2SD1715中文资料(Savantic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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硅 NPN功 率 晶 体 管
特性 Tj=25 除非另有规定
符号
参数
VCEsat
集电极 - 发射极饱和电压
VBE
上的电压基极 - 发射
ICBO
集电极截止电流
IEBO
发射极截止电流
h FE-1
DC电流增益
hFE -2
DC电流增益
hFE -3
DC电流增益
COB
输出电容
fT
转换频率
hFE-2 分类
Q
S
60-120
80-60
P 100-200
产品规格
2SD1715
条件
IC=7A ;I B=0.7A IC=7A ; V CE=5V V CB=150V; I E=0 VEB=3V; I C=0 IC=20mA ; V CE=5V IC=1A ; V CE=5V IC=7A ; V CE=5V IE=0 ; V CB=10V;f=1MHz IC=0.5A ; V CE=5V
MIN TYP. MAX UNIT
2.0
V
1.8
V
50
µA
50
µA
20
60
200
20
140
pF
20
MHz
2
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硅NPN功率晶体管
包装外形
产品规格
2SD1715
图 2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.30毫米） 3
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硅NPN功率晶体管
产品规格
2SD1715
4
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硅NPN功率晶体管
说明
·随着TO-3PFa包
·补键入2SB1160
·高转换频率f
T
·h的良好的线性
FE
·运行安全的广域
应用
·对于高功率放大器应用
钉扎
PIN 1 2 3
说明
Base
收藏家 发射器
绝对最大额定值（Ta = 25
符号
参数
VCBO VCEO VEBO
IC I CP
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压 集电极电流 集电极电流峰值
PC
集电极耗散功率
Tj
结温
Tstg
储存温度
)
条件 打开发射器 开基 集电极开路
TC=25
产品规格
2SD1715
VALUE
UNIT
150
V
150
V
5
V
9
A
15
A
100 W
3
150
-55~150
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