光耦基本知识培训
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光耦基本知识培训
Contents
光耦的主要参数 驱动光耦
ACPL-332J特点及应用
光耦的主要参数
基本参数
光耦主要参数
1. 2. 3. 4.
绝缘耐压参数。 共模抑制参数。 电性能参数。 时序参数。
基本参数
绝缘耐压 绝缘耐压是指光耦保护相关电路以及自身免受高压物理损害的能力。 绝缘耐压能力主要由输入输出间的隔离材料以及封装方式决定。
有影响力的管理机构
基本参数
Datasheet示例：
输入输出间瞬时承受电压
作用时间：1分钟
基本参数
Viorm (IEC标准）和Viso（UL标准）
输入输出间电压
持续工作时间
基本参数
共模抑制CMR： 共模抑制CMR表征每微秒光耦能容忍的最大共模噪声。 共模抑制CMR值的大小，表征防噪声能力的大小。
Avago光耦使用两项关键技术：去耦屏蔽膜和独特的封装设计, 使产品 具有业内领先的CMR性能。
基本参数
Datasheet示例：
基本参数
电性能参数：
这里主要讨论几个比较常见的参数：IOH,IOL,VOH,VOL,ICC。
基本参数
瞬间
能承受的最大电流 极限时间为10us，远大于竞争对手
基本参数
驱动光耦
驱动光耦Roadmap：
IGBT驱动光耦
IGBT驱动光耦：
驱动光耦的主要功能包括隔离和驱动，复杂的驱动光耦还要包括 各种保护功能。
与普通的通信光耦相比，驱动光耦都需要增加驱动级，用来提供 驱动IGBT所需的大电流。 电压等级
开关速率 电流等级
光耦电流选型
IGBT驱动光耦
驱动光耦可选型号：
MOSFET驱动光耦
目前Avago绝大部分的驱动光耦都以IGBT为驱动对象，当使用这些光耦 去驱动MOSFET时，需要注意一些事项。 ——工作电压 ——欠压锁定电压 ——工作速率 ——…… 随着开关频率的增加，开关损耗会随着迅速增大，并取代导通损耗成为 主要的损耗。 在目前的设计中，由于损耗和散热的原因，大功率设计都会采用低速设 计；但是低速大功率设计，使得被动器件的尺寸极大，造价及其昂贵。
可以输出的最高电压和最低电压
基本参数
光耦没有输出时，自身消耗的电流
小的静态消耗电流，让自举电路的应用成为可能。
基本参数
时序参数：
死区时间的减小，可以增加控制精度和效率
驱动光耦
驱动光耦
驱动光耦分类
1. IGBT（Insulated gate Bipolar Transistor）驱动光耦。 2. IPM（Intelligent Power Module）驱动光耦。 3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ） 驱动光耦。
软关断：
ACPL-332J主要特点
软关断：
ACPL-332J主要特点
集电极开路告警输出：
ACPL-332J主要特点
软件复位（331，332）：
在一个确定的时间后（一般为5us以上），由输入端从低到高的电 平变化让芯片重新开始工作。
硬复位（330,333）： 在一个固定的周期后（典型26us），无需外部控制，芯片重新开 始工作。
IGBT驱动光耦
IGBT驱动光耦
驱动光耦选型依据： 由于IGBT的速率不是很高（一般不会超过100K，以低于20K 左右为主），所以选型的主要指标不是速率，而是输出电流。
IGBT驱动光耦
IPM驱动光耦
IPM驱动光耦： IPM有如下特点： 1）内部集成功率管。 2）内部集成功率器件的驱动电路。 3）内部集成过压，过流，过热等多种保护措施。
IPM驱动光耦
IPM光耦可选型号：
IPM驱动光耦
IPM光耦T驱动光耦
MOSFET驱动光耦：
现在MOSFET基本只是应用在小功率高速率的功率板上，但是随着 SiC材料的广泛应用，越来越多的MOSFET得到应用。
MOSFET的速度优势得以展示。
ACPL-W34X
MOSFET驱动光耦
MOSFET驱动光耦
ACPL-332J特点及应用
332J主要特点
ACPL-332J主要特点
欠压保护（UVLO)：
ACPL-332J主要特点
去饱和（Desat)：
ACPL-332J主要特点
去饱和（Desat)：
监视电压约为6.5V（可调）
ACPL-332J主要特点
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
传统保护方式
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
有源保护
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
ACPL-332J应用电路
应用电路1：
ACPL-332J应用电路
应用电路2：
ACPL-332J应用电路
应用电路3：
Contents
光耦的主要参数 驱动光耦
ACPL-332J特点及应用
光耦的主要参数
基本参数
光耦主要参数
1. 2. 3. 4.
