三极管及MOS管的讲解.
三极管 npn mos管 沟道
三极管、NPN型MOS管、沟道是电子元件中常见的三种类型的晶体管。
它们在电路中扮演着重要的角色，带来了电子技术的革命性变革。
本文将对这三种晶体管进行详细的介绍和分析。
一、三极管三极管是一种常用的半导体元件，由三个掺杂不同的半导体结构组成。
它由发射极、基极和集电极三个电极组成。
其中，发射极和集电极之间的电场可以通过对基极电流的控制进行放大。
三极管可以分为PNP型和NPN型两种类型，其中NPN型三极管是最常见的一种。
1. NPN型三极管NPN型三极管的结构由P型导电区、N型基极和P型发射极组成。
当在基特殊施加正电压时，由于电子与空穴的净迁移性不同，电子会从基极穿过到发射极，形成电流。
由于集电特殊与基特殊之间存在反向偏置电压，因此电子会被集电极吸收，形成放大作用。
2. 三极管的特性三极管具有放大作用，可以对输入信号进行放大。
它还具有开关功能，可以被用于数字电路中。
另外，三极管的工作频率也较高，可以达到几十吉赫兹。
二、 NPN型MOS管N型金属氧化物半导体场效应管（NPN型MOS管）是一种场效应管。
它由金属栅极、氧化物绝缘层和N型半导体构成。
NPN型MOS管与三极管相比，具有更高的输入阻抗和更低的驱动功率。
1. MOS管的工作原理NPN型MOS管的工作原理是通过改变栅极和源极之间的电压来调整沟道的电荷密度，从而影响漏极和源极之间的电流。
当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，沟道中的电荷密度增加，漏极和源极之间的电流增大，形成导通状态。
当电压小于阈值电压时，沟道中的电荷密度减小，漏极和源极之间的电流减小，形成截止状态。
2. MOS管的特性MOS管具有高输入阻抗、低功耗、高频特性好等特点。
它的工作速度快，可以达到数十千赫兹。
MOS管在数字电路和模拟电路中有着广泛的应用。
三、沟道在N型MOS管中，沟道是指在栅极和源极之间的半导体区域。
沟道的电荷密度决定了MOS管的导通特性。
通过控制沟道中的电荷密度，可以实现对MOS管的控制，从而实现对电路的控制。
三极管与mos管工作原理
三极管与mos管工作原理三极管与MOS管是现代电子器件中常见的两种晶体管。
它们在各自的工作原理下，实现了信号放大、开关控制等功能。
本文将分别介绍三极管与MOS管的工作原理，并对其异同点进行比较。
一、三极管的工作原理三极管是一种由三个掺杂不同材料的半导体层组成的晶体管。
它的结构包括一块P型半导体（基极）、一块N型半导体（发射极）和一块P型半导体（集电极）。
当三极管处于正常工作状态时，发射极与基极之间的结为PN结，基极与集电极之间的结为NP结。
在三极管的工作过程中，发射极接收到的控制信号将会影响到基极与发射极之间的电流。
当发射极接收到正向偏置的控制信号时，PN 结会被击穿，形成一个电流通路，使得集电极与发射极之间的电流得以流动。
这种状态被称为饱和区。
而当发射极接收到反向偏置的控制信号时，PN结不会被击穿，电流无法流动，此时三极管处于截止区。
三极管通过调节发射极与基极之间的电流来控制集电极与发射极之间的电流，从而实现信号放大的功能。
当输入信号的幅度增大时，三极管会放大信号，输出信号的幅度也随之增大。
然而，三极管也存在一些缺点，比如体积较大、功耗较高等。
二、MOS管的工作原理MOS管是一种由金属氧化物半导体（MOS）结构构成的晶体管。
它的结构包括一块P型或N型半导体（基极）、一层绝缘层和一块N型或P型半导体（源极和漏极）。
绝缘层通常由氧化硅制成。
MOS管的工作原理是通过调节栅极电压来控制漏极与源极之间的电流。
当栅极施加正向偏置时，栅极与基极之间会形成一个正向导通的电势差，使得漏极与源极之间的电流得以流动，此时MOS管处于导通状态。
而当栅极施加反向偏置时，栅极与基极之间会形成一个反向的电势差，电流无法流动，此时MOS管处于截止状态。
MOS管相较于三极管具有许多优点，比如体积小、功耗低、开关速度快等。
此外，MOS管还可以实现集成电路的制造，使得其在现代电子器件中得到广泛应用。
三、三极管与MOS管的比较三极管和MOS管在工作原理上有一些重要的区别。
3极管和mos管
3极管和mos管3极管和MOS管是电子行业里使用最普遍的器件类别，它们都是表示晶体管的一种类型，广泛应用于电子设备及元器件的数字和模拟电路中。
本文将重点介绍3极管和MOS管的概念、功能特性、应用领域以及发展状况。
首先，3极管是一种特殊的晶体管类型，是由三个接口（基、集、放）组成的半导体器件。
三极管可以分为NPN和PNP两种类型，区别在于放电极（放电口）的极性是不一样的。
三极管具有较高的电阻上升、放大和抑制电子信号的作用，可以用于电子电路中的放大、模拟和数字电路中。
MOS管也叫做场效应管，是一种特殊的晶体管，以及其相关的场效应及其器件。
MOS管主要由基极、集极、源极和控制极组成。
它可以更便捷地控制半导体内部的流体，可以有效地控制信号和电流，从而在电路中实现高速放大和控制。
MOS管最常见的应用有电路保护、开关和放大电路等。
三极管和MOS管都有其独特的功能特性和优势，它们的应用领域也不同。
三极管主要用于功率电路，如控制大功率设备的接口和实现电路的放大作用；MOS管主要用于控制小功率的设备，如电子驱动器、通信芯片、显示器等。
随着电子产品的创新和发展，3极管和MOS管在电子行业中的广泛应用也受到了一定程度的改进和发展。
