霍尔效应实验分析报告

南昌大学物理实验报告
课程名称：普通物理实验（2）
实验名称：霍尔效应
学院：专业班级：
I的原理和方法；
S
2只、电势差计、滑动变阻器、双路直流稳压
电源、双刀双掷开关、连接导线15根。

三、实验原理：
1、霍尔效应
霍尔效应本质上是运动的带电粒子在磁场中受洛仑磁力作用而引起的偏转。

当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而
形成附加的横加电场，即霍尔电场H E .
如果H E <0，则说明载流子为电子，则为n 型试样；如果H E >0，则说明载流子为空穴，即为p 型
试样。

显然霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力e H E 与洛仑磁力
B v e 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有：
e H E =-B v e
其中E H 为霍尔电场，v d ，
bd v ne ne
R H 1
=
S I 、B 和d 可按下
（1）由H R 为负，
（2）由H R 求载流子浓度n.即e
R n H 1
=
这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。

（3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系
μσne =即μ=σH R ,测出σ值即可求μ。

3、霍尔效应与材料性能的关系
由上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率也较高）的
材料。

因μρ=H R ,金属导体μ和ρ都很低；而不良导体ρ虽高，但μ极小，所以这两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。

半导体μ高，ρ适中，是制造霍尔元件较为理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所以霍尔元件多采用n 型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。

就霍尔器件而言，其厚度是一
定的，所以实用上采用ned
K H 1
=
来表示器件的灵敏度，H K )T ∙.
4
I 、磁感应强度B 的大小5%
由于电流输入输出两引线端焊点处的电阻不可能完全相等，因此通电后会产生不同的势效应，
使x 方向产生温度梯度。

电子将从热端扩散到冷端，扩散电子在磁场中的作用下在横向形成电场，
从而产生电压。

电压的正负与磁场B 有关，与电流I 无关。

（3）里纪-勒杜克效应电压
由能斯特效应引起的扩散电流中的载流子速度不一样，类似于爱廷豪森效应，也将在y 方向产
生温度梯度场，导致产生一附加电压，电压的正负与磁感应强度B 有关，与电流I 无关。

（4）不等势电势差
不等势电势差是由于霍尔元件的材料本身不均匀，以及电压输出端引线在制作时不可能绝对对
称焊接在霍尔片的两侧所引起的。

这时即使不加磁场也存在这种效应。

若元件制作不好，有可能有着相同的数量级，因此不等势电势差是影响霍尔电压的一种最大的副效应。

电压的正负只与电流有
关，与磁感应强度B 无关。

因为在产生霍尔效应的同时伴随着各种副效应，霍尔电压H V
机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，即在A A V /(/A ，A 两侧的电
（M I 调节”旋钮均置零位（即逆时针旋转到底）；
（2（1）样品各电机引线与对应的
2）严禁将测试仪的励磁电流的输出接口误接到实验仪的其他输入输出端口，否则一旦通电，霍尔样品会被立即损毁。

本实验样品的尺寸为：d=0.5mm,b=4.0mm,l=3.0mm 。

本实验霍尔片已处于空隙中间，不能随意改变y 轴方向的高度，以
免霍尔片与磁极间摩擦而受损。

（3）接通电源，预热数分钟，电流表显示“.000”（当按下“测量选择”键时）或“0.00”（放开“测量
选择”键时）。

（4）置“测量选择”与S I 档，电压表所示的值即虽“S I 调节”旋钮顺时针转动而增大，其变化范围
为0-10mA 时电压表H V 所示读数为“不等势”电压值，它随S I 增大而增大，S I 换向，H V 极性改号。

取S I =2mA.
(5)置“测量选择”与M I 挡（按键），顺时针转动“M I 调节”旋钮，电流表变化范围为0-1A 此时H V 值
随M I 增大而增大，M I 换向，H V 极性改号。

至此，应将“M I 调节”旋钮置零位（即逆时针旋转到底）。

(6)放开测量选择键，再测S I ，调节S I ≈2mA,然后将“H V ，σV 输出”切换开关拨向σV 一侧，测量
σV 电压；S I 换向，σV σ输出”切
2
将测试仪的“功能转换”置H V ，S I 和M I 反之则为负。

保持M I =0.600A ，改变S I 的值，S I
0.300-0.800A.将测量数据记入表格。

σV 值
将“.在零磁场下（M I =0），取S I =2.00mA,测量σV 。

，M I =0.600A.测量A A V /大小及极性，由此判
6、求样品的H R 、n 、σ和μ值
7、测单边水平方向磁场分布（S I =2.00mA ，M I =0.600A ）
五、 实验数据及数据分析处理：
（1）数据记录参数表。

表1：绘制
实验曲线数据记录表（）
实验曲线数据记录表（
）画出曲线和曲线。

（3）记下样品的相关参量值，根据在零磁场下，（即。

则
（4）确定样品的导电类型（p型还是n型）。

由霍尔电压的正负判断为n型
（5）从测试仪电磁铁的线包上查出B的大小与的关系，并求（,）、n和值。

B的大小与的关系为.
,时
得
（6）测单边水平方向磁场分布（测试条件,），测量点不得少于8点（不等步长），以磁心中间为相对零点位置，作图，另半边作图时对称补足。