PVD制程简介
pvd工艺流程最简单方法
VD (Physical Vapor Deposition) 即物理气相沉积，分为：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。
我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常说的NCVM镀膜，就是指真空蒸发镀膜和真空溅射镀。
真空蒸镀基本原理：在真空条件下，使金属、金属合金等蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，电子束轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。
溅射镀膜基本原理：充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。
溅射镀膜中的入射离子，一般采用辉光放电获得，在l0-2Pa～10Pa范围，所以溅射出来的粒子在飞向基体过程中，易和真空室中的气体分子发生碰撞，使运动方向随机，沉积的膜易于均匀。
离子镀基本原理：在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。
这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。
离子镀的工艺过程：蒸发料的粒子作为带正电荷的高能离子在高压阴极（即工件）的吸引下，以很高的速度注入到工件表面。
离子镀的作用过程如下：蒸发源接阳极，工件接阴极，当通以三至五千伏高压直流电以后，蒸发源与工件之间产生辉光放电。
由于真空罩内充有惰性氩气，在放电电场作用下部分氩气被电离，从而在阴极工件周围形成一等离子暗区。
带正电荷的氩离子受阴极负高压的吸引，猛烈地轰击工件表面，致使工件表层粒子和脏物被轰溅抛出，从而使工件待镀表面得到了充分的离子轰击清洗。
随后，接通蒸发源交流电源，蒸发料粒子熔化蒸发，进入辉光放电区并被电离。
带正电荷的蒸发料离子，在阴极吸引下，随同氩离子一同冲向工件，当抛镀于工件表面上的蒸发料离子超过溅失离子的数量时，则逐渐堆积形成一层牢固粘附于工件表面的镀层。
pvd设备及工艺简介
脉冲激光沉积设备及工艺流程
• 高功率脉冲激光器：脉冲激光沉积设备中最重要的部分是高 功率脉冲激光器，用于产生高能脉冲激光。
• 靶材：靶材是放置在真空室中的，由要沉积的材料制成。 • 基板：基板是放置在真空室中的，用于接收激光束照射靶材
高精度控制
pvd技术对工艺参数的控制要求较高，如真空度、温度、电流等，需要精确控制这些参数 以确保薄膜的质量和稳定性。
薄膜性能的改善
尽管pvd技术在制备薄膜方面具有很多优点，但仍然需要不断提高薄膜的性能和稳定性， 以满足不同领域的应用需求。
设备成本与维护
pvd设备的前期投入和后期维护成本较高，成为制约其广泛应用的一个因素。需要降低设 备成本并提高设备的可靠性和稳定性，以推广pvd技术的应用范围。
作和维护。
适用范围有限
03
PVD技术对于一些特殊材料和复杂形状的制品加工有
一定的难度和限制。
06 pvd技术的发展 趋势与挑战
pvd技术的发展趋势
01 02
向高效节能方向发展
随着环保要求的提高，pvd设备正朝着更加节能、环保、高效的方向发 展，如采用新型电源技术、优化真空系统和控制系统等，以提高设备运 行效率和降低能源消耗。
，提高其性能和稳定性。
光学制造
PVD技术可用于制造高透光 率、高反射率的薄膜，如太阳
能电池、光学镜片等。
其他领域
PVD技术还可应用于航空航 天、汽车制造、医疗器械等领
域。
pvd技术的发展趋势
多元化应用
随着科技的不断进步，PVD技术的应用领域越来越广泛，未来将会有更多领域应用PVD技术。
高性能材料
PVD制程介绍
自轉 等離子監控儀 (PEM) 氣體分壓控制器 可靠度 ( OGC) 殘余氣體分析儀 (RGA) 耐磨耗 附著力
制程
電流 電壓
電壓
電流 濺射電源
流量 功率 佔空比 膜系設計 分壓 位置 真空度 氣路
Cr
Zr O2 Ar 气体
工件旋轉速度 鍍膜時間
: 工件的運動軌跡
Tn
T5 T6
: 靶材 : 反應氣體 (N2, C2H2)
T7
T8
11
3. PVD設備 Type 2: 單筒式鍍膜機
: 工件
T1 T2 T3 T4
: 工件的運動軌跡
Tn
: 靶材 : 反應氣體
真空室前門
12
4. PVD技術魚骨圖
設備
真空 系統 電控 系統 激發 系統 加熱 系統
材料
新色承認 New Color Approval
PVD新色承認 PVD New Color Approval Items
PVD新色承認
樣品製作 Sample Preparation 新色樣品標示 Sample Marking
