CCD CMOS两者优缺点的比较
百万像素高清摄像中CCD与CMOS的分析比较
百万像素高清摄像中CCD与CMOS的分析比较随着安防行业的发展,视频监控网络化、数字化的趋势越来越明显。
从1998年第一台网络摄像机初现国内市场,伴随着互联网的迅速普及和网络技术的日益成熟,目前网络摄像机行业已进入爆发式的增长阶段。
其中的百万像素高清摄像机,在经过近两年的市场培育后,成为当前安防市场上最热门的话题。
百万像素高清摄像机主要由两个核心部分组成:图像传感器以及压缩处理芯片。
其中,图像传感器是图像采集处理部分的核心。
众所周知,目前的图像传感器主要分为CCD和CMOS两大阵营。
在传统观念中,CCD具有高解析度、低噪点等优点;而CMOS由于噪点问题,一直与电脑摄像头、手机摄像头等低画质的电子产品联系在一起。
其实不然,现在CMOS摄像机绝非只局限于简单、低端的应用,甚至在高清摄像领域有了与CCD一较高下的实力。
本文就CCD与CMOS的工作原理、区别、优劣和适用场合作出详细的分析。
CCD和CMOS传感器的工作原理CCD是英文ChargeCoupledDevice的缩写,中文翻译为电荷耦合器件。
它是1969年美国贝尔实验室的W·B·博伊尔(W·B·Boyle)和G·E·史密斯(G·E·Smith)等人研制出来的,其使用一种高感光度的半导体材料制成,包含众多感光元件,每个感光元件叫一个像素,CCD可以看做这些像素的集合体。
当CCD表面受到光线照射时,每个感光单位会将电荷反映在组件上,所有的感光单位产生的信号加在一起,就构成了一幅完整的画面。
而CMOS英文全称是Comple -mentaryMetal-OxideSemicon -ductor,即互补金属氧化物半导体,与CCD一样也是记录光线变化的半导体。
CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带负电(N极)和正电(P极)的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片记录和解读成影像。
ccd和cmos的异同
ccd和cmos的异同CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送的方式不同。
一般而言普通的数码相机中使用CCD芯片的成像质量要好一些。
CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送的方式不同。
一般而言普通的数码相机中使用CCD 芯片的成像质量要好一些。
CCD 是目前比较成熟的成像器件,CMOS 被看作未来的成像器件。
CCD 与 CMOS 相同之处两种类型的传感器都以完全相同的方式检测光。
入射光子撞击硅原子,硅原子是半导体。
当发生这种情况时,原子中的一个电子被提升到更高的能级(轨道),称为导带。
硅通常表现得像绝缘体,所以它的电子不能四处移动。
但是一旦电子被提升到导带,就可以自由地移动到其他相邻的原子,就像硅是金属一样。
什么是绝缘体变成导体–这就是硅被称为半导体的原因。
在光学传感器中,这些现在可移动的电子被称为光电子。
两种类型的传感器都使用像素。
像素只是硅的一个小方形区域,它收集并保持这些光电子。
通常的比喻是田间的一系列水桶,每个都收集雨水。
如果你想知道在该领域的任何部分下雨了多少,你只需要测量每个桶的充满程度。
到目前为止,CCD 和CMOS 的一切都是一样的; 这是一个非常不同的测量过程。
CCD 与 CMOS 不同之处电荷耦合器件(CCD)是更老,更成熟的技术。
这些芯片采用NMOS 或 PMOS 技术制造,这种技术在 70 年代很流行,但在今天很少使用。
在读出期间,CCD 将电子从像素移动到像素,就像桶式旅一样。
它们通过传感器一角的读出放大器一个接一个地移出。
这样做的最大好处是每个像素都以相同的方式测量。
使用单个读出放大器使读出过程非常一致。
这样可以生成具有低固定模式噪声和读取噪声的高质量数据。
像素中也没有浪费的空间,这是 CMOS 传感器的问题。
CCD和CMOS摄像头成像原理以及其他区别
CCD 和CMOS 摄像头成像原理以及其他区别
CCD 的第二层是分色滤色片,目前有两种分色方式,一是RGB 原色分
色法,另一个则是CMYG 补色分色法,这两种方法各有利弊。
不过以产量来看,原色和补色CCD 的比例大约在2:1 左右。
原色CCD 的优势在于画质
锐利,色彩真实,但缺点则是噪声问题。
因此一般采用原色CCD 的DC,在ISO 感光度上多半不会超过400。
相对的补色CCD 多了一个Y 黄色滤色器,
在色彩的分辨上比较仔细,但却牺牲了部分分辨率,而在ISO 值上,补色
CCD 可以容忍较高的感度,一般都可设定在800 以上。
(关于这两种分色方
式见下图)
CCD 的第三层是感光汇流片,这层主要是负责将穿透滤色层的光源转换成
电子信号,并将信号传送到影像处理芯片,将影像还原。
最后说一下CMOS:
CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)即互补性金属氧化物半导体,其在微处理器、闪存和特定用途集成电路(ASIC)的半导体技术上占有
绝对重要的地位。
CMOS 和CCD 一样都是可用来感受光线变化的半导体。
CMOS 主要是利用硅和锗这两种元素所作成的半导体,通过CMOS 上带负电
和带正电的晶体管来实现基本的功能的。
这两个互补效应所产生的电流即可
被处理芯片记录和解读成影像。
因为CMOS 结构相对简单,与现有的大规模集成电路生产工艺相同,从而。
CMOS与CCD的较量共5页
CMOS与CCD的较量引言早期,CCD是无可争议的霸主,绝大部分数码相机都采用CCD成像,只有佳能在自己的高端单反相机型号上采用CMOS元件。
不过近年来,CMOS 发展势头迅猛,几乎已经在家用单反相机中一统江湖,因此很多分析人士认为,未来CMOS将取代CCD,成为数码相机的首选。
进入2010年,CCD 和CMOS的竞争已经进入了白热化阶段,CMOS越来越多地被消费类数码相机所采用。
