1N4007_SMD

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元件封装及基本脚位定义说明

元件封装及基本脚位定义说明

元件封裝及基本腳位定義說明PS:以下收录说明的元件为常规元件A:零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。

包括了实际元件的外型尺寸,所占空间位置,各管脚之间的间距等,是纯粹的空间概念。

因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装.普通的元件封装有针脚式封装(DIP)与表面贴片式封装(SMD)两大类。

(像电阻,有传统的针脚式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了.)元件按电气性能分类为:电阻,电容(有极性,无极性),电感,晶体管(二极管,三极管),集成电路IC,端口(输入输出端口,连接器,插槽),开关系列,晶振,OTHER(显示器件,蜂鸣器,传感器,扬声器,受话器)1。

电阻:I。

直插式[1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W]II.贴片式[0201 0402 0603 0805 1206]III.整合式[0402 0603 4合一或8合一排阻]IIII。

可调式[VR1~VR5]2.电容:I。

无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225]II。

有极性电容分两种:电解电容[一般为铝电解电容,分为DIP与SMD两种]钽电容[为SMD型: A TYPE (3216 10V) B TYPE (3528 16V) C TYPE (6032 25V) D TYPE (7343 35V)]3.电感: I。

DIP型电感II。

SMD型电感4.晶体管:I.二极管[1N4148 (小功率) 1N4007(大功率)发光二极管(都分为SMD DIP 两大类)]II。

三极管[SOT23 SOT223 SOT252 SOT263]5.端口:I.输入输出端口[AUDIO KB/MS(组合与分立)LAN COM(DB-9)RGB(DB—15)LPT DVI USB(常规,微型) TUNER(高频头) GAME 1394 SATA POWER_JACK等] II。

型号1N4004(MULTICOMP)中文数据手册「EasyDatasheet」

型号1N4004(MULTICOMP)中文数据手册「EasyDatasheet」

pF °C/W
°C
典型正向特性
安培
平均正向整流电流 环境温度(℃)
瞬时正向电流( A) 正向电压( V)
第2页
07/05/10 V1.1
芯片中文手册,看全文,戳
1N4001 1N4007直通
1.0 AMP.硅整流器
额 定 值 和 特 性 曲 线 ( 1N4001)
最大非重复正向浪涌电流
第3页
07/05/10 V1.1
第1页
05/05/10 V1.1
芯片中文手册,看全文,戳
1N4001 1N4007直通
1.0 AMP.硅整流器
最大额定值和电气特性:
评分在25°C环境温度,除非另有规定. 单相,半波,60赫兹,电阻或电感性负载. 对于容性负载,减免电流20%.
型号数量
最大经常峰值反向电压
最大RMS电压
典型结电容
峰值正向浪涌电流( A) 循环次数在 60Hz
典型反向特性
µ
瞬时反向电流( μA)
额定峰值反向电压百分比(%)
结电容( pF) 反向电压( V)
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中国二极管命名规则

中国二极管命名规则

中国二极管命名规则全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:中国二极管的命名规则在国际上是共通的,但因为两国的历史和文化背景不同,在命名上也存在少许的差异。