在三极管方面，经过不断改良，它的稳定性、对电压的反应灵敏度、电路控制和抗冲击等性能都得到不断提高；而在MOS管方面，受到半导体发展的推动，它的发展从普通的MOS管向MOSFET、CMOS等方向发展，可以更有效地控制电路，提高放大性能。
总之，三极管和MOS管都是电子行业中非常重要的器件，它们的发展极大地推动了电子设备的创新和发展，也提供给其他行业了更多的应用机会。
未来，3极管和MOS管都将继续受到重视，并有望开发出更先进的产品，为电子行业带来更多的创新技术和发展。
三极管和mos面试知识点
三极管和mos面试知识点三极管和MOS是电子学中非常重要的两种器件，它们在电路设计和集成电路中起着至关重要的作用。
以下是关于三极管和MOS的面试知识点：1. 三极管的工作原理：三极管是一种半导体器件，由发射极、基极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当在基极-发射极之间施加正向偏置电压时，发射结和基结被正向偏置，电子注入基区，从而使得集电结被反向偏置，集电极电流被控制。
这种特性使得三极管可以作为放大器、开关等电路中使用。
2. MOS场效应晶体管的工作原理：MOSFET是一种主要由金属-氧化物-半导体构成的场效应晶体管。
它的工作原理是通过栅极电压控制通道中的电子或空穴浓度，从而控制漏极和源极之间的电流。
当栅极施加正向电压时，电子或空穴被吸引到通道中，形成导电通道，从而使得漏极和源极之间的电流增大。
MOSFET因其高输入阻抗和低功耗而被广泛应用于集成电路和数字电路中。
3. 三极管和MOS的区别：三极管和MOSFET虽然都是用于放大和开关的器件，但它们有一些重要的区别。
三极管是双极型器件，其控制极和输出极之间的电流由输入极控制，而MOSFET是场效应型器件，其控制极和输出极之间的电流由栅极电压控制。
此外，MOSFET的输入电阻比三极管高，功耗低，速度快，适合于集成电路的制造。
4. 应用领域：三极管在模拟电路中广泛应用，例如放大器、振荡器和开关等。
而MOSFET主要应用于数字集成电路、功率放大器、开关电源等领域。
以上是关于三极管和MOS的一些面试知识点，希望能够帮助你更好地理解这两种重要的电子器件。
三极管和mos管
三极管和mos管三极管和Metal-oxide-semiconductor(MOS)管是目前最常用的半导体器件，广泛应用于电子设计和电路设计。
本文将介绍三极管和MOS管的原理，构成，功能和应用等内容。
三极管是一种三端口电子器件，由源极、漏极和控制极构成。
它的工作原理是利用其内部电子来控制流经漏极的电流，从而控制输出电流。
三极管电路可以实现电流放大、截止、限幅、延迟、电源识别和时间控制等功能。
三极管电路在电子电路和控制系统中广泛应用，特别是在功率放大器中，它的优良的功率特性和良好的稳定性深受用户的欢迎。
MOS管是一种二极管装置，由三个主要部分：金属氧化物电界-硅制成的发射极、接地和源极组成。
它具有低电压、低功耗、高效率、抗电磁干扰等先进特性，大大减少了电路中的热量发生。
MOS管电路广泛应用于电子计算机、通讯、自动控制和测试等领域，它具有低功耗，可靠性高，可以实现简单的几乎所有电子电路功能，是当今电子设计的重要组成部分。
三极管和MOS管彼此有共同的特性，但也有一些重要的不同之处。
基本上，MOS管要求较低的功率，比三极管更加高效，但三极管的电流放大能力较强，可以有效地提高系统的效率。
此外，三极管的功率消耗也大于MOS管。
然而，MOS管因其较高的电容，也存在着延迟和泄漏电流这两个缺点，使得它在某些特定场合使用不太合适。
上述内容介绍了三极管和MOS管的基本原理，构成和功能，以及它们之间的异同。
它们在电子设计中共同扮演重要角色，能够实现电流放大、截止、限幅、延迟、电源识别和时间控制等功能，并得到了广泛的应用。
未来的研究将着重于提高该类器件的性能和可靠性，使其在更广泛的领域中得到应用。
三极管和MOS管驱动电路的正确用法
1三极管和MOS 管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。
有NPN 型三极管和PNP 型三极管两种,符号如下:MOS 管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。
有P 沟道MOS 管（简称PMOS ）和N 沟道MoS 管（简称NMOS ）,符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS 管）：2三极管和MOS 管的正确应用（1）NPN 型三极管适合射极接GND 集电极接负载到VCC 的情况。
只要基极电压高于射极电压（此处为GND ）0.7V,即发射结正偏（VBE 为正），NPN 型三极管即可开始导通。
基极用高电平驱动NPN 型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-2Ok 到GND ；（a ） N 沟道增强型MoS 管结构（b ） N 沟通增强型MOS （C ） P 沟道增强型 示意图 省代表符号 MOS 管代表符号优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2） PNP型三极管（3）适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。
只要基极电压低于射极电压（此处为VCe）0.7V,即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。
