半导体激光器国家标准(二)
半导体激光器国家标准(二)
半导体激光器国家标准（二）3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。
3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。
3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W 热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
(优选)半导体激光器参数详解.
未镀膜： T=(0.92)7=55.7%
这比没有经过镀膜处理的系统提高了约25％的透射能量
减反射膜或者叫增透膜 分束膜 反射膜 滤光片 其他特殊应用的膜
通过提高快轴方向 的填充密度提高 光束质量
两束相互垂直的线偏振光通过偏振耦合成圆偏振光， BPP不变，功率提高一倍，等效提高光束质量一倍
半导体激光器参数
德国Laserline
北京工业大学 输出功率：1000W 光束质量： 12mm•mrad
BPP： beam-parameter product
•光束质量表征光束的可汇聚程度 •光参积是一个不变量
激光头工作距离 ≥100mm
M2 值增大 焦点增大
对光束质量提出要求
din dcore
缺点：
•介质中光程长，有一定吸收，晶体需要良好冷却
•入射角有一定限制
•晶体占据一定空间
No=1.658，Ne=1.486
4种波长光束耦合， BPP不变，功率提高4倍， 等效提高光束质量4倍
polarizat ion mult iplexing
diode laser
fast- & slow axis
•难点：非球面微柱透镜 的加工
椭球面方程
单元器件：
X0为周期 阵列器件：
慢轴方向孔径较低，利用普通石英玻璃，柱透镜阵列对 半导体激光阵列进行准直。
激光bar的BPP及其对称化
阵列光束的对称化 堆光束的对称化
反射率的控制 高反及增透
反射率与偏振态的控制 偏振分束
例：单层减反膜
折射率为1.52的玻璃敷有折射率为1.38的氟化镁薄膜后， 单面的反射损失可从4.2%减少到1.5%左右，例如7块平 板系统镀膜后，在参考波长上总的透射率可近似地估计为：
半导体激光器国家标准(二)(精)
半导体激光器国家标准（二）3.1.32 远场光强分布 Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布 Near field intensity distribution激光器在输出腔面（AR 面）上的光强分布。
3.1.34 近场非线性 Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n 结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile" 效应。
3.1.35 偏振 Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE ）偏振光，只存在（Ey ，Hx ，Hz ）三个分量，对于横向磁场（TM ）偏振光，只存在（Ex ，Ez ，Hy ）三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。
3.1.36 热阻 Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W 热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率 Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P 与相应工作电流的差值△I 的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折 Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