1 目前数码相机的两种成像元件1.1 CCD图像传感器CCD(电荷耦合元件,Charge-coupled Device)是一种半导体器件,能够把光学影像转化为数字信号。
从结构上讲CCD分为三层,分别是“微型镜头”、“分色滤色片”和“感光层”。
为了提高CCD的采光率,就要增加单一像素的受光面积,但是一味提高采光率很容易导致画质下降。
而“微型镜头”层相当于在感光层前面加上一副眼镜,使得感光面积不受传感器的开口面积影响,而是通过微型镜片的表面积来控制感光面积。
CCD 的第二层是“分色滤色片”,用于分离RGB色彩。
CCD最为重要的是第三层“感光片”,这层主要是负责将穿过滤色层的光源信号转换成电子信号,并将信号传送到影像处理芯片,将影像还原。
1.2 CMOS图像传感器CMOS(互补性氧化金属半导体,ComplementaryMetal-OxideSemiconductor),与CCD类似,在数码相机CMOS中也是可以记录光线变化的半导体。
它主要是由硅和锗这两种元素做成的,在CMOS上共存着带N(带正电)级和P(带负电)级的半导体,受光之后这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
然而,CMOS的缺点就是容易出现噪点,这主要是因为早期的设计结构使CMOS在处理快速变化的影像时由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。
2 CCD与CMOS的优缺点比较CCD具有的优点很多,包括灵敏度高、抗强光、畸变小、体积小、寿命长、抗震动等。
CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上
CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上,而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上,工作原理没有本质的区别。
CCD只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。
而且CCD制造工艺较复杂,采用CCD的摄像头价格都会相对比较贵。
事实上经过技术改造,目前CCD和CMOS的实际效果的差距已经减小了不少。
而且CMOS的制造成本和功耗都要低于CCD不少,所以很多摄像头生产厂商采用的CMOS感光元件。
成像方面:在相同像素下CCD的成像通透性、明锐度都很好,色彩还原、曝光可以保证基本准确。
而CMOS的产品往往通透性一般,对实物的色彩还原能力偏弱,曝光也都不太好,由于自身物理特性的原因,CMOS的成像质量和CCD还是有一定距离的。
但由于低廉的价格以及高度的整合性,因此在摄像头领域还是得到了广泛的应用。
CCD和CMOS的区别:问:既然ccd与cmos都是感光传感器,为何价格如此悬殊,它们之间到底有何区别,对于一般的数码相机新手来说是否要考虑它们的性能等问题。
答:CCD是目前比较成熟的成像器件,CMOS被看作未来的成像器件。
因为CMOS结构相对简单,与现有的大规模集成电路生产工艺相同,从而生产成本可以降低。
从原理上,CMOS的信号是以点为单位的电荷信号,而CCD是以行为单位的电流信号,前者更为敏感,速度也更快,更为省电。
现在高级的CMOS并不比一般CCD差,但是CMOS工艺还不是十分成熟,普通的SMOS 一般分辨率低而成像较差。
目前的情况是,许多低档入门型的数码相机使用廉价的低档CMOS芯片,成像质量比较差。
普及型、高级型及专业型数码相机使用不同档次的CCD,个别专业型或准专业型数码相机使用高级的CMOS芯片。
代表成像技术未来发展的X3芯片实际也是一种CMOS芯片。
CCD与CMOS孰优孰劣不能一概而论,但一般而言,普及型的数码相机中使用CCD芯片的成像质量要好一些。
2CCD的坏点和修复问题拍摄夜景时或盖上镜头盖长时间曝光时,影像上的色点不一定都是CCD坏点,有的是噪点,CCD温度降低后会有改善,通过固件(Firmware)升级有的也能改善。
CCD与CMOS的差异对比
CCD与CMOS的差异对比
1、CMOS-采用滚动曝光(rolling shutter),在监控目标物品快速移
动时画面容易产生拖尾、重影(见图一),并容易产生色飘(见图二)
图一
图二
2、CMOS-采用全景曝光(global shutter),每一帧图像都可清晰、
适合的图像分辨率,在监控目标快速移动时画面真实,适合大型平安城市治安及路面监控的需求(图三、图四)。
图三
图四
3、CMOS-没有快门概念,在高亮场景会出现过度曝光现象
4、CCD-可以设置快门,也可适应外界光线的变化(快门值
1/50`~1/10000连续可调),另通过设置快门可对快速运动物体捕捉。
5、摄像机的清楚度取决于图像传感器的性能,CCD与CMOS两种感
光芯片相比,CCD传感器在低照度、分辨率、噪声控制、高质量图像输出、动态影像表现方面都要优于COMS,所以绝大部分专业摄像机仍是选择CCD作为感光芯片,且高清百万像素网络摄像机选用的Sony最高级ICX系列感光芯片具超低敏捷度照度,在黑暗的环境下取得更清楚的图像,是普通摄像机无法实现的。
6、武汉市公安局在《武汉市城市视频监控系统适用产品供货资格(第
一批)政府采购项目》招标文件中对IP摄像机产品要求“采用1/3英寸CCD传感器”。
CCD和CMOS摄像头区别
CCD和CMOS摄像头的区别本文主要介绍了在闭路电视监控中摄像机的CCD与CMOS的区别:包括摄像机CCD和CMOS 摄像头的优缺点比较、结构上的差异、ISO感光度差异、成本差异、解析度差异、噪点差异和耗电量差异。
首先说一下在闭路电视监控中摄像机的CCD 和CMOS 的结构,ADC的位置和数量是最大的不同。
