诺基亚7710逻辑存储电路图
诺基亚手机充电器电路图及分析
图 1为一款诺基亚手机通用充电器实绘电路。
AC220V电压经D3半波整流、C1滤波后得到约+300V电压，一路经开关变压器T初级绕组L1加到开关管Q2 c极，另一路经启动电阻R3加到Q2 b极，Q2进入微导通状态，L1中产生上正下负的感应电动势，则L2中产生上负下正的感应电动势。
L2中的感应电动势经R8、C2正反馈至Q2 b极，Q2迅速进入饱和状态。
在Q2饱和期间，由于L1中电流近似线性增加，则L2中产生稳定的感应电动势。
此电动势经R8、R6、Q2的b-e结给C2 充电，随着C2的充电，Q2 b极电压逐渐下降，当下降至某值时，Q2退出饱和状态，流过L1中的电流减小，L1、L2中感应电动势极性反转，在R8、C2的正反馈作用下，Q2迅速由饱和状态退至截止状态。
这时，+300V 电压经R3、R8、L2、R16对C2反向充电，C2右端电位逐渐上升，当升至一定值时，在R3的作用下，Q2再次导通，重复上述过程，如此周而复始，形成自激振荡。
在Q2导通期间，L3中的感应电动势极性为上负下正，D7截止；在Q2截止期间，L3中的感应电动势极性为上正下负，D7导通，向外供电。
图1中，VD1、Q1等元件组成稳压电压。
若输出电压过高，则L2绕组的感应电压也将升高，D1整流、C4滤波所得电压升高。
由于VD1两端始终保持 5.6V的稳压值，则Q1 b极电压升高，Q1导通程序加深，即对Q2 b极电流的分流作用增强，Q2提前截止，输出电压下降若输出电压降低，其稳压控制过程与上述相反。
另外，R6、R4、Q1组成过流保护电路。
若流过Q2的电流过大时，R6上的压降增加，Q1导通，Q2截止，以防止Q2过流损坏。
X7-00拆机图_RM-707_SM_L1&L2_cn_v1[1].0
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静电释放是电子产品敏感元器件损坏的主要原因。因此每个服务中心都必须注意“诺基亚伙伴 服务要求”中对静电防护所提出的要求ห้องสมุดไป่ตู้同样也要注意此手册的静电防护要求。
Service Manual X7-00_SM_Level 1& 2
Copyright © 2011 NOKIA Corporation. All rights reserved.
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草稿
1.0
2011-05-18
中文版草稿
Service Manual X7-00_SM_Level 1& 2
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对于产品的质量改善有极大的帮助（如有需要请参考诺基亚全球统一故障代码说明文件）。同样准确地录入
更换器件也是必需的。
o 请了解某些故障与软件相关并可通过软件升级解决。
有许多的服务相关文件会发放到 诺基亚在线 或 E时代联盟 ，需要注意以下：
U
U
U
U
首先，注意最新的服务通告总是发放于 诺基亚在线 上。同样它有权指出旧的服务通告是否还起作用。
告诫：
1. 服务中心有可能被要求安装手机车载系统于汽车内。某些故障的情况下，手机的射频信号有可能影响到汽车 的电力管理系统和ABS（ANTI-SKID BRAKING SYSTEM）防抱死系统。如果有必要，请向汽车销售商或生 产商请教以确定汽车电子系统对射频能量的抗干扰性能。
2. 移动电话在以下地方不能进行操作使用： 3. 有潜在爆炸可能的地方，例如：加油站，煤气站，爆破作业区等。
诺基亚N77电源与音频电路图
600R/100MHz
L2004
MASTPD1 5
L2301 220R/100MHz C2300 10n
R2015 charge charge gnd L2006 ACI VOUT 600R/100MHz Vbus D+ Ddata gnd Xmicn Xmicp Xear_l_n Xear_l_p Xear_r_n Xear_r_p 100R
A1
XEARL_MUXED
4
VOUT
VBUS
VREF
BTEMP NTC
GND 0 1 2 3 4 5 0 2 1 J2210 J2211 J2212 J2220 J2221 0 2 1 C2202 2u2 R2200 1k0 GND L2202 J2071 C2071 15p GND
G2200 3V3 GND
DIG_AUDIO(5:0)
0 1 GND GND GND GND GND GND GND
4 5 6 3 2 1 0
2 RXD2 1 RXD 3 CLK 0 TXD
4 3 2 1
J2060
8 7 6
L2010 C2002 10p C2009 10p C2010 10p C2003 10p L2001 2 1 EXC24CB102U 3 4 R2013 14V/50V GND R2012 14V/50V GND 68nH
