模拟电路第3章
模拟电子技术第三章3.6 典型习题
第三章半导体二极管及其基本电路一、写出图T1所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
二、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T2所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
图T2解：U O1＝6V，U O2＝5V。
三、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
四、电路如图T3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图T3 解图T3 解：u i 和u o 的波形如解图T3所示。
五、 电路如图T4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
图T4 解图T4 解：波形如解图T4所示。
六、 电路如图T5（a ）所示，其输入电压u I 1和u I 2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
图T5解：uO 的波形如解图T5所示。
解图T5七、 电路如图T6所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA 其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值 I d ＝U i /r D ≈1mA图T6八、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
模电第3章模拟集成电路基础
1 , 1
2 2 i1
Id i2
Id
差模输入信号为Ui1 － Ui2= UId
若Ui1的瞬时极性与参考
极性一致，则Ui2的瞬时 极性与参考极性相反。
则有：
差模输入方式
ui1↑→ib1 ↑ →ic1 ↑ →uc1↓
ui2 ↓ →ib2 ↓ →ic2 ↓ →uc2 ↑
输出电压uO= uC1 － uC2≠0，而是 出现了信号，记为Uod。
3.1.1 集成电路中的元器件特点
（1）集成电路中的元器件是在相同的工艺条件下做出的， 邻近 的器件具有良好的对称性， 而且受环境温度和干扰的影响后的变 化也相同， 因而特别有利于实现需要对称结构的电路。
（2）集成工艺制造的电阻、 电容数值范围有一定的限制。集成电 路中的电阻是使用半导体材料的体电阻制成的， 因而很难制造大 的电阻， 其阻值一般在几十欧姆到几十千欧姆之间; 集成电路中的 电容是用PN结的结电容作的。
第3章 模拟集成电ห้องสมุดไป่ตู้基础
3.1 概述 3.2 电流源电路 3.3 差动放大电路 3.4 功率放大电路 3.5 集成电路
3.1 概述
集成电路是一种将“管”和“路”紧密结合的器件， 它以半 导体单晶硅为芯片， 采用专门的制造工艺， 把晶体管、 场效应 管、 二极管、 电阻和电容等元器件及它们之间的连线所组成的完 整电路制作在一起， 使之具有特定的功能。 集成电路体积小、 重量轻、 耗电少、 可靠性高， 已成为现代电子器件的主体。 集 成电路分数字与模拟两大类。
即u I1 1 2 u I d u Ic ;u I2 1 2 u I d u Ic
差模信号：指在两个输入端加上大小相等， 极性相反的信号
共模信号：指在两个输入端加上大小相等， 极性相同的信号
模拟电子技术基础第三章例题习题
rbe
若旁路电容同时使 Re/ ＝0、 Re ＝0，则电压放大倍数为
& = A u
Uo Ui
. .
=−
′ β ⋅ RL
rbe
=−
50 × (6 // 6) × 103 1.85 × 103
≈ −81
由此可见 Re 的存在使放大倍数下降很多。 放大电路的输入电阻为 Ri = Rb1 // Rb 2 //[ rbe + (1 + β ) Re ] = 60 // 20 //[1.85 + (1 + 50) × 0.3] ≈ 8 kΩ 若无 Re，放大电路的输入电阻 Ri = Rb1 // Rb 2 // rbe = 1.65 kΩ，故 Re 的存在提 高了放大电路的输入电阻。放大电路的输出电阻为
& & & 0.66 × 103 & = U o = Uo ⋅ Ui = A & ⋅ Ri = −120 × A ≈ −111.5 us u • 3 & • U Rs + Ri ( 0 . 05 + 0 . 66 ) × 10 i Us Us
若 Rs＝500 Ω，RL＝8.2 kΩ，则该放大器源电压增益为
IC =
U CC U CE 12 U CE − = − 3 3 Rc Rc
iC / mA
4 3 2 1 0
2 4 6 8
100 75
当 UCE＝0 时，IC＝4mA；当 IC＝0 时，UCE＝12V，在如例 3-1 图所示的输 出特性上作出这条直线。 再由直流通路得 U − U BE 12 − 0.7 I B = CC = ≈ 51μA Rb 220 × 103 故直流负载线与 IB＝51μA 相对应的输出特性 的交点即为静态工作点 Q，由图得 IC＝2mA， UCE＝6V。 （2） 当 UCE＝3V 时， 则由直流通路可得集电极 电流为 U − U CE 12 − 3 = I C = CC = 3 mA Rc 3 × 103 U CC − U BE I C 3 I = = = = 75 μA 于是，基极电流为 B Rb β 40 U − U BE 12 − 0.7 Rb = CC = = 150.1 kΩ 故 IB 75 × 10 − 6 可采用 150 kΩ 标称电阻。 （3）若使 IC＝1.5mA，则
模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
数字模拟电路---第三章 逻辑门电路(1)
路。
简称门电路。
5V一、TTL 与非门图3-1 典型TTL 与非门电路3.2 TTL 集成门电路•数字集成电路中应用最广的为TTL 电路（Transister-Transister-Logic 的缩写）•由若干晶体三极管、二极管和电阻组成，TTL 集成电路有54/74系列 ①输出高电平UOH 和输出低电平UOL 。
