具有模场适配的半导体可饱和吸收镜[发明专利]

专利名称：具有模场适配的半导体可饱和吸收镜专利类型：发明专利
发明人：樊仲维,连富强,白振岙,张晓雷,林蔚然,张晶申请号：CN201310743245.9
申请日：20131230
公开号：CN103715594A
公开日：
20140409
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种具有模场适配的半导体可饱和吸收镜，包括半导体可饱和吸收镜和保偏光纤模场适配器，所述半导体可饱和吸收镜和保偏光纤模场适配器耦合，形成密闭的全光纤结构；其中，保偏光纤模场适配器包括大芯径单模保偏光纤和具有热扩芯区域的小芯径单模保偏光纤，所述大芯径单模保偏光纤和小芯径单模保偏光纤连接。

本发明光纤式SESAM可以更大的芯径保偏光纤实现耦合；光纤全部采用保偏光纤制作，实现器件的全保偏光纤结构；可以适用于低重复频率锁模光纤激光器，满足其稳定锁模需要的SESAM低能量密度以及不同芯径的保偏光纤之间光束低损耗的传输。

申请人：北京国科世纪激光技术有限公司,中国科学院光电研究院
地址：102211 北京市昌平区百善镇百葛路9号院1号楼二层
国籍：CN
代理机构：深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)
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