简单的说,CCD每曝光一次,在快门关闭后进行像素转移处理,将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中,由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大,再串联 ADC 输出;相对地,CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC (放大兼类比数字信号转换器),讯号直接放大并转换成数字信号。
两者优缺点的比较CCDCMOS设计单一感光器感光器连接放大器灵敏度同样面积下高感光开口小,灵敏度低成本线路品质影响程度高,成本高CMOS整合集成,成本低解析度连接复杂度低,解析度高低,新技术高噪点比单一放大,噪点低百万放大,噪点高功耗比需外加电压,功耗高直接放大,功耗低由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。
CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。
整体来说,CCD与CMOS 两种设计的应用,反应在成像效果上,形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等,不同类型的差异:ISO 感光度差异:由于CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路,过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积,因此相同像素下,同样大小之感光器尺寸,CMOS 的感光度会低于CCD。
成本差异:CMOS 应用半导体工业常用的MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失;相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯,必须另辟传输通道,如果通道中有一个像素故障(Fail),就会导致一整排的讯号壅塞,无法传递,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边,CCD 的制造成本相对高于CMOS。
CMOS和CCD成像系统优劣之争
智能传感技术大作业CMOS和CCD成像系统优劣之争班级:021152学号:02115098姓名:李东櫆CMOS和CCD成像系统优劣之争【摘要】随着多媒体、数字电视、数码相机、可视通信等领域的热度逐渐增加,CMOS 图像传感器的应用前景更加广阔。
以数码相机为例,短短几年内,其分辨率就由几十万像素,发展到1000万、2000万像素甚至更高。
CMOS图像传感器逐步侵占传统上由CCD图像传感器覆盖的应用领域,图像传感器的领域正面临着一个重大转折。
而对于CMOS和CCD的优劣,业界也有着很大的争执。
本文将分析CMOS和CCD的成像原理,比较两者在成像质量等各方面的优劣。
一、CCD传感器工作原理电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),是一种新型光电转换器件,用一种高感光度的半导体材料制成,它能存储由光产生的信号电荷。
当对它施加特定时序的脉冲时,其存储的信号电荷便可在CCD内作定向传输而实现自扫描。
通过模数转换器芯片转换成数字信号,数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存。
它主要由光敏单元、输入结构和输出结构等组成。
它具有光电转换、信息存贮和延时等功能。
CCD是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。
每个像元就是一个MOS 电容器(大多为光敏二极管),它是在P 型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000A~1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅),在衬底和金属电极间加上1个偏置电压,就构成1个MOS电容器。
当有1束光线投射到MOS电容器上时,光子穿过透明电极及氧化层,进入P型Si衬底,衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。
光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子-空穴对,电子-空穴对在外加电场的作用下,分别向电极的两端移动,这就是信号电荷。
这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。
MOS电容器的电荷储存容量可由下式求得:QS=Ci×VG×A式中:QS是电荷储存量;Ci是单位面积氧化层的电容;VG是外加偏置电压;A是MOS电容栅的面积。
背照式CMOS 与CCD
除了CCD和CMOS之外,还有富士公司独家推出的SUPER CCD,SUPER CCD并没有采用常规正方形二极管,而是使用了一种八边形的二极管,像素是以蜂窝状形式排列,并且单位像素的面积要比传统的CCD大。将像素旋转45度排列的结果是可以缩小对图像拍摄无用的多余空间,光线集中的效率比较高,效率增加之后使感光性、信噪比和动态范围都有所提高。
4.成像质量
CCD电荷耦合器制作技术起步早,技术成熟,采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS光电传感器集成度高,各光电传感元件、电路之间距离很近,相互之间的光、电、磁干扰较严重,噪声对图像质量影响很大,使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用。近年,随着CMOS电路消噪技术的不断发展,为生产高密度优质的CMOS图像传感器提供了良好的条件。
2.外部结构(传感器在产品上的应用结构)
CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下,以行为单位一位一位地输出信息,速度较慢;而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号,还能同时处理各单元的图像信息,速度比CCD电荷耦合器快很多。
