模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

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模拟电子技术试卷五套含答案

模拟电子技术试卷五套含答案

模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是。

2.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。

3.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时及中频时相比,放大倍数的附加相移约为。

4.为提高放大电路输入电阻应引入反应;为降低放大电路输出电阻,应引入反应。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。

这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达,但这种功放有失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。

二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。

A.型硅管 B.型锗管 C.型硅管 D.型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。

A.P沟道增强型管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型管D.N沟道耗尽型管3.在图示2差分放大电路中,假设 = 20 ,那么电路的( )。

A.差模输入电压为10 ,共模输入电压为10 。

B.差模输入电压为10 ,共模输入电压为20 。

C.差模输入电压为20 ,共模输入电压为10 。

D.差模输入电压为20 ,共模输入电压为20 。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应( )。

A.减小C,减小 B.减小C,增大C.增大C,减小 D.增大C,增大6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。

A.1500 B.80 C.50 D.307.桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。

A.根本共射放大电路 B.根本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.某电路输入电压和输出电压的波形如下图,该电路可能是( )。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

(2) A um
( Rc // Rc )
rbe

30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4

U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C

电子技术基础(模拟部分)习题答案

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。

2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。

3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。

6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。

9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。

模拟电子技术基础考试试题答案

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空1分,共20分,所有答案均填写在答题纸上)1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在区时,关系式Ic Ib才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时,视为短路,视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚短是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。

二、单项选择题(共10题,每题2 分,共20分;将正确选项的标号填在答题纸上)1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时,稳压二极管。

A:稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大C:反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为。

A:饱和状态B:截止状态C:放大状态D:不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

关于这两只三极管,正确的说法是。

图1(a) 图1(b) 图2A:(b)图中电流为5.1mA的电极为发射极。

模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)

模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)

期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。

A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。

A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。

A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。

A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。

A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。

当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。

A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。

A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。

A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。

答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。

A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。

A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。

A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。

模拟电子技术试题(一) - 答案

模拟电子技术试题(一) - 答案

模拟电子技术试题一、判断题:(20×2ˊ)1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。

(对)2、在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。

(F)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。

(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。

(错)5、二极管和三极管都是非线性器件。

( T )6、N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。

(对)7、二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。

(对)8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。

(错)9、使用稳压管时应阳极接正,阴极接负(错)10、二极管的核心是一个PN结,所以二极管具有单向导电性。

(T)11、某发光二极管,两引脚一个长,一个短,则长引脚对应发光管的阴极。

( F )12、稳压管在正常稳压工作区域里,它的电流变化很大,而电压变化很小(对)13、普通二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿(∨)14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分( F )15、整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。

(∨)16、放大电路的三种组态,都有功率放大作用。

( T )17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,发射极和集电极可相互调换使用。

( F )18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可以将其改成P型半导体。

( T )19、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(F)20、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(对)二、选择题:(15×3ˊ)1、P型半导体的多数载流子是( B )。

A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是( C )。

A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生3、关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是( A )。

模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx

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模拟电子技术基础试卷一及参考答案(总分150分)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。

在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。

)1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态,设R「RMR L,则电路的电压增益为()g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺; d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为( a.Rg+(l?jj//7?g2) c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指()a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是() a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮,A 为理想运放,a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中,若输入电压△5尸80诃,二60mV,则差模输入电压为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo) b. /?g.//(/?g]+/?g2) d. [R g +(心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为()c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。

模拟电子技术基础试题与答案

模拟电子技术基础试题与答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。

(4)×。

.(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

,【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

《模拟电子技术基础》习题答案

《模拟电子技术基础》习题答案

模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。

R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案一、选择题1. 以下哪个元器件用于将交流信号转换为直流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻2. 以下哪个元器件用于放大电流或电压?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器3. 以下哪个元器件用于储存电荷并释放电荷?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器4. 以下哪个元器件用于控制电流的流动?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电感5. 以下哪个元器件用于将直流信号转换为交流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 变压器二、填空题1. NPN晶体管有_三层_和_两个PN结_。

2. 集成电路是将多个_电子元器件_集成到一块_半导体_芯片上。

3. 交流信号的频率是指单位时间内信号_周期_的个数。

三、判断题1. 电压是指电流通过导体时导体两端的电势差。

(正确/错误)2. 电容器可以储存电荷并释放电荷。

(正确/错误)3. 二极管可以放大电流或电压。

(正确/错误)4. 集成电路是将多个电子元器件集成到一块半导体芯片上。

(正确/错误)5. 交流信号是指电流方向和大小都随时间变化的信号。

(正确/错误)四、简答题1. 请简要解释PN结和作用。

PN结是一种由P型半导体和N型半导体结合而成的二极管结构。

它的作用是可以实现单向导电性,即只允许电流在一个方向上通过。

在正向偏置时,电流可以流过PN结;而在反向偏置时,电流基本上无法流过PN结。

2. 请简要介绍晶体管的工作原理。

晶体管由三个区域(发射区、基区和集电区)的半导体材料组成。

当在基区加上一小电流时(基电流),可以控制从发射区到集电区的大电流(集电电流)的流动。

晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来控制集电区的电流,实现信号的放大。

五、综合题请根据以下电路图,回答问题。

电路图:[图片未提供]1. 请标注图中所示电子元器件的名称和性质。

- 元件1: 二极管,用于将交流信号转换为直流信号。

模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C o 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。

