巧识晶体管、场效应管电路符号的意义
场效应管参数符号意义
场效应管参数符号意义a ID:漏极电流温度系数a RDS:漏源电阻温度系数C DS:漏-源电阻C DU：漏-衬底电容C GD:栅-源电容C GS:漏-源电容C ISS:栅短路共源输入电容C OSS:栅短路共源输出电容C RSS: 栅短路共源反向传输电容D:占空比（占空系数，外电路参数）di/dt:电流上升率（外电路参数）dV/dt:电压上升率(外电路参数)G DS:漏源电导G FS:正向跨导G GD:栅漏电导G P:功率增益G PD:共漏极中和高频功率增益G PG:共栅极中和高频功率增益G PS:共源极中和高频功率增益I D:漏极电流（直流）I D(ON):通态漏极电流I DM:漏极脉冲电流I DQ:静态漏极电流（射频功率管）I DS: 漏源电流I DS(SA T):沟道饱和电流（漏源饱和电流）I DSM:最大漏源电流I DSS:栅-源短路时，漏极电流I DSS1:对管第一管漏源饱和电流I DSS2:对管第二管漏源饱和电流I F:二极管正向电流I G:栅极电流（直流）I GDO:源极开路时的截止栅电流I GF:正向栅电流I GM:栅极脉冲电流I GP:栅极峰值电流I GR:反向栅电流I GSO:漏极开路时，截止栅电流I GSS:漏极短路时，截止栅电流I PR:电流脉冲峰值（外电路参数）I U:漏极电感K: 失调电压温度系数K U:传输系数L:负载电感（外电路参数）L D:漏极电感L S:源极电感P D:漏极耗散功率P DM:漏极最大允许耗散功率P IN:输入功率P OUT:输出功率P PK:脉冲功率峰值（外电路参数）R(TH)JA:结环热阻R(TH)JC:结壳热阻R DS:漏源电阻R DS(OF):漏源断态电阻R DS(ON): 漏源通态电阻R G:栅极外接电阻（外电路参数）R GD:栅漏电阻R GS:栅源电阻R L:负载电阻（外电路参数）T A:环境温度T C：管壳温度T d(off):关断延迟时间T F:下降时间T i:上升时间T j:结温T jm:最大允许结温T O(ON):开通延迟时间T OFF:关断时间T ON:开通时间T RR:反向恢复时间T stg:贮存温度V(BR)DSS:漏源击穿电压V(BR)GSS:漏源短路时栅源击穿电压V DD:漏极（直流）电源电压（外电路参数）V DS:漏源电压（直流）V DS(ON):漏源通态电压V DS(SAT):漏源饱和电压V DU:漏衬底电压（直流）V GD:栅漏电压（直流）V GG:栅极（直流）电源电压（外电路参数）V GS:栅源电压（直流）V GS(TH):开启电压或阀电压V GSF:正向栅源电压（直流）V GSR:反向栅源电压（直流）V GU:栅衬底电压（直流）V N:噪声电压V SS:源极（直流）电源电压（外电路参数）V SU:源衬底电压（直流）Z O:驱动源内阻η：漏极功率（射频功率管）。
mos管电路符号
mos管电路符号MOS管是现代电子技术应用的基础，许多电子产品都使用MOS管，其中MOS管电路符号也十分重要。
熟练掌握MOS管电路符号是学习电子技术应用的基础，下面我们就来详细介绍MOS管电路符号及其规则。
MOS管电路符号是一种用来表示MOS管在电路中的标号和分类的标准符号。
它由两部分组成，第一部分是电路的类型，通常有N型（指n性）和P型（指p性）；第二部分是电路的级数，常见的MOS管电路符号有MOSFET（即MOS场效应晶体管）、MOSG（即MOS场效应晶体管组件）、NMOS（即N性MOS）、PMOS（即P性MOS）等等。
在电路设计中，对MOS管的描述需要遵循一定的规则，首先要明确MOS管的类型，比如MOSFET、MOSG、NMOS、PMOS等，其次要明确输入、输出端口，其中输入端口为Gate（控制），输出端口为Drain （放电）和Source（源），最后要注明MOS管的位置和功能，一般而言，控制端（Gate）与芯片的其他控制电路连接，以控制MOS管的开关状态；输出端（Drain、Source）与芯片的输入输出电路连接。
另外，不同类型的MOS管电路符号在电路中有所区别，MOSFET和MOSG电路符号只用于描述单管MOS管，而NMOS和PMOS电路符号则可以用于多管MOS管。
MOSFET和MOSG电路符号常用于标注三级电路；而NMOS和PMOS电路符号则可以标记混合在一起的多级电路。
MOS管电路符号的另一个特点是其标记形式可以根据实际使用的MOS管种类不同而有所改变。
以PMOS为例，随着MOS管的小型化，现在的PMOS电路符号主要有THT（Through）、SMT（Surface Mount）、SOT（Small Outline Transistor）等。
比如，THT是指通用形状的电子元件；SMT则指表面贴装类型的电子元件；SOT则是指小型化电子元件。
可以看出，把不同类型的MOS管放在一起，只要正确使用它们各自的电路符号就可以标记出正确的电路结构。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
场效应管英文缩写：FETField-effect transistor,简称为场效应管,是一种高输入阻抗的电压控制型半导体;场效应管也是一种晶体三极管,也有三个极,分别叫源极S,栅极G,漏极D;场效应管电路符号一：场效应管的分类：1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料,可分为N型沟道和P型沟道两种;所谓沟道,就是电流通道;2、根据构造和工艺的不同,场效应管分为结型和绝缘型两大类;结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor,简称JFET;JFET 又分为N沟道,P沟道场效应管;绝缘栅型场效应管：英文是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,缩写为MOS