第五章 静电场边值问题的解法

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静电场的求解方法

静电场的求解方法

静电场的求解方法的讨论摘要 我们求电场时,一般是运用叠加原理求电强度,这也是最基本的平面场的求解方法。

对于复杂的求解电场强度问题,它不适用。

因此,我们必须掌握多种求电场问题的方法。

本文主要介绍分离变量法和电像法来求解电场问题。

电荷静止,相应的电场不随时间变化,在给定的自由电荷分布以及周围空间介质和导体的分布情况下求解静电场。

关键词:静电场求解[1], 分离变量法, 镜像法, 格林函数法AbstractStill, the corresponding electric charge not changes with time, and inany given free charge distribution and surrounding space distribution of the medium and conductors under electrostatic field.Key Words :Electrostatic field solving; Method of separation of variables; Mirror image method; Green's function method 引言求解静电场问题的几种方法-----分离变量法,镜像法,格林函数法。

我们计算在局部范围内的电荷分布所激发的电场在远处的展开式,引入电多极矩的概念。

电多极矩在原子物理,原子核物理以及电磁辐射问题都有重要的应用。

1 静电场的唯一性定理根据这个定理,对给定的电荷分布及边界条件,只存在一种可能的电场。

这个定理在实际应用中的重要性在于:无论我们用什么方法,只要求出一个既满足方程又符合边界条件的电位)(rφ,我们就确定它是正确的电位。

2 分离变量法[2]在求满足边界条件下拉普拉斯方程的解时,一般采用分离变量法。

下面给出三种坐标系中拉普拉斯方程的通解形式。

直角坐标系中φ的通解形式:⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧++++++++=∑))(sin cos )(sin cos ())()((3221322,2121113102010x k k sh C x k k ch C x k B x k B x k A x k A x c c bx b ax a n m mn n m mn nm n m n m m m m m φ)0,()0,0(≠==n m n m 式中321x x x 、、可与z y x 、、的任意排列相对应。

静电场边值问题的解法探讨

静电场边值问题的解法探讨

静电场边值问题指的是,在电场边界处,电势的变化要满足一定的条件。

这些条件可以用来求解电场的边界条件,也可以用来求解电场的分布情况。

常见的静电场边值问题有电势边界条件和电流边界条件。

电势边界条件:在某些情况下,电势的变化会受到一些限制,这种情况下,我们可以使用电势边界条件来解决问题。

常见的电势边界条件有以下几种:1.固定电势:在某些情况下,电势的值是固定的,这种情况下,我们可以使用固定电势边界条件来解决问题。

2.无穷大电势:在某些情况下,电势的值会无限增大,这种情况下,我们可以使用无穷大电势边界条件来解决问题。

电流边界条件:在某些情况下,电场中会存在电流,这种情况下,我们可以使用电流边界条件来解决问题。

常见的电流边界条件有以下几种:1.固定电流:在某些情况下,电流的值是固定的,这种情况下,我们可以使用固定电流边界条件来解决问题。

2.零电流:在某些情况下,电流的值为零,这种情况下,我们可以使用零电流边界条件来解决问题。

3.无限大电流:在某些情况下,电流的值会无限增大。

4.无穷小电流:在某些情况下,电流的值会无限减小,这种情况下,我们可以使用无穷小电流边界条件来解决问题。

5.常数电流:在某些情况下,电流的值为一个常数,这种情况下,我们可以使用常数电流边界条件来解决问题。

6.线性电流:在某些情况下,电流的值随着某个参数的变化而呈线性关系,这种情况下,我们可以使用线性电流边界条件来解决问题。

7.周期电流:在某些情况下,电流的值随着时间的变化而呈周期性变化,这种情况下,我们可以使用周期电流边界条件来解决问题。

8.随机电流:在某些情况下,电流的值随机变化,这种情况下,我们可以使用随机电流边界条件来解决问题。

9.随机电流:在某些情况下,电流的值随机变化,这种情况下,我们可以使用随机电流边界条件来解决问题。

这些电流边界条件都可以在求解静电场边值问题时使用。

边值问题和唯一性定理(静电场)