而中国对于二极管的命名规则还是比较独特的,下面就让我们来详细了解一下中国二极管的命名规则。

在中国,二极管通常是按照其用途、特性和封装形式来命名的。

一般来说,二极管的命名是根据其类型、封装和特性来确定的,其中常见的类型有整流二极管、开关二极管、稳压二极管等。

我们来看一下整流二极管的命名规则。

在整流二极管的命名中,通常会包含型号和封装形式两部分。

型号部分通常是以字母或数字来表示,而封装形式则是用字母或数字来表示,比如1N4007,其中1N 表示整流二极管,而4007则表示其具体型号。

除了整流二极管外,开关二极管的命名规则也比较常见。

在开关二极管的命名中,通常会包含P、N或S等标志,用来表示其极性。

比如P600,其中P表示正型,而600代表具体的型号。

开关二极管的命名规则也是按照其电流和功率等特性来确定的。

稳压二极管也是比较常见的一种二极管类型。

稳压二极管通常会包含Z开头的标志,用来表示其稳压特性。

比如Zener二极管,其命名规则通常是以字母Z开头,后面跟上具体的型号。

而在具体型号中,通常会包含其稳压特点和电压等信息。

从以上的介绍可以看出,中国二极管的命名规则是比较简单清晰的。

通过型号和封装形式的结合,可以很方便地确定二极管的种类和具体特性。

中国二极管的命名规则也比较容易理解和记忆,适合广泛的应用场景。

中国二极管的命名规则虽然有些不同于国际标准,但仍然能够满足实际需求。

通过了解和掌握中国二极管的命名规则,可以更好地选择和使用合适的二极管,从而提高电子产品的性能和可靠性。

希望以上介绍能够帮助大家更好地理解中国二极管的命名规则,为实际应用提供帮助。

第二篇示例:中国二极管的命名规则是指在二极管的命名中所遵循的一系列规则和约定。

二极管是一种常用的半导体器件,用于电子电路中的整流、开关、放大等功能。

贴片二极管1N4007(M7)规格书

贴片二极管1N4007(M7)规格书

0.1
PULSE WIDTH=300ms 1%DUTY CYCLE
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.5
正向电压 VF(V) VF Instantaneous Forward Voltage (V)
典型结电容
TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
200
100
TJ=25°C
10
Resistive or
inductive Load
0.2
0
0
25
50 75 100 125 150 175
环境温度 Ta(°C) Tamb, ambient temperature (°C)
正向特性曲线(典型值)
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
20
10
Tj = 25°C
反向电流 IR (mA) IR Instantaneous Reverse Current (mA)
峰值正向浪涌电流 IFSM(A) IFSM Peak Forward Surge Current (A)
M1 ...... M7
浪涌特性曲线(最大值) MAXIMUM NON REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT
表面安装普通整流二极管
反向电压 50 ---1000 V 正向电流 1.0 A
SMA DO-214AC
.067(1.70) .051(1.29)
.110(2.79) .086(2.18)
.091(2.31) .067(1.70)
.059(1.50) .035(0.89)
.180(4.57) .160(4.06)

整流二极管_1N4007

整流二极管_1N4007

数字万用表红为+,黑为-;指针式万用表红为-,黑为+
假设用数字万用表,当某只表笔固定在某一脚又测的其他两脚为低压降(PN结压降),可以判定此脚是基极(B),此时你可根据固定表笔的颜色来分别此管是NPN还是PNP,红为NPN,黒为PNP。
找出基极后,假设为NPN,1、手指当电阻一端接基极另一端接红表笔去单独碰CE中的一个脚,黑表笔接CE另一脚,当两组值中小的一组红表笔接的就是集电极(C),黑表笔接的就是发射极(E)。
将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。
5瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测
检测二极管的时候,将万用表调到测二极管的档位,将二极管正接一次,再反接一次,你会发现有一次有示数,一次示数好大。这时候你就可以判断了,有示数的那一次万用表的红表笔所接的那一端就是正极
三极管就比较麻烦了啊,首先要判断ebc,这就要看器材的啊
二极管测试,如果是用指针式的万用表,把万用表拨到电阻档,用黑表笔接上二极管的正极,红表笔接上万用表的负极。看指针是不是大小了,将表笔反接,再测试,看阻值是不是到了无穷大。如果是,二极管良好。三极管、功率管的测试,比较麻烦
8单色发光二极管的检测
在万用表外部附接一节15V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。

6SigmaET练习教程 R13_PCB文件的导入

6SigmaET练习教程 R13_PCB文件的导入

案例九PCB文件的导入一.案例描述6SigmaET的PCB文件接口与CAD文件接口功能比较类似,通过导入文件来加快建模时间。

这个功能主要是针对PCB等级的分析,可以建立非常详细的PCB模型。

通过PCB文件导入可以建立任意形状的PCB、任意角度摆放的器件、非常详细的走线。

下面是本例中建立的PCB模型:本案例需要关注以下知识点:1.常用的IDF文件格式,如emn,emp,brd,bdf等。

2.走线文件格式:GERBER,ODB++。

3.当器件非常多时,通过CSV文件导入功耗、热阻等属性。

4.简化的PCB、导入图像形式走线层的PCB、导入实体走线层的PCB之间计算结果的差异。

5.建模约半小时,前两个方案计算约需5-10分钟,详细走线方案约需20-30分钟。

二.建立简化等级的PCB模型创建自然对流模板打开软件,点击File >> New >> Natural Convection,建立一个自然对流的模型。

PCB文件结构PCB文件分为几个部分:IDF、IDX、XFL是含有PCB和它上面的器件的信息,GERBER含有走线信息,ODB++则既含有PCB、器件信息,又含有走线信息。

