆变器缩小20%,同时
还提高功率密度和抗噪能力。
为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆半导体最
近开发出大电流高侧栅极驱动器IC 产品FAN7171 和大电流高侧与低侧栅极驱
动器IC 产品FAN7190。
张瑞斌说,FAN7171 和FAN7190 是飞兆半导体汽车高压IC(HVIC)栅极驱动器系列的成员,适合电动与混合动力DC/DC 电源和功
率逆变器、柴油和汽油喷射器及阀门,以及MOSFET 和IGBT 高侧驱动器应用,在严苛的汽车应用中能提供更高效率、更大驱动电流和更高稳健性。
FAN7171 和FAN7190 具有很高的功率密度,4.5A/4.5A 源/漏电流驱动能力。
FAN7171 能够驱动工作电压高达+500V 的高速MOSFET 和IGBT 的单片式高
侧栅极驱动器IC,而FAN7190 则能够驱动工作电压高达+600V 的MOSFET
和IGBT。
更大的驱动能力能够实现功率更高的系统,提高功效。
大电流高侧
栅极驱动器IC 产品FAN7171 架构图
两款器件采用飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术,均具有缓冲输出级,带有设计用于大脉冲电流驱动能力和最小交叉传导的全部NMOS 晶体管。
FAN7171 和FAN7190 具有很强的抗噪能力,15V VBS 下负电压摆幅(VS)低至- 9.8V,可实现更高的设计可靠性,并提高了在恶劣噪声环境中的耐久性。
FAN7171 和FAN7190 满足汽车AECQ100 Class 1 标准,是具有更多功能的高集成度器件,能够减少元件数目并降低材料清单成本,缩小线路板空间并有缩。