日本富士通微电子株式会社与台积电合作发展先进工艺技术
富士通采用CMOS工艺开发高耐压晶体管
之设定了玻璃晶圆生产规格的新标准。 多年来 300 m m 一直是半导体应用产品 中 S i 晶圆的标准, 现今也逐渐成为M EM S 产业的标准。M EM S 系统较为复杂, 它把机械、 电气以及光学功能融为一体, 因此以300 m m 为标准对于M EM S 产业 来说将是一个巨大的挑战。 许多M EM S 系统都采用具有通孔、 空腔或沟槽的玻 璃帽式晶圆, 因此从某种程度上来说, M EM S 成功与否主要取决于键合在器件 晶圆上的帽式晶圆。 P lan O p tik 已经有能力采用多种材料 ( 如用于阳极键合的硼 硅酸盐玻璃和无碱玻璃) 生产出 5 Λ m 或更薄的玻璃晶圆。 几年前, P lan O p tik 开发的M D F (m ciro dam ag in g f ree ) 晶圆抛光技术可谓是 一项伟大的发明, 专用于湿法刻蚀, 并能避免采用H F 和 TM A H 制备时产生的底面 损伤, 这是M EM S 市场一个巨大的成功。不久的将来,M D F 将用于300 mm 晶圆。 该新型 300 mm 晶圆填补了 P lan O p tik 玻璃晶圆产品的又一空白。 作为 M EM S 市场领衔企业的 P lan Op t ik 还提供以 SEM I 、 M IL 或 ISO 标准为基准的 通孔、 微腔、 光学谐振腔、 馈通和微透镜等产品。
孙再吉 摘译
中科 院 微电 子 研 究所 研 制成 功
40 GHz 静 态
分 频 器
近日, 中科院微电子研究所四室 InP HB T 小组研制成功基于 InP �InGaA s DHB T 工艺的静态分频器, 测试结果表明此分频器可在大于40 GH z 频率下正常 工作, 在电源供电为- 5 V 的情况下, 功耗为 650 mW , 芯片尺寸为 112 m m ×016 mm 。这是国内第一款基于 InP �In GaA s D HB T 工艺的可在毫米波段工作的超高 速数字电路。 静态分频器主要由D 触发器构成, 而D 触发器是数字电路的最基本单元, 因 此可由静态分频器的最高工作频率来评价同种工艺下更为复杂的数字电路的
Fujifsu期成客制化ICT解决方案范文领导商
Fujifsu期成客制化ICT解决方案范文领导商企业定位：富士通是全球客制化信息技术及通信解决方案的领导供货商主要(知名)产品：专用集成电路(ASIC)、8bit/16bit/32bit微控制器(MCU)、特定应用标准产品(ASSP)/系统单芯片(SoC)，电源管理芯片和系统储存芯片。
2022年主力市场：PC笔电周边，LED/绿色照明，汽车电子，医疗电子年度重大新闻2022年8月，富士通微电子与台积电(TSMC)宣布，双方将以台积电技术平台为基础，针对富士通微电子的28nm逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28nm高效能制程。
之前富士通微电子已经与台积电就40nm制程进行合作。
这项协议代表富士通微电子将延伸已经在台积电生产的40nm产品，双方将共同发展优化的28nm高效能制程，而首批28nm-V程样品预计于2022年年底出货。
这项先进技术的合作将整合富士通在高速制程与低耗电设计技术的专长，以及台积电节能的高效能逻辑/系统单芯片制程及“开放创新平台”(OpenInn ovationPlatform)中的先进技术。
此次延伸至28nm制程的合作计划，能在台积电包含高效能与低耗电应用的28nm技术组合基础上，提供富士通微电子与台积电一个从深具竞争优势、高效能28nm技术中获益的机会。
同时，二家公司也正在就先进封装合作的可能性进行讨论，希望能有效结合富士通微电子在高效能、无铅、超高针脚数(ultra-high-pincount)封装技术的优势及台积电在芯片封装整合与先进的铜/超低介电系数(Cu/ELK)导线的实力。
自荐最佳产品或重大产品新闻品名产品特色1.8某MCU富士通推出的8位F2MC-8F某系列微控制器，主要应用于消费性电子产品、汽车电子及工业应用领域。
最新款的F2MC-8F某系列8位微控制器具备10MHz运作频率约为传统型F2MC-8L系列产品的3倍，同时由于采用优化处理器核心，其处理能力是传统型F2MC8L系列产品的5倍。
台积电工艺技术路线
台积电工艺技术路线
台积电是全球领先的半导体制造公司之一，其工艺技术路线一直被业界所关注和研究。