FET,简称MOS管;MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类;3、按导电方式：耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的;二：场效应晶体管具有如下特点：1输入阻抗高；2输入功耗小；3温度稳定性好；4信号放大稳定性好,信号失真小；5由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低;三：场效应管与晶体管的比较1场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件;在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管；而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管;2场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电;被称之为双极型器件;3有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好;4场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管四：场效应管的主要作用：1.场效应管可应用于放大;由于场效应管的放大器输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器;2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换;常用于多级放大器的输入级作阻抗变换;3.场效应管可以用作可变电阻;4.场效应管可以方便地用作恒流源;5.场效应管可以用作电子开关;五：场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D。
场效应晶体管的电路符号
场效应晶体管的电路符号场效应晶体管（field-effect transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。
它的电路符号如下：1. N沟道场效应晶体管符号：N沟道场效应晶体管（n-channel field-effect transistor，简称nFET）的电路符号由三个主要部分组成：一个直线轴表示源极（source），一个箭头表示漏极（drain），以及附加在直线轴和箭头之间的一条弧线表示栅极（gate）。
该符号用于表示N沟道型场效应晶体管的接线方向和主要结构。
2. P沟道场效应晶体管符号：P沟道场效应晶体管（p-channel field-effect transistor，简称pFET）的电路符号与N沟道型晶体管的符号相似，主要区别在于源极和漏极的位置与箭头反转了。
源极变为箭头，箭头变为直线轴，表示P型半导体。
在电路设计中，常用到场效应晶体管的两种接法，包括共源极接法和共漏极接法。
下面将分别对这两种接法的特点和用途进行详细介绍：共源极接法（source-follower configuration）：1. 特点：在共源极接法中，晶体管的源极与信号源相连，漏极直接通过负载电阻接地。
这种接法的特点是输入电阻较高，输出电阻较低，电压放大系数接近于1。
可以实现电压放大和阻抗匹配功能。
2. 用途：共源极接法常用于信号放大电路中，可以将低电平信号放大为高电平信号，同时提供较低的输出阻抗，以便驱动下级电路。
共漏极接法（drain-follower configuration）：1. 特点：在共漏极接法中，晶体管的漏极直接连接到负载电阻，源极通过电阻与地相连。
这种接法的特点是输入电阻较低，输出电阻较高，电流放大系数接近于1。
2. 用途：共漏极接法常用于电流放大电路中，可以实现电流放大和电阻匹配功能。
常见的应用场景包括光电探测器、放大器和电流源等。
除了以上两种常用接法外，场效应晶体管还可以用于开关电路中。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
创作编号：GB8878185555334563BT9125XW创作者：凤呜大王*场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。
场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
场效应管电路符号一：场效应管的分类：1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。
所谓沟道，就是电流通道。
2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是 Junction Field Effect Transistor，简称JFET。
JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管：英文是 Metal Oxide Semiconductor Field E ffect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二：场效应晶体管具有如下特点：（1）输入阻抗高；（2）输入功耗小；（3）温度稳定性好；（4）信号放大稳定性好，信号失真小；（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三：场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管四：场效应管的主要作用：1.场效应管可应用于放大。
元件参数符号含义(精)