顏色限度樣板
參數記錄 Development Record 新色樣品 製作參數表 Sample Preparation Record 顏色限度樣板 製作參數表 Limit Board Record
膜厚 防靜電 濕度
材料 （SUS, Ti） 形狀 挂具設計 可操作性 導電性 彈性 尺寸
旋轉方式 公轉
光澤度
氣體流量控制器 (MFC) 色差 硬度 防震動 溫度 潔淨度
遮蔽系統
裝夾系統
13
監控系統
pvd涂层工艺流程
pvd涂层工艺流程PVD涂层是一种高效可靠的表面处理技术，可以提高材料的硬度、耐磨性、耐腐蚀性、降低摩擦系数等。
下面是一篇关于PVD涂层工艺流程的详细介绍。
PVD涂层工艺流程包括前处理、涂层过程和后处理三个部分。
首先是前处理环节。
在开始涂层之前，必须对待涂层表面进行彻底的清洁处理。
这是为了保证涂层的附着力和质量。
前处理主要包括超音波清洗和表面粗糙度处理两个步骤。
超音波清洗是将待涂层物体浸入超音波清洗槽中，通过超音波振荡的作用，将表面的污物和杂质彻底去除，确保表面洁净。
然后通过表面粗糙度处理仪器对待涂层表面进行处理，以提供更好的附着力。
然后是涂层过程。
涂层过程使用的主要设备是PVD真空镀膜机。
待涂层物体放置在真空室内，并进行抽真空。
然后，利用蒸发、溅射、离子束等方法，将源材料蒸发或溅射成离子态，并沉积在待涂层表面上，形成涂层。
源材料可以是金属、合金或化合物等。
涂层的形成需要控制好温度、真空度、沉积速率等参数，以确保涂层的质量。
涂层过程中涉及到的步骤有源材料的加载、抽真空、辅助加热、沉积、离子清洗等。
先将源材料加载到真空室内并封闭好，然后启动抽真空系统，将真空度降低到所需的范围。
接下来，通过辅助加热将待涂层物体和源材料加热到适当的温度，以促进沉积。
然后通过控制源材料的蒸发或溅射，将离子沉积在待涂层表面上，并形成涂层。
最后，通过离子清洗，清除残留的气体和杂质，提高涂层的质量。
最后是后处理环节。
涂层完成后，还需要进行一些后处理步骤，以进一步提高涂层的性能和外观。
主要的后处理步骤包括退火处理和表面抛光。
退火处理是将涂层物体加热到一定温度并保持一段时间，以消除残余应力和提高涂层的结晶度。
表面抛光是利用抛光设备对待涂层表面进行抛光，以提高外观质量。
PVD涂层工艺流程需要严格控制各个环节的参数和质量，以确保涂层的性能和质量。
在前处理环节，必须彻底清洁涂层表面，并提供良好的粗糙度。
在涂层过程中，需要精确控制温度、真空度等参数，确保源材料顺利沉积在待涂层表面上。
pvd与cvd技术适用的薄膜制程
pvd与cvd技术适用的薄膜制程薄膜制程是一种利用物理或化学方法在基底上形成一层薄膜的工艺。
在材料科学和工程中，薄膜制程被广泛应用于各种领域，如电子器件、光学器件、表面涂层等。
其中，物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）和化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是两种常见的薄膜制备技术。
PVD技术是一种将固态材料通过物理蒸发或溅射的方式沉积在基底上的方法。
它通常包括蒸发、溅射和离子镀三种方式。
蒸发是将材料加热至高温，使其蒸发并沉积在基底上；溅射是通过离子轰击的方式将材料从固态转变为气态，并在真空环境中沉积在基底上；离子镀是利用离子束轰击材料表面，使其释放出离子，并将离子沉积在基底上。
PVD技术具有高纯度、致密性好、结构均匀等优点，适用于制备金属薄膜、合金薄膜、氧化物薄膜等。
CVD技术是一种将气态或液态前体物质在基底表面化学反应生成固态产物的方法。
它通常包括化学气相沉积和低压化学气相沉积两种方式。
化学气相沉积是将气态前体物质与氧化剂在基底表面进行反应，生成固态产物；低压化学气相沉积是在较低的压力和温度下进行沉积。
CVD技术具有成膜速度快、控制性好、沉积均匀等优点，适用于制备金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。
PVD和CVD技术在薄膜制程中有着不同的适用性。
PVD技术适用于制备厚度较薄的薄膜，通常在几纳米到几十微米之间。
由于PVD 技术在沉积过程中，材料以固态形式进行转移，因此PVD制备的薄膜具有较高的致密性和纯度。
此外，PVD技术还可以在复杂的表面结构上进行沉积，如孔洞、凹槽等，适用于制备具有特殊形状要求的薄膜。
相比之下，CVD技术适用于制备较厚的薄膜，通常在几十纳米到几百微米之间。
由于CVD技术是通过化学反应生成固态产物，因此可以在基底表面上形成较为均匀的薄膜。
此外，CVD技术还可以在较低的温度下进行沉积，适用于对基底温度敏感的材料。
台积电-PVD-金属溅镀制程简介
颗粒： 漏率：