下面将简要介绍一下台积电的工艺技术路线。
首先，台积电采用了最先进的14纳米制程工艺。
这个制程采
用了晶体管尺寸的减小和材料的改进，使得集成电路的性能得到大幅提升。
14纳米工艺在能效和性能方面都有很大的优势，能够满足现代电子产品对高性能和低功耗的要求。
其次，台积电正在积极研发下一代工艺技术，包括10纳米、7纳米和5纳米。
这些工艺的研发将进一步提高集成电路的性能和能效。
比如，10纳米工艺将在14纳米基础上进一步减小晶
体管的尺寸，提高芯片的集成度和计算能力。
而7纳米和5纳米工艺则在10纳米工艺的基础上继续减小晶体管的尺寸，提
高芯片的性能和功耗。
此外，台积电还在研发新的材料和工艺，以应对更高级的应用需求。
比如，3D NAND闪存是当前存储技术的主流，台积电
在这一领域进行了大量的研究和开发。
台积电的3D NAND闪
存工艺已经达到了行业领先水平，为大容量和高速的存储芯片提供了重要支持。
同时，台积电也在加强与其他领域的合作，例如人工智能和物联网。
这些领域对芯片性能和功耗有着更高的要求，台积电利用自身的制造能力和技术优势，为相关行业提供高性能和能耗低的芯片解决方案。
总结起来，台积电的工艺技术路线始终以提高性能和降低功耗为目标，致力于为全球客户提供领先的半导体解决方案。
通过不断的研发和创新，台积电不仅在现有制程上取得重要突破，还在新的技术和应用领域拥有巨大的发展潜力。
随着科技的不断进步和需求的不断变化，台积电将继续引领半导体行业的发展。
富士通在65nm及90nnl工艺300mm晶圆上应用自主开发的CMP模拟器
厂商 。
落 差 较 大 的是 飞 思卡 尔 ， 因受 最 大客 户摩 托 罗 拉的 影 响 ， 出 了前十 名 ， 在 去年 ， 思卡 尔是 排 跌 而 飞 九。半导体领 域 日新 月异 ， 明年 的前十 ， 又在 角逐中 。
法。
增加 代工 外 包提 升产 能 据 了 解 ， ＭＤ 还 通 过 各 种 措 施 解 决 困扰 已久 Ａ 的 “ 能不 足 ”的老 问题 。 今 年 ， 产 ＡＭＤ 在 德 国 的
Ｆ ３ 、 Ａ ６等 工 厂都 全 面升 级 到 ６ ｍ 制 造 工 ＡＢ ０ Ｆ Ｂ３ ５ｎ
艺进 行 处理 器 生产 ， 处 于超 出预 计 产 能 ５ ％的高 并 ０ 负 荷 运 转 状 态 ， 外 ， 明 年 采 用“ 入 式 光 刻 技 此 在 浸 术 ” 制造技术后 ， 望令 Ａ 新 可 ＭＤ 在 ４ ｌ 处 理 器 ５ｎ ｌ Ｔ
的产能 比计 划进 一 步提 升 ２ ％． ０
台积 电发 言人 表 示 ， 们 不会 对 正在 讨 论 或进 他 行 中 的个案 发 表评 论 。
半 导体 Ｔｏ ｌ ｐ ０排 名 ： 东芝 挤 进 前 三 ， Ｍ Ｄ 首 进 前 十 Ａ
根 据 市 场 研 究 公 司 Ｉ ｎｉｈｓ 表 的 报 告 ， Ｃ Ｉｓ ｔ 发 ｇ
ＡＭＤ 还 计 划 通 过 将 处 理 器 的 代 工 生 产 量 提
高达 ２ ％， ０ 以进 一步 解 决产 能 小足 的 问题 。
从 去年 ５月 开始 ， 新 加 坡特 许 半 导 体 开 始 为
ＡＭＤ 代 工 生 产 ９ ｍ 处 理 器 ，去 年 ｌ ０ｎ ０月又 获 得
台积电的国际营销策略
台积电的国际营销策略台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，TSMC）是全球领先的半导体制造公司之一。
作为台湾最大的科技公司之一，台积电自1979年成立以来，一直致力于提供高品质、高性能的半导体解决方案。
在国际市场上，台积电采取了一系列有力的营销策略来提升其品牌形象和全球市场份额。
下面将从几个方面介绍台积电的国际营销策略。
首先，台积电注重建立良好的合作伙伴关系。
作为芯片代工厂商，台积电与诸多知名半导体公司建立了稳固的合作关系。
通过与合作伙伴共同开发新技术和产品，台积电不仅提供了高品质的芯片制造服务，还为合作伙伴提供了技术支持和解决方案。
通过这种合作方式，台积电得以更好地了解客户需求和市场动态，从而能够更准确地提供定制化的产品和解决方案。
其次，台积电积极参与国际行业展览和会议。
在全球各地举办的重要行业展览和会议上，台积电经常亮相并展示最新的技术和产品。
这些展览和会议提供了展示公司实力和技术研发成果的机会，同时也是与行业同行和潜在合作伙伴进行面对面交流的平台。