CMOS光电传感器的加工采用半导体厂家生产集成电路的流程,可以将数字相机的所有部件集成到一块芯片上,如光敏元件、图像信号放大器、信号读取电路、模数转换器、图像信号处理器及控制器等,都可集成到一块芯片上,还具有附加DRAM的优点。只需要一个芯片就可以实现很多功能,因此采用CMOS芯片的光电图像转换系统的整体成本很低。
此外,CCD与CMOS两种传感器在“内部结构”和“外部结构”上都是不同的:
1.内部结构(传感器本身的结构)
CCD的成像点为X-Y纵横矩阵排列,每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个邻近电荷存储区组成。光电二极管将光线(光量子)转换为电荷(电子),聚集的电子数量与光线的强度成正比。在读取这些电荷时,各行数据被移动到垂直电荷传输方向的缓存器中。每行的电荷信息被连续读出,再通过电荷/电压转换器和放大器传感。这种构造产生的图像具有低噪音、高性能的特点。但是生产CCD需采用时钟信号、偏压技术,因此整个构造复杂,增大了耗电量,也增加了成本。
感光元件 CCD及CMOS 对比介绍
感光元件 CCD及CMOS 对比介绍为了便于大家了解数码相机感光元件CCD或COSM。
其性能优劣,各有千秋。
以下的文章是网上流传,加以转载:CCD 英文全名 Charge Coupled Device,感光耦合元件,CCD为数位相机中可记录光线变化的半导体,通常以百万像素〈megapixel〉为单位。
数位相机规格中的多少百万像素,指的就是CCD的解析度,也代表着这台数位相机的 CCD 上有多少感光元件。
CCD 主要材质为硅晶半导体,基本原理类似 CASIO 计算机上的太阳能电池,透过光电效应,由感光元件表面感应来源光线,从而转换成储存电荷的能力。
简单的说,当 CCD 表面接受到快门开启,镜头进来的光线照射时,即会将光线的能量转换成电荷,光线越强、电荷也就越多,这些电荷就成为判断光线强弱大小的依据。
CCD 元件上安排有通道线路,将这些电荷传输至放大解码原件,就能还原所有CCD上感光元件产生的讯号,并构成了一幅完整的画面。
此一特性,使得 CCD 通用在数位相机〈Digital Camera〉与扫瞄器〈Scanner〉上,作为目前最大宗之感光元件来源。
CMOS英文全名 Complementary metel-Oxide Semiconductor,互补性氧化金属半导体,CMOS和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体,外观上几乎无分轩轾。
但,CMOS的製造技术和CCD 不同,反而比较接近一般电脑晶片。
CMOS的材质主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS 上共存着带N(带–电)和 P(带 + 电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理晶片纪录和解读成影像。
然而,CMOS因为在画素的旁边就放置了讯号放大器,导致其缺点容易出现杂点,特别是处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象,更使得杂讯难以抑制。
CCD和CMOS相机的成像特点对比:CCD采用CCD的数码单反,图像饱和度较高,图像较为锐利,质感更加真实,尤其是在低感光度下,成像有良好的表现。
CCD与CMOS的优劣之争
CCD与CMOS的优劣之争如果不是大幅面CMOS的成功,我们不可能拍摄到今天如此高质量的数码照片,可即便如此,还是有人固执地认为“还是CCD更好”、“CCD更有胶片味”,并一味地期盼着大幅面CCD的问世。
从原理上讲,两者前端的光电转换部分是相同的,不同的是感光之后的部分。
CCD是将感光后的电荷通过移位的方式,最终移动到寄存器的末端,然后放大并进行AD转换;移位电路不需要占用较多的硅表面即可实现,可以腾出更多的面积用于感光,噪声相对低一些,因为感光的电信号最后集中进行处理,还能保证较好的一致性。
CMOS则是基于标准的半导体工艺,对感光后的信号直接进行放大,再通过X-Y矩阵直接选中某一象素送到最终的AD转换部分,优点是制造工艺简单,个别失效的象素不会干扰整个器件的工作,缺点是因为信号分别处理,一致性差一些。
如果把两者的感光部分看作是窗户上的玻璃,那么它们的信号处理部分占用的硅片表面就相当于窗户框,只是CCD的框窄一些、CMOS的框更宽一点而已。
早期的CMOS器件确实比CCD差了许多,但随着半导体加工技术的进步,CMOS的框可以做得更窄,大幅面、高密度的CMOS器件也因此成为现实,并表现出良好的图象质量;而CCD因为需要一些特殊的工艺,大幅面器件的成品率难以提高,在应用上落在了CMOS的后面。
显然,就感光性能而言,CCD与CMOS本质上是一样的,不过是对电信号的处理方式不同罢了,反映到最终的照片上,两者也不会有明显的区别;至于“CCD 更有胶片味”,不知道是哪位老兄的首创,更是无从谈起。
镜头的颜色问题经常看到一些说法,某某镜头的颜色好、某某颜色准确等等,心里就纳闷:不同的镜头还有不同的颜色?如果说某款镜头成象更细腻,某镜头更锐利等,这容易理解,但具体到颜色问题似乎难以解释。
在黑白胶片时代,对颜色没有要求,镜头带有某种颜色是很正常的事情,但在彩色普及的今天,似乎有点说不过去。
任何镜头,最起码的要求是对可见光有良好的透过能力,反映到最终的成象上,只会有象质的高低,实在不该有颜色的变化。
CCD与CMOS图像传感器特点比较
一、CCD图像传感器
CCD,也被称为电荷耦合器件,是一种特殊的半导体器件,其基本原理是在半 导体上通过一系列的电荷感应和电荷转移过程来生成图像。这种传感器的主要 优点包括高灵敏度、低噪声、出色的色彩再现能力和相对较高的图像质量。
1、高灵敏度和低噪声:CCD的独特设计使其对光线非常敏感,而且能够将入射 的光线转化为电荷,从而在图像传感器中形成明暗对比。同时,其低噪声特性 使得图像的细节和清晰度得以保持。