漏率过大会让制程chamber达不到要求的真空度，影响到金属 薄膜的品质，也会增加chamber内的颗粒数。
Mark Shielding Mark Shielding OOC时，将会导致Mark的位置被薄膜掩盖 ： 住，到Photo时会导致无法对准。
AlCu Delay Time AlCu Delay Time定义为 M AlCu镀完到TiN镀完的时间，如果这 ： 个时间过长， AlCu薄膜将会转变得难蚀刻，残留会导致器件 短路。
F10E2 CHChung JUN. 2004 P. ‹#›
注意事项
控片准备：
(两面均为蓝色)
Confidential Security C
PVD TiN, Ti Silicide, AlCu 的厚度和Dep-PD控片为(Bare Silicon+Thermal Oxide 1k) Scrubber 和 Enhance-PD 控片为 bare silicon 严禁含有光阻的晶片直接进PVD机台 时间控制： AlCu Delay time OOC(Out Of Control) Ti silicide Q-time Run货时间异常 4个stage 的Scrubber 机台，lot置于STAGE 1、2,则空 Boat应对应置于Stage 3、4， run完后slot位置颠倒(原来slot1变为slot25) 。 3个stage 的Scrubber 机台wafer run 完后回到原来位置
Monitor项目与影响
Monitor 的目的是确保制程结果不会超出控制规范(Out Of Control) 厚度：
厚度异常会导致蚀刻的残留或过蚀刻，这样就会有局部线路短 路或者断路，从而导致整个器件的报废。 颗粒同样也可能会让局部线路短路或者断路。
PPVD技术
PPVD技术介绍第一部分：PPVD简介⏹PPVD：Patterned Physical Vapor Deposition 译为图案化的物理气相沉积或图案化的PVD；⏹PPVD是一项表面处理新技术，此工艺可以得到客户指定的任意图案，图案部分可保持不同程度的金属质感；⏹PPVD是实现产品表面图案的一种新工艺，此工艺区别于镭雕、印刷、烫金、转印、IML等工艺，在得到指定图案的同时，可以保持产品表面的平整度，避免其他工艺可能会产生的凹凸感。
第二部分：PPVD应用效果⏹单色金属质感-图案、花纹、Logo；⏹单色金属质感-明暗双色；⏹双色金属质感；⏹炫彩色金属质感；单色金属质感-图案、花纹、Logo；第二部分：PPVD应用效果单色金属质感-图案、花纹、Logo；第二部分：PPVD应用效果单色金属质感-明暗双色；第二部分：PPVD应用效果第二部分：PPVD应用效果双色金属质感；第二部分：PPVD应用效果炫彩色金属质感；第三部分：PPVD技术优势⏹与传统IML对比⏹3D图案⏹图案精细、无凹凸感⏹图案色彩丰富第三部分：PPVD技术优势第三部分：PPVD技术优势与传统IML对比PPVD IML开发成本：低高开发周期：3-4天（可实现多种图案）20-40天（单一图案）应用范围：生产线&产品一对多模具&产品一对一量产能力：批处理方式效率高多套模具才有量产性量产良率：较高（工艺稳定）较低（技术难度高）第三部分：PPVD技术优势3D图案利用PPVD技术可以将图案做到弧面上，实现3D表面的图案化处理，这是传统的印刷技术无法实现的。
第三部分：PPVD技术优势图案精细、无凹凸感PPVD工艺实现的图案效果可以精密到纳米级，其图案就是通过纳米点阵的规律排布而形成的。
一般PPVD图案设计时：点尺寸大于0.05MM（建议0.1以上）、线尺寸大于0.1MM。
PPVD实现的图案界限分明，不会产生锯齿、牙边、界限模糊等现象，这是烫金、转印、印刷等工艺无法比拟的。
PVD加工工艺流程
P V D加工工艺流程 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】PVD加工工艺流程一、前处理工艺: 1.来料抽检 2.电镀件过碱去油 ,清水清洗.4.过酸表面洁化 ,清水清洗5.丙酮+滑石粉清洗6.擦洗.二、上挂三、PVD处理工艺: 1.烘烤:80摄食度2.镀膜: 真空抽到帕保持真空度帕成膜四、出炉五、下挂六、全检PVD简介1. PVD的含义—PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写，中文意思是“物理气相沉积”，是指在真空条件下，用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术。
2. PVD镀膜和PVD镀膜机—PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。
对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。