场效应管参数符号意义T a---环境温度C du---漏-衬底电容T c---管壳温度C gd---栅-源电容T j---结温C ds---漏-源电容T jm---最大允许结温C iss---栅短路共源输入电容T stg---贮成温度C oss---栅短路共源输出电容V DSS---漏源击穿电压C rss---栅短路共源反向传输电容I D(I D25---漏极电流(T c=25℃,直流di/dt---电流上升率(外电路参数R DS(on---通态漏源电阻dv/dt---电压上升率(外电路参数P D---漏极耗散功率I DQ---静态漏极电流(射频功率管t rr---反向恢复时间I DSM---最大漏源电流V(BRGSS---漏源短路时栅源击穿电压I DSS---栅-源短路时,漏极电流V GSF--正向栅源电压(直流I DS(sat---沟道饱和电流(漏源饱和电流V GSR---反向栅源电压(直流I G---栅极电流(直流V GS(th---开启电压或阀电压I GDO---源极开路时,截止栅电流C gs---漏-源电容I GSO---漏极开路时,截止栅电流I DM---漏极脉冲电流I GSS---漏极短路时截止栅电流V DS---漏源电压(直流I DSS1---对管第一管漏源饱和电流V GS---栅源电压(直流I DSS2---对管第二管漏源饱和电流P DM---漏极最大允许耗散功率I u---衬底电流I D(on---通态漏极电流I pr---电流脉冲峰值(外电路参数t on---开通时间,T on=T d(on+T r g fs---正向跨导t d(on---开通延迟时间G p---功率增益t r---上升时间G ps---共源极中和高频功率增益t off---关断时间,T off=T d(off+T f G pG---共栅极中和高频功率增益t d(off---关断延迟时间G PD---共漏极中和高频功率增益t f---下降时间g gd---栅漏电导I GM---栅极脉冲电流g ds---漏源电导I GP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数I F---二极管正向电流K u---传输系数R DS(on---漏源通态电阻L---负载电感(外电路参数R DS(of---漏源断态电阻L D---漏极电感R(thjc---结壳热阻L s---源极电感R(thja---结环热阻R GD---栅漏电阻V DD---漏极(直流电源电压(外电路参数R GS---栅源电阻V GG---栅极(直流电源电压(外电路参数R g---栅极外接电阻(外电路参数V ss---源极(直流电源电压(外电路参数R L---负载电阻(外电路参数V DS(on---漏源通态电压P IN--输入功率V GD---栅漏电压(直流P OUT---输出功率D---占空比(占空系数,外电路参数V su---源衬底电压(直流P PK---脉冲功率峰值(外电路参数V Du---漏衬底电压(直流I DS---漏源电流V Gu---栅衬底电压(直流I GF---正向栅电流Z o---驱动源内阻I GR---反向栅电流η---漏极效率(射频功率管V DS(sat---漏源饱和电压V n---噪声电压T L---晶格温度(Lattice temp/或指下限温度与T H相对a ID---漏极电流温度系数T e---电子温度(Electron tempT e=T L a rds---漏源电阻温度系数I AR(I A---雪崩电流(Avalanche CurrentE AR---重复雪崩电压(Repetitive Avalanche Energy半导体二极管参数符号及其意义T a---环境温度T c---壳温T j(T VJ---结温T jM(T VJM---最高结温T stg---温度补偿二极管的贮成温度V RRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压I F(AV---正向平均电流I F---正向直流电流(正向测试电流。
二极管,晶体管,晶闸管的符号
一、引言二极管、晶体管、晶闸管作为电子元件，在现代电子科技中具有重要的作用。
它们的符号不仅仅是标识其外形，更是代表着其内部结构和工作原理。
本文将深入探讨二极管、晶体管、晶闸管的符号，帮助读者更全面地理解这些电子元件的特点和应用。
二、二极管的符号二极管是一种只能导通一个方向的半导体器件，常用于电子电路中的整流、变频和限幅等功能。
在电子元件的图纸或电路图中，二极管的符号通常由一个三角形和一条水平线组成。
其中，三角形一端的角表示二极管的P端，即阳极；另一端的水平线表示二极管的N端，即阴极。
这个符号简单直观，清晰地表示了二极管的工作原理。
三、晶体管的符号晶体管是一种放大信号的半导体器件，其符号通常由一组相互连接的箭头组成。
箭头的方向表示了晶体管中电流的流向，以及控制端与电流流向之间的关系。
晶体管分为NPN型和PNP型两种，对应的符号也有所不同。
NPN型晶体管的符号中，两个朝向晶体管内部的箭头表示了从基极到发射极的电流流向；而PNP型晶体管的符号中，两个背向晶体管内部的箭头表示了从发射极到基极的电流流向。
这种符号设计能够直观地反映晶体管的输电性质和工作原理。
四、晶闸管的符号晶闸管是一种可控硅器件，具有开关功能和放大功能，被广泛应用于电力电子等领域。
其符号通常由一个由两个箭头组成的三角形和一个控制极组成。
三角形的两个箭头表示了晶闸管中的PN结，控制极则表示了晶闸管的触发电路。
晶闸管的符号设计简单明了，能够清晰地表示其内部结构和工作原理。
五、总结通过深入探讨二极管、晶体管、晶闸管的符号，我们可以更全面地理解这些电子元件的特点和应用。
二极管的符号由三角形和水平线组成，简洁直观；晶体管的符号由一组箭头表示，能够清晰地反映其输电性质和工作原理；晶闸管的符号由三角形和控制极组成，简单明了。
这些符号设计不仅帮助工程师们更方便地理解电路图，也为电子元件的应用提供了便利。
六、个人观点和理解在我看来，电子元件的符号设计是非常重要的，它直接影响着工程师们对电路图的理解和设计。