(1)当二极管正偏压为0.65V 时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C o 或降至10C -o 时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=οοοοT=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即ο则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时οοοο1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础习题解答
(a)(b)
(c)(d)
解图P2.2
2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路,并写出的表达式。
(a)(b)(c)
(d)(e)(f)
(g)(h)(i)
图T2.2
解:图(a)不能。VBB将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。输入信号与基极偏置是xx关系而非xx关系。
图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。
解图Pl.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14(a)(b)
解图Pl.14
解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及值,建立坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图Pl.14 (b)所示。
(a)(b)(c)
补图P1
解:波形如下图所示
补充2.在温度20oC时某晶体管的试问温度是60oC时的?
解:。
补充3.有两只晶体管,一只的β=200 , ;另一只的β=100 , ,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?
解:选用β=100 , 的管子,因其β适中,较小,因而温度稳定性较另一只管子好。
第1xx 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ )

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。

(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

( )【解答】(1)×。

放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。

(2) √。

放大的特征就是功率的放大。

(3)×。

应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。

(4)×。

.(5) √。

设置合适的静态工作点。

(6)×。

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

(7)×。

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电对交流信号均可视为短路。

,【解答1 (a)不能。

因为输人信号被VBB所影响。

(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

模拟电子技术考试试题汇总及答案
如何调整?⑶若 , 和 的 , ,
,假设 、 、 中任意一个开路,将会产生什么后果?
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值),RL=20Ω, C=2000µF。试问:①正常时 ?②如果电路中有一个二极管开路, 是否为正常值的一半?③如果 为下列数值,可能出了什么故障?
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为 ,如将LC选频网络中的电容C增大一倍,则振荡频率约为( c )。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比,主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力,同时减小对信号源索取的电流,应引入( a )。
⒉图5-2中的集成均为理想运放,各电路均满足深负反馈条件,试判断它们的反馈组态和极性,并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示,设 、 的特性完全对称, 为正弦波,
, 。试回答:⑴静态时,电容 两端电压就是多少?调整哪
个电阻能满足这一要求?⑵动态时,输出电路 出现交越失真,应调整哪个电阻?
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、(12分)
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
(1)试分别说明4个放大电路所属的组态;
(2)当信号源为电压源,且内阻不为零时,最好采用图中哪一个电路作为输入级?
(3)为了使放大电路有较强的带负载能力,最好采用图中哪一个电路作为输出级?
(4)当信号的频率范围比较宽,肯包含较高的频率成分时,最好采用图中哪一个电路进行放大?
③(a) ,说明电容开路,无滤波作用。

模拟电子技术基础习题及答案

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模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。

(1)在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体,加入元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价(2)PN 结加正向电压时,空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(3)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小(4)稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解:(1)A、C (2)A (3)A (4)C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值,设二极管是理想的。

(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)二极管导通U O1=2V (2)二极管截止U O2=2V (3)二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)二极管截止U O1=0V (2)二极管导通U O2=-1.3V (3)二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示,设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1解:二极管D1截止,D2导通,U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1.3.2解:当u i>0V 时,D 导通,u o =u i;当u i≤0V 时,D 截止,u o=0V。

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第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上)1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。

3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。

5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。

7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的交流通路用于研究 。

9、理想运放的两个输入端虚断是指 。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈不复存在则为 。

11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。

12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。

13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。

14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。

二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。

A :稳压效果变差B :稳定电压变为二极管的正向导通压降C :截止D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。

A :饱和状态B :截止状态C :放大状态D :不能确定3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。

A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管7V0.7V0V①②③图1 图24、电路如图2所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是。

A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。

C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。

D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

5、已知某三极管β=80,如果I B从10μA变化到20μA,则I C的变化量。

A:可能为0.9mA B:可能是0.6mAC:可能为1mA D:一定是0.8mA6、图3中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A:可获得很大的放大倍数B:可使温漂小C:可以放大低频信号D:集成工艺难于制造大容量电容8、图4中所示各电路中的场效应管有可能工作在恒流区的是。

图4A:(a)、(b) B:(b)、(c)C:(c)、(d)D:(a)、(d)9、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是正反馈。

A:输入电阻增大B:输出电阻增大C:净输入量增大D:净输入量减小10、若要求放大电路取用信号源的电流小,而且输出电压基本不随负载变化而变化,在放大电路中应引入的负反馈类型为。

A :电流串联B :电压串联C :电流并联D :电压并联三、判断题(共5题,每题 2分,共 10分,对的打“√”,错的打“×”,答案填在答题纸上) 1、在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N 型半导体。