通过积极参与这些国际活动，台积电扩大了其在全球市场的知名度和影响力，并进一步巩固了其在半导体行业的领导地位。
此外，台积电还注重与客户之间的沟通和合作。
通过建立开放的沟通渠道，台积电与客户保持密切联系，以更好地了解其需求和挑战。
台积电通过提供定制化的解决方案、及时的技术支持和高效的交付服务，帮助客户实现其市场目标，并共同推动行业的发展。
在国际市场上，台积电的口碑和客户满意度一直是其成功的关键因素之一。
最后，台积电不断投资于研发和创新。
作为半导体制造业的领导者，台积电注重技术创新和卓越的研发实力。
通过不断投入资金和资源，积极推动新技术的研究和开发，台积电保持了在先进制程和技术领域的领先地位。
这种创新力使台积电在国际市场上更具竞争力，能够不断满足客户的需求，并引领行业的发展。
综上所述，台积电的国际营销策略建立在优质合作伙伴关系、积极参与行业展览和会议、与客户的密切沟通以及持续的研发和创新之上。
台积电n3e工艺 晶体管密度
台积电N3e工艺及其晶体管密度台积电（TSMC）是全球领先的集成电路制造商之一，在芯片制造领域享有盛誉。
其先进工艺技术不断推动着集成电路的发展，其中包括最新的N3e工艺。
本文将介绍台积电N3e工艺及其晶体管密度的相关内容。
台积电N3e工艺概述N3e工艺是台积电的最新一代先进制程技术，在2022年初发布。
N3e代表了第三代台积电的N系列工艺，它是目前世界上最先进的高性能制程之一。
N3e工艺采用了3nm级别的制程节点，具有出色的能效和性能特点，广泛用于高端芯片领域，如高性能计算、人工智能、移动应用等。
N3e工艺的晶体管密度晶体管密度是衡量芯片工艺先进程度的重要指标之一，它表示在单位面积内能够容纳的晶体管数量。
晶体管密度的提高意味着芯片可以在更小的尺寸上容纳更多的晶体管，这将带来性能的提升和功耗的降低。
台积电N3e工艺具有出色的晶体管密度，据台积电官方数据显示，其晶体管密度相较于N5工艺提升了约70%。
N5工艺是前一代台积电制程中晶体管密度的基准，而N3e工艺在同样的芯片尺寸上，能够容纳更多的晶体管，进一步提升集成电路的性能和功耗。
晶体管密度的提升得益于N3e工艺在制程技术上的创新。
具体来说，N3e工艺采用了“GAA”（Gate-All-Around）晶体管结构，这是一种相对于传统的FinFET结构更为先进的设计。
GAA结构通过在晶体管四周包围门极，提供更好的电流控制和更低的漏电流，从而进一步提高晶体管性能和密度。
除了GAA结构，N3e工艺还采用了更先进的工艺步骤，如超高分辨率光刻、多层晶体管、互连和电路设计优化等。
这些创新工艺的引入使得N3e工艺能够在相同芯片尺寸下容纳更多的晶体管，从而提供更高的性能和更低的功耗。
N3e工艺的应用前景台积电N3e工艺的晶体管密度提升为高性能芯片的发展带来了新的机遇。
它将广泛应用于各类高端芯片中，包括高性能计算、人工智能、移动应用等领域。
在高性能计算领域，N3e工艺的高晶体管密度将为超级计算机和数据中心的发展提供更强大的处理能力。
台湾著名的全球芯片制造企业是
台湾有非常多芯片制造商，下面列举几家：1、台积电全球最大的芯片制造商，占全球芯片产能的1/5，高端芯片领域占据全球60%以上产能。
芯片代工市场份额高达54%，英特尔，AMD，英伟达，高通，联发科，博通，索尼，苹果，恩智浦......你听说过的，没听说过的芯片品牌都是台积电的客户。
台积电2020年提交给台湾证券交易所的财报显示，公司为480多个客户制造超过9000种不同类型芯片。
2020年营收1.34万亿新台币。
2、联电全球第二大芯片制造商，芯片代工市场份额约9%。
最先进制程为14nm，在28nm的HKMG工艺上仅次于台积电，在28nm节点上具有极强的竞争力，也是韩国三星的CIS芯片制造商。
最近收购了日本富士通半导体，12英寸晶圆厂增加2座，并且借助日本富士通在汽车电子的技术已杀入车用芯片领域。
2020年营收1768亿新台币。
3、力积电曾经的力晶，目前是全球第六大芯片制造商，市场份额约2%。
力积电（力晶）曾经是一家做DRAM芯片（内存）的厂商，因为DRAM价格崩盘，2012年时负债千亿，股价跌至0.29元被台湾证交所下市。
经过多年转型，力积电不仅还清负债，还获得苹果公司触控芯片的订单，2020年底重新登陆兴柜交易，股价最高达88元，上涨303倍，是业界津津乐道的话题。
力积电目前最先进的制程为20nm，特色是提供专业的记忆体代工服务，比如DRAM，NOR Flash，NAND Flash 等，也是唯一具有铝制程技术的晶圆代工厂。