场效应管符号
场效应管符号
场效应管（Field-Effect Transistor，FET）的符号通常由以下几个主要元素组成：
门极（Gate）：
门极是场效应管的控制端，用于控制电流流动。
它通常表示为一条向内弯曲的箭头或一个倒三角形，位于符号的左边。
源极（Source）：
源极是场效应管的起始点，电流从源极流入。
它通常表示为一条水平线段，位于符号的左下方。
漏极（Drain）：
漏极是场效应管的结束点，电流从漏极流出。
它通常表示为一条水平线段，位于符号的左上方。
通道（Channel）：
通道是源极和漏极之间的路径，控制门极电压可以改变通道的导电性。
它通常表示为一个与源极和漏极之间相连的直线段。
下面是场效应管（N沟道MOSFET）的符号示例：
G
|
|
-----|-----
D | S
在该示例中，G代表门极（Gate），D代表漏极（Drain），S代表源极（Source），而通道则在D和S之间的连接线上。
请注意，不同类型的场效应管（如P沟道MOSFET）在符号中可能会有细微的差异，但整体结构和表示方式大致相似。
mos管的结构和符号
mos管的结构和符号
MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，也称为金属
氧化物半导体场效应晶体管。
它由金属-氧化物-半导体三层结构组成。
在MOS管中，金属层被用作栅极，氧化物层通常是二氧化硅，
作为绝缘层，而半导体则是用来形成通道的材料，通常是硅。
MOS管的符号通常由三个连在一起的线段组成，分别代表栅极、漏极和源极。
栅极由一条短线段连接到一个长线段，漏极和源极则
分别连接到另外两个短线段。
这个符号代表了MOS管的基本结构，
并且在电路图中被广泛使用。
从结构上来看，MOS管可以分为N沟道MOS（NMOS）和P沟道MOS（PMOS）两种类型。
NMOS的通道是N型半导体，而PMOS的通道
是P型半导体。
这两种类型的MOS管在工作原理和符号上有一些细
微的差别，但整体结构和符号表示上基本相似。
从应用角度来看，MOS管作为一种重要的半导体器件，在集成
电路中扮演着至关重要的角色。
它被广泛应用于数字集成电路中，
如微处理器、存储器等，同时也在模拟集成电路中发挥作用。
由于MOS管具有体积小、功耗低、速度快等优点，因此在现代电子设备
中得到了广泛的应用。
总的来说，MOS管的结构是由金属-氧化物-半导体三层组成，其符号由栅极、漏极和源极组成的简单线段图案表示。
从不同角度来看，MOS管在电子器件中起着重要作用，并且在数字集成电路和模拟集成电路中有着广泛的应用。
场效应晶体管的电路符号及图片识别
场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor)，简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。
场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S，栅极G，漏极D。
令狐采学场效应管电路符号一：场效应管的分类：1、各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。
所谓沟道，就是电流通道。
2、根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。
结型场效应管的英文是Junction Field Effect Transisto r，简称JFET。
JFET 又分为N沟道，P沟道场效应管。
绝缘栅型场效应管：英文是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写为MOSFET，简称MOS管。
MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
3、按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二：场效应晶体管具有如下特点：（1）输入阻抗高；（2）输入功耗小；（3）温度稳定性好；（4）信号放大稳定性好，信号失真小；（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三：场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管四：场效应管的主要作用：1.场效应管可应用于放大。
4种mosfet电路符号
4种mosfet电路符号
MOSFET 电路符号有四种，分别为N沟道 MOSFET（NMOS），P沟道MOSFET（PMOS），双沟道 MOSFET（D MOSFET）和场效应管（JFET）。
NMOS，又称为N沟道型MOSFET，是一种使用P半导体材料制成的
电子器件，可以将集电极闭合或断开，从而控制一到多个经由此处流
过的电流。
它的符号由三条横线组成，表示栅极，源端口和漏端口。
PMOS，又称为P沟道型MOSFET，是一种使用N半导体材料制成的
电子器件，它同样可以控制经由它处流过的电流。
它的符号由三条横
线组成，表示栅极，源端口和漏端口，并有一个大写的P字母在其中，表示它是使用P半导体材料制成的电子器件。
D MOSFET，又称为双沟道型MOSFET，是一种既有N沟道，又有P
沟道的电子器件。
它的符号由四条横线组成，表示栅极，源端口，N沟道和P沟道。
栅极和源极之间有一个大写的D字母，表示它是一个双
沟道结构。
JFET，又称为场效应管，其操作原理是通过场效应控制道流，输
出电流由栅极控制外部的参考电压来调节，也就是通用的场效应管操
作中的压控电流调节（VCC）。
它的符号由三条横线组成，表示栅极，
源端口和漏端口，有一个大写的J字母在其中，表示它是使用场效应技术制成的电子器件。
场效应管及其参数符号意义概要