半导体激光治疗机(第二类)注册技术审查指导原则(2017年修订版)(2017年第41号)
附件4半导体激光治疗机（第二类）注册技术审查指导原则（2017年修订版）本指导原则是对半导体激光治疗机（第二类）注册技术审评的通用要求，申请人应依据具体产品的特性对注册申报资料的内容进行充实细化。
申请人还应依据具体产品的特性确定其中的具体内容是否适用，若不适用，需详细阐述理由，并提供相应的证明资料证明其安全和有效性（包括非临床试验及临床试验等相关资料）。
本指导原则是对产品的技术审查人员和申请人的指导性文件，但不包括注册审评审批所涉及的行政事项，亦不作为法规强制执行，如果有能够满足相关法规要求的其他方法，也可以采用，但是需要提供详细的研究资料和验证资料。
应在遵循相关法规的前提下使用本指导原则。
本指导原则是在当前认知水平下制订的，随着科学技术的不断发展，随着相关法规和标准的不断完善，以及科学技术的不断发展，本指导原则相关内容也将进行适时的调整和更新。
—77 —— 78 —一、适用范围本指导原则适用于《医疗器械分类目录》中波长为650或635nm 的第二类半导体激光治疗机，类代号为6824，管理类别为II 类。
二、技术审查要点（一）产品名称的要求产品名称应按激光的工作介质命名，如半导体激光治疗机。
应符合《医疗器械通用名称命名规则》（国家食品药品监督管理总局令第19号）等相关法规的要求。
（二）产品的结构和组成1.产品结构和组成第二类半导体激光治疗机一般可以分为主机、治疗部件两大部分，其中主机包括激光电源系统、控制和防护系统等，治疗部件包括半导体激光器（半导体激光器也可以放在主机中）、光束传输装置、保护罩等。
治疗部件 主机— 79 —图1 半导体激光治疗机结构简图2.产品分类根据半导体激光器的特征进行分类，主要有以下几种情况：（1）按工作方式可分为连续半导体激光治疗机和脉冲式半导体激光治疗机；（2）按光输出的方式分为单光路输出和多光路输出等半导体激光治疗机。
（三）产品的工作原理/作用机理1.工作原理第二类半导体激光治疗机的工作原理是半导体激光器经激励电源激励产生激光，通过光束传输装置有效地传输至治疗部位，起到治疗作用。
eml,规范
竭诚为您提供优质文档/双击可除eml,规范篇一：设备维护保养规范(修改)华电国际宁夏新能源发电有限公司设备维护保养规范（第一版）二○一五年四月前言为规范华电国际宁夏新能源发电有限公司检修部设备维护保养管理，保证设备安全健康运行，特编写本规范，以实现运行工作的标准化、规范化、制度化。
本规范是根据风力发电机操作手册、电控系统说明书并结合风电场实际风电机组运行情况进行编制的，是南华山风电场风力发电机运行操作的技术依据。
本规范简单介绍了风机主要设备系统运行监控项目数据、电气控制系统的基本原理，主要讲解了风机运行监视系统的操作方法。
本规程起草部门：本规程主要起草人：本规程审核人：本规程审定人：本规程批准人：本规程20xx年4月15日发布本规程由华电国际宁夏新能源发电有限公司检修部负责解释。
设备维护保养规范一、目的及适用范围为了统一规范维护保养的操作方法和标准，确保维护保养质量符合要求，本规范适用于对设备定期维护保养过程控制和标准。
二、设备维护保养范围风机设备维护保养范围：叶片、叶片螺栓、变桨轴承、变桨控制机构（包括轮毂电气设备）、轮毂、主轴轴承、轴锁、齿轮箱、滑环、联轴器、紧急刹车、发电机、液压系统、偏航刹车系统、偏航轴承、偏航控制驱动机构、机舱及主控柜、塔筒、动力、控制电缆、定转子电缆及导电轨、通讯系统、安全功能和变频器。
三、设备维护保养规范华锐sl1500机型1、滑环2、发电机3、齿轮箱4、制动器制动器衬垫更换方法：1.1、安装气隙螺栓。
将气隙螺栓②（螺栓m24x50）和垫圈装入端盖中心孔中。
这样可确保在进行对制动衬垫的工作时，活塞被锁定在提升位置。
用手拧紧气隙螺栓，如果使用工具把紧，只可使用非常小的力把紧。
把紧过度会使螺栓无法拆下。
1.2、拆除衬垫缩回弹簧和螺栓。
拆下主动制动钳和被动制动钳上的衬垫缩回弹簧和螺栓，共计4颗。
注意：制动器有压力时，决不要将手放在制动衬垫和制动盘之间。