其客户多为生物科技公司（生物芯片代工），AI公司等。
该公司目前在新竹铜锣园区兴建2座12英寸晶圆厂，是中芯国际的劲敌。
2020年营收645亿新台币。
4、世界先进是台积电的子公司，也是特殊制程的领导厂商。
但特殊制程多用于军事，工业领域，不如民用制程赚钱，所以该公司目前是全球第八大芯片制造商，占整个半导体制造市场份额不足1%。
世界先进主要的产品是高压制程(High Voltage)、超高压制程(Ultra High Voltage)、BCD(Bipolar CMOS DMOS)制程、SOI(Silicon on Insulator)制程、混合信号制程(Mixed-Signal)、类比信号制程(Analog)、HPA(High Precision Analog)制程等等，是军工和工业领域非常重要的半导体公司，例如高铁使用的IGBT元件就是该公司制造。
富士通半导体交付55nm创新方案,解本土IC设计之“渴”
“ 目前业 界 在 Ｓ Ｃ ｏ 设计 上 遇 到 的挑 战最 关 键有 两点 ：一是 上 市时 间 ，二 是成 本 。迎 接这 些 挑 战 就要 从 工艺 制程 、Ｉ 、设 计 三个 方 面下 Ｐ
工夫 。选 择 正确 的工 艺 、有竞 争 力 的Ｉ 及先 进 Ｐ
富士通半导体公司ＡＳＣＣ Ｔ Ｉ ／ Ｏ 业务市场部 立足 ，在如此激烈 的竞争 中生存 ，并且不断地
副 经 理刘 哲 在 不久 前 闭 幕 的 “０ ２ 圳（ ２ １深 国际） 壮 大 自己？刘 哲 及该 公 司Ｉ平 台解 决 方案 事业 Ｐ 集成 电路 技术 创新 与应 用展 ”（ｈｎ ｘｏ Ｃ ｉａＣＥ ｐ ， Ｉ 部 副总 经理 安 佛英 明针对 这个 话题 在 论坛 做 了 简 称 Ｃ Ｃ ）“ｃ Ｉ Ｅ Ｉ 制造 和 设 计 ”论 坛 上 表示 ，现 题 为 “ 富士通 半 导 体 Ｓ Ｃ 计 和 芯 片代 工 解决 ｏ设
品上 市 时间 又可 以 降低 成本 的合 适 工艺 制程 。 那 么 到底 什 么才 是 中 国本土 Ｉ设 计 真正 需要 的 ｃ
工艺制 程 呢？
图１ ：富 士通 半 导体 携 ５ ｎ ５ ｍ创 新 工 艺 隆重 登 场 ＣＬ ２ １ 。 ０ ＣＥ ２
如今的消费类 电子市场竞争已经进入 白热
最 近 巾 国 Ｉ 场 的 最 重 磅 新 闻 要 属 大 小 பைடு நூலகம்１ ０ 万美 元 以上 的可 能 不 到 １％ ，在 １ 美元 Ｃ市 ， ０ ０ ０ 亿 “ Ｍ”— — 台湾 地 区联 发 科 技（ Ｋ） 晨 星半 以上 的可能不到１家 ，总体来讲中国Ｉ设计产 ＭＴ 和 ０ ｃ 导 体（ ｔｒ 布合 并 。 “ ＭＳａ） 宣 Ｍ兄 弟 ” 的联 手 对 已 业 还不 是很 健 全 ，同质 竞 争严 重 ，缺 乏创 新 。
莱迪思计划通过SRIO规范2.1互连标准
富 士通 微 电子
第六联合实验室落户武汉大 学
富士 通微 电子 （ 上海 ） 限 公 司宣 布 与武 汉 大 有
新唐 科 技推 动绿 能玩 具 发 展 ，
子 的优 势领域 和重 点发 展领 域 ，因此 富士通 微 电子
Ｎ ８Ｌｘ ５４ ｘｘ系列 目前提 供 三款 不 同语 音 长 度
（ ０ｅ 、０ｅ 、０ｅ ） Ｉ ２ ｓｃ ３ ｓｃ ４ ｓｅ 的 Ｃ让 客 户 选 择 ，以 满 足不
选择 了位于湖北 的国家重点大学武 汉大学进行合 作， 并设立联合实验室 ， 将富士通微电子与高校的合
以及 应用 系统 方 案优 化 服 务 ， 恩智 浦 在 其 中配 备 了
Ｖ ｎ ｅ ｏｅ ａ ｎ ｖ 告诉会议的参加者， Ｅ ｄ Ｈ Ｉ Ｃ正努力 Ｍ
开 发专 业用 途 的 Ｃ Ｒ ＭＯ Ｅ平 台及 与 台积 电合作 开 发 工艺 技术 。
ＲＩ ＦＤ不同应用 的实验环境 、 电子证件 、 安全支付等 应用演示 、 全球最先进的实验和测试设备 ， 从而能够
同的应用领 域需求 。包括 Ｎ ８Ｌ ２ 、 ５４ ０ ０ ５４ ０ ０Ｎ ８ Ｌ ３ 及 作领域从消费类 电子拓展到了高端汽车电子。
Ｎ ８Ｌ ４ 。另 外 ， 唐 也 提供 功 能齐 全 的开 发平 台 ５４ ００ 新 及高级 语 言的编 程工具 ，帮助客 户在 开发 新方 案上 效率倍 增 。 ・
编解码器 ＷＭ ９ ４已经被中国最大 Ｔ ８７ Ｄ方案供应商
发布单颗 电池推 动的语音合成 Ｉ Ｃ方案
