Vicor公司ChiP封装电源模块正式亮相2014慕尼黑上海电子展
韦尔半导体：TVS和MOSFET等高性能模拟IC提升产品价值
始 涉足 Ｓ Ｃ和ＲＦ 片领域 ，产品 日趋 系列 化 ，多元 化 。 ｏ 芯
技 术依 托将 是Ｒ 芯 片 ，此 类 产品 市场前 景 广 阔。■ Ｆ
上 海 南麟 总 经 理刘 桂 芝 表示 ，模 拟 和 电源 管理 类 Ｉ ｃ
盖 了低 功 耗 Ｌ ＤＯ、高 速 Ｌ ＤＯ、双 路 Ｌ ＤＯ、ＤＣ ＤＣ转 换 每 年 以超 过 １％的速 度 增 长 ，高于 半 导 体 行业 中 的其 他 ／ Ｏ
器 、ＭＯＳ Ｅ Ｆ Ｔ、运 放 、ＷＬ Ｄ驱动 、音 频 功 放 、充 电管 子 行业 ，但 竞 争 越来 越 激烈 。公 司新பைடு நூலகம்投 资 的Ｒ 芯 片 ，技 Ｅ Ｆ
０１ ｇ ．３ ｍ～１５ ｉ ，涉 及 Ｃ ．ｇ ｎ ＭＯＳ、ＢＩ ＯＬＡＲ、ＢＩ Ｐ ＣＭＯＳ、
路 、双 路 输 出Ｌ ＤＯ、四路 恒 流 型共 阳极 Ｌ Ｄ驱 动 以及 接 Ｅ 口四线 电阻屏 触摸 控制 器 等 。■
Ｂ Ｄ等 工艺 。 Ｃ
集成电路应用 ｆ １ ２
Ｐ 和数码 产 品等 应用 的型 号 。■ 其 中Ｔ 产 品 是 韦尔 最 为 成熟 的产 品 ，含有 多项 专 Ｇ Ｓ ｖｓ
纳 芯威 ：用 高 性 价 比消 费 类模 拟 Ｉ 打 破 国外 垄 断 Ｃ
深圳 市 纳 芯威 科 技 有 限公 司主 要从 事 消费 及 工业 级 芯 片 在 本 届 深圳 集 成 电路 创 新 应 用 展 上 ，纳 芯 威 将 展 设计 ，技 术 以数 模 混 合 电路 设 计 见长 ，并 建 立 了完 善 的 出 音 频 功 放 、触 摸 屏 控 制 、背 光 驱 动 和 电源 管 理 等 Ｉ Ｃ 类 Ｉ设 计 流 程 及 质量 可 靠性 保 障保 证体 系 ，设 计线 宽 覆 盖 系 列 ，包 括 Ｄ 音 频 功 放 、接 口四线 电 阻屏 触 摸 控制 电 ｃ
集成电路封装测试技术考核试卷
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）
艾默生UPS用户手册
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
集成电路封装和测试复习题答案
一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次根基之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径；构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做煤斜；；用于去除焊盘外表氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡直。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有遮射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（MOdUIe）、⅛路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进展芯片处理时，首先进展在硅片正面切割一定深度切口再进展反面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料枯燥烧结的方法O15、芯片的外表组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术（3种）是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
集成电路行业专业名词解释
集成电路行业专业名词解释集成电路（Integrated Circuit，IC）是一种将大量电子元件集成、封装在一个微小的硅片上的技术。
集成电路可以实现多种电子功能，并且具有高度的可靠性和稳定性。
它是现代电子技术发展中的重要组成部分。