CMOS与CCD图像传感器的未来发展趋势
随着技术的不断进步,CMOS和CCD图像传感器都在不断发展,以适应不断变化 的应用需求。在未来,这两种传感器的发展趋势可能包括:
1、CMOS传感器的高性能化:随着CMOS制造工艺的不断进步,CMOS传感器的性 能将得到进一步提升。例如,通过改进像素结构、增加读取速度等方式,可以 使得CMOS传感器在高分辨率、高灵敏度和高速读取等方面取得更好的表现。
2、色彩再现能力出色:CCD的Bayer滤波器设计可以提供优秀的色彩再现,从 而在色彩要求高的应用中,如彩色摄影和视频拍摄中表现出色。
3、图像质量较高:由于CCD的电荷转移特性,其可以提供较高的图像分辨率和 对比度,从而在图像的清晰度和细节方面表现出色。
二、CMOS图像传感器
CMOS,全称互补金属氧化物半导体,是一种常见的半导体制造工艺,被广泛应 用于各种电子设备中。在图像传感器领域,CMOS因其低功耗、高集成度和低成 本等优点而得到广泛应用。
3、实时图像处理能力:CMOS传感器通常与处理电路一起使用,可以实时进行 图像处理,这在一些需要即时反应的应用中非常有用,例如在无人驾驶汽车或 无人机中。
参考内容
引言
图像传感器在许多领域都有广泛应用,如摄影、监控、医疗成像和科学仪器等。 在图像传感器市场上,CMOS和CCD是最常见的两种技术,它们各有优缺点,各 有适用的场景。本次演示将对CMOS和CCD图像传感器进行比较研究,并探讨它 们的未来发展趋势。
CCD与CMOS优点和缺点
CCD与CMOS优点和缺点CCD:电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),它使用一种高感光度的半导体材料制成,能把光线转变成电荷,通过模数转换器芯片转换成数字信号,数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存,因而可以轻而易举地把数据传输给计算机,并借助于计算机的处理手段,根据需要和想像来修改图像。
CCD由许多感光单位组成,通常以百万像素为单位。
当CCD表面受到光线照射时,每个感光单位会将电荷反映在组件上,所有的感光单位所产生的信号加在一起,就构成了一幅完整的画面。
CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。
CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带–电)和P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
CMOS的缺点:就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。
在相同分辨率下,CMOS价格比CCD便宜,但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些。
CCD的优势:在于成像质量好,但是由于制造工艺复杂,只有少数的厂商能够掌握,所以导致制造成本居高不下,特别是大型CCD,价格非常高昂。
CMOS影像传感器的优点之一是电源消耗量比CCD低,CCD为提供优异的影像品质,付出代价即是较高的电源消耗量,为使电荷传输顺畅,噪声降低,需由高压差改善传输效果。
但CMOS影像传感器将每一画素的电荷转换成电压,读取前便将其放大,利用3.3V的电源即可驱动,电源消耗量比CCD低。
CMOS影像传感器的另一优点,是与周边电路的整合性高,可将ADC与讯号处理器整合在一起,使体积大幅缩小。
CCD和CMOS的区别
CCD和CMOS的区别CCD目前的技术比较成熟,在尺寸方面也具有一定的优势(由于工艺方面的原因CMOS的尺寸无法做的很大),但其工艺复杂、成本高、耗电量大、像素提升难度大等问题也是不可否认的。
而CMOS由于制造工艺简单,因此可以在普通半导体生产线上进行生产,其制造成本比较低廉。
CCD和CMOS各自的利弊,我们可以从技术的角度来比较两者主要存在的区别:(a)信息读取方式不同CCD传感器存储的电荷信息需在同步信号控制下一位一位的实施转移后读取,电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合,整个电路较为复杂。
C MOS传感器经光电转换后直接产生电流(或电压)信号,信号读取十分简单。
(b)速度有所差别CCD传感器需在同步时钟的控制下以行为单位一位一位的输出信息,速度较慢;而C MOS传感器采集光信号的同时就可以取出电信号,还能同时处理各单元的图象信息,速度比CCD快很多。
(c)电源及耗电量CCD传感器电荷耦合器大多需要三组电源供电,耗电量较大;CMOS传感器只需使用一个电源,耗电量非常小,仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10,CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。
(d)成像质量CCD传感器制作技术起步较早,技术相对成熟,采用PN结合二氧化硅隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS传感器有一定优势。
由于CMOS传感器集成度高,光电传感元件与电路之间距离很近,相互之间的光、电、磁干扰较为严重,噪声对图象质量影响很大。
CCD与CMOS两种传感器在“内部结构”和“外部结构”上都是不同的。
内部结构(传感器本身的结构)CCD的成像点为X-Y纵横矩阵排列,每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个邻近电荷存储区组成。
光电二极管将光线(光量子)转换为电荷(电子),聚集的电子数量与光线的强度成正比。
在读取这些电荷时,各行数据被移动到垂直电荷传输方向的缓存器中。
每行的电荷信息被连续读出,再通过电荷/电压转换器和放大器传感。
CCD和CMOS的区别