2、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子扩散运动形成的。

3、放大电路只要能放大信号功率就可以称其有放大作用。

4、由于阻容耦合多级放大电路有耦合电容存在,所以不适合放大频率低的信号。

5、若放大电路的放大倍数为正,则引入的反馈一定是正反馈。

四、判断图5所示各电路引入的负反馈的类型,从四个备选项中选择正确的选项, 将正确选项的标号填在答题纸上,答在试卷上的无效;(每题 2 分,共 8 分) 本题的备选答案如下:A :电压并联负反馈B :电压串联负反馈C :电流串联负反馈D :电流并联负反馈1、图5(a )引入的反馈的类型为 。

2、图5(b )引入的反馈的类型为 。

3、图5(c )引入的反馈的类型为 。

4、图5(d )引入的反馈的类型为 。

图5(a) 图5(b) 图5(c) 图5(d)五、分析图6所示放大电路中T1和T2及其周边元件组成的放大电路的组态,并画出其交流通路和微变等效电路(第1至2小题每题2分,第3小题8分,共12分,将答案做在答题纸的相应位置) 1、图6中T1组成 放大电路。

2、图6中T2组成 放大电路。

3、画出图6所示放大电路的交流通路和微变等效电路。

图6 图7六、分析计算题(共3题,每题10分,共30分,答案一律写在答题纸的指定位置处)1、(本题10分)在图7所示电路中,已知晶体管的β=80,r be =1k Ω,i U &=20mV ;静态时U BEQ =0.7V ,U CEQ =4V ,I BQ =20μA (1)求解电压放大倍数io u U U A &&&/=; (4分)(2)求解电压放大倍数s o us U U A &&&/=; (2分)(3)求放大电路的输入电阻o i R R 和 (4分)2、(本题10分)实验电路如图8(a)所示,示波器(已校准)X 轴扫描档位为0.25ms/div ,输入、输出信号对应通道的Y 轴档位分别为10mV/div 和1V/div ,图8(b)是甲同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i (上)和输出信号u o (下);图8(c)是乙同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i (上)和输出信号u o (下)。

(1)甲、乙两同学哪个同学实验电路参数调整的合理?并根据该同学观察到的波形求输入信号的频率f 及电压放大倍数u A &。

(6分)(2)电路参数调整的不合理的同学所观察到的输出波形出现了何种失真?如何调整ωR 才能消除这种失真?(4分)图8(a) 图8(b) 图8(c)3、(本题10分)已知V u V u V u I I I 3,2,1321===,分别求图9(a)和图9(b)中的输出电压o u 。

图9(a) 图9(b)参考答案一、填空题(每空1分,共20分)1、 场效应管仅靠多数载流子导电 。

2、 饱和区 。

3、 绝缘栅 。

4、 基 。

5、 电容 ; 电感 。

6、 变压器耦合 ; 光电耦合 。

7、 基 ; 集电 。

8、 放大电路的动态参数 。

9、 集成运放的两个输入端的电流趋于零,但又不是真正断路的特点 。

10、 电压反馈 。

11、 交流反馈 。

12、 输入级(前置级) ; 中间级 。

13、 同 ; 反 。

14、 差模放大倍数 ; 共模放大倍数 。

二、单项选择题(每小题2分,共20分)题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案BACBBCDDCB三、判断题(每小题2分,共10分)1、 √2、× 3、 √ 4、 √ 5、 ×四、判断负反馈类型 (每小题 2 分,共 8 分)1、 C2、B 3、 A 4、 D五、分析题(第1至2小题每题3分,第3小题6分,共12分) 1、图6中T1组成 共集 放大电路。

2、图6中T2组成 共基 放大电路。

3、图6所示电路的交流通路和微变等效电路如下:图6所示电路的交流通路 图6所示电路的微变等效电路 六、分析计算题(每题10分,共30分) 1、(本题共10分)解:画出交流微变等效电路:(1)求解电压放大倍数.../i o u U U A =(共4分)20015.280)//(//)//(...-=⨯-=-≈-==beL c beb Lc io u r R R r R R R U U A ββ (2)求解电压放大倍数.../s o us U U A =(共2分)320031200////200*.......-=⨯-=+-===be b s be b sii os ou r R R r R U U U U U U A(3)求放大电路的输入电阻i R 和o R (共4分)co be be b i R R k r r R =Ω=≈=1//R2、(本题共10分) 解:(1) 甲同学电路参数调整的合理;(共6分)由图知:mS T 5.025.02=⨯=,mV U ipp 15105.1=⨯=,V U opp 2.312.3=⨯= 信号的频率Z KH mST f 25.011===3.21152.3-==-=mVV Ui U A pp opp u& (2)电路参数调整的不合理的同学,也就是乙同学,观察到的输出波形发生了饱和失真;调整ωR 使之增大可以消除该失真。

(共4分) 3、(本题共10分) 解:(a )Vu u u u R Ru R R u R R u 935221252213I2I1I33f I22f I11f O =⨯+⨯-⨯-=+--=⋅+⋅-⋅-=(共5分)(b )Vu u u u R Ru R R u R R u 133210*********I2I1I33f I22f I11f O =+⨯+⨯-=++-=⋅+⋅+⋅-=(共5分)。

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