1 0 2 AUDIO_CTRL(2:0)
GND
47k R2071 SLOWAD(6:0)
-t B2200 32.768kHz GND GND GND
FlyHigh FlyLow VRef VAna VAux VDRAM VIO VR1 VRFC VSIM2 VRCP1 AFC TxC1 Gnd1 Gnd2 Gnd3 Gnd4 Gnd5 Gnd6 Gnd7 VibraP VibraN SIMClkC1 SIMDaC1 SIMRstC1 SIMClkC2 SIMDaC2 SIMRstC2 SIMDetX VSIM1 SerClk SerData SerSelX
诺基亚7710 PDA功能电路图
I2C(1:0)
Camera, Audio DAC
6 TDI TDO TMS TCK nTRST nEMU0 nEMU1 STATIC_VALID T18 V20 AA20 V18 GND 0 1 2 3 Y14 V14 R14 AA15 19 20 21 18 V6 R9 Y5 W5 Y4 SCL SDA CLK32K_CTRL CONF TX1 RX1 CTS1 RTS1 TX2 RX2 CTS2 RTS2 BDCLK2 GPIO0 GPIO1 GPIO2 GPIO3 GPIO4 GPIO6 GPIO7 GPIO8 GPIO9 GPIO11 GPIO12 GPIO13 GPIO14 GPIO15 ARMIO1 ARMIO2 ARMIO3 ARMIO4 ARMIO5 TX3 RX3 R18 R19 M14 P18 P20 P19 M15 Y8 W8 11 N18 N19 N21 M20 U19 N15 V8 T19 T20 M18 L14
SDRAM_DA(15:0) SDRAM_CTRL(6:0) SDRAM_AD(14:0)
4V
VBAT
2.8V
D5080
VEN BYPASS R5202 100k C5203 10n
C5201
N5200
VIN VMMC C5202 1u0 GND GND
1u0
LP3985ITLX -3.0_NOPB
SBANK0 SBANK1 SADD NSRAS NSCAS NSWE NSDQML NSDQMU
C10 13 D10 14 A2 H9 C3 B3 D4 D9 J4810 0 J4811 1 J4812 2 3 4 J4813 5
D14
18
MMC_CMD MMC_CLK MMC_DAT0
各种手机电路分析(ppt 117页)PPT学习课件
图3-7 8210／8850型手机的电源模块
（1） 提供整机工作电压。 (2) 具有充电控制功能。 (3) 具有复位功能。 (4) 具有联络功能。 (5) 具有D／A、 A／D转换功能。
图3-12 摩托罗拉V60型手机接收高放/混频模块U100及中频选频电路
4. 中频放大电路与中频双工模块Ｕ201
中频放大器是为了隔离混频器输出(FL104)与中频 双工模块Ｕ201， 同时提供部分增益， 以获得很好的 接收特性。 Q151是V60手机中频放大器的核心， 是典 型的共射极放大电路， Q151的偏置电压SW_VCC来 自U201， 由RF_V2在U201内部转换产生， R104是 Q151的上偏置电阻 ， 用来开启Q151的直流通道 ， R105是下偏置电阻， 用来调节 Q151的基极电流， C124和C126是允许交流性质的IF 400 MHz通过， 隔绝 SW_VCC电压进入U201和FL104的。 如图3-13所示。
V60手机一本振电路是一个锁相频率合成器， RXVCO(U300)输出的本振信号从第11脚经过L214、 C214等进入中频IC(U201)内部， 经过内部分频后与26 MHz参考频率源在鉴相器PD中进行鉴相， 输出误差电 压经充电泵Charge_Pump后从CP_RX脚输出， 控制 RXVCO的振荡频率。 该压控电路CP_RX越高， RXVCO(U300)的振荡产生频率越高， 反之越低。 其 电路原理如图3-15所示。
(8) 从N100的D4脚输出VREF(1.5 V)电压， 给射频 处理模块(N505)、 多模转换器(N250)等供电。
诺基亚7610原厂完整电路图
2.8V 2.8V 2.8V if accessory connected 1.5V if camera active
~4V if unpressed
0 2 1 GND
~4V
VBAT
GND
U12 V12 T12 B6 GND
VCHARIN1 VCHARIN2 VCHARINK TESTMODE
C274 1u0
GND GND GND GND
Vcc Meas R635 BGF100 1k0
2.8V
System connector
VFLASH1
R134 100k X132 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 GND VCHAR CHARGER GND HEADINT VOUT VBUS D+ DDATA GND XMICN XMICP XEARN XEARP XEARNR XEARPR