其中ODB++模块需要单独的额外付费的License才能使用。

导入IDF文件点击Import >> IDF,选择emn文件将其导入到软件当中。

注意emn和emp 文件是成对出现的,如果只有emn是无法导入成功的。

导入时只需要选择emn 文件即可,不需要再选择emp文件。

点击下一步后,会出现过滤功能和匹配功能。

过滤功能可以根据设定的条件过滤到一些器件,比如一些非常细小的对计算影响不大的器件。

用户需要设定长宽高小于多少来触发过滤。

匹配功能则是依据器件的代号自动转换为Component(芯片)、Capacitor(电容)、Inductor(电感)等不同种类的器件,一般保持默认即可。

一直点下一步,直到出现Finish页面。

元件封装及基本脚位定义说明

元件封装及基本脚位定义说明

元件封裝及基本腳位定義說明PS:以下收录说明的元件为常规元件A: 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置.包括了实际元件的外型尺寸,所占空间位置,各管脚之间的间距等,是纯粹的空间概念。

因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。

普通的元件封装有针脚式封装(DIP)与表面贴片式封装(SMD)两大类.(像电阻,有传统的针脚式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了.)元件按电气性能分类为:电阻,电容(有极性,无极性),电感,晶体管(二极管,三极管),集成电路IC,端口(输入输出端口,连接器,插槽),开关系列,晶振,OTHER(显示器件,蜂鸣器,传感器,扬声器,受话器)1。

电阻:I.直插式[1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W]II.贴片式[0201 0402 0603 0805 1206]III.整合式[0402 0603 4合一或8合一排阻]IIII。

可调式[VR1~VR5]2.电容: I。

无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225]II。

有极性电容分两种:电解电容[一般为铝电解电容,分为DIP与SMD两种]钽电容[为SMD型:A TYPE (3216 10V) B TYPE (3528 16V) C TYPE (6032 25V) D TYPE (7343 35V)]3。

电感: I。

DIP型电感II。

SMD型电感4.晶体管: I。

二极管[1N4148 (小功率) 1N4007(大功率)发光二极管(都分为SMD DIP两大类)]II。

三极管[SOT23 SOT223 SOT252 SOT263]5。

端口:I。

元器件封装及基本管脚定义说明

元器件封装及基本管脚定义说明

元器件封装及基本管脚定义说明以下收录说明的元件为常规元件A: 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。

包括了实际元件的外型尺寸,所占空间位置,各管脚之间的间距等,是纯粹的空间概念。

因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装.普通的元件封装有针脚式封装(DIP)与表面贴片式封装(SMD)两大类.(像电阻,有传统的针脚式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。

)元件按电气性能分类为:电阻,电容(有极性,无极性),电感,晶体管(二极管,三极管),集成电路IC,端口(输入输出端口,连接器,插槽),开关系列,晶振,OTHER(显示器件,蜂鸣器,传感器,扬声器,受话器)1.电阻: I.直插式[1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W] AXIAL0.3 0.4II.贴片式[0201 0402 0603 0805 1206]贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5III.整合式[0402 0603 4合一或8合一排阻]IIII.可调式[VR1~VR5]2.电容: I.无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225]II.有极性电容分两种:电解电容[一般为铝电解电容,分为DIP与SMD两种]钽电容[为SMD型: A TYPE (3216 10V) B TYPE (3528 16V) C TYPE (6032 25V) D TYPE (7343 35V)]3.电感: I.DIP型电感II.SMD型电感4.晶体管: I.二极管[1N4148 (小功率) 1N4007(大功率) 发光二极管(都分为SMD DIP 两大类)]II.三极管[SOT23 SOT223 SOT252 SOT263]常见的to-18(普通三极管)to-22 (大功率三极管)to-3 (大功率达林顿管)5.端口: I.输入输出端口[AUDIO KB/MS(组合与分立) LAN COM(DB-9)RGB(DB-15) LPT DVI USB(常规,微型) TUNER(高频头) GAME 1394 SATA POWER_JACK等]II.排针[单排双排(分不同间距,不同针脚类型,不同角度)过 IDE FDD,与其它各类连接排线.III.插槽 [DDR (DDR分为SMD与DIP两类) CPU座PCIE PCI CNR SD MD CF AGP PCMCIA]6.开关:I.按键式II.点按式III.拔动式IIII.其它类型7.晶振: I.有源晶振(分为DIP与SMD两种包装,一個電源PIN,一個GND PIN,一個訊號PIN)II.无源晶振(分为四种包装,只有接兩個訊號PIN,另有外売接GND)8.集成电路IC:I.DIP(Dual In-line Package):双列直插封装。