近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是最快的，它已经成为当今最先进的表面处理方式之一。
我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。
3. PVD镀膜技术的原理—PVD镀膜（离子镀膜）技术，其具体原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
4. PVD镀膜膜层的特点—采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性（低摩擦系数）、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长；同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。
5. PVD镀膜能够镀出的膜层种类—PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等),氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN),以及氧化物膜（如TiO等)。
真空镀膜(PVD)工艺知识介绍
真空镀膜（PVD）工艺知识介绍简介真空镀膜（Physical Vapor Deposition，简称PVD）是一种常用于表面修饰和功能改善的工艺。
通过在真空环境中蒸发或溅射物质来形成薄膜，将薄膜沉积在基材上，以改变基材的性质和外观。
本文将介绍PVD工艺的原理、应用和优势。
PVD工艺原理在PVD工艺中，基材和目标材料被放置在真空环境中。
通过热蒸发或物理溅射的方式，目标材料从固态转化为气态。
这些气体分子会沉积在基材上，形成一层薄膜。
PVD工艺常用的方法有热蒸发和物理溅射。
热蒸发是将目标材料加热至其沸点以上，使其转化为气态，然后沉积在基材上。
而物理溅射则是通过向目标材料表面轰击高能粒子，将其击打下来沉积在基材上。
PVD工艺的应用PVD工艺在多个领域得到了广泛应用。
装饰性涂层PVD工艺可以制备具有不同颜色、质感和光泽度的涂层，用于装饰各种产品，如钟表、珠宝、手袋、饰品等。
常见的装饰性涂层有黄金色、玫瑰金色、银色和黑色等。
防腐蚀涂层PVD工艺可以形成陶瓷涂层、金属涂层或复合涂层，这些涂层具有良好的耐腐蚀性能，可保护基材免受化学腐蚀、氧化和磨损的影响。
这些涂层常用于汽车、航空航天、电子产品等领域。
功能性涂层PVD工艺还可以制备具有特殊功能的涂层，如光学涂层、导电涂层和磁性涂层。
光学涂层可用于改善光学性能，导电涂层可用于制作导电膜，磁性涂层可用于制造磁性材料。
PVD工艺的优势相比其他表面处理工艺，PVD工艺具有以下几个优势：高质量涂层PVD工艺可以制备高质量的涂层，具有高硬度、低摩擦系数、耐磨损和耐腐蚀等特性。
这些特性使得PVD涂层在各种应用中表现出色。
环保节能PVD工艺不需要使用有机溶剂和其他有害化学物质，对环境友好。
同时，PVD 涂层具有较高的附着力和耐用性，可延长基材的使用寿命，减少资源消耗。
精密控制PVD工艺可以实现对涂层厚度、成分和结构的精确控制。
通过调整工艺参数，可以得到所需的涂层特性，以满足不同应用的需求。
PVD制程简介
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Issues
GROUP
一、PVD 原理介紹
G. Sputtering 應用
1.外觀膜：金屬、非金屬、多層膜 2.光學膜：抗反射、全反射、光柵 3.功能膜：IR or UV 隔絕、光學開關、EMI 4.透明導電膜：ITO 5.顯示器：OLED 6.其他
GROUP
二、PVD Key 製程流程
A.PVD Key 製程流程
1.射出 2.回火 3.Primer 4.PVD 5.L/E 6.H/C 7.P+R
GROUP
二、PVD Key 製程流程 不良項目分析
A.百格 NG(Al 與 primer 間)—廠商責任
Manufacturing Lead -Time
10 days
15 days
8 days
Injection Mold Single Injection Double Injection Single Injection
Material
PC
PC + ABS
PC
Brightness
Excellent
Excellent
L/E 機 L/E 治具
照光器&治具 字稿
雷射雕刻 目視&限度
大面積L/E困難 Key 盡量在中心區
PVD L/E Key 5484 5584
EX-438 調色色母 H/C 一 Key 3505 亮 3505 霧
SN3 TRC036 A8301