•输出高电平U OH：至少有一个输入端接低电平时的输出电平。
•输出低电平U OL：输入全为高电平时的输出电平。
• 电压传输特性的截止区的输出电压UOH=3.6V，饱和区的输出电压UOL=0.3V。
一般产品规定U OH≥2.4V、U OL＜0.4V时即为合格。
二、TTL与非门的特性参数③开门电平U ON 和关门电平U OFF 。
开门电平U ON 是保证输出电平达到额定低电平(0.3V )时，所允许输入高电平的最低值，表示使与非门开通的最小输入电平。
通常U ON =1.4V ，一般产品规定U ON ≤1.8V 。
关门电平U OFF 是保证输出电平为额定高电平(2.7V 左右)时，允许输入低电平的最大值，表示与非门关断所允许的最大输入电平。
通常U OFF ≈1V ，一般产品要求U OFF ≥0.8V 。
5). 扇入系数Ni和扇出系数N O 是指与非门的输入端数目。
扇入系数Ni是指与非门输出端连接同类门的个数。
反扇出系数NO映了与非门的带负载能力。
6）输入短路电流I IS 。
当与非门的一个输入端接地而其余输入端悬空时，流过接地输入端的电流称为输入短路电流。
7）8）平均功耗P 指在空载条件下工作时所消耗的电功率。
三、TTL门电路的改进 74LS系列 性能比较好的门电路应该是工作速度既快，功耗又小的门电路。
因此，通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗—延迟积或pd积)来评价门电路性能的优劣。
74LS系列又称低功耗肖特基系列。
74LS系列是功耗延迟积较小的系列(一般t pd＜5 ns，功耗仅有2 mW) 并得到广泛应用。
模拟电子线路 课件第三章第5-8节——共C和共B电路、多级放大器
模拟电子线路 课件第三章第5-8节——共C 和共B 电路、多级放大器主 题：课件第三章第5-8节——共C 和共B 电路、多级放大器 学习时间：2016年4月18日－4月24日内 容：我们这周主要学习课件第三章半导体三极管及放大电路基础第5-8节共C 和共B 电路、多级放大器的相关内容。
请同学带着以下问题学习：如何分析共C 组态放大电路及多级放大器？一、学习要求掌握共C 组态放大电路的静、动态分析方法；能用小信号等效电路法求指标；掌握多级放大器的静、动态分析和电压放大倍数的计算。
重点：共C 组态放大电路的分析方法；多级放大器的参数计算方法 难点：多级放大器的静、动态分析二、主要内容1．共C 和共B 电路（1）共集电极放大电路（射极输出器）输入信号加在基极和集电极之间，输出信号由发射极和集电极之间取出，集电极是输入、输出回路的共同端。
共集电极电路又称为射极输出器、电压跟随器。
①静态工作点分析CC BEB b e =(1)V U I R R β++－C B I I β=CE CC e E =U V R I －+-u o +-R S u②动态分析电压放大倍数 'o L u 'i e L (1+)==1(1+)b U R A U r R ββ≈+其中，'L e L R R R =∥输入电阻 'i b be L [(1+)]r =R r R β+∥ 输出电阻 s b beo e 1+R R r r R β+=∥∥共集电极放大电路的特点：● 电压增益小于而接近于1，输出电压与输入电压同相； ● 输入阻抗高，输出阻抗小。
射极输出器的应用：● 放在多级放大器的输入端，提高整个放大器的输入电阻。
● 放在多级放大器的输出端，减小整个放大器的输出电阻。
● 放在两级之间，起缓冲作用。
2.共基极电路输入信号加在发射极和基极之间，输出信号由集电极和基极之间取出，基极是输入、输出回路的共同端。
模拟电子技术(四版)李雅轩章 (3)
9
2. 测量基本放大器的放大倍数、输入电阻和输出电阻 (1) 开关S1置“1”位置，把反馈网络从A点断开，在输入 端接低频信号发生器，输入频率为f=1 kHz、电压为Ui=10 mV 的正弦信号，从输出端分别测量不接负载电阻RL和接负载电阻 RL两种情况下的输出电压Uo、UoL，计算出电压放大倍数Au、输 出电阻ro(=(Uo－UoL)RL/UoL)，填入实表 3.1中。 (2) S1置“2”位置，将Rs=4.7 kΩ接入回路，调节信号源 电压，同时保持Ui=10 mV不变，测出此时信号源电压Us值的大 小，计算出输入电阻ri(=UiRs/(Us－Ui))值，填入实表3.1中。
45
4. 电流并联负反馈 电流并联负反馈的实际电路和连接方框图分别如图
3.2.7(a)和(b)所示。
图 3.2.7 电流并联负反馈 (a) 电路图；(b) 方框图
46
47
3.3 负反馈对放大器性能的影响 3.3.1 提高放大倍数的稳定性
放大器的放大倍数是由电路元件的参数决定的。若元件老 化或更换、电源不稳、负载变化或环境温度变化，则可能引起 放大器的放大倍数变化。为此，通常都要在放大器中引入负反 馈，用以提高放大倍数的稳定性。
33
图3.2.1为几个反馈电路，我们现在用瞬时极性法来判别 它们反馈的极性。
图 3.2.1 反馈极性的判别 34
2. 交流反馈与直流反馈 图3.2.2中，(a)图中反馈信号的交流成分被Ce旁路掉，在 Re上产生的反馈信号只有直流成分，因此是直流反馈。(b)图 中反馈信号通道仅通交流，不通直流，因而为交流反馈。若将 (a)图中电容Ce去掉，即Re不再并联旁路电容，则Re两端的压降 既有直流成分，又有交流成分，因而是交直流反馈。
模拟电路课件第三章多级放大电路
直接耦合多级放大电路的调试与优化
01
调整偏置电路，减小静态工作点 漂移。
02
引入负反馈，改善电路的稳定性 。
阻容耦合多级放大电路的调试与优化
阻容耦合多级放大电路的调试 检查各级放大器的输入和输出阻抗，确保匹配。
调整耦合电容和旁路电容，避免信号失真。
阻容耦合多级放大电路的调试与优化
检查反馈电路，避免自激振荡。 阻容耦合多级放大电路的优化
分析时需要计算各级的电压增益和总 电压增益，并考虑信号的相位和频率 响应。
变压器耦合多级放大电路的分析方法
变压器耦合多级放大电路中，各级通过变压器进行耦合，可以实现阻抗变换和电平 移动。