芯片（Chip）是指集成电路中的核心部件，它包含了电子元件和电路连接线路的图案。
芯片的制作通常采用微影技术，将电路图案镀刻到硅片上。
根据功能和规模的不同，芯片可以分为逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片等。
VLSI（Very Large Scale Integration）是指超大规模集成电路。
VLSI技术使得更多的电子元件能够被集成在一块芯片上，从而实现更复杂的电子功能。
随着技术的不断进步，集成度越来越高，芯片上的晶体管数量也越来越多。
目前，VLSI已经成为集成电路行业的主要发展方向。
SoC（System on a Chip）是指一种将整个系统集成在一块芯片上的技术。
这种芯片通常包括处理器、内存、输入输出接口等多个电子组件。
SoC技术在嵌入式系统和移动设备领域得到广泛应用，它的好处是可以提高系统性能、降低功耗和成本。
测试与封装（Test and Packaging）是指对集成电路进行功能测试和封装的过程。
功能测试是为了验证芯片是否按设计要求正常工作，封装则是将芯片放入适当的封装中，以保护芯片并提供电路连接。
测试与封装是集成电路生产中的重要环节，它们对产品质量和性能起着关键作用。
以上是集成电路行业常用的专业名词解释。
集成电路作为现代电子技术的核心，对于我们的生活和工作产生了深远的影响。
通过了解这些专业名词，可以更好地理解和应用集成电路技术，推动行业的进步和发展。
Vicor电源模块应用技术-基础电子
Vicor电源模块应用技术-基础电子简介固定翼时间域航空电磁法具有探测深度大、测量高的技术特点，是我国急需的快速高效的大深度矿产勘查装备技术。
中国地质科学院已成功研制了基于国产Y12IV型专用飞机，具有完全自主知识产权的固定翼时间域航空电磁系统空中样机。
为了匹配飞机电源和大功率发射机，需要研制由大功率稳压充电电源和大容量储能器构成的电源系统，为发射机提供满足要求的电压和功率。
Y12飞机只能提供5.6kW的输出，经过简单计算，要实现600A 峰值电流和50万A·m发射磁矩，飞机电源的瞬时供电能力至少要达到28.8kW。
在保持平均功率不变的条件下，提高电源的瞬时放电能力。
电容器就是适用的一种功率变换装置，它既有储能的作用，也具有快速放电的能力。
因此，采用电容器作为飞机电源和发射机之间功率匹配的接口，是解决飞机电源瞬时功率不足的有效方法。
根据计算，这个电容值会达到法拉级，直接挂接飞机电源，会导致瞬间短路。
另外，飞机电源和发射机之间还存在阻抗匹配问题，要求的电源电压超过了飞机电源的28V。
因此，必须在飞机电源和储能电容器之间设计具有限流功能、升压功能、电气隔离功能的DC-DC 变换充电器。
01系统设计设计的大功率直流变换电源如图1所示，主体由16块平均功率为400W的DC-DC模块组成，该类型开关电源模块具有同步脉冲控制接口，可以组成串并联阵列。
每个模块的输出电压为18~36V可调；其中每8块并联可实现90A的额定输出并联模组；两个这样的模组串联后，可实现36~72V输出，额定功率达到6.4kW。
Vicor电源模块应用技术图1 大功率直流变换电源02Vicor电源模块选用Vicor大功率电源模块来构建大功率直流充电器，图2为Vicor电源模块内部等效电路图。
图2 Vicor电源模块内部等效电路图模块功能管脚说明：+IN和-IN：电源输入，一般为宽压输入（考虑飞机电源为28V，选用18~36V系列）。
集成电路的制造工艺改进考核试卷
6.光刻
7.塑料
8.屏蔽
9.热界面材料
10.丙酮
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. ×
7. √
8. ×
9. √
10. ×
五、主观题（参考）
1.光刻工艺利用光刻胶在曝光后溶解度变化的特性，将掩模上的图案转移到硅片上。光刻胶的分辨率决定了图案转移的精细程度，直接影响集成电路的集成度和性能。
A.干法光刻
B.湿法光刻
C.极紫外光刻
D.电子束光刻
2.下列哪一项不是半导体材料的特点？（）
A.电阻率介于导体和绝缘体之间
B.禁带宽度较大
C.随温度升高，电导率下降