场效应管及其参数符号意义场效应管（英缩写FET ）是电压控制器件，它由输入电压来控制输出电流的变化。
它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。
供应信息需求信息一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N 沟道和P 沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管（JFET ）（1）结构原理它的结构及符号见图1。
在N 型硅棒两端引出漏极D 和源极S 两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P 区，形成两个PN 结。
在P 区引出电极并连接起来，称为栅极Go 这样就构成了N 型沟道的场效应管图1、N 沟道结构型场效应管的结构及符号由于PN 结中的载流子已经耗尽，故PN 基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED 一定时，如果栅极电压越负，PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID 就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压EG 可以控制漏极电流ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
（2）特性曲线1）转移特性图2（a ）给出了N 沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。
用IDSS 表示。
VGS 变负时，ID 逐渐减小。
ID 接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP 表示，在0≥VGS ≥VP 的区段内，ID 与VGS 的关系可近似表示为：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨导gm 为：gm=（ID/VGS △△）|VDS=常微（微欧）|式中：ID △-----漏极电流增量（微安）VGS △-----栅源电压增量（伏）图2、结型场效应管特性曲线2）漏极特性（输出特性）图2(b给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线很相似。
①可变电阻区（图中I 区）在I 区里VDS 比较小，沟通电阻随栅压VGS 而改变，故称为可变电阻区。
晶体管的分类及符号
晶体管的分类及符号
晶体管是一种重要的电子器件，常用于电子电路中的放大、开关和控制等功能。
根据结构和工作原理的不同，可以将晶体管分为以下几种常见类型：
1. NPN 晶体管：NPN 晶体管是一种双向导电的晶体管，由两个N 型半导体层夹着一个P 型半导体层构成。
其符号为三个箭头，其中两个箭头指向P 型半导体，一个箭头指向N 型半导体。
2. PNP 晶体管：PNP 晶体管也是一种双向导电的晶体管，与NPN 晶体管相比仅改变了半导体层的类型。
其符号与NPN 晶体管相比，箭头的方向相反。
3. MOSFET：MOSFET 是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的简称。
它由金属门极、氧化物绝缘层和半导体基区构成。
根据结构和工作原理的不同，MOSFET 又可以分为N 沟道型和P 沟道型两种类型。
4. JFET：JFET 是结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor）的简称。
它有N 型和P 型两种型号。
N 型JFET 的符号为一个箭头指向内部N 型层，P 型JFET 的符号为一个箭头指向内部P 型层。
这些都是晶体管中最常见的类型，每种类型的晶体管都有不同的应用场景和特点。
在电子电路设计中，正确选择和使用适当的晶体管类型非常重要。
场效应管参数符号意义_1729
场效应管参数符号意义_1729场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数，外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数) gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻(外电路参数) RL---负载电阻(外电路参数) R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值(外电路参数) to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流) VGS---栅源电压(直流) VGSF--正向栅源电压(直流) VGSR---反向栅源电压(直流) VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)VGS(th)---开启电压或阀电压 V(BR)DSS---漏源击穿电压 V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压(直流) Vsu---源衬底电压(直流) VDu---漏衬底电压(直流) VGu---栅衬底电压(直流) Zo---驱动源内阻η---漏极效率(射频功率管) Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数。
场效应管电路符号
场效应管电路符号场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子器件，常用于放大、开关和模拟信号处理等应用。