绝缘耐压参数。 共模抑制参数。 电性能参数。 时序参数。
基本参数
绝缘耐压 绝缘耐压是指光耦保护相关电路以及自身免受高压物理损害的能力。 绝缘耐压能力主要由输入输出间的隔离材料以及封装方式决定。
有影响力的管理机构
基本参数
Datasheet示例：
输入输出间瞬时承受电压
作用时间：1分钟
基本参数
Viorm (IEC标准）和Viso（UL标准）
输入输出间电压
持续工作时间
基本参数
共模抑制CMR： 共模抑制CMR表征每微秒光耦能容忍的最大共模噪声。 共模抑制CMR值的大小，表征防噪声能力的大小。
Avago光耦使用两项关键技术：去耦屏蔽膜和独特的封装设计, 使产品 具有业内领先的CMR性能。
基本参数
Datasheet示例：
基本参数
电性能参数：
这里主要讨论几个比较常见的参数：IOH,IOL,VOH,VOL,ICC。
基本参数
瞬间
能承受的最大电流 极限时间为10us，远大于竞争对手
基本参数
驱动光耦
驱动光耦Roadmap：
IGBT驱动光耦
IGBT驱动光耦：
驱动光耦的主要功能包括隔离和驱动，复杂的驱动光耦还要包括 各种保护功能。
与普通的通信光耦相比，驱动光耦都需要增加驱动级，用来提供 驱动IGBT所需的大电流。 电压等级
开关速率 电流等级
光耦电流选型
IGBT驱动光耦
驱动光耦可选型号：
MOSFET驱动光耦
目前Avago绝大部分的驱动光耦都以IGBT为驱动对象，当使用这些光耦 去驱动MOSFET时，需要注意一些事项。 ——工作电压 ——欠压锁定电压 ——工作速率 ——…… 随着开关频率的增加，开关损耗会随着迅速增大，并取代导通损耗成为 主要的损耗。 在目前的设计中，由于损耗和散热的原因，大功率设计都会采用低速设 计；但是低速大功率设计，使得被动器件的尺寸极大，造价及其昂贵。
可以输出的最高电压和最低电压
基本参数
光耦没有输出时，自身消耗的电流
小的静态消耗电流，让自举电路的应用成为可能。
基本参数
时序参数：
死区时间的减小，可以增加控制精度和效率
驱动光耦
驱动光耦
驱动光耦分类
1. IGBT（Insulated gate Bipolar Transistor）驱动光耦。 2. IPM（Intelligent Power Module）驱动光耦。 3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ） 驱动光耦。
软关断：
ACPL-332J主要特点
软关断：
ACPL-332J主要特点
集电极开路告警输出：
ACPL-332J主要特点
软件复位（331，332）：
在一个确定的时间后（一般为5us以上），由输入端从低到高的电 平变化让芯片重新开始工作。
硬复位（330,333）： 在一个固定的周期后（典型26us），无需外部控制，芯片重新开 始工作。
IGBT驱动光耦
IGBT驱动光耦
驱动光耦选型依据： 由于IGBT的速率不是很高（一般不会超过100K，以低于20K 左右为主），所以选型的主要指标不是速率，而是输出电流。
IGBT驱动光耦
IPM驱动光耦
IPM驱动光耦： IPM有如下特点： 1）内部集成功率管。 2）内部集成功率器件的驱动电路。 3）内部集成过压，过流，过热等多种保护措施。
IPM驱动光耦
IPM光耦可选型号：
IPM驱动光耦
IPM光耦T驱动光耦
MOSFET驱动光耦：
现在MOSFET基本只是应用在小功率高速率的功率板上，但是随着 SiC材料的广泛应用，越来越多的MOSFET得到应用。
MOSFET的速度优势得以展示。
ACPL-W34X
MOSFET驱动光耦
MOSFET驱动光耦
ACPL-332J特点及应用
332J主要特点
ACPL-332J主要特点
欠压保护（UVLO)：
ACPL-332J主要特点
去饱和（Desat)：
ACPL-332J主要特点
去饱和（Desat)：
监视电压约为6.5V（可调）
ACPL-332J主要特点
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
传统保护方式
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
有源保护
ACPL-332J主要特点
米勒贯穿保护：
ACPL-332J应用电路
应用电路1：
ACPL-332J应用电路
应用电路2：
ACPL-332J应用电路
应用电路3：