基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；（4）优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
（5）所以，如上所述：对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。
不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。
对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。
不够周到的设计是，负载R14接在发射极和VCC之间。
三极管和MOS管的区别，这样总结很好理解！
三极管和MOS管的区别，这样总结很好理解！1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。
二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。
MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。
要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。
但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。
自激振荡三极管和mos管-概述说明以及解释
自激振荡三极管和mos管-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述：自激振荡是一种常见于电子电路中的现象，通过在三极管和MOS管中引入反馈回路，使得电路产生自身驱动的振荡信号。
本文将重点讨论自激振荡的原理及其在电路设计中的应用。
首先，我们将介绍三极管和MOS 管的基本原理，然后详细解释自激振荡的概念及其特点。
最后，我们将探讨自激振荡在实际应用中的意义和存在的潜在问题，并展望未来研究方向。
通过本文的阐述，读者将对自激振荡有更深入的了解，并可以应用这一技术在电路设计中取得更好的效果。
1.2 文章结构：本文将从三个方面展开讨论自激振荡三极管和MOS管的相关知识。
首先，会介绍三极管和MOS管的基本原理，包括工作原理、结构特点和特性参数等内容。
其次，会深入探讨自激振荡的概念，包括自激振荡产生的原因、特点以及影响因素等方面。
最后，文章将总结自激振荡三极管和MOS管在实际应用中的意义和价值，探讨可能存在的潜在问题，并提出相应的解决方案。
同时，还会展望未来自激振荡领域的研究方向，为读者提供对该领域更加深入了解和探索的参考资料。
通过全面系统地介绍和分析，读者将能够更好地理解自激振荡三极管和MOS管的原理和应用，为相关领域的研究和实践提供有益的启示。
1.3 目的本文旨在探讨自激振荡三极管和MOS管的原理和应用。
通过对三极管和MOS管的基本原理进行介绍，以及解释自激振荡的概念，可以帮助读者更好地理解这两种器件的工作原理和特性。
同时，分析自激振荡的应用与意义，有助于读者深入了解其在电子领域中的实际应用场景，为工程师和研究人员提供更多的参考和启发。
此外，对于自激振荡可能存在的潜在问题，本文也将提供解决方案，并展望未来研究方向，以激发更多关于自激振荡三极管和MOS管的深入研究和探索。
通过本文的研究，旨在促进相关技术的发展和应用，推动电子领域的进步。
2.正文2.1 三极管的基本原理三极管是一种常用的半导体器件，由三个区别于晶体管基本原件的掺杂程度不同的半导体区域构成。
三极管和Mos管学习笔记
三极管是电流器件。
饱和模式和截止模式主要用于数字电路中
当做开关，开关关闭，就是工作在截止模式，集电极和发射极都是反偏。
（基极无电流，I(C)=I(CEO)=0.）电压U(BE)<死区电压。
开关导通，工作在饱和区，集电极和发射极都是正偏。
（u(ce)<u(be)，I(B)>I(C),U(CE)<0.3V）
场效应管是多子导电，输入阻抗高，温度稳定特性好。
结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS
在实际的开关电源电路中使用最多的是N沟道增强型，导通电阻小，易制作。
漏极和源极有个寄生二极管。
N沟道增强型，栅极与源极两端的电压大于一定值就会导通，适用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4或者10V就可以。
P沟道增强型，栅极和源极的电压小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC的情况。
但是导通电阻大。
MOs管是电压驱动，只要栅极与源极的电压超过一定的电压就可导通。
MOS管有开关损耗。
三极管损耗大。
MOS常用于电源开关和大电流开关电路。
MOS管高频高速电路。
三极管MOS管工作原理及详解
三极管MOS管工作原理及详解三极管和MOS管是电子器件中非常重要的两种器件，它们在各种电子设备中起到重要的作用。
下面就来详细介绍一下三极管和MOS管的工作原理。
一、三极管工作原理及详解：三极管是一种用于放大和控制电流的电子器件，它由三个控制区域（发射极、基极和集电极）组成。
三极管的工作原理是基于PN结的特性。
1.1NPN三极管的工作原理：NPN三极管的结构是由一段P型半导体材料夹在两段N型半导体材料中形成的。
其中，N型半导体材料为发射极（Emitter），P型半导体材料为基极（Base），N型半导体材料为集电极（Collector）。