在电路图中，场效应管通常用特定的符号表示。
本文将详细介绍场效应管电路符号的各个组成部分及其含义。
1. 整体结构在电路图中，场效应管的符号由多个部分组成，包括源极、漏极、栅极和箭头等元素。
下面将逐一介绍这些部分的含义。
2. 源极（Source）源极是场效应管的一个端点，通常用一个箭头表示。
箭头指向源极，表示电流从源极流入管子。
源极与外部电路相连，负责提供或接收电流。
3. 漏极（Drain）漏极是场效应管的另一个端点，通常用一个直线表示。
直线连接到漏极，表示电流从漏极流出管子。
漏极与外部电路相连，在放大器中负责输出信号。
4. 栅极（Gate）栅极是场效应管的控制端点，通常用一个隔离的直线表示。
栅极与源极之间的电压可以控制管子的导电性能。
当栅极的电压变化时，场效应管的输出特性也会相应变化。
5. 箭头（Arrow）箭头是场效应管符号中的一个重要部分，用来指示电流流动的方向。
箭头指向源极，表示电流从源极流入管子。
箭头还可以帮助区分N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）型场效应管。
•N沟道型场效应管：箭头指向源极。
•P沟道型场效应管：箭头指向漏极。
通过观察箭头的方向，我们可以快速判断场效应管的类型。
6. 其他元素除了上述主要部分外，场效应管符号还可能包含其他元素，如参考标记、引脚编号等。
这些元素用于标识不同引脚或特殊功能。
7. 不同类型的FET符号根据不同类型和结构的场效应管，其符号可能略有差异。
下面介绍几种常见类型的FET符号：7.1 N沟道型MOSFETN沟道型MOSFET（NMOS）是一种常见且重要的场效应管。
其符号如下：NMOS的源极箭头指向左侧，表示电流从源极流入管子。
7.2 P沟道型MOSFETP沟道型MOSFET（PMOS）是另一种常见的场效应管。
源极漏极栅极符号
源极漏极栅极符号
源极、漏极和栅极是场效应晶体管（FET）的三个主要部分。
它们在电路图中通常用特定的符号表示，以便更容易地理解和分析电路。
1. 源极（Source）：源极是场效应晶体管的输入端，电流从这个端口流入或流出。
在电路图中，源极通常用一个箭头指向器件的符号表示，箭头指向的方向表示电流的流动方向。
2. 漏极（Drain）：漏极是场效应晶体管的输出端，电流从这个端口流入或流出。
在电路图中，漏极通常用一个箭头指向器件的符号表示，箭头指向的方向表示电流的流动方向。
3. 栅极（Gate）：栅极是场效应晶体管的控制端，通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
在电路图中，栅极通常用一个带有“X”标记的矩形表示，表示这是一个控制信号输入端。
在实际应用中，源极、漏极和栅极的具体位置可能会有所不同，但它们的功能和符号表示仍然相同。
了解这些基本概念和符号对于学习和分析电子电路非常重要。
电气CAD绘中的电子元件符号解析
电气CAD绘中的电子元件符号解析在电气CAD（计算机辅助设计）绘图中，电子元件符号扮演着非常重要的角色。
它们代表着不同类型的电子元件，如电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
准确理解和运用这些电子元件符号是进行电路设计工作的基础。
本文将对几种常见的电子元件符号进行解析。
1. 电阻符号：电阻是电路中常用的元件之一，它的主要作用是限制电流的流动。
电阻符号由一个矩形表示，两侧分别带有两条平行的直线。
矩形内部还有表示电阻具体数值的字母或数字。
2. 电容符号：电容是一种能够存储电荷的元件，广泛应用于电路中。
电容符号由两个平行的线段组成，中间隔开一段距离。
两个线段朝向不同方向，并且线段两端带有两个平行的短线表示电容器的极性。
3. 电感符号：电感是一种通过电磁感应产生感抗的元件，常用于电源滤波、谐振电路等电路中。
电感符号由两个互补的平行线段组成，线段中间连接一个带有箭头的半圆，表示电感器的线圈。
4. 二极管符号：二极管是一种具有单向导电性质的电子元件，通过改变导电方向来控制电流流动。
二极管符号由一个三角形和一个带有箭头的线段组成。
三角形表示PN结，箭头表示电流的流动方向。
5. 晶体管符号：晶体管是一种用于放大或开关信号的元件，常见的有NPN型和PNP型晶体管。
晶体管符号由三个箭头组成，箭头的位置表示不同的导电区域。
除了以上列举的几种常见的元件符号外，还有很多其他类型的电子元件，如开关、IC芯片、继电器等。
不同的电子元件符号代表着不同的功能和特性，准确理解和使用它们可以帮助工程师设计出更高效、可靠的电路。
总结：电子元件符号在电气CAD绘图中扮演着重要的角色，准确理解这些符号是进行电路设计的基础。
通过本文的介绍，我们了解了电阻、电容、电感、二极管和晶体管等常见元件符号的含义和表示方法。
这些符号的正确使用对于设计出高效、可靠的电路至关重要。
希望本文的解析对读者有所帮助，提升他们在电气CAD绘图中的设计能力。
场效应管图形符号巧识别
摘要:本文主要针对场效应管图形符号的识别，进行了较为全面的介绍，希望能够为电子技术应用专业的中职学生解决学习难点起到帮助作用。
关键词:场效应管中职学生场效应管类型较多，对于中职学生来说，学习难度较大。
如何帮助学生尽快理解并掌握好场效应管这一知识环节，下面就谈一下作者个人的见解。
1图形符号识别场效应管的图形符号由三部分组成：引出的电极、代表场效应管基体的短竖线，附着于某电极的箭头。
1.1沟道类型判断沟道类型由箭头指向判别。
箭头方向由P至N，即箭头出发端与竖线相连，表明其为P型半导体，为P沟道；箭头指向端与竖线相连，为N沟道。
图中符号a、c、e均为N 沟道场效应管。
1.2结型与绝缘栅型判断结型场效应管的栅源反向漏电流不但影响工作稳定性，且造成输入电租降低，为此，出现栅源间几乎绝缘的绝缘栅型场效应管。
图形符号上，该类型的场效应管栅极已不再从基体直接引出。
这就是图形符号上的判断特征。