1.3拆除衬垫固定架从主动制动钳和被动制动钳上拆下制动衬垫固定架和2个螺栓。
半导体激光器(LD)：静态特性-蓝色(全)
■ 响应速度慢，调制带宽小；
■ LED是非相干光源。 ■ LED的输出线宽大约比LD的输出线宽大2个数量级，而其 带宽则比LD带宽小得多。无法用于高速、远距离通信，只能 用于低速、短距离传输，例如局域网、接入网（ONU无色化） 等。
LED发光特性
输出频谱宽
改进措施
自发辐射，响应 速度慢，带宽小
在静态条件下(注入电流为直流电，不随时间变化),光子面 密度与载流子面密度都不随时间变化，即:
由上述条件，可得光子面密度和注入电流面密度如下：
如果能够将光子面密度与注入电流面密度之间的函数关系 找出来，就可以明确半导体激光器的输出与输入之间的关系。 但是，虽然从其表达式来看，两者都是载流子面密度n2D和光子 能量Em的函数，但是仍然无法写出光子面密度与注入电流 面 密度之间的函数解析式。
在上述表达式中，
(3)自发辐射产生率 光子面密度的连续性方程可写为：
2. 载流子的速率方程 是分析半导体激光器工作过程的另一个工具。在不考虑非
辐射复合过程的情况下，载流子面密度的速率方程为：
式中等号右边第1项：单位时间内由于电流注入而导致的载 流子面密度增加值(只考虑辐射复合，因此此处电流是注入总 电流中被辐射复合消耗的那一部分)；第2项：单位时间内由于 自发辐射过程而导致的载流子面密度的减小值；第3项：各种 模式的受激辐射所导致的载流子面密度减小值。自发辐射和各 种模式的受激辐射，都会引起载流子密度下降，注意与光子连 续性方程的区别。
■ 除了有源区增益系数 ■外，腔体总的增益系数为
■表征了腔体对光波的总的增 益。
（2）光腔内部的主要损耗过程 ◆ 限制层及电极区对光子吸收所带来的损耗(如这些区域内的 杂质等引起的光吸收)；
半导体激光器和发光二极管介绍概述
§3-2 激光器的一般工作原理 激光器是指激光的自激振荡器。
要使光产生振荡，必须是使光得到放大，而产生 光放大的前题，是物质中的受激辐射必须大于受激吸 收，因此，受激辐射是产生激光的关键。
面波，而且在腔内往返运动时，是垂直于反射镜
而投射，如图：
由A发出的平面波→M2垂直返回→M1返回 →A时，波得到加强，如果它们之间的相位差正
好是2π的整数倍时，显然就达到了谐振。
设谐振腔的长度L，谐振腔介质中光的波长
λg，则满足相位差2π的整数倍时，有
L g • q.
2
q1、 2、 3、 .........
被电子占据的概率为50% 若E< Ef：则f(E) > 1/2 若E>Ef ：则f(E) < 1/2。 故：费米统计规律是：
物质粒子能级分布的基本规律， 它反映了物质中的电子按一定规 律占据能级。
三、光与物质的三种作用形式
光可以被物质吸收，也可以从物质中发射，爱因斯坦指出了
三种不同的基本过程如图所示（下面简述E1、E2二能级系统为 例）。 （1）自发辐射 这是一种发光过程。 设原子的两个能级E1和E2，E1为低能级，E2为高能级，由于处 在高能级的电子不稳定，在未受外界激发的情况下，自发地跃 迁到低能级，在跃迁的过程中，根据能量守恒原理，发射出一 个能量为hf的光子，发射出的光子能量为两个能级之差：
红光点状光斑激光器
工作参数
输出波长：
635nm 650nm 670nm 出光功率：
一类激光的出口光功率标准
激光出口光功率标准本标准详细描述了一类激光的出口光功率的衡量指标。
这些指标包括但不限于激光类型和级别、激光输出功率、激光波长、激光发散角、激光光束质量、激光偏振状态、激光调制方式、激光控制方式、激光稳定性及精度以及激光安全性防护。
1. 激光类型和级别本标准涉及的激光类型为常见的半导体激光器，如InGaAsP/InP 双异质结激光器等。
根据激光的功率输出级别，可以分为不同的等级，如一级、二级、三级等。
各级别的激光输出功率限制有所不同。
2. 激光输出功率激光输出功率是指在规定的标准测试条件下，激光器输出的光功率。
一般以毫瓦（mW）为单位。
根据不同的应用需求，激光输出功率的范围可以从几十毫瓦到几十瓦不等。
3. 激光波长激光波长是描述激光特性的重要参数之一。