当三极管的基极与发射极之间加上正向电压时，基极-发射极之间的PN结就会被正向偏置，这时，PN结中的正电荷将会被电场吹向PN结的两端，导致PN结变窄。
当这个PN结窄到一定程度时，它会发生击穿，形成一个电荷云，进而形成电子-空穴对。
这种电子-空穴对将会形成一个电流，从发射极流经基极，最后到达集电极。
1.2PNP三极管的工作原理：PNP三极管的结构是由一段N型半导体材料夹在两段P型半导体材料中形成的。
其中，P型半导体材料为发射极，N型半导体材料为基极，P型半导体材料为集电极。
当三极管的基极与发射极之间加上反向电压时，基极-发射极之间的PN结就会被反向偏置，这时，PN结中的正电荷将会向基极方向靠拢，导致PN结变宽。
当这个PN结变宽到一定程度时，它会阻断整个电路，形成一个高电阻状态。
因此，PNP三极管的工作原理与NPN三极管的工作原理完全相反。
二、MOS管工作原理及详解：MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），它是一种基于金属氧化物半导体的结构设计的器件。
MOS管的结构包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。
栅极与源极之间通过一个绝缘层隔开，绝缘层上方覆盖一个金属层，作为栅极。
三极管mos管的经典电路
三极管mos管的经典电路三极管和MOS管是电子元器件中最常见的两种晶体管，它们在电路设计中有着广泛的应用。
本文将介绍三极管和MOS管的基本原理和经典电路。
一、三极管三极管是一种三端口的半导体器件，由基极、发射极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当基极电流增加时，集电极电流也会随之增加。
三极管的主要特点是放大和开关功能。
1. 放大电路放大电路是三极管最常见的应用之一。
放大电路可以将输入信号放大到更高的电平，以便于后续电路的处理。
常见的放大电路有共射放大电路、共基放大电路和共集放大电路。
共射放大电路是最常见的放大电路之一。
它的基极接在输入信号上，集电极接在输出负载上，发射极接地。
当输入信号为正时，基极电流增加，集电极电流也随之增加，输出电压也随之增加。
共射放大电路的放大倍数可以通过改变电路中的电阻值来调整。
共基放大电路是另一种常见的放大电路。
它的发射极接在输入信号上，集电极接在输出负载上，基极接地。
当输入信号为正时，发射极电流增加，集电极电流也随之增加，输出电压也随之增加。
共基放大电路的放大倍数比共射放大电路高，但它的输入阻抗较低。
共集放大电路是一种输出电压与输入电压同相的放大电路。
它的集电极接在输入信号上，发射极接在输出负载上，基极接地。
当输入信号为正时，集电极电流增加，输出电压也随之增加。
共集放大电路的放大倍数比共射放大电路低，但它的输入阻抗较高。
2. 开关电路三极管还可以用作开关电路。
当三极管的基极电流为零时，集电极电流也为零，此时三极管处于关闭状态。
当基极电流增加时，集电极电流也随之增加，此时三极管处于开启状态。
开关电路常用于控制电路中的负载开关。
二、MOS管MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应管，由栅极、漏极和源极组成。
它的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流。
当栅极电压增加时，漏极电流也会随之增加。
MOS管的主要特点是高输入阻抗和低功耗。
1. 放大电路MOS管可以用于放大电路。
三极管及MOS管的讲解
2、晶体管电路中的电流方式
(1) 三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出， 这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。 共发射极接法，发射极作为公共电极； 共集电极接法，集电极作为公共电极；
共基极接法，基极作为公共电极。
共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图
02.04所示Βιβλιοθήκη 。 图02.04 共发射极接法的电压-电流关系
1) 共射接法中的电流传输方程式 通过改变IB可控制IC的变化。
IC＋ IB IC≈ IE＝ (IC＋IB)＝
（1－ ）IC≈ IB IC≈
1
IB＝ IB
控制系数（传输系数） ≈IC／IB
称为直流共射集-基电流比或直流电流放大倍
数。
3.3.2 共射接法晶体管的特性曲线
图02.02 双极型三极管的电流传输关系
1）发射区向基区发射电子 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散
，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向 发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流 为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓 度。IE＝IEN＋IEP≈IEN。 （2）电子在基区的扩散和复合情况 进入基区的电子将向集电结方向扩散。在扩散过程中， 有部分电子与基区的多子空穴复合而消失，被复合的电 子形成的电流是IBN （3）集电极收集电子 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会 较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电 子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边 上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成 集电极电流ICN。 结论：IEN＝ICN＋IBN 且有IEN>> IBN ， ICN>>IBN