D.可以通过掺杂改变电导率
3.在集成电路制造中，下列哪一项属于前道工艺？（）
A.封装
B.焊接
C.光刻
D.老化测试
4.下列哪种材料常用作集成电路的绝缘层？（）
B.光源波长
C.曝光时间
D.光刻机精度
12.以下哪些工艺节点代表了集成电路制造技术的进步？（）
A. 180nm
B. 90nm
C. 45nm
D. 7nm
13.以下哪些材料可以用于集成电路的阻挡层和粘附层？（）
A.镍
B.钛
C.铬
D.铜合金
14.以下哪些技术可以用于减少集成电路的功耗？（）
A.低功耗设计
B.睡眠模式
B.光学显微镜
C. X射线透视
D.以上都是
17.在集成电路制造中，以下哪个参数会影响MOSFET器件的驱动能力？（）
A.通道长度
B.通道宽度
C.沟道掺杂浓度
D.栅氧化层厚度
新材料在微电子封装技术的应用考核试卷
A.玻璃
B.塑料
C.陶瓷
D.金属
2.下列哪个不是微电子封装的主要功能？( )
A.保护芯片
B.散热
C.供电
D.信号传输
3.下列哪种材料被认为是未来微电子封装中极具潜力的散热材料？( )
A.铜材料
B.硅胶
C.碳纳米管
D.硅脂
4.在下列封装材料中，哪一种的热导率最高？( )
A.硅橡胶
B.环氧树脂
C.聚酰亚胺
D.金属涂层
17.以下哪些因素会影响微电子封装的尺寸和重量？( )
A.芯片尺寸
B.封装类型
C.材料选择
D.制造工艺
18.以下哪些是微电子封装中常用的散热解决方案？( )
A.散热片
B.散热膏
C.热管
D.主动冷却系统
19.以下哪些条件是微电子封装材料需要满足的？( )
A.良好的电气绝缘性
答案：
6.新型微电子封装技术中，________是一种常用的三维封装方法，可以有效提高封装密度。
答案：
7.为了提高微电子封装的气密性，常常在封装中使用________材料进行密封。
答案：
8.在微电子封装领域，________是一种具有高热导率和良好机械性能的散热材料。
答案：
9.微电子封装中，________技术可以减少信号延迟和干扰，提高信号完整性。
D. DIP封装
14.以下哪个过程不是微电子封装过程的一部分？( )
A.芯片贴装
B.焊接
C.编程
D.封装
15.以下哪种材料在提高微电子封装的电气性能方面具有潜力？( )
A.金
B.铝
C.碳纳米管
反击Altera 赛灵思2014量产16纳米FPGA
反击Altera 赛灵思2014量产16纳米FPGA
赛灵思（Xilinx）将抢先在竞争对手Altera之前，发表16纳米鳍式场效电晶体（FinFET）现场可编程门阵列（FPGA）。
面对Altera采用英特尔（Intel）14纳米三门极电晶体（Tri-gate Transistor）制程，并将于2016年量产14纳米FPGA的攻势，赛灵思于日前发动反击，将携手台积电采用16纳米FinFET制程，抢先于2014年推出新一代FPGA。
赛灵思总裁暨执行长Moshe Gavrielov表示，16纳米先进制程中的三维（3D）电晶体将能够让客户拥有更高效能、更低耗电的产品。
赛灵思与台积电于16纳米制程的合作将延续双方过去在各项先进制程上所获得的成果。
值得一提的是，因着与赛灵思的合作，台积电也宣布将16纳米FinFET制程技术的生产时程提前，将于今年发布16纳米FinFET制程测试芯片，而首批FPGA产品将于2014年问世。
反观英特尔则预计在2014年将第二代三门极电晶体技术导入14纳米制程，并用以量产新中央处理器（CPU）。
据了解，赛灵思与台积电将共同推动一项名为FinFast的专案计划，以台积电16纳米FinFET制程技术打造高速、低耗电、高效能的FPGA元。
集成电路封装考核试卷
C.对芯片性能没有影响
D.决定了芯片的安装方式
16.以下哪种封装形式适用于功率器件？（）
A. QFP
B. BGA
C. TO-220
D. SOIC
17.在集成电路封装中，以下哪个过程与焊接无关？（）
A.芯片粘接
B.引线键合
C.焊球形成
D.焊接炉温控制
18.以下哪个因素会影响集成电路封装的翘曲？（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请描述集成电路封装的主要功能及其在电子设备中的作用。