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CHARGER(2:0)
UEME
0 1 2
STROBE
CAMERA
Charger plug
X133 + 1 2 GND 1.5A F130
L130
R620 1k5
D614 74AUC1G08DCK6 1 & 4 2 VIO R621 3k9 3= GND C627 100n GND
9 0 V615 R622 330R UM6K1N-TN S GND S UM6K1N-TN GND
XAUDIOIO(8:0)
D G
D V615
G
GENIO(28:0)
UPP
UEME
42R/100MHz V130 1PMT16AT3 C134 10n C135 27p
诺基亚7710的格机格式化过程
诺基亚7710的格机格式化过程
7710的格机格式化过程
7710死机后，实在在无法启动了的情况下，就必需得格机了。
格机的步骤在诺记的7710说明书中也有说的了。
在日前也已有机友写过7710格机的宝典了。
在这我就再重复一次它的格机的过程吧，给刚买7710的朋友们看个透彻点的。
格机前最需注意的是:电量一定要足～先用PC套件备份好你的名片夹到电脑中就可以的了～其它的就没有什么担心的，格机你存在你的机身存储中的文件会全部没有了的，所以记得备份喔(
拔下电池，拿下你的,,,，最少,,秒钟，总之你等个半分钟一分钟也无妨嘛，然后再庄上去(盖好后壳开机，等看到下图的情况下，
同时按下左手边的:功能表键:同:桌面键:即下图这两个:
然后再按下右边的:切换键:即下图这个
过个约几秒钟后，会出现下面的画面:
这时不要松手，待屏幕的上方出现一蓝色的条条时就可以松手，格式化就开始了
当那蓝色的进度条全部满了后，也就是格式化完了，手机会自动重启(重新回到,,,，,及开机欢迎
之类的画面，当两只手显示完后，会出现一个要你校正屏幕的画面如图
校正完，再会叫你设置时间之类的一些初始东西的(全部设置为出厂庄态的了)(((剩下来的就是把
你备份好的东西庄进去了～
这就是格式化的全过程～。
AD7710使用手册及程序
;最近学用AD7710，用AD7710数据手册中的程序，怎么也不好用，没想到AD这么大公司数据手册中的程序居然很多错误。
在网上也没找到什么有价值的资料，无奈只好自己弄，用了好久终于解决,现在拿出来给大家参考。
鄙视一下收集网上资料拿来卖的人。
;这个程序烧写后运行通过，如果实际应用还需优化，学习够用了。
;采用单电源0-5V输入，2.5V参考电压，2.5V偏置电压，软件上设置了单极输入，接线图为AD7710数据手册中单电源接线图,只是增加了1602显示，见程序中说明。
;读AD数据时，AD首先输出的是数据最高位，最后是数据最低位；同样在对AD内部寄存器进行写操作时，;;应首先写入最高位，最后写入最低位。
AD7710内部有3个独立的24位寄存器，包括控制寄存器、数据寄存器和校正寄存器;A0为寄存器选择，当A0=0 时，读写操作均为控制寄存器，当A=1时，读操作为数据寄存器，而写操作则;为校正寄存器;当1、2通道同时输入23.6MV时，1通道AD数158356，2通道AD数1267582（增益为8）。
;1602连线图:; *DB0---P2.0* *DB4---P2.4* *RS-------------P3.7*; *DB1---P2.1* *DB5---P2.5* *RW-------------P3.6*; *DB2---P2.2* *DB6---P2.6* *E--------------P3.5* （参见说明书）; *DB3---P2.3* *DB7---P2.7* *VLCD接10K可调电阻到GND*;注:89S51的晶振频率为6MHz，AD7710的晶振频率为8MHz;0010 0000 1011;通道0 AIN1 ,增益为1，24位精度;0110 0001 1010 ; FS11-FS0=061AH，每秒转换十次;0010 1110 1011 ;通道1 AIN2,增益为8，24位精度;0110 0001 1010 ; FS11-FS0=061AH，每秒转换十次;当1 2通道同时输入23.6MV时，1通道AD数158356，2通道AD数1267582（增益为8）。
诺基亚N97mini相机与存储卡接口电路图
GND
GND
GND
C5255 2u2
VCORE_eMMC
GND
GND
GND
R5276 0R
3.0V regulator
N5250 VOUT STBY VIN C5250 100n C5262 2u2
GND
GND
R5256 47k
R5255 47k
R5253 47k
R5251 47k MMCCmd MMCDa MMCDa1 MMCDa2 MMCDa3 5 0 1 2 3
1.8V
VCAM_1V8
VCAM_1V8 VCORE_1V3 VCAM_2V8