mos管的放大区和三极管的放大区
【导言】当今社会，电子科技发展迅速，各种电子元器件在日常生活和工业生产中扮演着重要角色。
在这些元器件中，MOS管和三极管是两种重要的半导体器件，它们在电子电路中扮演着放大信号、开关控制等重要作用。
本文将重点探讨MOS管和三极管的放大区，探讨它们在电子电路中的应用和工作原理。
【正文】一、MOS管的放大区MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，它包括栅极、漏极和源极。
在MOS管的工作中，当栅极施加一定电压时，形成电场，从而控制漏极和源极之间的电流。
在MOS管的放大区，主要是指由栅极控制的漏极-源极之间的电流放大功能。
1. MOS管的放大功能在MOS管中，当栅极施加一定电压时，形成电场，控制了漏极和源极之间的电流。
通过调节栅极电压，可以实现漏极-源极间电流的放大，从而实现MOS管作为放大器的功能。
2. MOS管的应用MOS管因其高输入阻抗、低功耗等特点，在集成电路中得到广泛应用，例如作为开关、放大器等功能模块的基本元器件。
3. MOS管的工作原理MOS管的工作原理主要由栅极电场控制漏极和源极间的电流，因此在放大区，栅极电压的大小将直接影响漏极-源极间电流的大小，实现了信号的放大。
二、三极管的放大区三极管是一种有源器件，它包括发射极、基极和集电极。
在三极管的工作中，基极电流的变化将导致发射极-集电极间电流的放大。
因此在三极管的放大区，主要是指由基极控制的发射极-集电极间电流的放大功能。
1. 三极管的放大功能在三极管中，当基极电流变化时，将导致发射极-集电极间的电流变化，通过适当的电路设计，可以实现这一变化的放大，从而实现三极管作为放大器的功能。
2. 三极管的应用三极管在电子电路中应用广泛，例如在放大、开关控制、稳压等功能中都有重要作用。
3. 三极管的工作原理三极管的工作原理主要由基极电流控制发射极-集电极间的电流放大，由于三极管是有源器件，所以它可以在电路中实现较大的功率放大。
三、MOS管和三极管的比较1. 工作原理比较MOS管的放大区是由栅极电场控制漏极-源极间的电流，而三极管的放大区是由基极电流控制发射极-集电极间的电流。
三极管MOS管
2、晶体三极管的符号 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号：Q
Q
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Q
图9 三极管符号
三极管型号的判断：
三极管的作用
一、放大作用（主要用在模拟电路中） 二、开关作用（主要用在数字电路中） b
c
e
场效应管：Q
识别： 用字母Q表示，英文名MOS 三个脚 板上大多为场效应管 场效应管（mos）
E
N沟道MOS管
P沟道MOS管
MOS管
D
G
高电平导通
低电平导通
S
Mos分辨：
N沟道mos管与P沟道mos分辨方法： 1.测量D、S极中保护二极管方向 保护二极管s到d ----n沟道 保护二极管d到s ----p沟道
N沟道MOS管 D G N P S 二极管SD S 二极管DS G
P沟道MOS管 D
优点：
1.成本低 2.功率大于三极管 3.性能优于三极管 4.功能同于三极管 G
D
S
场效应管结构：
电容 C
场效应管 MOS D 漏极
G 闸极 保护二极管 三极管电流控制型 Mos电压控制型元件 S 源极
场效应管作用： 三极管
B
• 放大(模拟电路----功放)、 • 开关（数字电路----电脑）
C
（2）. 三极管的结构
特点：
图8 三极管的结构图
有三个区——发射区、基区、集电区； 两个PN结——发射结（BE结）、集电结（BC结）； 三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c©； 两种类型—— P N P型管和NPN型管。 工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少； 集电区比发射区体积大且掺杂少。
三极管MOS管原理
三极管MOS管原理三极管（Transistor）是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。
其中最常见的类型是双极性（bipolar）三极管和场效应型（field-effect）三极管，也被分别称为BJT三极管和MOSFET三极管。
本文将主要介绍MOS管的工作原理，并详细解释其组成、工作方式和应用。
一、MOS管的结构MOS管是由金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）构成的。
它由三个主要部分组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
在MOS管的结构中，源极和漏极被P型或N型半导体所构成，中间的区域则被绝缘的氧化层隔开，形成栅极。
二、MOS管的工作原理MOS管的工作原理可以通过栅极-漏极间的电压变化来解释。