分析时需要计算各级的电压增益和总电压增益，并考虑变压器的匝数比和信号的相 位和频率响应。
变压器耦合多级放大电路的优点是具有阻抗变换和电平移动功能，缺点是结构复杂、 体积较大。
04
多级放大电路的设计与实现
直接耦合多级放大电路的设计与实现
设计要点
选择合适的晶体管、电阻和电容元件，以实现信号的放大和 传输。同时，需要考虑零点漂移和噪声干扰等问题，采取相 应的措施进行抑制。
实现难点
直接耦合多级放大电路的零点漂移问题较为突出，需要采取 有效的措施进行抑制，以保证电路的稳定性和可靠性。
模拟电路课件第三章多级 放大电路
• 多级放大电路概述 • 多级放大电路的工作原理 • 多级放大电路的分析方法 • 多级放大电路的设计与实现 • 多级放大电路的调试与优化
01
多级放大电路概述
多级放大电路的定义与组成
定义
多级放大电路是由两个或两个以 上的单级放大电路按照一定的拓 扑结构组合而成的电路系统。
益和带宽。
直接耦合多级放大电路的优点是 结构简单、易于集成，缺点是级 间耦合较复杂，容易产生零点漂
模拟电路第三章 多级放大电路
1. 双端输入单端输出：共模信号作用下的分析
Ad
1(Rc∥RL)
2 Rbrbe
AcRbrb(R ec2 ∥ (1R L))Re
KCMRA Ad c Rb2 rb(R eb2(1rbe))Re
整理ppt
2. 单端输入双端输出
共模输入电压 差模输入电压 输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入：
3.3.2 差分放大电路
一、电路的组成
零点 漂移
参数理想对称： Rb1= Rb2，Rc1= Rc2， Re1= Re2;T1、T2在任何温度下特性均相同。 uI1与uI2所加信号大小相等、极性相同——共模信号
整理ppt
二、长尾式差分放大电路
典型电路
信号特点？ uI1与uI2所加信号大小相等、极性相反——差模信号
在实际应用时，信号源需要有“ 接地”点，以避免干扰； 或负载需要有“ 接地”点，以安全工作。
根据信号源和负载的接地情况，差分放大电路有四种接法： 双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、 单端输入单端输出。
整理ppt
三、差分放大电路的四种接法 1. 双端输入单端输出：Q点分析
由于输入回路没有变化，所以
共模放大倍数 Ac
uO c uIc
参数理想对称A时 c 0
Re的共模负反馈作用：温度变化所引起的变化等效为共模信号
如 T(℃)↑→IC1↑ IC2 ↑→UE↑→ IB1 ↓IB2 ↓→ IC1 ↓ IC2 ↓
Re负反馈作用抑制了每只差分管集电极电流、电位的变化。
整理ppt
3. 放大差模信号 差模信号：数值相等，极性相反的输入信号，即
uI1uI2uId/2
i B 1 i B2 i C 1 i C2 u C 1 u C2 u O 2 u C1
模拟电子技术第三章 习题与答案
第三章习题与答案3.1 问答题：1．什么是反馈？答：在电子线路中，把输出量（电压或电流）的全部或者一部分，以某种方式反送回输入回路，与输入量（电压或电流）进行比较的过程。
2．什么是正反馈？什么是负反馈？放大电路中正、负反馈如何判断？答：正反馈：反馈回输人端的信号加强原输入端的信号，多用于振荡电路。
负反馈：反馈回输入端的信号削弱原输入端的信号，使放大倍数下降，主要用于改善放大电路的性能。
反馈极性的判断，通常采用瞬时极性法来判别。
通常假设某一瞬间信号变化为增加量时．我们定义其为正极性，用“+”表示。
假设某一瞬间信号变化为减少量时，我们定义其为负极性，用“-”表示。
首先假定输入信号某一瞬时的极性，一般都假设为正极性．再通过基本放大电路各级输入输出之间的相位变化关系，导出输出信号的瞬时极性；然后通过反馈通路确定反馈信号的瞬时极性；最后由反馈信号的瞬时极性判别净输入是增加还是减少。
凡是增强为正反馈，减弱为负反馈。
3．什么是电压负反馈？什么是电流负反馈？如何判断？答：根据反馈信号的取样方式，分为电压反馈和电流反馈。
凡反馈信号正比于输出电压，称为电压反馈；凡反馈信号正比于输出电流，称为电流反馈。
反馈信号的取样方式的判别方法，通常采用输出端短路法，方法是将放大器的输出端交流短路时，使输出电压等于零，如反馈信号消失，则为电压反馈，如反馈信号仍能存在，则为电流反馈。
这是因为电压反馈信号与输出电压成比例，如输出电压为零，则反馈信号也为零；而电流反馈信号与输出电流成比例，只有当输出电流为零时，反馈信号才为零，因此，在将负载交流短路后，反馈信号不为零。
4．什么是串联负反馈？什么是并联负反馈？如何判断？答：输入信号与反馈信号分别加在两个输入端，是串联反馈；加在同一输入端的是并联反馈。
反馈信号使净输入信号减小的，是负反馈。
判断反馈的极性，要采用瞬时极性法。
3.2 填空题：1．放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入直流负反馈；如果要稳定放大倍数，应引入交流负反馈；希望扩展频带，可以引入交流负反馈；如果增大输入电阻，应引入串联负反馈；如果降低输比电阻，应引入电压负反馈。
模拟电子技术基础A 第3章习题的答案-PPT课件
U GS 2 ID ID S( 1 ) S U GS (o f) f
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD
2）动态性能指标的计算：微变等效电路
2 gm ID ID O Q U G S (th )
2 g ID ID m S S Q U G S (o ff)
3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出 四种状态下的UGS和UDS 的值，判断各状态下的管子工作在什 么区。（ a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 ）
2. 两种基本接法电路的分析：CS、CD 1）静态工作点的分析计算。 • 利用场效应管栅极电流为0，得到栅源电压与 漏极电流之间关系式。 • 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程，求解UGSQ和IDQ，并推算 UDSQ。 • 注意解算后应使得管子工作在恒流区。
