IGBT之图文解释
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互补互补I G B T
定义原理
组成
名词解释
绝缘栅双极型晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor 导通BJT 特点Bipolar Junction Transistor
双极型晶体管（三极管）金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET
定义
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 功能描述复合全控型电压驱动式功率半导体开关元器件
电路符号
应用IGBT封装模块
IGBT
续流二极管基本组成
驱动电路+主回路
三相逆变H桥
C-集电极G-栅极
E-发射极优点
缺点饱和压降低，载流密度大（容量）
驱动电流较大，开关频率低
定义特点优点
缺点驱动功率小，开关速度快（控制响应）导通压降大，载流密度小
MOSFET (输入级)PNP晶体管 (输出级)栅极G和发射极E间正向驱动电压（12-15VDC）
MOS导通
VT2管基极电压拉低到小于发射极0.3V，
产生基级电流
VT2管导通
IGBT导通
关断栅极G和发射极E间不加电压或反向电压MOS断开VT2管基极电流被切断
VT2管关闭
IGBT关断
品牌德国 Infineon，脱胎于西门子半导体
日本 Fuji
德国 IXYS
西门康 Semikron
中车 CRRC
比亚迪 BYD。