当栅极电压为0伏时，氧化层是绝缘的，此时源极和漏极之间没有电流流动。
当栅极电压加大到一个阈值电压（Threshold Voltage）以上，氧化层变为导电，电流开始在源极和漏极之间流动。
MOS管的电流流动方式由栅极电压和源漏电压的关系决定。
主要有三种工作区：割断区（Cut-off Region）、放大区（Triode Region）和饱和区（Saturation Region）。
1.割断区：当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于割断区，没有电流流动。
即使源漏电压增大，电流仍然维持在一个极小的值。
2.放大区：当栅极电压大于阈值电压时，MOS管处于放大区。
源漏电压变化会引起漏极电流的变化，具有较大的增益。
此时漏极电流和源漏电压之间的关系呈线性。
3.饱和区：当源漏电压增加到一定值时，MOS管进入饱和区。
源漏电流达到最大值，而漏极电流与源漏电压几乎无关。
三、MOS管的应用MOS管由于其结构简单、体积小、功耗低以及可靠性较高等优点，在电子电路中应用广泛。
主要包括以下几个方面：1.开关：MOS管可以使用栅极的电压变化来控制源漏电流的开关。
当栅极电压高于阈值电压时，电流通路打开，否则关闭。
三极管MOS管原理很详细
三极管MOS管原理很详细三极管和MOS管是常见的电子元器件，广泛应用于各种电子设备中。
这两种管子的原理有一些相似之处，同时也有一些不同之处。
下面将详细介绍三极管和MOS管的原理。
三极管原理：三极管，又称为晶体管，包括NPN型和PNP型两种结构。
以NPN型为例，它由三个不同类型的半导体材料组成：一个n型基区夹在两个p型区域（发射极和集电极）之间。
当三极管被正确连接到电路中后，通过正向偏置电源将发射结与基结相连，集电结与发射结相连时，将形成一个闭环回路。
在基电流的作用下，发射结电流将增加，导致集电结电流的增加。
同时，由于集电结中的能量损耗，可能会产生集热功耗。
三极管的电流放大特性来自于基电流对集电极电流的控制。
当输入电流到达三极管的基极时，它会通过发射极进行放大，并通过集电极输出增大后的电流。
这些特性使三极管成为许多电子设备中放大电路的重要组成部分。
MOS管原理：MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应管，结构主要由金属栅，氧化物介电层和半导体材料组成，其中半导体材料由n型或p型沟道构成。
MOS管的工作原理与三极管有所不同。
当一个正向电源连接到MOS管的栅电极时，将形成一个电场，使沟道中的载流子产生和流动。
当栅电极电压变化时，MOS管中的电场也会变化，从而调节沟道中的载流子的流动。
MOS管有两种形式：N沟道MOS（NMOS）和P沟道MOS（PMOS）。
在NMOS中，沟道中的载流子为n型，而在PMOS中，沟道中的载流子为p型。
两种类型的MOS管主要通过控制栅电压来调节电流。
除了NMOS和PMOS之外，还有一种MOS管称为CMOS（互补型金属-氧化物-半导体管）。
CMOS由NMOS和PMOS组合而成，可以提供更低的功耗和更高的集成度。
总结：三极管和MOS管是两种常用的电子元件，其工作原理有一些相似之处，但也存在一些不同。
三极管主要通过控制基电流来调节集电极电流，用于放大电路。
而MOS管通过控制栅电压来调节沟道中的载流子流动，用于逻辑门和数字电路。
三极管MOS管原理
三极管MOS管原理三极管和MOS管是常用的半导体器件，具有不同的工作原理和应用。
下面将分别介绍三极管和MOS管的工作原理。
一、三极管的工作原理三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B），发射极（E）和集电极（C）。
它可以作为放大器、开关或其他电子电路的核心元件。
1.NPN型三极管NPN型三极管是一种npn型结构，其三个区域分别由一层n型半导体夹在两层p型半导体之间形成。
基极与发射极之间的结为正偏，而基极与集电极之间的结为反偏。
当基极与发射极之间施加正向电压时，它将注入电子到发射区域，从而形成电流流动。
这个电流是由于少数载流子的注入，所以它是个小电流。
当集电极与发射极之间施加一定的正向电压时，由于集电区域存在很多空穴，电流会通过集电区域。
2.PNP型三极管PNP型三极管是一种pnp型结构，其三个区域分别由一层p型半导体夹在两层n型半导体之间形成。
基极与发射极之间的结为正偏，而基极与集电极之间的结为反偏。
当基极与发射极之间施加正向电压时，它将注入空穴到发射区域，从而形成电流流动。
当集电极与发射极之间施加一定的正向电压时，由于集电区域存在很多电子，电流会通过集电区域。
二、MOS管的工作原理MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称，即Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。
它由两个p型半导体区域和一个n型半导体区域组成，n型区域被夹在两个p型区域之间。
MOS管也经常用作放大器和开关。
1.nMOS管nMOS管由一个n型沟道和两个p型区域（源和漏）组成。
当正电压施加到栅极时，栅极和沟道之间形成一个正电场，导致沟道形成导电通道，可以流过电流。
这种情况下，nMOS处于导通状态。
2.pMOS管pMOS管由一个p型沟道和两个n型区域（源和漏）组成。
当负电压施加到栅极时，栅极和沟道之间形成一个负电场，导致沟道形成导电通道，可以流过电流。
这种情况下，pMOS处于导通状态。
三极管及MOS管的讲解.