数码相机CCD和CMOS的区别两者优缺点的比较CCD CMOS设计单一感光器感光器连接放大器灵敏度同样面积下高感光开口小,灵敏度低成本线路品质影响程度高,成本高CMOS整合集成,成本低解析度连接复杂度低,解析度高低,新技术高噪点比单一放大,噪点低百万放大,噪点高功耗比需外加电压,功耗高直接放大,功耗低由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。
CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。
主要在于工艺和制程,两种元件各有千秋。
ccd成本较高但成像较好,特别是在以前,的确ccd就是在成像上优于cmos,但随着研发水平的不断进步,特别是佳能在cmos方面,利用其相对成本低、耗电低的优势,投入巨资解决cmos原有的缺点——成像差、噪声高,取得了突破性的进展,并在其高端专业全画幅机型上使用,这就是著名的1系列产品。
目前两种元件的制造水平都随着时代发展不断进步,ccd方面除了普通型ccd还出现了以富士为代表的超级ccd以及适马采用的号称最接近于胶片成像原理的x3ccd均投入使用并获得好评,而cmos由于在高端机型上的成功使得一些厂商如尼康等也投入巨资进行研发并应用于最新机型,两种元件都在不断的发展完善之中。
CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电。
不像由二极管组成的CCD,CMOS 电路几乎没有静态电量消耗,只有在电路接通时才有电量的消耗。
这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右,这有助于改善人们心目中数码相机是"电老虎"的不良印象。
我们知道在佳能EOS系列AF相机上,CMOS一直在测光对焦系统中使用。
佳能在这方面有雄厚的技术力量和丰富的经验。
发展到今日已经比较容易地以较低的成本制造较大大尺寸的CMOS感光芯片,并且CMOS 可以将影像处理电路集成在芯片上。
分析CCD与CMOS五个方面互有优劣
分析CCD与CMOS五个方面互有优劣CCD和CMOS都是图像传感器的核心部分。
但其工作原理还是有很多不同的,也许大家会认为CCD成像清晰、噪点少,所以相对CMOS优势明显。
其实不然,虽然大量的ADC给CMOS带来了低噪点的缺陷,但也在其他方面显示出了极大的好处。
比较CCD与CMOS,它们在以下五个方面互有优劣:灵敏度由于CMOS每个像素包含一个感光二极管、一个电荷/电压转换单元、一个晶体管以及一个放大器,导致感光二极管占据的面积只是整个元件的一小部分。
过多的额外设备压缩单一像素的有效感光区域的表面积,因此在像素尺寸相同的情况下,CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。
直接的后果就是低照度环境下,CMOS无法像CCD 一样灵敏,成像清晰度大大降低。
成本CCD电荷耦合器存储的电荷信息,需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取,电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合,整个电路较为复杂。
如果专用通道中有一个像素故障,就会导致一整排的信号拥塞而无法传递。
因此CCD的良率比CMOS低。
而CMOS应用半导体工业常用的MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失,成本大为降低。
噪点由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个ADC放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的ADC放大器。
由于放大器属于模拟器件,无法保证每个像点的放大率严格一致,致使放大后的图像无法代表拍摄物体的原貌。
因此,对比每行只有单个放大器的CCD,CMOS最终计算出的噪点就比较多。
速度CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下,以行为单位一位一位地输出信息,速度较慢;而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号,还能同时处理各单元的图像信息,速度比CCD电荷耦合器快很多。
功耗CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外,电荷耦合器大多需要三组电源供电,耗电量较大;而CMOS光电传感器只需使用一个电源,耗电量非常小,仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10,CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。
CCD与COMS的区别优缺点
像机图像传感器应用现状自从上世纪60年代末期,美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后,固体图像传感器便得到了迅速发展,成为传感技术中的一个重要分支,它是PC机多媒体不可缺少的外设,也是监控系统摄像机的核心器件。
CMOS与CCD技术自诞生以来,它们的抢位之争自诞生至今就没有停止过。
正如您所知道的一样,目前安防监控摄像机的图像传感器基础技术,主要也是CCD和CMOS两种技术。
目前市面上的模拟摄像机多是CCD为主,而网络摄像机特别是今年兴起的百万像素级高清网络摄像机,尤以CMOS技术应用居多。
其实CMOS图像传感器与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步,但由于受当时工艺水平的限制,CMOS图像传感器图像质量差、分辨率低、噪声降不下来和光照灵敏度不够,因而没有得到重视和发展,通常用于一些电脑摄像头、手机摄像头等对画质要求不高的电子产品等设备上,以至于CMOS成了低端的代名词。