5
U 2 GS ID IDO ( 1 ) U GS (th )
－
3-7：如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解：
I I ( 1 ) 0 . 5 m A D Q D S S U G S ( o f f)
2
U G S Q
U GSQ U GQ U SQ 2V RS1 U GSQ ID 2V 4 k 0 . 5 mA
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 绝缘栅型N沟道耗尽型ห้องสมุดไป่ตู้场效应管。 • 因为没有漏极电阻， 使交流输出信号到地 短路uo无法取出。 • 不能。
3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ，并说明原因。
• 满足正常放大条件。 如在输入端增加大电 阻RG,可有效提高输入 电阻。 • 能。
第3章 模拟电路设计_2
3.3 滤波器设计3.3.1 滤波器的基本特性✓滤波器是一种频域变换电路。
它能让指定频段的信号顺利通过，甚至还能放大，而对非指定频段的信号予以衰减。
✓仅仅采用R、L、C元件组成的滤波器称无源滤波器，含有晶体管或运算放大器的称为有源滤波器，后者的储能元件只用电容器C 。
厦门理工学院电子与电气工程系12厦门理工学院电子与电气工程系3滤波器幅频响应四种理想滤波器的频域与时域特性厦门理工学院电子与电气工程系4滤波器幅频响应3阶Bessel 、Butterworth 、Chebyshev （1dB ripple）滤波器幅频响应3阶Chebyshev、Inverse Chebyshev厦门理工学院电子与电气工程系5滤波器幅频响应3阶椭圆（Elliptic or Cauer）厦门理工学院电子与电气工程系6典型有源滤波器电路Sallen-Key (压控电压源)对运放的要求不高，元件的比值较小。
厦门理工学院电子与电气工程系7厦门理工学院电子与电气工程系8典型有源滤波器电路Multiple feedback (多重反馈)对运放要求较高。
一般使用于低Q的应用中厦门理工学院电子与电气工程系9典型有源滤波器电路KHN （状态变量滤波器）。
对运放的非理想特性有较低的灵敏度。
可以精确地调整参数；可以获得HP 、BP 、LP厦门理工学院电子与电气工程系10典型有源滤波器电路Tow-Thomas （双二阶滤波器）可以精确地调整参数，可以获得BP 、LP 、-LP11厦门理工学院电子与电气工程系12end厦门理工学院电子与电气工程系13end 通带纹波和电压波动百分比的对应关系厦门理工学院电子与电气工程系14有源滤波器设计步骤归一化设计。
即将滤波器的截至频率视为1，其它频率除以它进行处理。
1.根据给定的通带频率fc阻带衰减fs计算陡度系数A=fc/fs2.查归一化图表，根据陡峭度、纹波、具体应用要求，查得滤波器阶数。
3.确定电路形式（Sallen Key KHN Two-Thomas）4.如果是二阶滤波器，可以直接计算得到元件的值。
《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路
3.2 双极型晶体管
3.2.4 晶体管的共射特性曲线
2.输出特性曲线—— iC=f(uCE) IB=const
以IB为参变量的一族特性曲线
(1)当UCE=0V时，因集电极无收集
作用，IC=0；
(2)随着uCE 的增大，集电区收集电
子的能力逐渐增强，iC 随着uCE 增加而
增加；
(3)当uCE 增加到使集电结反偏电压
电压，集电结应加反向偏置电压。
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
1. 晶体管内部载流子的传输
如何保证注入的载流
子尽可能地到达集电区？
P
N
IE=IEN + IEP
IEN >> IEP
IC= ICN +ICBO
ICN= IEN – IBN
IEN>> IBN
ICN>>IBN
N
IEP
IE
3. 晶体管的电流放大系数
(1) 共基极直流电流放大系数
通常把被集电区收集的电子所形成的电流ICN 与发射极电流
IE之比称为共基电极直流电流放大系数。
ത
I CN
IE
由于IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN，且ICN>> IBN，ICN>>IEP。通常ത
的值小于1，但≈1，一般
ത
为0.9-0.99。
ത
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
3. 晶体管的电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数
I C I CN I CBO I E I CBO ( I C I B ) I CBO
电路模拟第3章学习讨论题
第3章一、学习辅导1．动态电路中特有的概念(暂态或过渡过程、换路、几种响应、一阶电路)。
2．动态元件的VCR 特性(L 、C ，微分关系)。
3．换路定律的内容及应用(适用u c 及i L ，确定初始值)。
4．动态一阶电路中求解响应的三要素法。
三要素：f (0+)，f (∞)，τf (0+)、f (∞)对应两个稳态电路，注意电路中动态元件L 、C 的处理；τ的物理意义，τ =RC 或L /R ，其中R 指换路后电路除动态元件后的二端网络的戴维南等效电路中的等效电阻。
二、讨论题(一)填空题1.暂态是指从一种 态过渡到另一种 态所经历的过程。
2. 换路定律指出：在电路发生换路后的一瞬间， 元件上通过的电流和 元件上的端电压，都应保持换路前一瞬间的原有值不变；用公式可表示为 和 。
3．换路前，动态元件中已经储有原始能量；换路后，若外激励等于零 ，仅在动态元件原始能量作用下所引起的电路响应，称为 响应。
4．一阶电路是只含有一个 元件的电路；换路后仅由外激励引起的电路响应称为一阶电路的 响应；既有外激励、又有元件原始能量的作用所引起的电路响应叫做一阶电路的 响应。