特性曲线将向右略微移动一图些02.05 共放射极接法输入特性曲线
。但UCE再增加时，曲线右移
2、输出特性曲线
输出特性曲线—— IC＝f〔UCE〕 I B＝常数
共放射极接法的输出特性曲线如图02.06所示， 它是以IB为参变量的一族特性曲线。输出特性曲 线可以分为三个区域。现以其中任何一条加以说 明，当UCE =0 V时，因集电极无收集作用， IC=0。当UCE微微增大时，放射结虽处于正向 电压之下，但集电结反偏电压〔UCB =UCE— UBE〕很小，收集电子的力量很弱，IC主要由 UCE打算，此区域称为饱和区。当UCE增加到 使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子 根本上都可以被集电区收集，此后UCE再增加， 电流也没有明显的增加，特性曲线进入与UCE轴 根本平行的区域 (这与输入特性曲线随UCE增大 而右移的缘由是全都的) ，此区域称为放大区。
图02.06 共放射极接法输出特性曲线
〔1〕截止区——IC接近零的区域，相当IB=0的 曲线的下方。此时，放射结反偏，集电结反偏。
〔2〕放大区——IC平行于UCE轴的区域，曲线 根本平行等距。此时，放射结正偏，集电结反偏。
实际上，大约在UCE>1V和IB>0的区域是输出特 性曲线族上的放大区。此区为放大电路中晶体管 应处的工作区域。
1、晶体管中载流子的移动 双极型半导体三极管在工作时肯定要加上适当的
直流偏置电压。假设在放大工作状态：放射结加 正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三 极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流 关系， 见图02.02。
图02.02 双极型三极管的电流传输关系
1〕放射区向基区放射电子 放射结加正偏时，从放射区将有大量的电子向基区集中，
放大区与饱和区的分界限集电结零偏〔UCE =UBE〕时 对应曲线。
三极管和mos管工作原理
三极管和mos管工作原理在现代电子技术领域中，三极管（BJT）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）是两种最常见且基础的电子元件。
它们在电路设计和应用中扮演着重要的角色。
本文将介绍三极管和MOS管的工作原理、结构特点以及应用领域。
一、三极管（BJT）的工作原理三极管是一种三端电子器件，由基极（B），发射极（E）和集电极（C）组成。
它是基于PN结的构建而成。
在NPN型三极管中，集电极为P型，发射极为N型，基极也为P 型；在PNP型三极管中，集电极为N型，发射极为P型，基极也为N 型。
三极管的工作原理基于二极管的PN结。
当NPN型三极管中的基极电压为正值时，由于P型基极与N型发射极之间的PN结正偏，会导致电子从N型发射区注入到P型基区。
这个过程被称为“注入”。
这些注入到基区的电子会受到基区的电场影响，向集电极移动，同时由于集电结正极偏，形成电流，即集电极电流。
三极管的放大效果是由于基区的电流变化引起发射结中载流子浓度变化，从而影响集电结中的电流，实现电流的放大。
总结起来，三极管通过控制集电极电流与基极电流之间的比例关系，实现电流的放大和控制。
二、MOS管的工作原理MOS管又称MOSFET，是一种基于金属氧化物半导体结构构建的场效应管，具有高阻抗输入和高电流放大特性。
MOSFET由栅极（G），漏极（D）和源极（S）构成。
与三极管相比，MOSFET的结构相对简单。
栅极与漏极之间通过氧化层隔离，形成一个非常小的电容，这个电容可以存储电荷，从而改变栅源间的电场。
MOSFET的工作原理基于栅极电压的变化。
当栅极施加正电压时，会产生电场效应，将氧化层下的N型沟道区域加上电场，使其形成导电通道。
这个过程被称为“沟道形成”。
当漏源间施加正向电压时，电子将从源极注入到沟道中，并通过漏极产生电流。
MOSFET的放大作用是由于栅极电压的变化导致沟道导电性的改变，从而控制漏极电流的大小。
总结起来，MOSFET通过控制栅极电压与源极电压之间的关系，实现电流的放大和控制。
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特性曲线将向右稍微移动一些
。但UCE再增加时，曲线右移
很不明显。因为UCE＝1V时，
集电结已把绝大多数电子收集过去
，收集电子数量的比例不再明显增大。
工程实践上，
图02.05 共发射极接法输入特性曲线
就用UCE＝1V的输入特性曲线代替UCE >1V以后的输入特性曲 线。
2、输出特性曲线
。 共基极接法，基极作为公共电极
1) 共射接法中的电流传输方程式 通过改变IB可控制IC的变化。
IC≈ IE＝ (IC＋IB)＝ IC＋ IB
（1－ ）IC≈ IB
IC≈
1
IB＝ IB
控制系数（传输系数） ≈IC／IB
称为直流共射集-基电流比或直流电流放大倍 数。
1、晶体管中载流子的移动 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的
直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正 向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极 管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关 系， 见图02.02。
图02.0Байду номын сангаас 双极型三极管的电流传输关系
1）发射区向基区发射电子
使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子 基本上都可以被集电区收集，此后UCE再增加， 电流也没有明显的增加，特性曲线进入与UCE轴 基本平行的区域 (这与输入特性曲线随UCE增大 而右移的原因是一致的) ，此区域称为放大区。
图02.06 共发射极接法输出特性曲线