新唐 科技针 对 玩具产业 应 用 ，推 出第 一颗 以单 颗 电 池 推 动 的 语 音 合 成 Ｉ－Ｎ ８Ｌｘ Ｃ ５４ ｘｘ系 列 。 Ｎ ８Ｌｘ ５４ ｘｘ的诉 求 重点 为解 决 玩具 应用 上 ， 因多颗 电 池造成 空 间不足 与摆放 不便 ，而衍 伸 出之创 新解 决 方案 。 ５４ ｘｘ 一 步大 幅降低 玩具 产业对 电池 的 Ｎ ８ Ｌｘ 进 高度消耗 量 ， 达到 绿能 玩具 的 目的 。
台积电发展之道
台积电发展之道
台积电是全球最大的集成电路制造商之一，在半导体行业具有重要地位。
该公司的成功经验可以总结为以下几点：
一、专注于技术创新。
台积电一直致力于技术创新和研发投入，不断推出领先的生产工艺和芯片产品。
公司建立了完备的研发体系，不断培养和吸纳高端人才，形成了具有竞争优势的技术创新能力。
二、延伸产业链，提高市场占有率。
除了集成电路制造业务，台积电还通过投资和收购等方式延伸了产业链。
如在晶圆代工领域，公司与全球多家知名半导体公司建立了战略合作关系，加强了与客户的合作。
同时，公司还投资于先进封测、LED等领域，提高了市场占有率。
三、注重企业社会责任。
台积电积极履行企业社会责任，不仅在生产运营中注重环境保护和能源节约，而且通过各种方式回馈社会，推动可持续发展。
公司致力于提高员工福利、关注教育、扶助弱势群体等，获得了良好的社会声誉和企业形象。
四、不断创新经营模式。
针对半导体行业的特点，台积电不断创新经营模式。
例如，公司推出了“共赢共享”的经营理念，与客户共同分享风险和回报，形成了长期稳定的战略伙伴关系。
此外，公司还推出了“智慧芯片制造计划”，引领行业数字化、智能化转型。
以上是台积电成功发展的几个关键因素，对其他企业也有着借鉴意义。
- 1 -。
联电试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM
领 域 的蓬 勃发展 。
日月光 半导 体 预计
第 四财 季 收入 下 降 ２％－ ８ ５ ＇２％ － － ＇
日月 光半 导体 制造 股 份有 限公 司 日前 表示 ， 受
长提 出并落实 “ 专业集成电路制造服务” 的创新模
式， 促进 “ 晶 圆厂 专业 集成 电路设 计领 域 ”发展 ， 无
以及对全球半导体业所做出的种种卓越贡献。 张忠谋于 １８ 年创立台积电公司， ９７ 是全球第一
家专 业集成 电路制 造服务公 司 ，多年来促 成许 多创 新企 业 的成立 ，也 引领无 晶 圆厂专业集 成 电路设 计
电４ 纳米泛用型及 ４ 纳米低耗电制程都已经通过 ０ ０
制程验 证 ，也按 原订计 划产 出首批 芯片 ，并 在今年
ｈｔ Ｉ ｔ ｌ ｐ： ｗｗ．ｉｍａ ．ｏ ｃｃ ｇ ｃ ｍ
３ ／８ ｍ工 艺技术 。 ２２ ｎ
１％～ ０ 该公司还预计第四财季营业毛利率从第 ５ ２％。
三财 季 的 １． ５１ ％降至 ｌ％～５ ４ １％。
台积 电率 先 量产 ４ 米制 程 ０纳
台积 电近 日表示 ，０纳 米 泛 用 型 （ ０ 及 ４ ４ ４ Ｇ） ０
纳米低耗电 （ ０ Ｐ 制程正式进入量产 ， 为专业 ４Ｌ ） 成 集成电路制造服务领域第一个量产 ４ 纳米逻辑制 ０ 程的公司。 Ｏ ４ 纳米制程是 目 前半导体产业最先进的 量产制程， 在全球消费性 电子 、 行动通讯以及计算机
台 湾联 华 电子 采 用 ｈｇ— 栅 极 绝 缘 膜 和 金属 ｉｈ ｋ 栅 极技 术 ， 制 出 ４ｎ 试 ５ ｍ工 艺 的 Ｓ Ａ 至 此 ， 现 Ｒ Ｍ， 实 ３／８ｍ 工艺 用 ｈ ｈ ｋ 金 属栅 极 技 术 的第 一 阶段 ２２ｎ ｉ —／ ｇ 已完成 。该 公 司 ２０ ０８年 １ ０月试 制 出了 ２ ｎ ８ｍ工艺 的 Ｓ Ａ 加 上 此 次 的成 果 ， Ｒ Ｍ， 预计 ２ １ ００年能 够 开 发
日本富士通公司深度解析氮化镓高电子迁移率晶体管
日本富士通公司深度解析氮化镓高电子迁移率晶体管
12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议（SISC2017）上，日本富士通公司及其子公司富士通实验室公司（Fujitsu Laboratories Ltd）介绍了据称是第一个室温下实现单晶金刚石和碳化硅（SiC）衬底焊接，关键是这两者都是硬质材料，但具有不同的热膨胀系数。
使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作。
传统GaN HEMT——SiC衬底散热
