一种新型封装结构的功率模块[发明专利]

专利名称：一种新型封装结构的功率模块
专利类型：发明专利
发明人：谢宗奎,邹琦,柯俊吉,徐鹏,赵志斌,崔翔申请号：CN201810616670.4
申请日：20180615
公开号：CN108598074A
公开日：
20180928
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种新型封装结构的功率模块。

该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子以及第二驱动端子设置在底座的上表面；第一直流侧端子与第二直流侧端子位于同一轴线上。

本发明所提供的同轴结构的直流侧端子能够有效地减小直流侧端子的距离并增大其耦合面积，增大直流侧端子的互感，减小功率模块的封装电感，进一步减小功率模块内部碳化硅MOSFET 在开关瞬态和短路情况下所承受的电压过冲，减小功率模块的开关损耗。

申请人：华北电力大学
地址：102200 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
国籍：CN
代理机构：北京高沃律师事务所
代理人：王戈
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