1N4007中文资料_数据手册_参数

1N4007中文资料_数据手册_参数
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二极管认可规范

二极管认可规范

标题二极管认可规范1、目的:为规范二极管认可细则,使认可工作达到标准化之目的而拟定。

2、适用范围:适用于所有公司产品所用到的二极管。

3、职责:3.1.研发部:负责材料的认可,及制定能够满足我司要求的二极管样品测试方法。

3.2.质管部:负责根据研发制定的检测方法转换成二极管来料检验规范。

3.3.采购部:负责根据研发CALL样的要求,提供合格的承认资料与样品给研发承认。

材料认可过程,依据《材料认可程序》执行。

4、定义与介绍:类别定义与说明符号整流二极管(Rectifying Tube)一般整流二极管Trr值>750ns,如:1N4001~1N4007系列快速二极管Trr值100ns~750ns,如:FR101~FR107系列等超快速二极管Trr值15ns~100ns,如:UF1001~UF1007系列等萧特基二极管Trr值<10ns,如:SB260, SB310等稳压二极管(Zener Diode)发光二极管(Light Emitting Diode)整流桥(Bridge Diode)我司二极管种类细分:包含SMD二极管、SMD稳压二极管、SMD整流桥、整流桥、整流管、开关二极管、稳压二极管、肖特基、快恢复、超快恢复、TVS、双向二极管、高效二极管、SMD发光二极管、发光二极管等等。

4.2.作用:具有单向导通、反向截止功能,常用于整流、钳位、稳压、及发光指示等.二极管为拟制会审: 批准日期年月日5、料商送样数量及所附资料要求:5.1.样品数量规定:供应商送样样品数量至少在10PCS以上。

5.2.须附承认书要求:对于供应商提供的承认书必须符合我司《承认书细则要求》之规定,且资料除以下内容可提供一份外,其余内容均要求为一式三份。

5.2.1.环保证明(SGS报告)须至少提供一份5.2.2.出货检验报告或可靠性测试报告须至少提供一份6、承认书要求细则:6.1.承认书封面:封面上应有供应商的物料号和其公司名称、地址和联系方法(如电话号码,传真号码等)及供应商签核章。