近年来，高频GaN-HEMT功率放大器已被广泛用于雷达和无线通信等远程无线电领域，预计还将用于天气雷达观测局部暴雨，或者即将出现的5G毫米波段移动通信协议。
对于这些使用微波到毫米波频段雷达或无线通信系统，通过提高用于传输的GaN-HEMT功率放大器的输出功率，无线电波能够传播的距离将增大，可扩展雷达观测范围，实现更远和更高容量的通信。
。
富士通半导体交付55nm创新方案
富士通半导体交付55nm创新方案近来中国IC 市场的最重磅新闻要属大小M 台湾联发科(MTK)和晨星半导体(MStar)宣布合并。
M 兄弟的联手对已跨入1 亿美元俱乐部的少数刚崛起的大陆本土IC 设计公司带来很大的竞争压力，而原本就缺资金、缺平台、缺资源的本土小型和微型IC 厂商的生存空间更加令人堪忧。
正如富士通半导体ASIC/COT 业务市场部副经理刘哲女士在不久前闭幕的2012 深圳(国际)集成电路创新与应用展(China IC Expo，简称CICE)IC 制造和设计论坛上指出的，现在中国的IC 设计公司大概有300 多家，营业额在10M 美金以上的可能不到10%，在100M 美金以上的可能不到10 家，总体来讲中国IC 设计产业还不是很健全，同质竞争严重，缺乏创新。
我研究了一下过去5 年中统计的中国十大公司，发现5 年都能上榜的大概只有5 家，市场的优胜劣汰十分激烈。
那么本土IC 设计业如何能够更好地在市场立足，在如此激烈的竞争中生存，并且不断的壮大自己?刘哲及富士通半导体IP 平台解决方案事业部副总经理安佛英明先生针对这个话题在论坛做了题为富士通半导体SoC 设计和芯片代工解决方案的演讲，分析了目前中国本土IC 设计业在SoC 设计中所面临的挑战和应对方法，并宣布了富士通半导体为中小型IC 设计公司量身定制的55nm 最新设计和制造服务解决方案从7 月开始提供PDK 和library 给客户进行设计。
SoC 设计挑战分析目前业界在SoC 设计上遇到的挑战最关键有两点：一是Time-to- Market，二是cost。
迎接这个挑战就要从工艺制程(Process)、IP、设计三个方面下工夫。
选择正确的工艺，有竞争力的IP 及先进的设计方法是SoC 成功的关。
富士通推出65纳米ASIC和SoC工艺
富士通推出65纳米ASIC和SoC工艺
富士通推出65纳米ASIC和SoC工艺
上网时间 : 2005年09月30日
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富士通最近为先进ASIC和系统级芯片(SoC)设计推出65纳米工艺技术，酝酿出下一波半导体浪潮。
富士通有两种65nm工艺：CS200和CS200A，面向ASIC 和客户自有工具(COT)应用。
两种技术制成的晶体管据称门长30nm，比90nm技术减少了25%。
CS200和CS200A采用11层铜互连层，而不是10层，使复杂SoC设计成为可能。
富士通还利用了铜和多孔渗水超低K内连技术。
CS200系列设计用于高端高性能服务器处理器设备及其它先进系统。
CS200A系列的应用包括移动产品，如蜂窝电话、笔记本、计算机和其它需要最小功耗的数字消费类产品。
该公司声称，较小的晶体管采用镍聚合物取代90nm CS100晶体管用的聚合钴/多晶硅堆栈。
镍聚合物的低片状电阻确保低门阻抗，实现了高速。
封装选择包括标准BGA和倒装芯片BGA。
目前推出65nm技术的公司还包括英特尔、东芝、德州仪器和台积电(TSMC)等。
英特尔日前宣称将研发第一代65nm工艺技术的超低功率衍生技术。
传富士通向台积电洽售半导体厂
传富士通向台积电洽售半导体厂
佚名
【期刊名称】《中国电子商情：空调与冷冻》
【年(卷),期】2012(0)9
【摘要】据国外媒体报道,富士通(Fujitsu)正和瑞萨(Renesas Electronics)、Panasonic就三方的SystemLSI业务进行整合,新公司将有来自三家公司总共5000名技术人员,并将扩大半导体代工生产订单予台积电。
报道并指出,日本大型企业业绩增长放缓,故市传富士通(Fujitsu)看中台积电有充裕现金流,洽谈出售其半导体厂,惟未有消息未经证实。
【总页数】1页(P51-51)
【关键词】半导体厂;台积电;富士通;Fujitsu;Panasonic;技术人员;生产订单;企业业绩
【正文语种】中文
【中图分类】TN405
【相关文献】
1.富士康也要发展半导体业务或建设两座12英寸芯片厂 [J], 无;