边值问题和唯一性定理(静电场)
静电场边值问题 唯一性定理

静电场的边值问题

静电场的唯一性定律
目前可解决的静电场问题



电荷在有限区域内,电荷的分布情况已知,并 且介质为线性各向同性均匀介质中的静电场问 题。对于此类问题,一般可以先求出电位,再 计算场中各点的电场强度和电位移矢量。 电荷、介质分布具有某种对称性的问题。由于 电荷和介质的分布具有对称性,因此电位移矢 量的分布必然也具有对称性。在这种情况下, 可以先用高斯通量定理求解电位移矢量,然后 再求电场强度。 已知电场的分布求电荷分布的问题。在这种情 况下,可直接由公式计算电荷的体密度,导体 上的面电荷密度根据分界面条件确定。
2
静电场边值问题的提出

实际中对于很多电磁场的问题通常并不 知道电荷分布,如静电场中导体表面的 感应电荷分布,介质极化后极化电荷的 分布等。对于此类的问题,必须通过求 解满足给定边界条件的电位微分方程 (泊松方程或拉普拉斯方程)的电位函 数,进而再求场域中的电场强度。我们 把这种在给定边界条件下,求解泊松方 程或拉普拉斯方程的问题称为边值问题。

对于各向同性、线性的非均匀媒质,电位 满足的微分方程又是什么形式呢?
D
D E
E
( )
7
边值问题举例-直接积分法
例 设有电荷均匀分布在半径为a的介质球型区域中,电荷 体密度为 ,试用解微分方程的方法求球体内、外的电位 及电场。(同例2-4) 解:采用球坐标系,分区域建立方程
自学)
10
反设满足场的解答有两个相异的解答1和 2,则差
场u= 1 2 满足拉普拉斯方程
2 2
u 1 2 0 根据矢量恒等式

《静电场的边值问题》课件

《静电场的边值问题》课件
有限差分法
用离散的差分代替微分方程中的导数项,将微分方程转化为差分方程进行求解。
有限元方法
将连续的求解区域离散化为有限个小的单元,用每个单元的中心函数近似代替该单元上的函数,从而将 微分方程转化为线性方程组进行求解。
2023
PART 03
静电场的边界条件
REPORTING
边界条件的定义
01
边界条件是指在求解静电场问题时,电场在边界处的
2023
PART 05
静电场的实际应用
REPORTING
电场在物理中的应用
静电感应
当一个带电体靠近导体时,导体因静电感应 而带电。
电容器的充放电
电容器在充电和放电过程中,电荷在电场的 作用下移动。
电子显微镜
利用电场对电子的加速和聚焦作用,实现高 分辨率的显微成像。
电场在化学中的应用
离子交换
利用电场对离子的作用力,实现离子的分离 和纯化。
VS
详细描述
有限元法是一种将连续的静电场划分为有 限个小的区域(即元),然后对每个元进 行求解的方法。这种方法能够处理复杂的 几何形状和边界条件,并且具有较高的计 算精度和稳定性。
边界元法
总结词
只对静电场的边界进行离散化,然后对边界上的离散点进行求解的方法。
详细描述
边界元法是一种只对静电场的边界进行离散化,然后对边界上的离散点进行求解的方法。这种方法能够大大减少 未知数的数量,并且适用于处理具有复杂边界条件的问题。但是,由于只对边界进行离散化,因此需要更高的计 算精度和更复杂的数学处理。
电化学反应
在电解池和原电池中,电场驱动离子在溶液 中的迁移,并参与化学反应。
电泳技术
在电场的作用下,带电粒子在介质中移动, 用于分离和纯化生物分子。