图中符号c、d、e、f的栅极均未从代表基体的短竖线引出，均为绝缘栅型场效应管。
1.3耗尽型与增强型的判断耗尽型指栅极零偏压时，漏源之间存在导电沟道。
增强型指栅极零偏压时，漏源之间无导电沟道。
图形符号中，代表基体的短竖线为实线表示初始情况下渠道通畅，为虚线表示初始情况下渠道不存在，与概念形象对应。
据此不难判断出图中符号c、d为增强型场效应管。
2工作条件识别场效应管的工作条件主要是两点：栅源偏置电压和漏源偏置电压。
那么偏置电压极性该如何判断呢？2.1漏源偏置电压极性掌握要点：①载流子类型：N沟道载流子为负电荷，P 沟道载流子为正电荷。
②载流子移动方向：负电荷由低电位处移向高电位处，正电荷则相反。
③场效应管的载流子均是由源极移动向漏极（分析漏源电位高低的依据）。
对于N沟道场效应管：载流子为负电荷，移动方向要由源极移动至漏极，显然漏极应为高电位。
即漏源正偏。
对于P沟道场效应管：载流子为正电荷，移动方向要有源极移动至漏极，显然漏极应为低电位，即漏源反偏。
场效应管(mosfet)参数符号意义
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。
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发射极，基极和集电极，并且分别记作 e、b 和 c。位于发射区与基区之间的 PN 结称为发射结，位于 基区与集电极之间的 PN 结称为集电结。根据三极 管发射极的箭头方向是发射结的内电场的反方向， 如图 4 所示，可推知：发射结的内电场的方向自发 射极指向基极，从而推知该电路符号表示的是 NPN 型三极管如图 5（a） 所示，类似地可推知：如图 5 （ b） 所示电路符号表示的是 PNP 型三极管。
2005 年第 3 期
MOS 型场效应管，类似地可推知：图 7（ c） 所示电路符号表示的是 P 沟道的 MOS 型场效应管。耗尽 型 MOS 场效应管电路符号与类型的关系（ 如图 8 所示），类似地可推知：图 8（ a） 所示电路符号表 示 N 沟道的耗尽型 MOS 场效应管，图 8（ b） 所示电路符号表示 P 沟道的耗尽型 MOS 场效应管。耗 尽型 MOS 场效应管是栅源极间未加外电场时就存在导电沟道，而增强型 MOS 场效应管是栅源极间未 加外电场时不存在导电沟道。
形箭头的指向、晶体三极管发射极上的箭头方向、结型场效应管栅极的的箭头方向均与这些器件内部 的 PN 结的内电场的方向相反。MOS 型场效应管基片引线上的箭头方向与形成沟道的电子运动的方向 相同，与形成沟道的空穴运动的方向相反ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ再加上掌握晶体管、场效应管基本结构，一方面可以一劳 永逸地从晶体管及场效应管电路符号上准确无误地识别晶体管及场效应管的各种类型，另一方面也可 以画出各种类型的晶体管及场效应管对应的电路符号。
结论：综上所述：只要记住（1） N 型半导体多数载流子是电子，N 取自“ 负” 的英文单词 “ Ngeative” 第一个 字 母；P 型 半 导 体，多 数 载 流 子 是 带 正 电 的 空 穴，P 取 自 “ 正” 的 英 语 单 词 “ Positive”第一字母。（2） PN 结空间电荷区的内电场方向是自 N 区指向 P 区。（3） 晶体二极管三角
半导体的命名：P 型、N 型半导体。本征半导体：本征激发使半导体内部成对地出现了电子和空 穴，电子和空穴的数目相等且数目都是很少的；N 型半导体：将微量五价元素，例如磷（ P），掺入 单晶硅中，导致电子成为这类半导体的多数载流子，而空穴成为少数载流子，这类半导体称为 N 型 半导体；P 型半导体：将微量三价元素，例如硼（ B），掺入单晶硅中，导致空穴成为这类半导体的 多数载流子，而电子成为少数载流子，这类半导体称为 P 型半导体。对于 P、N 型半导体关键是要分 清楚哪种类型的半导体的多数载流子是电子，哪种类型的半导体的多数载流子是空穴？N 型半导体+ 多数载流子是电子+电子带“ 负” 电+取“ 负” 的英文单词“ Negative” 的第一个字母“ N”，P 型 半导体+多数载流 子 是 空 穴 + 空 穴 带“ 正” 电 + 取“ 正” 的 英 文 单 词“ Positive” 的 第 一 个 字 母 “ P”。关键是记住“ 正” 的英文单词“ Positive” 和“ 负” 的英文单词“ Negative”。例如：N 型 + Negative+多数载流子是带负电的电子+五价元素掺入单晶硅中形成的；P 型+Positive+多数载流子 是带正电的空穴+三价元素掺入单晶硅中形成的。
第二十卷第三期 2 005 年6 月
楚雄师范学院学报 JOURNAL OF CHUXIONG NORMAL UNIVERSITY
Vol. 20 No. 3 Jun. 2005
巧识晶体管、场效应管电路符号的意义*
李家旺
（ 楚雄师范学院，云南 楚雄 675000）
摘 要：本文通过研究晶体管、场效应管电路符号，揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义。并引导学生应用这些 结论：一方面，准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类；另一方面，准确画出给定类型的晶体管、场效应管 对应的电路符号。期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助。
（ 责任编辑：刘洪基）
The significance of understanding circuit symbols of transistor and field effect tube