噴塗機 UV 機 網架
PVD制程介绍范文
PVD制程介绍范文PVD制程，即物理气相沉积（Physical Vapor Deposition），是一种重要的薄膜制备技术。
它利用高能粒子（原子、分子或离子）在真空环境中运动并沉积在基底上形成薄膜。
PVD制程可以实现高纯度、致密、均匀的薄膜沉积，并在多个领域得以应用。
首先，蒸发是最常用的PVD技术之一、蒸发法是指将加热材料加热到其蒸发温度，使其从固态直接转变为气态，并在真空环境中沉积在基底上。
蒸发技术可以使用电子束加热、电阻加热或者感应加热等方式加热材料。
蒸发法可以制备金属、氧化物、氮化物、硫化物等多种材料的薄膜。
其次，溅射是另一种重要的PVD技术。
溅射技术通常使用靶材作为薄膜源，通过在真空环境中撞击靶材表面的高能离子使其薄膜溅射到基底上。
溅射技术可以控制薄膜的组分和微观结构，并具有较高的沉积速率。
溅射法可以制备金属、合金、氧化物、氮化物等多种材料的薄膜。
此外，离子镀也是一种常用的PVD技术。
离子镀技术是在真空环境中加入辅助气体，使得离子在高压电场下被加速并沉积在基底上。
离子镀技术可以使薄膜在低温下形成，具有高结晶度和致密度，并且可以改善基底表面的性质。
离子镀法可以制备金属、合金、氧化物等多种材料的薄膜。
PVD制程具有多个优点。
首先，PVD制程在低温下进行，不会对基底材料产生热损伤，适用于热敏感性材料。
其次，PVD制程可以制备致密、均匀、高纯度的薄膜，具有良好的外观和机械性能。
此外，PVD制程可以快速、高效地进行，提高了生产效率。
最后，PVD制程可以沉积不同材料的薄膜，适用于多种应用。
PVD技术在许多领域得到了广泛应用。
在半导体工业中，PVD制程广泛应用于制备金属薄膜，如铝、铜等，以作为导线、电极等。
在光学薄膜领域，PVD制程用于制备反射膜、透明电极等。
在显示器生产中，PVD技术被用于制备透明导电膜。
PVD制程还被应用于表面涂层、摩擦材料等领域。
总之，PVD制程是一种重要的薄膜制备技术，通过高能粒子在真空环境中沉积在基底上形成薄膜。
pvd沉积工艺
pvd沉积工艺PVD沉积工艺一、简介PVD（Physical Vapor Deposition）是一种通过物理方法将材料从固态直接转变为薄膜形态的沉积工艺。
其主要原理是在真空环境下，通过蒸发、溅射或弧放电等方式将材料原子或分子从源材料中释放出来，然后沉积到基底表面形成薄膜。
二、PVD沉积工艺的分类根据源材料的不同，PVD沉积工艺可以分为以下几种类型：1. 蒸发沉积蒸发沉积是将固态源材料加热至其蒸发温度，使其原子或分子蒸发并沉积到基底表面的过程。
蒸发沉积通常采用电子束蒸发、阻焊蒸发或热丝蒸发等方式进行。
2. 磁控溅射磁控溅射是通过在真空室中施加磁场，使源材料表面形成等离子体，并利用离子轰击的方式将材料溅射到基底表面。
磁控溅射具有较高的沉积速率和较好的均匀性，广泛应用于金属、合金、氧化物等材料的沉积。
3. 弧放电沉积弧放电沉积是通过在源材料和基底之间施加高电压，产生电弧放电并将源材料溅射到基底表面。
弧放电沉积具有较高的溅射速率和较高的沉积温度，适用于一些高熔点材料的沉积。
4. 磁控磁控溅射沉积磁控磁控溅射沉积是将磁控溅射和磁控溅射两种沉积方式进行结合，可同时利用两种方式的优点，提高沉积速率和薄膜质量。
三、PVD沉积工艺的应用PVD沉积工艺在各个领域都有广泛的应用。
以下是几个常见的应用领域：1. 光学镀膜PVD沉积工艺可用于光学镀膜，例如在眼镜片、镜面反射器、太阳能电池板等器件上沉积透明导电膜、反射膜、防反射膜等。
2. 电子器件制造PVD沉积工艺可用于制造半导体器件、集成电路、显示屏等电子器件。
例如，在集成电路制造中，可利用PVD沉积工艺沉积金属互连线、金属电极等。
3. 工具涂层PVD沉积工艺可用于涂层刀具、模具等工具表面，提高其硬度、耐磨性、耐腐蚀性等性能。
4. 装饰涂层PVD沉积工艺可用于制作金属色彩、金属质感等装饰涂层。
例如，在钟表、手机壳等产品上沉积金属薄膜，增加其外观质感。
四、PVD沉积工艺的优势和挑战PVD沉积工艺相比其他沉积工艺具有以下优势：1. 沉积速率较快：PVD沉积工艺的沉积速率较高，能够快速制备薄膜。
pvd半导体的工艺节点
pvd半导体的工艺节点一、PVD半导体概述物理气相沉积（PVD，Physical Vapor Deposition）半导体是一种通过气相沉积技术在基板上生长半导体薄膜的方法。
PVD半导体技术广泛应用于微电子、光电子和能源领域，如集成电路、太阳能电池、发光二极管等。
二、PVD半导体工艺节点的重要性PVD半导体工艺节点指的是在半导体制造过程中，各个关键工艺步骤所对应的尺寸和技术水平。
它直接影响着半导体的性能、功耗、可靠性和成本。
随着半导体行业不断迈向更先进的制程，PVD工艺节点的重要性日益凸显。