而CCD器件因为有光照灵敏度高、噪音低、像素多等优点一直主宰着图像传感器市场。
由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CMOS图像传感器过去存在的缺点,现在都可以找到办法克服,而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的,因而它再次成为近年来研究的热点。
现在CMOS图像传感器不但应用于市场上千万像素级的中高端DSLR单反相机,也成为安防监控行业百万像素高清网络摄像机首选图像传感器件。
CMOS和CCD技术的差异CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送的方式不同。
这种转换的原理与“太阳能电池”效应相近,光线越强、电力越强;反之,光线越弱、电力也越弱的道理,将光影像转换为电子数字信号。
比较 CCD 和 CMOS 的结构,ADC的位置和数量是最大的不同。
简单的说,CCD每曝光一次,在快门关闭后进行像素转移处理,将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中,由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大,再串联 ADC 输出;相对地,CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC(放大兼类比数字信号转换器),讯号直接放大并转换成数字信号。
ccd与cmos的区别
CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是“数字数据传送”的方式不同。
区别之处:CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中,由最底端部分输出,再经由传感器边缘的放大器进行放大输出;而在CMOS传感器中,每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路,用类似内存电路的方式将数据输出。
造成这种差异的原因在于:CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真,因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理;而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声,因此,必须先放大,再整合各个象素的数据。
综合区别:1、在象素尺寸相同的情况下,CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。
2、CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。
3、相同尺寸的CCD与CMOS传感器,CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。
4、CMOS传感器的噪点会比CCD多,容易影响图像品质。
5、CCD功耗远高于CMOS传感器。
但在数码单反相机中,也有一些高端的的机型使用了新开发出来的高动态范围CMOS器件(像素内电荷完全转送技术)。
这一技术消除了对快门、光圈、自动增益控制及伽玛校正的需要,使之接近了CCD的成像质量。
另外由于CMOS先天的可塑性,可以做出高像素的大型CMOS感光器而成本却不上升多少。
CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器,两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换,将图像转换为数字数据,而其主要差异是数字数据传送的方式不同。
如下图所示,CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中,由最底端部分输出,再经由传感器边缘的放大器进行放大输出;而在CMOS传感器中,每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路,用类似内存电路的方式将数据输出。
左图为CCD传感器的结构,右图为CMOS传感器的结构造成这种差异的原因在于:CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真,因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理;而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声,因此,必须先放大,再整合各个象素的数据。
CCD高速摄像机和CMOS高速摄像机区别
CCD⾼速摄像机和CMOS⾼速摄像机区别CCD⾼速摄像机和CMOS⾼速摄像机区别CCD和CMOS都是摄像机的图像传感器,它们负责将光转换成电⼦信号。
但不少⼩伙伴有个疑问,这两者之间有什么区别吗?它们会影响图像质量或摄像机价格吗?图像传感器,也叫作感光器件,是⾼速摄像机中⾮常核⼼的部件。
CCD(Charged Coupling Devices),⼜称电荷耦合器件。
CCD图像传感器可以直接将光学信号转换为模拟电流信号,每个专⽤通道的电荷会再经过放⼤和模数转换,然后形成图像。
由于它采⽤了⼀种特殊的'放⼤器'制造⼯艺,电荷在芯⽚上传输时不会失真。
所以说,CCD可以产⽣⾼清晰度的图像,在保真度和光敏度上⽐较有保障。
但也是因为这种特殊的制造⼯艺,CCD要⽐CMOS器件要贵,在图像处理速度上也要逊⾊不少。
⾼成本、功耗⼤在⼀定程度上制约了它的发展。
CCD是⼀种⽐较传统的技术,在20世纪90年代已得到较为⼴泛的应⽤,多⽤在交通、医疗、天⽂等对像素要求⾼的领域中。
CMOS CMOS( Complimentary Metal Oxide Semiconductor ),⼜称互补⾦属氧化物半导体。