5．一阶RC 电路的时间常数τ = ；一阶RL 电路的时间常数τ = 。
时间常数τ的取值决定于电路的 和 。
6．一阶电路全响应的三要素是指待求响应的 值、 值和 。
7．在电路中，电源的突然接通或断开，电源瞬时值的突然跳变，某一元件的突然接入或被移去等，统称为 。
8．已知RC 一阶电路的响应)1(5)(10t c e t u --=V 。
则电路的时间常数τ= s ，若R =1k Ω，此时电容C = 。
9．电路的零输入响应是指当 为零时，由 产生的响应；零状态响应是指 为零时，由 产生的响应。
(二)判断题1．换路定律指出：电感两端的电压是不能发生跃变的，只能连续变化。
（ ）2．换路定律指出：电容两端的电压是不能发生跃变的，只能连续变化。
（ ）3．一阶电路的全响应，等于其稳态分量和暂态分量之和。
模拟电子技术课程习题 第三章 多级放大电路
第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号，也可放大共模信号C.只能放大共模信号，不能放大差模信号D.既抑制共模信号，又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB，则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，非线性失真较小。
B.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，但非线性失真较大。
C.温度稳定性好，功耗较低，非线性失真较小，但电源利用率低。
D.温度稳定性好，非线性失真较小，电源利用率高，功耗也高。
3.10 填空。
1、在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|= ，折合为 dB。
模拟电子书后习题答案第3章
习题第3章【3-1】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN 型还是PNP 型？如何判断出管子的三个电极？锗管和硅管如何通过实验区别？ 解： 1． 预备知识万用表欧姆挡可以等效为由一个电源（电池）、一个电阻和微安表相串联的电路，如图1.4.11所示。
μA正极红笔E-+-eeNPNPNP图1.4.11 万用表等效图 图1.4.12 NPN 和PNP 管等效图(1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。
(2) 晶体管3个区的特点：发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓 度很低。
因此，发射结正偏时，射区有大量的载流子进入基区，且在基区被复合的数量有限，大部分被集电极所收集，所以此时的电流放大系数β大。
如果把发射极和集电极调换使用，则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限，在基区被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小，所以β反很小。
2．判断方法(1) 先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k 挡，随意指定一个管脚为基极，把任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。
若两次测得电阻都很大（或很小）。
把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。
若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN 型，反之为PNP 型。
(2) 判断集电极：在确定了基极和晶体管的类型之后，可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。
现以NPN 型晶体管为例说明判断的方法。
先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和姆指捏住，红表笔与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。
这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。
这种测试的原理如图1.4.13所示。
当食指与基极连接时，通过人体电阻给基极提供一个电流I B ，经放大后有较大的电流流过表头，使表针偏转,β大，表针偏转角度就大。
模拟电子技术第三章 场效应三极管
d g s
源 极
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栅 极
N沟道结型场效应管的结构和符号
3
s
2. 工作原理
⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。
ID=0 ID=0
d
P+
d
N 型 沟 道
P+ P+
d
P+ P+ P+
g
g
N 型 沟 道
g
s uGS = 0
s uGS < 0
4
预夹断轨迹
恒流区
IDO O
UGS(th) 2UGS(th) uGS/V
O
截止区
uDS/V
转移特性曲线可近似用以下公式表示：
iD I DO ( uGS U GS(th) )
2
当uGS ≥ UGS(th)时
12
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首页
2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子，
使uGS = 0 时，
形成一个N型导电沟道。
又称之为反型层 开启电压，用uGS(th)表示
导电沟道随uGS 增大而增宽。
10
B uGS > UGS(th)时 形成导电沟道
上页 下页 首页
uDS对导电沟道的影响
uGS为某一个大于UGS(th)的固定值， 在漏极和源极之间加正电压，且 s uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生，