2.英特尔加码投资爱尔兰厂16亿欧元/中芯国际正洽谈兴建新芯片封测厂/看好芯片前景台积电投入14亿美元扩容/台积电、旺宏、世界先进拟策略合作/KEB称现代在中国组建新芯片工厂计划仍可行/摩托罗拉在天津新建汽车半导体制造厂/华润上华同欧胜微电子签署晶圆代工服务协议/全球IC封 [J],
3.富士通半导体改组联电今年入股12寸厂 [J],
4.富士通半导体:与客户一起开创未来--访富士通半导体MCU市场部经理彭涛 [J],
5.传淡马锡洽售特许半导体股权予台积电 [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
富士通积极展示90纳米产品
富士通积极展示90纳米产品
海菲
【期刊名称】《电子与封装》
【年(卷),期】2005(5)10
【摘要】富士通微电子（上海）有限公司参加了不久前在北京举办的第三届中国国际集成电路产品展览会暨研讨会（IC China）。
富士通微电子作为一家以垂直整合型服务见长的半导体制造商，在本次会议中全面展示了公司的90纳米产品。
【总页数】1页(P46-46)
【关键词】纳米产品;富士通;展示;有限公司;集成电路;微电子;展览会;第三届;制造商【作者】海菲
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN402;TB383
【相关文献】
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富士通微电子再拓大学合作，联合实验室落户武汉大学
富士通微电子再拓大学合作，联合实验室落户武汉大学
佚名
【期刊名称】《电源技术应用》
【年(卷),期】2010(000)006
【摘要】富士通微电子（上海）有限公司日前宣布与武汉大学携手建立联合实验室。
这是富土通微电子自2008年以来在中国高校投资成立的第六个联合实验室，是富士通微电子大学计划的又一重大举措。
该实验室的建立，为富土通微电子促进半导体人才培养和行业发展搭建了一个全新的平台，彰显了富士通微电子对中国教育和人才培养的长期承诺。
【总页数】1页(P73-73)
【正文语种】中文
【中图分类】TN929
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW 的高输出功率，富士通半导体计划将于2013 年下半年开始量产这些GaN 功率器件。
这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN 的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。
而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。
富士通半导体计划在硅基板上进行GaN 功率器件的商业化，从而可以通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。
按照此目标，富士通半导体自2009 年起就在开发批量生产技术。
此外，富士通半导体自2011 年起开始向特定电源相关合作伙伴提供GaN 功率器件样品，并对之进行优化，以便应用在电源单元中。
最近，富士通半导体开始与富士通研究所(Fujitsu Laboratories Limited) 合作进行技术开发，包括开发工艺技术来增加硅基板上的高质量GaN 晶体数量;开发器件技术，如优化电极的设计，来控制开关期间导通电阻的上升;以及设计电源单元电路布局来支持基于GaN 的器件的高速开关。
这些技术开发结果使富士通半导体在使用GaN 功率器件的功率因数校正电路中成功实现了高于传统硅器件性能的转换效率。
富士通半导体还设计了一种具有上述功率因数校正电路的服务器电源单元样品，并成功实现了2.5kW 的输出功率。
将该项技术的开发成功也意味着富士通半导体铺平了其GaN 功率器件用于高压、大电流应用的道路。
富士通半导体最近在其会津若松工厂建成了一条6 英寸晶圆大规模生产线，并将在2013 年下半年开始GaN 功率器件的满负荷生产。
今后，通过提供。
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新 思 科 技 收 购 Ｍ Ｓ Ｔ ｃ ｎ ｇ ｅ ｅ ｈ ｏ ｓ Ｉ Ｐ Ｉ ｏ