答题区：
2.阐述BGA（Ball Grid Array）封装与QFP（Quad Flat Package）封装的异同点，并说明它们各自适用于哪些类型的电路。
答题区：
3.请解释为什么在集成电路封装过程中要考虑热管理，并列举几种提高封装热性能的方法。
答题区：
4.讨论集成电路封装的可靠性测试的重要性，并简要介绍两种常用的可靠性测试方法。
答题区：
标准答案
一、单项选择题
1. B
2. C
3. A
4. D
5. B
6. B
7. D
8. D
9. A
10. D
11. A
12. B
13. D
14. A
15. C
16. C
17. D
18. D
19. A
20. D
二、多选题
B.引线阻抗
C.封装材料
D.焊接质量
16.以下哪些封装形式适用于光学器件？（）
A. COB
B. PGA
C. BGA
D. QFN
17.集成电路封装的后道工艺包括：（）
Vicor 将在 2015慕尼黑上海电子展演示多种电源组件设计方法
Vicor 将在2015慕尼黑上海电子展演示多种电源组
件设计方法
2015年3月9日，Vicor 公司（NASDAQ：VICR）宣布将参加3月17 日至19 日在中国上海举行的2015慕尼黑上海电子展，该国际电子元器件博览会涉及各种电子组件、系统与应用等。
活动期间，Vicor 将发布并展示其功率元件产品系列的最新产品，包括从电源端到负载点的完整电源链。
使用电源组件设计方法的电源链功能示范
参观者可在Vicor 展位（半导体展厅E3 3600 号）与Vicor 专家面对面交流，进一步了解公司的各种解决方案，其可充分满足各种应用对高电源密度、高效率以及更高设计灵活度的需求。
Vicor 展位展示的新产品将包括采用转换器级封装（ChiP）与系统级封装（SiP）的前端电源转换组件及负载点电源转换产品。
观众还可进一步了解Vicor 的在线PowerBench™ 设计工具套件。
Vicor推出7款采用ChiP封装的全新DCM
外 ，Ｖｉ ｃ ｏ ｒ 还 发 布 了采 用 ３ ６ ２ ３ Ｃ ｈ ｉ Ｐ封 装并 支持 １ ２ ０ Ｗ、３ ． ３ Ｖ输 出和 ２ ８ Ｖ额定输 入 电压 的模 块 （ 输入 电压 范 围 ：１ ６ Ｖ～５ ０ Ｖ ）、采用 ４ ６ ２ ３ Ｃ ｈ ｉ Ｐ封 装 并 支持 ２ ７ ５ Ｖ（ １ ２ ０ Ｖ 一 ４ ２ ０ Ｖ ） 额 定 输 入 电压 、１ ２ ｖ输 出 和 ３ ７ ５ Ｗ 的模
软 件 开 发 同样 快 速 简 单 ， 因 为 模 块 有 一 个 强 大 的 应 用 程 序 接 口（ Ａ Ｐ Ｉ ） ￣ 态 系 统 ， 这 些 接 口 基 于 Ｓ Ｔ Ｍ３ ２ Ｃ ｕ ｂ ｅ 硬 件 抽 象层 和 中 间件 ，包 括Ｓ Ｔ Ｍ３ ２开 放式 开 发 环 境 。 该生 态 系 统 完 全兼 容 开放 式 软 件 扩展 库 ｆ Ｏ ｐ ｅ ｎ ． ＭＥ ＭＳ Ｏ ｐ ｅ ｎ ． Ｒ Ｆ ， ａ ｎ ｄ Ｏ ｐ ｅ ｎ ． ＡＵ Ｄ Ｉ Ｏ ） 以及 众 多 的第 ｊ 方嵌 入 式感 知 和语 音 处 理项 目。很 多 例程 都有 源 代码 ，为评估 和 定制 项 目提供 人 口，其 中包 括位 置感 测 软件 和低 功耗语 音通 信软 件 。 整 套 开发 工 具 包括 一 个 可用 参 考 设计 的子 板 ，子板 集 成 一个 １ ３ ． ５ ａｍ ｒ ｘ １ ３ ． ５ ｍｍ 独 立 或 控 制 器 式 Ｓ ｅ ｎ ｓ ｏ ｒ Ｔ ｉ ｌ ｅ 内核 系统 。在 这块 尺 寸 紧 凑但 组 件 齐全 的 电路 板上 ，有 温湿 传 感器 、ｍｉ ｃ ｒ ｏ — Ｓ Ｄ 卡 插槽 以及锂 聚 合体 电池（ Ｌ ｉ Ｐ ｏ ） 充 电器 。其 简单 的布 局 表 明 ，开 发人 员 使Ｈ ｊ Ｓ ｅ ｎ ｓ ｏ ｒ Ｔ ｉ ｌ ｅ 内核 系统可 以轻松 开发 一个 完整 的穿 戴 设 备 原 型 ，定 制 更 多 功 能 。 在 套 件 清 单 内还 有 一 颗 Ｌ ｉ Ｐ ｏ 充 电 电 池 和 一 个 塑 料 盒 ，用 于 存 放 子 板 、