SMD贴片元件代码型号对照大全

SMD贴片元件代码型号对照大全

SMD贴片元件代码/型号对照大全(2014年)代码 型号 厂家 封装图封装形式参数/代换型号0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz005 SSTPAD5 Sil J PAD‐5 5pA leakage diodep01 PDTA143ET Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+4k7t01 PDTA143ET Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+4k701 Gali‐1 MC AZ SOT89 DC‐8GHz MMIC amp 12dB gain010 SSTPAD10 Sil J PAD‐10 10pA leakage diode011 SO2369R SGS R SOT23R 2N2369016 ZXTN25020DFH Dio N SOT23 pnp 20V 4A low Vcesat comp ZXTP25020DFH 02 BST82 Phi M n‐ch mosfet 80V 175mA02 MRF5711L Mot X SOT143 npn RF MRF57102 GDZ2.0B Vis I SOD323 zener 200mW 2.0V02 DTCC114T Roh N 50V 100mA npn sw + 10k base res02 Gali‐2 MC AZ SOT89 DC‐8GHz MMIC amp 16dB gainp02 PDTC143ET Phi N SOT23 npn 4k7+4k7 bias rest02 PDTC143ET Phi N SOT23 npn 4k7+4k7 bias res03 Gali‐3 MC AZ SOT89 DC‐3GHz MMIC amp 22dB gain03 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA03 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA03 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA04 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA04 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Roh N SC70 npn dtr 50V 30mA 47k + 47k26p BF556C NXP ZC SOT23 n‐ch symmetrical jfet idss 11‐18mA 27 MMBD1204 Nat B SOT23 dual cc MMBD120127V PZM27NB Phi C SOT346 27V 300mW Zener27Y BZV49‐C27 Phi O SOT89 27V 1W zener28 BFP280T Tfk W npn RF fT 7GHz 8V 10mA28p BF861A NXP ZC SOT23 n‐ch symmetrical jfet idss 2‐6.5mA 28 MMBD1205 Nat A SOT23 dual ca MMBD1201‐28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr29 MMBD1401 Nat C SOT23 Si diode 200V 100mA29 DTC115EE Roh N EMT3 npn dtr 100k +100k 50V 20mA29 DTC115EUA Roh N SC70 npn dtr 100k +100k 50V 20mA29 DTC115EKA Roh N SC59 npn dtr 100k +100k 50V 20mA29p BF861A NXP ZC SOT23 n‐ch symmetrical jfet idss 6‐15mA 200 SSTPAD200 Sil J PAD‐200 200pA leakage diode 201 PZM20NB1 Phi C SOT346 20V 300mW Zener202 PZM20NB2 Phi C SOT346 20V 300mW Zener203 PZM20NB3 Phi C SOT346 20V 300mW Zener221 PZM22NB1 Phi C SOT346 22V 300mW Zener222 PZM22NB2 Phi C SOT346 22V 300mW Zener223 PZM22NB3 Phi C SOT346 22V 300mW Zener241 PZM24NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener242 PZM24NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener243 PZM20NB Phi C SOT346 24V 300mW Zener271 PZM2.7NB1 Phi C SOT346 2.7V 300mW Zener272 PZM2.7NB2 Phi C SOT346 2.7V 300mW Zener2045 ZXTC2045E6 Dio XG SOT26 T1 npn T2 pnp comp pair 30V 2061 ZXTC2061E6 Dio XG SOT26 T1 npn T2 pnp comp pair 12V 2062 ZXTC2062E6 Dio XG SOT26 T1 npn T2 pnp comp pair 20V 2063 ZXTC2061E6 Dio XG SOT26 T1 npn T2 pnp comp pair 40V 2661 2DD2661 Dio P SOT89 npn low Vcesat comp 2DB1697 2679 2DD26791 Dio P SOT89 npn low Vcesat comp 2DB1714 2090 ZXTD20901E6 Dio DN SOT23‐6 dual npn 50V 1A low Vcesat sw2A MMBT3906L Mot N SOT23 2N39062A MMBT3906W Mot N SOT323 2N39062A FMMT3906 Zet N SOT23 2N39062Ap BF862 NXP ZC SOT23 n‐ch jfet for am car radio front end t2A PMBT3906 Phi N SOT23 2N3906t2A PMST3906 Phi N SOT323 2N3906p2A PMBT3906 Phi N SOT23 2N3906p2A PXT3906 Phi O SOT89 2N39062A4 PZM2.4NB2A Phi A SOT346 dual 2.4V cc Zener2A7 PZM2.7NB2A Phi A SOT346 dual 2.7V cc Zener2B BC849B ITT N SOT23 BC549B2Bs BC849B Sie N SOT23 BC549B2Bs BC849BW Sie N SOT323 BC549B2Bp BC849B Phi N SOT23 BC549B2Bt BC849BW Phi N SOT323 BC549B2B‐ BC849BW Phi N SOT323 BC549B2B FMMT2907 Zet N SOT23 2N29072B MMBT2907 Mot N SOT23 MPS2907p2B PMBT2907 Phi N SOT23 2N2907t2B PMBT2907 Phi N SOT23 2N29072B0 TAR5SB20 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.0V 0.2A2B1 TAR5SB21 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.1V 0.2A2B2 TAR5SB22 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.2V 0.2A2B3 TAR5SB23 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.3V 0.2A2B4 TAR5SB24 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.4V 0.2A2B5 TAR5SB25 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.5V 0.2A2B6 TAR5SB26 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.6V 0.2A2B7 TAR5SB27 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.7V 0.2A2B8 TAR5SB28 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.8V 0.2A2B9 TAR5SB29 Tos ZJ SOT23‐5 LDO reg 2.9V 0.2A2BR BC849BR Phi R SOT23R BC549B2BZ FMMT2907 Zet N SOT23 2N29072C BC849C ITT N SOT23 BC549C2Cs BC849C Sie N SOT23 BC549C2Cs BC849CW Sie N SOT323 BC549C2Cp BC849C Phi N SOT23 BC549C2Ct BC849C Phi N SOT23 BC549C2Ct BC849CW Phi N SOT323 BC549C2C‐ BC849CW Phi N SOT323 BC549C2C MMBTA70 Mot N SOT23 MPSA702CR BC849CR Phi R SOT23R BC549C2CZ FMMTA70 Zet N SOT23 MPSA702D MMBTA92 Mot N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300Vp2D PMBTA92 Phi N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300Vp2D PXTA92 Phi O SOT89 MPSA92 pnp Vce 300Vt2D PMBTA92 Phi N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300Vt2D PMSTA92 Phi N SOT323 MPSA92 pnp Vce 300V2E MMBTA93 Mot N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200V2E FMMT‐A93 Zet N SOT23 MPSA93t2E PMBTA93 Phi N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200Vt2E PMSTA93 Phi N SOT323 MPSA93 pnp Vce 200V2F BC850B ITT N SOT23 BC550B2Fs BC850B Sie N SOT23 BC550B2Fs BC850BW Sie N SOT323 BC550B2Fp BC850B Phi N SOT23 BC550B2Ft BC850B Phi N SOT23 BC550B2Ft BC850BW Phi N SOT323 BC550B2F‐ BC850BW Phi N SOT323 BC550B2F FMMT2907A Zet N SOT23 2N2907A2F MMBT2907A Mot N SOT23 MPS2907A2F MMBT2907AW Mot N SOT323 MPS2907Ap2F PMBT2907A Phi N SOT23 2N2907Ap2F PXT2907A Phi O SOT89 2N2907At2F PMBT2907A Phi N SOT23 2N2907At2F PMBT2907A Phi N SOT323 2N2907A2FR BC850BR Phi R SOT23R BC550B2G BC850C ITT N SOT23 BC550C2Gs BC850C Sie N SOT23 BC550C2Gp BC850C Phi N SOT23 BC550C2Gt BC850C Phi N SOT323 BC550C2Gt BC850CW Phi N SOT323 BC550C2G‐ BC850CW Phi N SOT323 BC550C2G FMMT‐A56 Zet N SOT23 MPSA562G MMBTA56 Mot N SOT23 MPSA562Gx ATF52189 Ava ZF SOT89 med pwr PHEMT 50MHz‐6GHz 27dBm p2G PMBTA56 Phi N SOT23 MPSA56t2G PMBTA56 Phi N SOT23 MPSA56t2G PMSTA56 Phi N SOT323 MPSA562GM MMBTA56 Mot N SOT23 MPSA562GR BC850CR Phi R SOT23R BC550C。