在制造时就具有 原始导电沟道
31
3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS： MOS管的参数
电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)
du(t ) p(t ) = u (t )i (t ) = Cu(t ) dt
(3―6)
对上式从-∞到 进行积分 可得t时刻电容上的储能为 进行积分， 对上式从 到t进行积分，可得 时刻电容上的储能为 计算过程中认为u(-∞)=0。 。 计算过程中认为
ωC (t ) = ∫
t
−∞
p (ξ )d ξ
（3-7）
1 1 1 = + C C1 C2
或写为
C1C2 C= C1 + C2
(3―18)
上式中C为电容 相串联时的等效电容。由式(3―17)画出 上式中 为电容C1与C2相串联时的等效电容。由式 为电容 画出 其等效电路如图3.6(b)所示。同理可得，若有 个电容 k(k=1,2,…,n) 所示。同理可得，若有n个电容 个电容C 其等效电路如图 所示 相串联， 相串联，其等效电容为
第3章 动态电路分析
电容元件及电容电流波形分别如图3.2（ ）、 例3-1 电容元件及电容电流波形分别如图 （a）、 （b）所示，已知 ）所示，已知u(0)=0，试求 ，试求t=1s、t=2s、t=4s时的电 、 、 时的电 容电压u以及 以及t=2s时电容的储能。 时电容的储能。 容电压 以及 时电容的储能
第3章 动态电路分析
电感串并联： 电感串并联：
是电感L 相串联的电路， 图 3.8(a)是电感 1 与 L2 相串联的电路 ， 流过两电感的电流是同一电 是电感 的微分形式和KVL，有 流i。根据电感 。根据电感VAR的微分形式和 的微分形式和 ，
L = L1 + L2
(3―25)
称为电感L1与 L2串联时的等效 称为电感 与 串联时的等效 电感。 由式(3―26)画出相应的等效 电感 。 由式 画出相应的等效 电路如图3.8(b)所示 。 同理 ， 若有 所示。 同理， 若有n 电路如图 所示 个 电感 Lk(k=1,2,…,n) 相 串联 ， 可 推 导其等效电感为
模拟电子技术教程第3章习题答案
第3章 习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。
（2）电源的作用是 为能量转换提供能源 ，如果离开电源，放大器可以工作吗（ 不能 ）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ，如果信号和负载直接接入，其 工作点 的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗（ 能 ）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗（ 能 ）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。
（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。
（7） β大的三极管输入阻抗 也大 ，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。
（8）画直流通路比画交流通路复杂吗（不）在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ，直流电流源可认为 开路 ，二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ，单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器，其次是共 源 放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ，交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗（ 无 ）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。
（12）放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。
第三章负反馈--《模拟电子技术》
电子技术模拟电路部分第三章放大电路中的负反馈第三章放大电路中的负反馈§3.1 负反馈的概念§3.2 负反馈的类型及分析方法§3.3 负反馈对放大电路的影响§3.1 负反馈的概念凡是将放大电路输出端的信号（电压或电流）的一部分或全部引回到输入端，与输入信号迭加，就称为反馈。
若引回的信号削弱了输入信号，就称为负反馈。
若引回的信号增强了输入信号，就称为正反馈。
这里所说的信号一般是指交流信号，所以判断正负反馈，就要判断反馈信号与输入信号的相位关系，同相是正反馈，反相是负反馈。
放大器输出输入取+ 加强输入信号正反馈用于振荡器取-削弱输入信号负反馈用于放大器开环闭环负反馈的作用：稳定静态工作点；稳定放大倍数；提高输入电阻；降低输出电阻；扩展通频带。
反馈网络±叠加反馈信号实际被放大信号反馈框图：反馈电路的三个环节：放大：d oo X X A =反馈：ofX X F =叠加：fi d X X X -=负反馈框图：基本放大电路A o d X oX 反馈回路FfX ⨯i X +–输出信号输入信号反馈信号差值信号基本放大电路A od X oX 反馈回路FfX ⨯i X +–d oo X X A =——开环放大倍数ioF X X A =——闭环放大倍数ofX X F =——反馈系数负反馈放大器的一般关系：基本放大电路A o d X oX 反馈回路FfX ⨯i X +–oo d o f d f o i o F A F X X X X X X X X X A 111+=+=+== FA A o o +=1F A +1反馈深度定义：负反馈放大器的闭环放大倍数当∣A o F ∣>>1时，结论：当∣A o F ∣>>1很大时，负反馈放大器的闭环放大倍数与晶体管无关，只与反馈网络有关。
即负反馈可以稳定放大倍数。