Vicor公司推出具有前所未有性能的BCM
Vicor公司推出具有前所未有性能的BCM™ 转换器
模块
美国麻萨诸塞州安多弗讯- 2015年10月19日– Vicor公司（NASDAQ：VICR）今天宣布，推出其母线转换器模块（BCM®）系列的隔离式、固定转换率DC-DC转换器的扩展产品系列。
新的转换器结合了Vicor的正弦振幅DC-DC转换技术与Vicor的独创的热适应转换器级封装（ChiP）技术，具有五倍以上的输出功率能力，25%以下的热耗和超过目前同类最佳产品四倍的功率密度。
这些新的转换器适用于额定48伏电源系统，工作输入电压范围为36至60伏，并提供两个转换因数：一个K=1/4单元，其输出电压是其输入电压的四分之一，可提供高达1，950瓦的功率，另一个K=1/6单元，其输出电压是其输入电压的六分之一，可提供高达1，500瓦的功率。
这些单元采用6123（61&TImes;23mm）ChiP通孔封装，具有典型98%的运行效率和高达2，870 W/in3的市场领先功率密度。
配置选项包括模拟或PMBus控制接口和商用或军用工作温度范围。
与其他解决方案相比，这些新的BCM需要更少的电路板面积及更少的散热管理和输出滤波器元件，当结合下游稳压器使用时，有助于客户配置低成本48伏电源系统例如，用于电信和数据通信数据中心及以太网供电（PoE）应用具有前所未有的密度和效率。
Vicor 高密度合封电源方案 助力人工智能处理器更高性能
Vicor 高密度合封电源方案助力人工智能处理器更
高性能
将于2017 年8 月在中国北京召开的开放数据中心峰会(ODCC)上推出
2017 年8 月22 日，Vicor 公司（NASDAQ 股票交易代码：VICR）今日宣布推出适用于高性能、大电流CPU/GPU/ASIC（“XPU”）处理器合封的模块化电流倍增器。
Vicor 合封电源方案不仅可以减少XPU 插座的引脚数，还可减少从主板向XPU 提电相关的损耗，从而可增大电流供给，实现最大的XPU 性能。
为了应对人工智能、机器学习、大数据挖掘等高性能计算应用日益增长的需求，XPU 工作电流已上升至数百安培。
毗邻XPU放置的大电流负载点电源架构可降低主板内的配电损耗，但无法解决XPU 和主板之间的互联难题。
随着XPU 电流的增加，负载点与XPU 之间的“最后一英寸”（包括主板PCB以及XPU 插座内的互联）已成为限制XPU 性能和总体系统效率的一个因素。
Vicor的电流倍增器已经被大规模用于从48V直接为XPU供电的主板中，最新的合封装模块化电流倍增器(MCM) 将与XPU内核一道封装在XPU基板中，可进一步展现出Vicor 分比式电源架构在转换效率、功率密度以及电源带宽诸方面的优势。
合封在XPU 基板（位于XPU 封装盖下或其侧面）上的电流倍增器MCM 由来自基板外的模块化电流驱动器(MCD)驱动，实现电流倍增，如1:64的电流倍增。
MCD置于主板上，支持高带宽和低噪声，不仅可驱动MCM实现电流倍增，而且还可为XPU 提供精准电压调。
VICOR新型电源模块简介
VICOR新型电源模块简介
何冰
【期刊名称】《电讯工程》
【年(卷),期】1999(000)001
【摘要】本文以ＶＩＣＯＲ公司的最新产品Ｖ４８Ｃ１２Ｃ１５０Ａ型电流一直流转换器为例介绍电源模块技术的最新发展动向。
【总页数】10页(P9-18)
【作者】何冰
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN86
【相关文献】
1.Vicor公司ChiP封装电源模块正式亮相2014慕尼黑上海电子展 [J], 张健
2.VICOR电源模块的原理及在DX发射机中应用 [J], 王宁
3.Vicor公司推出ChiP封装电源模块 [J],
4.VICOR电源模块的无人直升机锂电池充电系统 [J], 汤宪宇
5.Vicor推出首款辐射容错DC-DC转换器电源模块 [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
Vicor：2012电源模块在通信、轨道和军工市场有较快增长——2012慕尼黑..