SMT元器件尺寸

SMT元器件尺寸

一、表面贴装元件分类(一)按功能分类1. 连接件(Interconnect):提供机械与电气连接/断开,由连接插头和插座组成,将电缆、支架、机箱或其它PCB与PCB连接起来;可是与板的实际连接必须是通过表面贴装型接触。

2. 有源电子元件(Active):在模拟或数字电路中,可以自己控制电压和电流,以产生增益或开关作用,即对施加信号有反应,可以改变自己的基本特性。

3. 无源电子元件(Inactive):当施以电信号时不改变本身特性,即提供简单的、可重复的反应。

4. 异型电子元件(Odd-form):其几何形状因素是奇特的,但不必是独特的。

因此必须用手工贴装,其外壳(与其基本功能成对比)形状是不标准的,例如:许多变压器、混合电路结构、风扇、机械开关块,等。

(二)按封装外形形状/尺寸分类Chip:片电阻, 电容等, 尺寸规格: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 2010, 等..钽电容, 尺寸规格: TANA,TANB,TANC,TAND..SOT:晶体管,SOT23, SOT143, SOT89等..Melf:圆柱形元件, 二极管, 电阻等….SOIC:集成电路, 尺寸规格: SOIC08, 14, 16, 18, 20, 24, 28, 32….QFP:密脚距集成电路….PLCC:集成电路, PLCC20, 28, 32, 44, 52, 68, 84….BGA:球栅列阵包装集成电路, 列阵间距规格: 1.27, 1.00, 0.80….CSP:集成电路, 元件边长不超过里面芯片边长的1.2倍, 列阵间距<0.50的µBGA….英制和公制电容、电阻的封装形式通常可以有英制和公制两种标示方法:英制公制0402 (40milX20mil) 1005 (1.0mmX0.5mm)0603 (60milX30mil) 1608 (1.6mmX0.8mm)0805 (80milX50mil) 2012 (2.0mmX1.2mm)1206 (120milX60mil) 3216 (3.2mmX1.6mm)1210 (120milX100mil) 3225 (3.2mmX2.5mm)1812 (180milX120mil) 4532 (4.5mmX3.2mm五、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。

1N4007整流二极管的主要参数及封装图尺寸

1N4007整流二极管的主要参数及封装图尺寸

1N4007整流⼆极管的主要参数及封装图尺⼨1N4007是⼀种硅材料整流⼆极管,把⽅向交替变化的交流电换成单⼀⽅向的脉冲直流电,⼴泛应⽤于各种交流变直流的整流电路中。

直插⼆极管1N4007,低频整流⼆极管,正向平均电流1A,耐压1000V,封装DO-41,应⽤范围极其⼴泛。

虽然很多客户都知道⼆极管1N4007这个物料,但是有关1N4007⼆极管参数和特性,却略知⼀⼆。

接下来⼆极管⼚家东沃DOWO重点要分享的是直插整流⼆极管1N4007的参数和特性,看完就明⽩了。

1N4007直插整流⼆极管基本参数封装形式:DO-41反向重复峰值电压:1000V正向平均电流:1.0A正向不重复浪涌电流:30A正向峰值电压:1V反向漏电流(Ta=25°C):5uA热阻(典型,结和环境之间):55°C/W热阻(典型,结和引线之间):25°C/W结温:-55 °C to 125°C储存温度:-55 °C to 150°C1N4007直插整流⼆极管主要特性正向浪涌承受能⼒强低反向漏电流250℃/10 秒,0.375“ (9.5mm)引线长度引线可承受5 磅(2.3kg)拉⼒⾼温焊接保证极性:⾊环端为负极端⼦:镀锡轴向引线安装位置:任意1N4007⼆极管属于1N4001-1N4007*系列型号之⼀,具体型号还有:1N4001、1N4002、1N4003、1N4004、1N4005、1N4006、1N4007、1N4007*,对应的反向重复峰值电压分别是50V、100V、200V、400V、600V、800V、1000V、1200V,更多硅整流⼆极管产品,尽在⼆极管⼚家东沃电⼦DOWOSEMI!。

