一种聚噻吩类导电高分子纳米线的制备方法[发明专利]

专利名称：一种聚噻吩类导电高分子纳米线的制备方法专利类型：发明专利
发明人：王庐岩,吴婷,裴梅山
申请号：CN201310274140.3
申请日：20130702
公开号：CN104277206A
公开日：
20150114
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种聚噻吩类导电高分子纳米线的制备方法，其方法为：利用提拉模板法，采用电化学法聚合单体，制备出聚（3-乙酸）噻吩纳米线。

本发明的所得聚（3-乙酸）噻吩具有直径为纳米级而长度达10-12微米的一维线性纳米结构，新颖独特，目前未见文献报道。

本发明提供了一种采用提拉模板法电化学聚合导电高分子纳米线的新方法，弥补了现有制备导电高分子线性材料的不足；本发明的方法具有反应简单易行、条件温和可控、有利于节约成本、提高效率等特点。

申请人：济南大学
地址：250022 山东省济南市市中区济微路106号
国籍：CN
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