点 。 目前 市 场上对 能够 录制 数字 广播 的 电子 设 备的 需 求 日益增 长 ，这些芯 片就 是 为支持 这一需 求而 开 发 的。富士 通微 电子 利用 富士通 具有 自主 知识产权
处 理器 内核 。
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与前 一 代 处理 器 相 比 ， Ｐ处 理器 的速度 超 过 ＸＬ
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化 ， 工程 师们 能够迅 速理解 复 杂 的测试 平 台行 为 。 让
２ Ｈ ， ． Ｇ ｚ且每瓦性能提升了三倍 ， ０ 可供原始设备制
造 商开 发新 一代 产 品 。Ｘ Ｐ处 理器 内核架 构适 用于 Ｌ
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Ｘ Ｐ 理 器 带 来超 高性 能 ＬⅧ处
ＭＩＳ科 技 公 司宣 布 ，其 高性 能 ＭＩｓ ４ Ｐ Ｐ ６ 架 构 已为 Ｒ 公 司新款 Ｘ Ｐ 处理 器采 用 。Ｒ 公 司推 ＭＩ ＬＴ Ｍ ＭＩ 出 的 Ｘ Ｐ处理 器 是 一 款 以 ＭＩｓ ４ Ｌ Ｐ ６ 指 令集 为基 础
海力士半导体承诺今后年将向合资企业提供
后加 ＿ 品订单 ，为提高合 资企 业 的竞争 力将 派专 Ｔ产 人 负责设 备运 营和 培训 。
新 版 的 Ｖ ｒｉ ｅｄ 系统 整合 以消息 为基础 的 自动 化 日志机 制 ， 与崭 新 Ｓ Ｔ Ｖ Ｂ测 试平 台消息浏 览 具 ， ［ 可 以搭 配 Ｖ ｒｉ ｅｄ 系统既 有 Ｈ Ｌ侦错功 能 。这 套 系统也 Ｄ 提供交 互式 仿真 侦错模 式 ，可用 来针 对 日志无法 察 觉 的微 细 步骤进 行 侦错 。
两 款新 型 全 高清 变 码 器 芯 片
富 士通 微 电子 （ 海 ） 限 公 司宣 布 推 出两款 上 有
新 型 变 码 器 芯 片 。这 两 款 芯 片 不 仅 可 在 全 高 清
（ ９ ０点 ×１ ８ １２ ０ ０行 ） Ｅ 一 １ 视 频 数 据 和 Ｈ． ＭＰ Ｇ ２（ ）
纳米及 以下的高效能工艺技术开发上展开进一步讨
模 拟 业 务 部
新思科 技 日前宣 布 ， 公 司 已经 以 ２０ 美元 该 ２０万
现 金 收购 了 ＭＩＳＴ ｃ ｎ ｌ ｉｓＩｃ 拟 业务 部 。此 Ｐ ｅｈ ｏ ｇ ，ｎ ． ｏｅ 模
的转码技术， 实现了业界领先的低功耗水平 。
次 收购通 过模 数转换 器 、 数模 转换 器 、 频编解 码 器 音 和电源 管理 等新系列 的模 拟产 品知 识产 权 ，扩大 了 新 思 的 Ｄ ｓ ｎ ｒ（ 知 识 产权 组 合 ， ｅｉ Ｗａｅ Ｒ） ｇ 它还 将 为新 思现 有接 口知识 产 权解 决 方 案增 添 Ｈ ＭＩ ｘ与 Ｒ Ｄ Ｔ ｘ
日本 富 士通 微 电子 株 式 会 社 与 台积 电合 作 发展 先 进 工 艺 技 术
日本 富 士通微 电子株 式会 社 与台积 电近 日宣布
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双 方将 在先进 工艺 技术 生产 上建立 合作 ，并 为 富士 通 微 电子 制造 产 品 。根据 二 家公 司的协 议 ，富士通 微 电子将 扩 展其 ４ 米 逻辑 芯 片 世代 至 台积 公 司 ０纳 生产 。双 方有 意为 富 士通微 电子 的产 品应 用 ， ２ 在 ８
韩元 （ 约合 １０ ０ 亿元人民币 ） 以上投资费用 ， 中用 集
于核 心 的基 础加 丁 和研 发 丁作 。
Ｖ ｒｉＶ Ｂ侦错 解决 方案 与 Ｓｒ ｇｏ／ Ｎ ｖｓ 验 ｅｄ Ｔ Ｓ ｐｉ Ｓｆ的 ｏａＴ ｎ Ｍ
证 强化 产 品系列 完善整 合 ，让工 程师们 能够 在更 短 时间 内完成更 多 验证工 作 。
Ｓ ｒ ｇ ｏ ｔ为 Ｓ Ｔ 错 ｐ Ｓ ｆ ｉ ｎ Ｖ Ｂ侦 与分 析 导 入 结 构 化 方 法
Ｓ ｒ ｇ ｏ 。 Ｉｃ ｐｉ Ｓ ｆ ｎ ．宣 布 ， 最 新 版 本 的 Ｖｅ ｎ ｔ ｒ ｄ
的多 核处理 器 ， 有 目前业 界最 高 的每瓦性 能 。 ＭＩ 拥 Ｒ 是为通 信 和各种 媒体 应用 提供 高性 能处理 器 的领导 厂商 ，其 Ｘ Ｐ处 理器 采用 ＭＩＳ４兼 容超标 量 体 系 Ｌ Ｐ６ 结 构及 具 备 无序 （ｕ—ｆｏｄｒ 处 理能 力 的多 线程 ｏｔｏ－ｒｅ ）