1N4007RLG;1N4002RLG;1N4004RLG;1N4005RLG;1N4003RLG;中文规格书,Datasheet资料

1N4007RLG;1N4002RLG;1N4004RLG;1N4005RLG;1N4003RLG;中文规格书,Datasheet资料

1N4001, 1N4002, 1N4003,1N4004, 1N4005, 1N4006,1N40071N4004 and 1N4007 are Preferred DevicesAxial Lead Standard Recovery RectifiersThis data sheet provides information on subminiature size, axial lead mounted rectifiers for general−purpose low−power applications. Features•Shipped in plastic bags, 1000 per bag•Available Tape and Reeled, 5000 per reel, by adding a “RL” suffix to the part number•Available in Fan−Fold Packaging, 3000 per box, by adding a “FF”suffix to the part number•Pb−Free Packages are AvailableMechanical Characteristics•Case: Epoxy, Molded•Weight: 0.4 gram (approximately)•Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable•Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds, 1/16 in. from case •Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.CASE 59−10AXIAL LEADPLASTICLEAD MOUNTED RECTIFIERS50−1000 VOLTSDIFFUSED JUNCTIONPreferred devices are recommended choices for future use and best overall value.MARKING DIAGRAMSee detailed ordering and shipping information on page 4 of this data sheet.ORDERING INFORMATIONA= Assembly Location1N400x= Device Numberx= 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7YY= YearWW= Work WeekG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)A1N400xYYWW GGMAXIMUM RATINGSRating Symbol1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007Unit†Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRMV RWMV R501002004006008001000V†Non−Repetitive Peak Reverse Voltage(halfwave, single phase, 60 Hz)V RSM6012024048072010001200V †RMS Reverse Voltage V R(RMS)3570140280420560700V†Average Rectified Forward Current(single phase, resistive load,60 Hz, T A = 75°C)I O 1.0A†Non−Repetitive Peak Surge Current(surge applied at rated load conditions)I FSM30 (for 1 cycle)AOperating and Storage Junction Temperature RangeT JT stg−65 to +175°CMaximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.ELECTRICAL CHARACTERISTICS†Rating Symbol Typ Max Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop, (i F = 1.0 Amp, T J = 25°C)v F0.93 1.1V Maximum Full−Cycle Average Forward Voltage Drop, (I O = 1.0 Amp, T L = 75°C, 1 inch leads)V F(AV)−0.8VMaximum Reverse Current (rated DC voltage) (T J = 25°C)(T J = 100°C)I R0.051.01050m AMaximum Full−Cycle Average Reverse Current, (I O = 1.0 Amp, T L = 75°C, 1 inch leads)I R(AV)−30m A †Indicates JEDEC Registered Data10.110I F , F O R W A R D C U R R E N T (A )Figure 3. Typical CapacitanceV R , REVERSE VOLTAGE (V)1N4001Axial Lead*1000 Units/Bag1N4001G Axial Lead*1000 Units/Bag(Pb−Free)1N4001FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4001FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4001RL Axial Lead*5000/T ape & Reel5000/T ape & Reel1N4001RLG Axial Lead*(Pb−Free)1N4002Axial Lead*1000 Units/Bag1000 Units/Bag1N4002G Axial Lead*(Pb−Free)1N4002FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4002FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4002RL Axial Lead*5000/T ape & Reel5000/T ape & Reel1N4002RLG Axial Lead*(Pb−Free)1N4003Axial Lead*1000 Units/Bag1N4003G Axial Lead*1000 Units/Bag(Pb−Free)1N4003FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4003FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4003RL Axial Lead*5000/T ape & Reel5000/T ape & Reel1N4003RLG Axial Lead*(Pb−Free)1N4004Axial Lead*1000 Units/Bag1000 Units/Bag1N4004G Axial Lead*(Pb−Free)1N4004FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4004FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4004RL Axial Lead*5000/T ape & Reel5000/T ape & Reel1N4004RLG Axial Lead*(Pb−Free)1N4005Axial Lead*1000 Units/Bag1N4005G Axial Lead*1000 Units/Bag(Pb−Free)1N4005FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4005FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4005RL Axial Lead*5000/T ape & Reel5000/T ape & Reel1N4005RLG Axial Lead*(Pb−Free)†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.*This package is inherently Pb−Free.1N4006Axial Lead*1000 Units/Bag1000 Units/Bag1N4006G Axial Lead*(Pb−Free)1N4006FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4006FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4006RL Axial Lead*5000/T ape & Reel1N4006RLG Axial Lead*5000/T ape & Reel(Pb−Free)1N4007Axial Lead*1000 Units/Bag1000 Units/Bag1N4007G Axial Lead*(Pb−Free)1N4007FF Axial Lead*3000 Units/Box3000 Units/Box1N4007FFG Axial Lead*(Pb−Free)1N4007RL Axial Lead*5000/T ape & Reel1N4007RLG Axial Lead*5000/T ape & Reel(Pb−Free)†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.*This package is inherently Pb−Free.PACKAGE DIMENSIONSAXIAL LEAD CASE 59−10ISSUE UDIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 4.10 5.200.1610.205B 2.00 2.700.0790.106D 0.710.860.0280.034F −−− 1.27−−−0.050K25.40−−−1.000−−−NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH JEDEC DO−41 OUTLINE SHALL APPLY4.POLARITY DENOTED BY CATHODE BAND.5.LEAD DIAMETER NOT CONTROLLED WITHIN F DIMENSION.ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further noticeto any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.PUBLICATION ORDERING INFORMATION分销商库存信息:ONSEMI1N4007RLG1N4002RLG1N4004RLG 1N4005RLG1N4003RLG1N4001RLG 1N4004G1N4007G1N4001G1N4002G1N4003G1N4006G1N4005G1N4001RL1N4002RL 1N4003RL1N4004RL1N4005RL 1N4006RL1N4006RLG1N4007RL。