不同波长的激光在应用中具有不同的作用和效果。
常见的激光波长包括630nm、650nm、690nm、780nm、810nm等。
4. 激光发散角发散角是指激光光束在垂直于传播方向上的发散程度。
发散角越小，光束越集中，传播距离越远。
反之，发散角越大，光束越分散，传播距离越短。
5. 激光光束质量激光光束质量是衡量激光好坏的重要指标之一。
好的光束质量意味着光束的聚焦性能好，能够实现更远距离的传播。
光束质量差的激光会产生较大的偏差和散射，影响应用效果。
6. 激光偏振状态偏振是指电磁波在垂直于传播方向上的振动状态。
对于线性偏振，电磁波在垂直面上振动；对于圆偏振，电磁波以圆形轨迹振动；对于椭圆偏振，电磁波以椭圆形轨迹振动。
不同的偏振状态对应用效果产生不同的影响。
7. 激光调制方式调制是指将信号加载到载波上的过程。
常见的激光调制方式包括强度调制、频率调制、相位调制等。
不同的调制方式对应不同的应用场景和需求。
8. 激光控制方式控制方式包括模拟控制和数字控制。
模拟控制是通过调节电压、电流等物理量来控制激光的输出；数字控制是通过数字信号处理器（DSP）等数字芯片对激光进行控制。
国家标准-激光设备和设施的电气安全
国家标准-激光设备和设施的电气安全本标准适用于激光设备和设施的电气安全要求，旨在保障使用激光设备和设施时的人身安全和设备设施的完好情况。
1.适用范围本标准适用于所有使用激光设备和设施的环境，包括但不限于医疗、工业、科研、娱乐等领域。
2.定义2.1 激光设备和设施：指使用激光技术进行照射、加工、测量等操作的设备和设施。
2.2 电气安全：指激光设备和设施在电气方面的相关安全性能和要求。
3.电气安全要求3.1 设备和设施应符合国家相关安全标准和规定，包括但不限于电气设备安全认证、防火安全认证等。
3.2 设备和设施的电气部分应具有过载保护、短路保护、漏电保护等功能。
3.3 设备和设施的电气部分应具有可靠的接地或等效保护措施。
3.4 设备和设施的电气线路应采用耐高温、阻燃等安全材料，并符合相关国家标准。
3.5 设备和设施的电气系统应定期进行检测和维护，确保安全可靠运行。
4.安全警示标识设备和设施应在显眼的位置设置安全警示标识，提示相关人员激光设备和设施的安全使用注意事项。
5.培训和教育设备和设施的使用人员应接受相应的激光安全使用培训和教育，掌握激光设备和设施的安全操作技能和知识。
6.安全管理使用激光设备和设施的单位应建立健全的安全管理制度，确保激光设备和设施的安全可靠运行。
7.检测和监督相关部门应建立检测和监督机制，对激光设备和设施的电气安全进行定期检测和监督，确保设备和设施的安全性能达到国家标准要求。
8.其他本标准未涉及的其他安全要求，应遵循国家相关标准和规定。
以上为国家标准-激光设备和设施的电气安全要求，使用激光设备和设施的相关单位和个人应严格遵守，确保激光设备和设施的安全使用和运行。
由于激光设备和设施使用范围广泛，涉及医疗、工业、科研、娱乐等领域，其电气安全问题牵涉到广泛的领域和多方面的利益。
因此，国家标准-激光设备和设施的电气安全的建立和实施对于促进激光设备和设施的安全生产和使用具有重要意义。
在激光设备和设施的使用中，电气安全尤为重要。
半导体激光器主要性能参数定义
半导体激光器1．P-I 特性及阈值电流P-I特性揭示了LD输出光功率与注入电流之间的变化规律，因此是LD最重要的特性之一。
典型的激光器P-I曲线由P-I曲线可知，LD是阈值型器件，随注入电流的不同而经历了几个典型阶段。
•当注入电流较小时，有源区里不能实现粒子数反转，自发辐射占主导地位，LD发射普通的荧光，光谱很宽，其工作状态类似于一般的发光二极管。
•随着注入电流的加大，有源区里实现了粒子数反转，受激辐射开始占主导地位，但当注入电流仍小于阈值电流时，谐振腔里的增益还不足以克服损耗，不能在腔内建立起一定模式的振荡，LD发射的仅仅是较强的荧光，称为“超辐射”状态。
• 只有当注入电流达到阈值以后，才能发射谱线尖锐、模式明确的激光，光谱突然变窄并出现单峰（或多峰）。