三、PVD半导体工艺节点的分类根据沉积材料和工艺特点，PVD半导体工艺节点可分为：1.真空蒸镀：通过加热靶材，使其蒸发并在基板上沉积形成薄膜。
2.溅射：利用高速氩离子轰击靶材，使其溅射出原子并在基板上沉积。
3.化学气相沉积（CVD）：在气相中进行化学反应，生成半导体薄膜。
四、常见PVD半导体材料及应用1.金属薄膜：如铜、铝、镍等，应用于电路布线、电极等。
2.氧化物薄膜：如氧化硅、氧化铝等，应用于绝缘层、介电层等。
3.氮化物薄膜：如氮化硅、氮化镓等，应用于高压、高频、高温等场景。
五、PVD半导体工艺在我国的发展现状近年来，我国PVD半导体工艺技术取得了显著进展，已掌握了国际先进的PVD薄膜制备技术。
在国家政策的推动下，我国半导体产业迎来了黄金发展期，PVD半导体工艺研究不断深入，产业规模逐步扩大。
六、未来PVD半导体技术发展趋势1.薄膜厚度均匀性：随着制程不断缩小，对薄膜厚度均匀性的要求越来越高，PVD设备需具备高精度控制能力。
2.多层薄膜制备：未来半导体器件将趋于复杂，需要PVD工艺实现多层薄膜的高效制备。
3.材料创新：研发新型半导体材料，如第三代半导体材料，将为PVD技术带来新机遇。
4.环保与节能：随着对环境保护的重视，绿色、低能耗的PVD工艺将受到更多关注。
总之，PVD半导体工艺节点在半导体产业发展中具有举足轻重的地位。
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GROUP
一、PVD 原理介紹
F. PVD,Wet-Plating,Spray compare
PVD
PLATING SPRAY
COST
Medium
High
Low
Sample Leadtime (Hard Tooling)
30 Days
45 Days
30 Days
Yield Rate
80%
70%
85%
Poor
Thickness Uniform
Excellent
Good
Poor
Back Artwork
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Semi-Transparant
Excellent
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L/E Process
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1.舊 Primer (耐溫不足) 2.Primer 厚度過厚(＞6μm) 3.Primer 烘烤時間不足(＜120℃/30mins) 4.手紋油脂 5.Key 面有水氣或油氣 6.PVD 功率過高,厚度過厚
Manufacturing Lead -Time
10 days
15 days
8 days
Injection Mold Single Injection Double Injection Single Injection
Material
PC
PC + ABS
PC
Brightness
Excellent
Excellent
PVD Key 製程簡介
課程內容： 一、PVD 原理介紹 二、PVD Key 製程流程 三、PVD 不良項目分析 四、PVD 注意事項
主講人：Sean xie
GROUP
一、PVD 原理介紹
A.何謂 PVD？
PVD(Physical Vapor Deposition)物理氣相沉 積法，顧名思義此種薄膜形成的方式乃利用 外力(能量) ，使靶材(Target = Al)由固體變 成氣體，慢慢堆積在物體(Substrate = PC Key)表面，形成均勻的薄膜。
GROUP
一、PVD 原理介紹
B.3 離子披覆
離子源
基板
離子束 靶材
GROUP
一、PVD 原理介紹
C. 立式圓桶型蒸鍍機介紹
掛架
掛架
掛架
掛架
掛架
掛架
掛架 靶材 掛架 掛架 靶材 掛架
掛架
掛架
掛架
掛架
掛架
掛架
上視圖
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一、PVD 原理介紹
C. 圓桶型蒸鍍機介紹
靶材
靶材
被鍍物
切面圖
被鍍物
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一、PVD 原理介紹
B.1 蒸鍍
Evaporation
Substrate Cloud Material Vacuum chamber
Heater
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一、PVD 原理介紹
B.2 濺鍍
Target Argon Gas
Coating Atoms/ Substrate Molecule
