Vishay Siliconix推出

Vishay Siliconix推出
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。

器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。

新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。

这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。

SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。

在4.5V和2.5V下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。

新的MOSFET也是唯一同时具有12V栅源电压和可在1.8V额定电压下导通的20V器件。

这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，同时在采用更低输入电压的应用中提供更安全的设计。

SiA433EDJ可以用作手持设备，如手机、智能手机、PDA、MP3播放。