2．激光器线宽半导体的激光器的线宽是多少？有的用nm 表示，有的用Hz 表示，计算公式是什么？经常会提到激光器的线宽<0.0001 nm 换算成“Hz”是多少赫兹啊？线宽即为激光某一单独模式的光谱宽度，一般表达形式：nm ，Hz ，cm-1。
该参数与激光本身的波长由关系。
例：比如波长为1064nm, 线宽0.1nm ，则换算为Hz 单位：GHz v 5.261065.21.010641010310298=⨯=⨯⨯⨯=∆3. 边模抑制比（SSR ） 边模抑制比是指在发射光谱中，在规定的输出功率和规定的调制（或CW ）时最高光谱峰值强度与次高光谱峰值强度之比。
边模抑制比示意图4.振荡腔HR AR谐振腔的作用是选择频率一定、方向一致的光作最优先的放大，而把其他频率和方向的光加以抑制。
凡不沿谐振腔轴线运动的光子均很快逸出腔外; 沿轴线运动的光子将在腔内继续前进，并经两反射镜的反射不断往返运行产生振荡，运行时不断与受激粒子相遇而产生受激辐射，沿轴线运行的光子将不断增殖，在腔内形成传播方向一致、频率和相位相同的强光束，这就是激光。
为把激光引出腔外，可把一面反射镜做成部分透射的，透射部分成为可利用的激光，反射部分留在腔内继续增殖光子。
口腔半导体激光治疗机技术参数
口腔半导体激光治疗机技术参数•功能用途：
1 根管治疗：根管消毒、盖髓术；
2 牙周治疗：牙周袋消毒、种植体周炎、牙周手术等；
3 手术操作：牙龈成形术、系带切除、排龈、种植体暴露、前庭沟加深
术、止血等；
4 生物理疗：粘膜白斑、扁平苔藓、口腔溃疡、颞下颌关节病（快速消除
症状）；
5 口腔美容：牙齿美白；
6 生物刺激：各种微创拔牙、上颌窦手术、种植手术、牙槽手术后使用。
•技术参数:
1 最大功率：≥14W
2 波长范围：955～985nm，
3 最高频率≥10,000 Hz
4 重量：≤1.5KG
5 工作周期可调；工作模式有连续波、间断波和峰值脉冲。
6 光纤：200um
7 电池：内置式可充电锂电池；
8 配置2支治疗用手机，可交替使用
9 可设置医生程序数量≥6个，且每套程序拥有密码保护
10 自编程序≥24个，快捷程序≥12个
11 直观化用户导航功能，只需通过触摸屏就可以进入应用程序
12 中文操作界面
三、售后服务
1、维修响应时间≤4小时
2、由原厂工程师负责安装和培训。
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半导体激光器国家标准（二）3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。
3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。
3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile"效应。
3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。
半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。
3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W 热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。
3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。
3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。
3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。
扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。
3.1.40 光输出饱和Optical output saturation光输出饱和是指理想的线性响应光输出的跌落，表征激光器光输出效率下降。