Cathode (-) Secondary Electrons Plasma Anode (+)
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二、PVD Key 製程流程
A.PVD Key 製程流程
1.射出 2.回火 3.Primer 4.PVD 5.L/E 6.H/C 7.P+R
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二、PVD Key 製程流程
B.PVD Key 製程流程5M
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三、PVD 不良項目分析
A.百格 NG(Al 與 primer 間)—廠商責任
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三、PVD 不良項目分析
C.色差(變黑,變黃) NG—廠商責任
1.PVD 機台漏氣 2.PVD 機台電壓異常 3.Key 放置於可鍍區域以外 4.鍍膜過程 Key 重疊 5.機台內有水氣或油氣 6.靶材受污染或氧化 7.Key 上有牛油污染—閎暉改善
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三、PVD 不良項目分析
D.亮霧不均(白霧) NG
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一、PVD 原理介紹
E. 蒸鍍與濺鍍比較
Thickness Uniform 側邊均勻性 靶材限制 In-Line 設計 每模時間 設備成本 單價 素材接著力 UV Primer IR Primer
Evaporation △ ○ 多
X 60mins
低 低 差 OK X
Sputtering ○ X 少 OK 1min 高 中 優 X OK
此薄膜本質上透過物理性變化，所以製程前後 靶材性質變無改變，依據公司案例，我們將 鋁靶變成鋁膜，製程前後仍然是鋁。
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一、PVD 原理介紹
B. PVD 的種類
PVD 製程一般常見三種方法： 1.蒸鍍(Evaporation) 2.濺鍍(Sputtering) 3.離子披覆(Ion-Plating)
1.UV 硬化型 Primer 2.Primer 厚度＞6μm 3.Primer 硬化過度＞120℃/120mins 4.Primer 前有加底色移印或噴塗 5.PVD 膜厚過厚＞843參數
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三、PVD 不良項目分析
B.正面&側面透光 NG—廠商責任
1.PVD 參數錯誤 2.PVD 機台電壓異常 3.Key 放置於可鍍區域以外 4.鍍膜過程 Key 重疊 5.真空度不足(漏氣)
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Artwork Delicacy
Good
Rough
Good
Environment
No
Yes
No
Issues
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一、PVD 原理介紹
G. Sputtering 應用
1.外觀膜：金屬、非金屬、多層膜 2.光學膜：抗反射、全反射、光柵 3.功能膜：IR or UV 隔絕、光學開關、EMI 4.透明導電膜：ITO 5.顯示器：OLED 6.其他
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一、PVD 原理介紹
H. PVD 於本公司的應用
1.Key Top PVD：SR-438,469 2.Key Top PVD + Color：S-2172 Sample 3.Dual Mode：SR-442 Sample 4.多層膜：SR-442 Sample 5.Cubic：SR-442 Sample 6.全像 Holographic 膜：SR-439 Sample 7.PVD Film：SR-411,SD-206 8.平板 Lens：MOTO V-300 9.其他：尚在研議中
一、PVD 原理介紹
D. In-Line Sputtering 介紹
In Loading
Buffer Sputtering Buffer Unloading Out
Chamber Chamber Chamber Chamber Chamber
In
Out
Lo Hi Pla Bu Sp Sp Bu Hi UL