2.8V regulator (BH28SA2)
N5405 VOUT VIN STBY R5401 GND 0R C5440 1/2 1u5
3.7V
VBAT
GND
J1451 R5416 0R
GND L5401 C5426 100n 120R/100MHz C5427 100n C5428 100n
C5440 2/2 1u5
STROBE ENABLE
N8 M8
GIO8 GIO9
VDDA
J4
R5250 15k
GND
C1
1.3V regulator (LP5952)
N5403 VOUT VIN VBATT EN C5413 1/2 1u5 GND
GND
C5432 10u
TXVDDA TXVDDA1 RXVDDA
MMC(14:0)
RAPIDO
R5252 100k GND
C5252 2u2
GND
GND
GND
GND
VIO_eMMC R5275 0R
存储单元电路原理图
采用EEPROM工艺设计通用阵列逻辑器件——遇到的问题与解决方案深圳市国微电子股份有限公司裴国旭电可擦除只读存储器（EEPROM）工艺可广泛运用于各种消费产品中，像微控制器、无线电话、数字信号处理器、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计等诸多应用设备中。
0.18μmEEPROM智能模块平台可广泛应用于快速增长的IC卡市场，如手机SIM卡、借记卡、信用卡、身份证、智能卡、USB钥匙以及其他需要安全认证或需时常更新和编写资料的应用设备中。
利用EEPROM工艺的可擦除，可重新编程的特点，用EEPROM单元组成阵列，通过对阵列单元的编程可实现芯片的不同逻辑功能。
EEPROM工艺的存储单元由两个NMOS晶体管组成，如图2,N1为耐高压增强型NMOS 晶体管作为存储单元的控制晶体管，.N2为耗尽型NMOS晶体管,有两层硅栅，一层为浮栅用来存放电子．N2就是存储单元的存储晶体管．图1 存储单元物理结构图图2 存储单元电路原理图．存储单元的擦写原理（图1，图2）：存储单元控制栅(CG)为16V, 存储单元选择栅(SG)为15V, 存储单元的位线端口(VB)为“0”，存储单元的源端(VS)悬空，电子由隧道窗口进入到浮栅(FLOAT_GATE)上，并保持住。
当进行读操作时，CG接“0”，由于浮栅上存有电子，N2的浮栅为负5V左右，因此关闭了耗尽型N2晶体管，达到了擦除的目的。
当CG=“0”，SG=15V，VB=16V，VS悬空时，浮栅上的电子会从隧道窗口放掉，当进行读操作时，CG 接“0”，由于浮栅上没有电子，N2的浮栅为0V左右，由于N2是耗尽型NMOS晶体管，在栅极电压为0V时也导通，达到写入目的。
在测试芯片的过程中发现可以写数据，无法擦除数据。
芯片的工作电压为5V，擦写时高压引脚(VH)输入15V电压，VH=15V信号是通过控制逻辑提供给EEPROM单元，芯片的擦除过程是把所有的EEPROM单元一次性擦除，而写入可以只写一个EEPROM单元，经过实验，只给一个EEPROM单元写“1”可以成功，将所有的EEPROM单元写“1”也可以成功。
NOKIA连线线路规格
NOKIA数据线规格及线路图一、线路规格及功能二、Nokia手机传输线NOKIA 61xx ,51xx 传输线电路图原电路图(使用Maxim 3232)原电路layout图(使用Maxim 3232)修改后电路图(使用Maxim 232CPE,或Hin232CP)手机接脚图1 - VIN CHARGER INPUT VOLTAGE 8.4V 0.8A2 - CHRG CTRL CHARGER CONTROL PWM 32Khz3 - XMIC MIC INPUT 60mV - 1V4 - SGND SIGNAL GROUND5 - XEAR EAR OUTPUT 80mV - 1V6 - MBUS 9600 bps7 - FBUS_RX 115.2 Kbps8 - FBUS_TX 115.2 Kbps9 - L_GND CHARGER / LOGIC GND三、NOKIA 8110 传输线电路图手机接脚图注:1.市面上一般可以买到的Maxim232大都是232CPE(C表工作范围,PE表16Pin DIP包装),所以若要比较高的速度,就要使用1uF的电容,速度可达120Kbps,若使用0.1uF速度就只有64Kbps,若您买到的是Maxim 232ACPE则只要使用0.1uF即可以有200Kbps的速度.2.Maxim 232的耗电流比较大,大约二对通信埠全用上的话要15ma的电流,因我们只用到一对通信埠所以会小一点,但目前有些电脑及NOTEBOOK的com port都设计成低电压,所以有人用Maxim 232来做就无法正常工作,可改用Hirris HIN232CP (16Pin DIP包装)耗电流比较小,只要5ma,若再不行可把稳压IC 78L05一起拿掉,接法看下面做法.五、自制电路例子(使用Hirris HIN232CB SMT IC)。