CMOS传感器没有复杂的处理过程,能直接将图像半导体产⽣的光电信号转变成数字信号,处理速度快、能耗低,不过CMOS器件产⽣的图像质量相⽐CCD要低⼀些。
CMOS实际上就是企业研发出来代替CCD的,它的价格远低于CCD,也正是因为CMOS⼯艺的出现,数码相机的价格有了⼀定幅度的降低。
总的来说,CMOS传感器适合对图像噪声、质量要求不是特别⾼的场合。
CCD⾼速摄像机和CMOS⾼速摄像机的区别:从上⾯的表格我们可以看出,CCD⾼速摄像机和CMOS⾼速摄像机各有优缺点。
它们在市场上也都占有⼀定的份额,不过,相⽐硬伤⽐较多的CCD摄像机(⼯艺复杂、价格昂贵、使⽤不便),CMOS的低图像分辨率更易于改进。
如今,CMOS在制造⼯艺和影响处理技术上已有很⼤的突破,业界对CMOS的发展也更加看好,已有⼈预⾔,图像传感器将进⼊'CMOS'时代。
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2012-6-20 来源: 作者:监控摄像机厂家
两者优缺点的比较
CCD CMOS
设计单一感光器感光器连接放大器
灵敏度同样面积下高感光开口小,灵敏度低
成本线路品质影响程度高,成本高CMOS整合集成,成本低
解析度连接复杂度低,解析度高低,新技术高
噪点比单一放大,噪点低百万放大,噪点高
功耗比需外加电压,功耗高直接放大,功耗低
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。
CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。
整体来说,CCD 与CMOS 两种设计的应用,反应在成像效果上,形成包括ISO 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等,不同类型的差异:
ISO 感光度差异:由于CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路,过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积,因此相同像素下,同样大小之感光器尺寸,CMOS的感光度会低于CCD。
成本差异:CMOS 应用半导体工业常用的MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失;相对地CCD 采用电荷传递的方式输出资讯,必须另辟传输通道,如果通道中有一个像素故障(Fail),就会导致一整排的讯号壅塞,无法传递,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟传输通道和外加ADC 等周边,CCD的制造成本相对高于CMOS。
解析度差异:在第一点“感光度差异”中,由于CMOS 每个像素的结构比CCD 复杂,其感光开口不及CCD大,相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时,CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。
不过,如果跳脱尺寸限制,目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万像素/ 全片幅的设计,CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难,特别是全片幅24mm-by-36mm 这样的大小。
噪点差异:由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个ADC 放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的ADC 放大器,虽然是统一制造下的产品,但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在,很难达到放大同步的效果,对比单一个放大器的CCD,CMOS最终计算出的噪点就比较多。
耗电量差异:CMOS的影像电荷驱动方式为主动式,感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式,必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。
而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平,因此CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度,高驱动电压使CCD 的电量远高于CMOS。
尽管CCD 在影像品质等各方面均优于CMOS,但不可否认的CMOS具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。
由于数码影像的需求热烈,CMOS的低成本和稳定供货,成为厂商的最爱,也因此其制造技术不断地改良更新,使得CCD 与CMOS 两者的差异逐渐缩小。
新一代的CCD朝向耗电量减少作为改进目标,以期进入照相手机的行动通讯市场;CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合,藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现,特别是Canon 系列的EOS D30 、EOS 300D 的成功,足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素CMOS 所产生的影像处理时间与能力的缩短;另外,大尺寸全片幅则以Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 这一系列的数码机身为号召,CMOS未来跨足高阶的影像市场产品,前景可期。