（1）截止区——IC接近零的区域，相当IB=0的 曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。
的变化值 △IB和△IC，可以估算出晶体管的另一
重要参数，即交流共射集-基电流比或交流电流 放大倍数，表示为 β＝△IC／△IB
当管子工作频率较低时，在数值上β≈ ，如此例
＝IC／IB＝2／0.04＝50
β＝△IC／△IB＝（4-2）／（0.08-0.04）＝50
所以在工程实践中将两者混用。
电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示 （Collector）。E-B间的PN结称为发射结，C-B间的PN结称为集电结。
双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区 掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米。
（3）饱和区——IC受UCE显著控制的区域，该区域内 UCE的数值较小，一般UCE＜0.7 V(硅管)。此时发射结 正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
在饱和区内，晶体管集电极和发射极之间的电压叫饱和 电压降，用UCES表示。其数值对小功率晶体管约为 （0.2～0.3）V，而对大功率晶体管常可达1V以上。
3.3.2 共射接法晶体管的特性曲线
共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图 02.04所示
。 图02.04 共发射极接法的电压-电流关系
1、输入特性曲线
输入特性曲线——IB＝f（UBE）
UCE
＝常数
简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论 IB和UBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个
有部分电子与基区的多子空穴复合而消失，被复合的电 子形成的电流是IBN （3）集电极收集电子
进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会 较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电 子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边 上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成 集电极电流ICN。
单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除UCE的影响，在讨
论输入特性曲线时，应使UCE＝常数。
共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中UCE＝0V的那一 条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE ≥1V时，UCB= UCE— UBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，使基区复合减 少，IC / IB增大，
输出特性曲线—— IC＝f（UCE）I B＝常数
共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示， 它是以IB为参变量的一族特性曲线。输出特性曲
线可以分为三个区域。现以其中任何一条加以说 明，当UCE =0 V时，因集电极无收集作用， IC=0。当UCE微微增大时，发射结虽处于正向 电压之下，但集电结反偏电压（UCB =UCE— UBE）很小，收集电子的能力很弱，IC主要由 UCE决定，此区域称为饱和区。当UCE增加到
第3章、三極管及MOS管的講解
※ 双极性晶体三极管 ※ 场效应半导体三极管（场效应管FET）
3.1 双极性晶体三极管
3.3.1 晶体管的结构
晶体管的结构示意图如图02.01所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。 中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，相连
发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散， 形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发 射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为 IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 IE＝IEN＋IEP≈IEN。
（2）电子在基区的扩散和复合情况 进入基区的电子将向集电结方向扩散。在扩散过程中，
（2）放大区——IC平行于UCE轴的区域，曲线 基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。
实际上，大约在UCE>1V和IB>0的区域是输出特 性曲线族上的放大区。此区为放大电路中晶体管 应处的工作区域。
在放大区中，根据每条曲线对应的IB和IC值，就 可估算 ＝IC／IB；另外，根据两条曲线所对应
结论：IEN＝ICN＋IBN 且有IEN>> IBN ， ICN>>IBN
2、晶体管电路中的电流方式
(1) 三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，
这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。 共发射极接法，发射极作为公共电极； 共集电极接法，集电极作为公共电极；