FA A A o o F +=1FA F 1=u f u d 例：R f 、R E 1组成反馈网络，反馈系数：fE E o fR R R U U F +≈=11+–C 1R B 1R C 1R B 21R B 22R C 2R E 2R E 1C EC 3C2+E Cu ou i +–T 1T 2R f§3.2 负反馈的类型及分析方法§3.2.1 负反馈的类型一、电压反馈和电流反馈根据反馈所采样的信号不同，可以分为电压反馈和电流反馈。
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截止频率 综上所述，在频域内， 综上所述，在频域内，共发射极放大电路的电压放大倍数 将是一个复数， 幅度A 和相角φ都是频率 的函数， 都是频率f的函数 将是一个复数， 幅度 u和相角 都是频率 的函数，分别称 为放大电路的幅频特性和相频特性。 为放大电路的幅频特性和相频特性。我们将放大倍数下降到 中频区放大倍数Aum0.707倍的频率通称为截止频率，在低频 中频区放大倍数 倍的频率通称为截止频率， 倍的频率通称为截止频率 的段截止频率称为下限频率f 的段截止频率称为下限频率 l ，在高频段的截止频率称为上 限频率f 下限频率称之差为通频带f 通频带的宽度， 限频率 h ，上、下限频率称之差为通频带 bw。通频带的宽度， 表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力， 表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力，它是放大 电路的重要技术指标之一。 电路的重要技术指标之一。
3.2.1
共射极截止频率f 共射极截止频率 β
晶体管共发射极放大电路的电流放大系数β 晶体管共发射极放大电路的电流放大系数β是也频率的函 低频时， 是常数；当频率升高时， 数。中、低频时，β= β0是常数；当频率升高时，由于管子内 部的电容效应，其放大作用下降，所以β可表示为 可表示为： 部的电容效应，其放大作用下降，所以 可表示为：
(a) 结构示意图
(b) 完整混合参数Π型模型 完整混合参数Π
(c)混合参数Π型简化模型 混合参数Π 混合参数
混合参数Π型模型说明 混合参数 型模型说明
rbb‘表示基区体电阻， rbb’ =rb。注意图中的 ，是基区内 注意图中的b‘， 表示基区体电阻， 的虚拟基极，与基极引出端b是不同的 是不同的。 的虚拟基极，与基极引出端 是不同的。 ? rb‘e是发射结电阻。由于 处于正向偏置，故rb’e很小。 是发射结电阻。由于be处于正向偏置 处于正向偏置， 很小。 ? Cb‘e为发射结电容。 为发射结电容。 ? rb‘c和Cb’c是集电结的结电阻和结电容，由于集电结工作时 是集电结的结电阻和结电容， 处于反向偏置， 的值很大， 并联可以忽略不计。 处于反向偏置，故rb‘c的值很大，与Cb'c并联可以忽略不计。 表示，而不用βI 其原因是， ? 受控电流源用 mUb‘e表示，而不用βIb，其原因是，由于 受控电流源用g 结电容的影响， 不能保持正比关系。这里的g 结电容的影响，Ic和Ib不能保持正比关系。这里的 m称为 互导， 具有电导的量纲。 互导， 具有电导的量纲。 ? rce为电流源内阻，阻值较大，与负载 L并联后可略去。 为电流源内阻，阻值较大，与负载R 并联后可略去。 ? 根据上述各元件的参数，可将高频下的电路结构(a)图等 根据上述各元件的参数，可将高频下的电路结构(a) (a)图等 效为(b) (b)图 进而化简为(c)图 由于电路形状象Π 效为(b)图,进而化简为 图。由于电路形状象Π，各元件 参数具有不同的量纲，因而称之为混合参数Π型模型， 参数具有不同的量纲，因而称之为混合参数Π型模型，即 晶体管高频微变等效电路。 晶体管高频微变等效电路。
fα、fT、 fβ的关系为 fα>fT> fβ
3.3 晶体管高频微变等效电路
节导出的H参数微变等效电路适用于中频放大电 在2.4.1节导出的 参数微变等效电路适用于中频放大电 节导出的 但在高频的情况下，由于晶体管的极间电容不可忽略， 路。但在高频的情况下，由于晶体管的极间电容不可忽略， 其物理过程有些差异，为此，引出高频微变等效电路， 其物理过程有些差异，为此，引出高频微变等效电路，即混 合参数Π型模型 型模型。 合参数 型模型。 3.3.1 混合参数Π型模型 混合参数 型模型
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第三章 放大电路的频率特性
在电子电路中所遇到的信号往往不是单一频 率的正弦信号， 率的正弦信号，而是各种不同频率分量组成的复 合信号。由于晶体管本身具有电容效应， 合信号。由于晶体管本身具有电容效应，以及放 大电路中存在电抗元件(如耦合电容 如耦合电容C 大电路中存在电抗元件 如耦合电容 1、C2和旁路 电容C ，因此，对于不同频率分量， 电容 E)，因此，对于不同频率分量，电抗元件的 电抗和相位移均不同。所以， 电抗和相位移均不同。所以，放大电路的电压放 大倍数A 和相角φ成为频率的函数 成为频率的函数。 大倍数 u和相角 成为频率的函数。我们把这种函 数关系称为放大电路的频率响应或频率特性。 数关系称为放大电路的频率响应或频率特性。
3.3.2
高频微变等效电路参数的获得
低频区Π参数和 参数等效电路比较 低频区Π参数和H参数等效电路比较 1.电阻参数 b'e和互导gm 电阻参数r 电阻参数 和互导g 在低频区，如果忽略C 影响，则晶体管的H 在低频区，如果忽略 b‘e和Cb’c影响，则晶体管的H参数 模型与Π参数模型是一致的， 模型与Π参数模型是一致的，所以高频微变等效电路中的电 阻参数和互导g 都可以通过低频微变等效电路中H参数得到。 阻参数和互导gm都可以通过低频微变等效电路中H参数得到。 ∵ rbe= rb b'+rb'e = rb b' +(1+β0)26/IE ∴ rb'e = (1+β0)26/IE Ub'e=Ib rb'e ∵gmUb'e=βIb ∴gm= β0/ rb'e ≈ IE / 26
β=
β0
f 1+ j fβ
β=
β0
f ? 1+? ? ?f ? ? β?