3.1.41 FP腔Fabry-Perot cavity以激光器两平行腔面((高反射面HR或部分反射面PR面))形成的具有光增益反馈作用的谐振腔。
3.1.42 分布反馈半导体激光器DFB distributed feed-back semiconductor laser分布反馈是指激光器增益区材料具有特殊结构，可以形成周期性光反馈。
具有这种结构的半导体激光器称为分布反馈半导体激光器。
3.1.43 分布布拉格反射式半导体激光器DBR Distributed bragg reflector semiconductor laser分布布拉格反射镜（DBR）又称为光栅反射器，通常设于半导体激光器增益介质外部，对满足布拉格光栅选择条件的波长具有最大的反射率。
具有该结构的半导体激光器称为分布布拉格反射式半导体激光器。
3.1.44 直接调制半导体激光器DML Direct modulation semiconductor laser通过直接调制驱动电流来控制激光器工作方式的半导体激光器称为直接调制半导体激光器。
3.1.45 电吸收调制半导体激光器EML Electro-absorption modulation semiconductor laser电吸收调制是利用外加电压对半导体材料能带结构的影响从而产生光吸收的原理，对单纵模工作激光器输出光强度进行外部调制的一种方式。
把分布反馈半导体激光器和电吸收调制器集成在一起形成的半导体激光器称为电吸收调制半导体激光器。
3.1.46 可调谐半导体激光器Tunable semiconductor laser输出光波长可按工作要求进行调节的半导体激光器称为可调谐半导体激光器。
3.1.47 光谱宽度Spectral width半导体激光器的光谱谱宽有几种不同的定义：均方根谱宽（RMS）、-3dB谱宽（FWHM）以及-20dB谱宽。
3.1.48 均方根谱宽光谱包络分布用高斯函数P(λ)来近似，若σrms为均方根谱宽值3.1.49 边模抑制比Side mode suppression ratio激光器光谱峰值波长的辐射强度与第二高峰值的辐射强度的比值，边模抑制比为Pm0/Pm1 。
3.1.50 眼图Eyes diagram根据光纤通信电信号调制码型，半导体激光器响应输出的光信号在一定采样频率下叠加形成的图形称为眼图。
眼图用于表征通信系统中传输信号的质量。
3.1.51 截止频率Cut off frequency给半导体激光器施加直流偏置电流，并叠加交流正弦调制电流。
保持交流调制电流恒定，增加调制频率，直到激光器响应输出的光信号幅度下降3dB，此时所对应的调制频率为截止频率。
3.1.52 消光比Extinction ratio（ER）导体激光器在数字信号传输中，逻辑"1"高电平时的输出光功率P1与逻辑"0"低电平时的输出光功率P0之比的对数，即：ER=10Lg（P1/P0）（3）3.1.53 上升-下降时间Rise-fall time上升-下降时间是指半导体激光器输出功率的脉冲响应时间。
从额定光功率的10%上升到90%所需的时间称为上升时间；从额定光功率的90%下降到10%所需的时间称为下降时间。
3.1.54 偏置电流Bias current适用于通信类半导体激光器，按照光通信系统传输要求，系统工作时给半导体激光器提供的一个恒定电流。
3.1.55 调制电流Modulation current适用于通信类半导体激光器，加于半导体激光器偏置电流之上的、与传输信号相关的控制电流(Imod)。
3.1.56 光功率-驱动电流线性度Optical power-driving current linearity光功率-驱动电流线性度定义为，在10% Imod处的光功率（P1）至100% Imod处的光功率（P0）范围内，实际输出光功率（P实际）与拟合线性光功率（P线性）的最大偏差（△P），与拟合线性光功率（P线性）的比值LP1，即：LP1=（P实际- P线性）/ P线性=△P/P线性（4）3.1.57 幅度调制Amplitude modulation适用于通信类半导体激光器，幅度调制是指用电调制信号去控制光信号的幅度，使光信号随调制信号相应变化。