[宝典]pcb封装尺寸及型号

[宝典]pcb封装尺寸及型号

零电阻 AXIAL无极性电容 RAD电解电容 RB-电位器 VR二极管 DIODE三极管 TO电源稳压块78和79系列 TO-126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥 D-44 D-37 D-46单排多针插座 CON SIP双列直插元件 DIP晶振 XTAL1电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。

其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。

一般<100uF 用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4发光二极管:RB.1/.2集成块:DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。

元件封装及基本脚位定义说明

元件封装及基本脚位定义说明

元件封装及基本脚位定义说明(总20页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--元件封装及基本脚位定义说明PS:以下收录说明的元件为常规元件A: 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。

包括了实际元件的外型尺寸,所占空间位置,各管脚之间的间距等,是纯粹的空间概念。

因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装.普通的元件封装有针脚式封装(DIP)与表面贴片式封装(SMD)两大类.(像电阻,有传统的针脚式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。

)元件按电气性能分类为:电阻,电容(有极性,无极性),电感,晶体管(二极管,三极管),集成电路IC,端口(输入输出端口,连接器,插槽),开关系列,晶振,OTHER(显示器件,蜂鸣器,传感器,扬声器,受话器)1.电阻: I.直插式 [1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W]II.贴片式 [0201 0402 0603 0805 1206]III.整合式 [0402 0603 4合一或8合一排阻]IIII.可调式[VR1~VR5]2.电容: I.无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225]II.有极性电容分两种:电解电容 [一般为铝电解电容,分为DIP与SMD两种]钽电容 [为SMD型: A TYPE (3216 10V) B TYPE (3528 16V) C TYPE (6032 25V) D TYPE (7343 35V)]3.电感: 型电感型电感4.晶体管: I.二极管[1N4148 (小功率) 1N4007(大功率) 发光二极管 (都分为SMD DIP两大类)]II.三极管 [SOT23 SOT223 SOT252 SOT263]5.端口: I.输入输出端口[AUDIO KB/MS(组合与分立) LAN COM(DB-9)RGB(DB-15) LPT DVI USB(常规,微型) TUNER(高频头) GAME 1394 SATA POWER_JACK等]II.排针[单排双排 (分不同间距,不同针脚类型,不同角度)过 IDE FDD,与其它各类连接排线.III.插槽 [DDR (DDR分为SMD与DIP两类) CPU座 PCIE PCI CNR SD MD CF AGP PCMCIA]6.开关:I.按键式II.点按式III.拔动式IIII.其它类型7.晶振: I.有源晶振 (分为DIP与SMD两种包装,一个电源PIN,一个GND PIN,一个讯号PIN)II.无源晶振(分为四种包装,只有接两个讯号PIN,另有外売接GND)8.集成电路IC:(Dual In-line Package):双列直插封装。

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