2
(幅频特性 幅频特性) 幅频特性
φβ=-arctan f/fβ
(相频特性 相频特性) 相频特性
将β幅值下降到0·707β0时的频率 β定义为的截止频率。 幅值下降到 β 时的频率f 定义为的截止频率。
3.4 共发射极放大电路的频率特性
在对放大电路的具体分析时，通常分成三个频段考虑： 在对放大电路的具体分析时，通常分成三个频段考虑： (1)中频段： 全部电容均不考虑 ， 耦合电容视为短路 ， 级 中频段： 中频段 全部电容均不考虑，耦合电容视为短路， 间电容视为开路。 间电容视为开路。 (2)低频段： 耦合电容的容抗不能忽略 ， 而极间电容视为 低频段： 低频段 耦合电容的容抗不能忽略， 开路。 开路。 (3)高频段： 耦合电容视为短路 ， 而极间电容的容抗不能 高频段： 高频段 耦合电容视为短路， 忽略。 忽略。 这样求得三个频段的频率特性，然后再进行综合。 这样求得三个频段的频率特性，然后再进行综合。这样做 的优点是，可使分析过程简单明了， 的优点是，可使分析过程简单明了，且有助于从物理概念上 来理解各个参数对频率特性的影响。 来理解各个参数对频率特性的影响。 下面以共发射极放大电路为例，分别讨论中频、 下面以共发射极放大电路为例，分别讨论中频、低频和高 频时频率特性。 频时频率特性。
幅 频 失 真
相 频 失 真
3.2 晶体管的频率参数
影响放大电路的频率特性，除了电容外，还有影响高频特 影响放大电路的频率特性，除了电容外， 性的晶体管内部频率参数：共射极截止频率f 特征频率f 性的晶体管内部频率参数：共射极截止频率 β、特征频率 T 和共基极截止频率f 和共基极截止频率 α等。
3.4 共发射极放大电路的频率特性
波特图 将横坐标用lgf， 幅频特性的纵坐标为201g， 单位 将横坐标用 ， 幅频特性的纵坐标为 ， 为分贝(dB)；相频特性的纵坐标仍用 ，而不取对数。 为分贝 ；相频特性的纵坐标仍用φ，而不取对数。 这样得到的频率特性称为对数频率特性或波特图。 这样得到的频率特性称为对数频率特性或波特图。 采用对数坐标的优点主要是将频率特性压缩了， 采用对数坐标的优点主要是将频率特性压缩了 ， 可以在较小的坐标范围内表示较宽的频率范围， 可以在较小的坐标范围内表示较宽的频率范围 ， 使 低频段和高频段的特性都表示得很清楚。 而且将乘、 低频段和高频段的特性都表示得很清楚 。 而且将乘 、 除法运算转换为加、减法运算。 除法运算转换为加、减法运算。 ?下面分别讨论共发射极放大电路中 、 低 、 高频时的 下面分别讨论共发射极放大电路中、 下面分别讨论共发射极放大电路中 频率特性。 频率特性。
RC低通电路图 低通电路图
3. 低频区 在放大电路的低频区内，耦合电容和射 在放大电路的低频区内， 极旁路电容对放大电路的影响，可用RC高 极旁路电容对放大电路的影响，可用 高 通电路图来模拟。当频率降低时， 通电路图来模拟。当频率降低时，容抗增 致使容抗上的分压加大， 大，致使容抗上的分压加大，放大电路的 输出电压减小，从而使放大倍数降低。 输出电压减小，从而使放大倍数降低。同 时也会在输出电压与输入电压间产生附加 的超前相移。 的超前相移。
3.2.3
基极截止频率f 基极截止频率 α
共发射极放大电路的电流放 共发射极放大电路的电流放 大系数α也是频率的函数， 大系数α也是频率的函数，当 频率升高时， 频率升高时， α的幅值下降 到0·707α0时的频率 α定义为 α 时的频率f 的截止频率。 的截止频率。 ?由α与β的关系可得 由 fα=(1+β0)fβ β ?共基极放大电路的频率特性 共基极放大电路的频率特性 要比共发射极放大电路的频率 特性好的多。 特性好的多。
电容C 2.电容 b'e和Cb'c Cb'e= gm/2πfT fT和Cb’c可从手册中查到 ? 同低频微变等效电路一样，高频小信号等效电路 同低频微变等效电路一样， 中的参数也要采用Q点上的参数。 中的参数也要采用Q点上的参数。 ? 注意上式中的β0是中频共发射极电流放大系数， 注意上式中的β 是中频共发射极电流放大系数， 通常器件手册中所给出的参数就是β 通常器件手册中所给出的参数就是 0
3.2.2