电子设备小体积化以及半导体器件集成和封装技术的发展，推动电源模块进入了一个全新的领域，电源模块逐步向器件级发展，越来越多的电源模块厂商也投身于这片市场。
据统计，仅国内市场就有数百家电源模块厂家，与IC技术发展类似，电源模块也在不断挑战功率密度。
2012年，电源模块市场的热点在哪里？电源模块厂商如何创新？近日，慕尼黑上海电子展主办方采访了Vicor公司亚太地区业务总监芮健秋先生，请他分享了对电源模块市场的研究心得。
受访人简介：芮健秋先生是Vicor公司的亚太地区业务总监，他毕业于香港中文大学电子系，拥有荣誉学士学位。
他加入Vicor公司已经超过十三年,并且在电子组件工业有约二十年的丰富经验。
1. Vicor通过哪些策略和技术巩固自己在电源模块市场中的技术领先性？芮健秋：Vicor公司一贯的产品策略是要新产品能给市场带来创新的技术及特有的功能，不会推出跟其他竞争对手相同的产品，这也是推动Vicor技术不断走在电源行业前端的动力。
然而要做到这一点，我们必须配备一支强大的研发工程师队伍，同时也要投入大量研发经费，我司每年大约投入营业额的百份之十五作为研发经费，相信在同业中也没有多少家公司会投入这样大量的研发经费。
2. 在便携设备、通信网络、轨道交通、电力系统乃至军工领域等热门应用中，您认为电源模块在2012年中哪些应用中会有较快增长？Vicor将采取哪些措施来抓住这些增长机遇？芮健秋：在2012年，我认为通信网络、军工及轨道交通的市场会有增长，但军工的增长可能会较通信网络及轨道交通市场略低。
电力系统及格便携设备暂时不是我们的主要市场，所以我也没有作详细分析。
通信网络的发展一日千里，由于数据流量非常庞大而且需求不断提高，相信电信公司需要安装更多新的设备以满足需求。
轨道交通方面，高铁发展速度去年虽然放缓，但全国各大城市都正在或计划兴建地铁，所以我相信轨道交通市场在2012年会有所增长。
军工方面，一般是按国家规划，平稳增长。
Vicor的转换器级封装(ChiP)技术简介
Vicor 的转换器级封装（ChiP）技术简介《技术背景》可扩展功率元件封装技术打破了性能和设计灵活性的新壁垒，实现了功率密度突破性的4倍提升电力电子技术创新的步伐正在迅速加快，推动力源于客户对更高电源效率、密度和设计灵活性的要求。
不过，对更大功率元件性能的持续需求已接近传统元件封装技术的极限。
特别是随着系统变得越来越密集和功率元件更接近负载点，有可能限制设计的灵活性，散热问题变成了严重问题。
对生产更小功率元件的推动已经超过了效率方面的改善。
开放式“砖型”功率元件只能通过强制空气来冷却，因此正在成为功率密度的限制。
功率元件需要更善于散热，并支持灵活的热管理。
没有封装技术的根本性进展，功率密度和散热密度就无法继续提升。
为了应对这些挑战，Vicor率先推出了功率元件封装平台⸺“转换器级封装（Converter housed in Package）”或简称“ChiP”。
Vicor的ChiP技术可以实现更小、更灵活的元件尺寸，简化了设计流程，并显著降低了能源成本。
与前一代元件相比，基于Vicor全新ChiP封装技术的新一代元件可以实现惊人的4倍功率密度的提升，功率损耗减少了20％，有助于客户以前所未有的系统尺寸、重量和功耗效率目标实现产品性能的突破。
ChiP 技术已经显示出高达3kW/in 3和高达850/in 2的功率密度，效率高达98％。
随着时间的推移，ChiP技术将支持更高水平的性能。
先进封装技术无与伦比的可扩展性和设计灵活性Vicor 的 ChiP 技术源于 Vicor 的电源管理专业知识和世界一流的制造能力，有许多阶段类似于半导体晶圆制造。
像晶圆制造一样，利用100％的PCB材料将各个转换器排列起来，而没有引线/引脚连接占用的空间。
然后，阵列被锯成一个个“芯片级”元件，没有多余的非增值封装，从而最大限度减少了客户设计所使用的空间。
ChiP 采用集成的磁结构，它是贯通一个有对称双面布局的高密度互连基板，在根本上增加了一倍功率密度。