3.1.58 相对强度噪声Relative intensity noise适用于通信类半导体激光器，由于伴随激光辐射时的自发发射和非均匀激射、反射等原因，输出光功率会产生随机波动。
这种随机波动可用相对强度噪声（RIN(w)）来表示，即光强度随机波动的均方根值与平均光强度之比。
3.1.59 跟踪误差Tracking error适用于通信类半导体激光器，指在不同温度下半导体激光器出光/背光的变化。
定义为，在背光监控光电流相同，管壳温度不同（T1、T2）时激光器所发射并耦合输出的光功率（P1、P2）比的对数，即：TE =10lg(P1@T1/P2@T2) （5）3.1.60 二阶失真Compoite second order适用于通信类半导体激光器，指落入一个频道中的其它频道载波所产生的二阶互调产物的总功率与该频道载波功率之比。
3.1.61 三阶失真Compoite triple beat适用于通信类半导体激光器，指落入一个频道中的其它频道载波所产生的三阶互调产物和三阶差拍产物的总功率与该频道载波功率之比。
3.1.62 光波分复用Wavelength division multiplexing（WDM）适用于通信类半导体激光器，WDM是一种光纤数据传输技术，是指在同一光纤中传输多个不同波长光信号的技术。
3.1.63 中值寿命Median life中值寿命是指半导体激光器在加速寿命试验过程中，50%的样品发生失效时对应的时间。
3.1.64 随机失效率Random failure rate适用于通信类半导体激光器，随机失效率是指半导体激光器工作到某时刻尚未失效的激光器，在该时刻后单位时间内发生失效的概率，单位FIT。
3.1.65 背光探测器monitor photodiode对激光器背面光功率进行测试监控所使用的的探测器称为背光监测探测器。
3.1.66 背光监测电流monitor current激光器工作过程中，背光探测器通过监测激光器背光功率所生成的电流称为背光监测电流。
3.1.67 背光探测器暗电流dark current of monitor photodiode在无光照的情况下，在规定反向电压时背光探测器的反向电流。
3.1.68 背光探测器电容capacitance of monitor photodiode在无光照的情况下，在规定反向电压下，背光探测器两端的电容。
3.1.69 散射参数（S 参数）scattering parameter在超高频和微波领域，一般不使用电流、电压、开路、短路等概念，而用"波"和"场"的概念来定义、测量和分析网络参数或特性。
通常采用的网络参数是散射参数，即S参数，它分为S11、S21、S12和S22，能直接地反映出网络的传输特性和反射特性。
S11定义为，4端口网络的输出端口匹配时，输入端口的反射系数；S21定义为，4端口网络的输出端口匹配时，输入端口至输出端口的传输系数；S12定义为，4端口网络的输入端口匹配时，输出端口至输入端口的传输系数；S22定义为，4端口网络的输入端口匹配时，输出端口的反射系数。
3.1.70 啁啾参数chirp parameter单纵模半导体激光器在高速调制时电流急剧变化，将导致激光器有源层中的载流子浓度急剧变化和激光器的有效腔长变化，从而导致激光器发射波长的瞬时动态偏移。
这种波长的瞬时动态偏移（即频率的瞬时动态偏移）称为频率啁啾。
频率啁啾可用啁啾因子a来衡量，其定义为：a=（dФ/dt）/ [(1/2P) ×（dP/dt）] （6）其中Ф为光信号的相位，P为光功率。
3.1.71 频响平坦度frequency respond flatness在规定的频率范围内，最大响应值和最小响应值相对两者平均响应值的正负偏差，单位dB。
3.2符号和单位4分类4.1按用途分类非通信类半导体激光器、通信类半导体激光器。
4.2按激光芯片结构分类边发射半导体激光器、垂直腔面发射激光器。
4.3按封装方式分类开放式半导体激光器、带尾纤半导体激光器、带光窗半导体激光器。
4.4按工作方式分类连续半导体激光器、准连续半导体激光器、脉冲半导体激光器。