LI Jiawang Abstract：This article attempts to uncover the significance of the circuit symbols of transistor and field effect tube by examining these two kinds of symbols. The study aims to benefit those students who study subjects related to transistor and field effect tube. Key Words：transistor；field effect tube；significance
PN 结：PN 结是将 P 型和 N 型半导体通过一定的掺杂工艺结合而成的，在交界面附近 P 型半导 体中的带正电的空穴向 N 型半导体扩散而 N 型半导体中带负电荷的电子向 P 型半导体扩散，在交界 面附近 P 区内留下带负电的受主杂质离子形成负空间电荷层，在另一边 N 区内留下带正电的施主杂 质离子形成正空间电荷层。在正负空间电荷层之间建立一定的电位差和内 电场，内电场的方向由 N 区指向 P 区（ 如图 1 示）。内电场促进少数载流 子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动最终达到动态平衡。这里学生 容易混淆的是空间电荷层内部的内电场方向是由 N 区指向 P 区还是由 P 区
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MOS 型场效管：MOS 场效管基片引线上的箭头方向与电子向沟道运动的方向相同，与空穴向沟
道运动的方向相反。由增强型 MOS 场效应管电路符号与类型的关系（ 如图 7 所示） 可推知：图 7 （a）所示电路符号表示的场效管电子自基片向沟道运动形成 N 型沟道，从而知其表示的是 N 沟道的
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楚雄师范学院学报
通过大量分析和归纳总结可知：晶体二极管三角形箭头的指向、晶体三极管发射极上的箭头方 向、结型场效应管栅极的箭头方向均与这些器件内部的 PN 结的内电场的方向相反。MOS 型场效应管 基片引线上的箭头方向与形成导电沟道的电子运动的方向相同，与形成导电沟道的空穴运动的方向 相反。
如图 2 所示，一个 PN 结加上外壳并分别从 P、N 区引出两个极即 构成了一个二极管，其符号中的“ + ”、“ - ” 表示二极管正向导通时 要求外加电压的极性方向。根据晶体二极管三角形箭头的指向是其内 部的 PN 结的内电场的反方向可知：PN 结的内电场的方向自“ - ” 极 指向“ + ”极。从而可推知：与正极引线相连的是 P 型半导体。与负 极引线相连的是 N 型半导体。这个结论与实际情况是一致的。
* 收稿日期：2005 - 04 - 11 作者简介：李家旺，男，楚雄师范学院物理系教师。
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楚雄师范学院学报
2005 年第 3 期
指向 N 区，要弄清这个问题只需记住扩散离开的是多数载流子。例如：N 型半导体的多数载流子是 带负电荷的电子，电子因扩散离开了（ 因为半导体原来是显电中性的），故交界面处 N 型半导体的一 侧的空间电荷层是带正电荷的离子，类似地，P 型半导体一侧的空间电荷层是带负电荷的离子，故内 电场应为：N 区指向 P 区。外加于 PN 结的电压产生的电场称为外电场，PN 结正向偏置是指外电场 方向与内电场方向相反（PN 结的电阻很小很小），PN 结反向偏置是指外电场方向与内电场方向相同 （PN 结的电阻很大很大）。
场效 应 管：场 效 应 管 分 为 结 型 和 绝 缘 栅 型 （MOS） 两大类。不论哪一类又分为 N 沟道和 P 沟 道两种类型。对于 MOS 型又分为增强型和耗尽型两种。对于场效应 管，N 沟道和 P 沟道在实际应用中都相当普遍，它不像三极管实际 应用中大量使用的是 NPN 型三极管，因此从符号上分清是 N 沟道还 是 P 沟道，是结型还是 MOS 型，是增强型还是耗尽型的场效应管就 有着十分重要的意义。在场效应管中，规定：导电沟道主要靠电子 导电（ N 型半导体），称为 N 沟道场效应管；导电沟道主要靠空穴导
参考文献： ［1］ 万嘉若，林康运等 . 电子线路基础（ 上册）［ M］. 北京：高等教育出版社，1986 （1）： 1—25. ［2］ 万嘉若，林康运等 . 电子线路基础（ 下册）［ M］. 北京：高等教育出版社，1986 （1）： 94—119. ［3］ 康华光，邹寿彬等 . 电子技术基础（ 数字部分） ［ M］ . 北京：高等教育出版社，2000 （4）：28—88. ［4］ 张健 华 . 数 字 电 子 技 术 基 础 学 习 指 导 书 ［ M ］ . 北 京：高 等 教 育 出 版 社 . 1997 （ 1 ）： 52—123.
关键词：晶体管；场效应管；意义 中图分类号：TN 文章标识码：A 文章编号：1671 - 7406（2005）03 - 0129 - 04
准确识别电路符号所对应的晶体管、场效应管的种类，是学习有关晶体管、场效应管的理论必备 的基础知识和技能。例如：看到电路图上的晶体管、场效应管的电路符号，就需要准确地辨别出是晶 体管还是场效应管，是 NPN 型还是 PNP 的晶体管，是 N 沟道还是 P 沟道，是结型还是 MOS 型的场效 应管，是增强型还是耗尽型的 MOS 型的场效应管。这些问题许多同学感到很难掌握，似乎弄清这些 问题无规律可循，无耐之下只好采用死记硬背来学习，结果，一方面：往往是今天记清楚了，几天以 后又混淆了；另一方面：对这些知识也没有深刻理解；本文通过归纳总结发现了半导体的命名及晶体 管、场效应管电路符号的箭头方向与上述问题之间的内在联系。利用它，学生只要记住很少的结论， 就可以轻松地掌握上述问题。