静电场边值问题的唯一性定理

静电场边值问题的唯一性定理

静电场边值问题的唯一性定理摘要:静电场边值问题及其唯一性定理是一重要知识点,定理的表述和证明都涉及较多的数学知识。

由于唯一性定理的概念对于许多问题(如静电屏蔽)的确切理解有很大帮助,所以我们将给此定理一个物理上的论证,期待大家能从中有所受益. 关键词:静电场;边值;唯一性;静电屏蔽1、问题的提出实际中提出的静电学问题,大多不是已知电荷分布求电场分布,而是通过一定的电极来控制或实现某种电场分布。

这里问题的出发点(已知的前提),除给定各带电体的几何形状、相互位置外,往往是在给定下列条件之一;(1) 每个导体的电势U K ; (2) 每个导体上的总能量Q K ;其中K=1,2,……为导体的编号。

寻求的答案则是在上述条件(称为边界条件)下电场的恒定分布。

这类问题称为静电场的边值问题。

这里不谈静电场边值问题如何解决,而我们要问:给定一组边界条件,空间能否存在不同的恒定电场分布?唯一性定理对此的回答是否定的,换句话说,定理宣称:边界条件可将空间里电场的恒定分布唯一地确定下来。

2、几个引理在证明唯一性定理之前,先作些准备工作——证明几个引理。

为简单起见,我们暂把研究的问题限定为一组导体,除此之外的空间里没有电荷。

(1)引理一 在无电荷的空间里电势不可能有极大值和极小值。

用反证法。

设电势U 在空间某点P 极大,则在P 点周围的所有邻近点上梯度U ∇ρ必都指向P 点,即场强U E ∇-=ρρ的方向都是背离P 点的(见图1-1a 。

)这时若我们作一个很小的闭合面S 把P 点包围起来,穿过S 的电通量为0)(>⋅=⎰S d E S E ρρϕ (1)根据高斯定理,S 面内必然包含正电荷。

然而这违背了我们的前提。

因此,U 不可能有极大值。

用同样的方法可以证明,U 不可能有极小值(参见图1-1b )。

(2)引理二 若所有导体的电势为0,则导体以外空间的电势处处为0。

因为电势在无电荷空间里的分布是连续变化的,若空间有电势大于0(或小于0)的点,而边界上又处处等于0,在空间必然出现电势的极大(或极小)值,这违背引理一。

静电场边值问题唯一性定理

静电场边值问题唯一性定理

场分布。
02
指导数值计算
在数值计算中,唯一性定理为我们提供了判断计算结果正确性的依据。
如果计算结果不满足唯一性定理,则说明计算过程中存在错误或近似方
法不够精确。
03
简化问题求解
在某些情况下,唯一性定理可以帮助我们简化问题的求解过程。例如,
在某些对称性问题中,我们可以利用唯一性定理直接得出部分解或特殊
01 02 03
深入研究复杂边界条件下的静电场边值问题
目前的研究主要集中在简单边界条件下的问题,对于复杂 边界条件的研究相对较少。未来可以进一步探讨复杂边界 条件下的静电场边值问题,为实际应用提供更广泛的理论 支持。
发展高效稳定的数值计算方法
尽管现有的数值计算方法已经取得了显著的进展,但在处 理大规模、高维度问题时仍面临挑战。未来可以致力于发 展更高效稳定的数值计算方法,以应对日益复杂的实际问 题。
导体表面的电荷分布
导体表面电荷分布的特点
在静电平衡状态下,导体表面电荷分布是不 均匀的,电荷密度与导体表面的曲率有关, 曲率越大电荷密度越大。
导体表面电荷与电场的关系
导体表面电荷产生的电场与导体内部电荷产生的电 场相互抵消,使得导体内部电场为零。
导体表面电荷分布的求解 方法
可以通过求解泊松方程或拉普拉斯方程得到 导体表面的电荷分布。
数值计算方法的改进
针对静电场边值问题的求解,提出了一系列高效的数值计算方法,如有限元法、有限差分法等,这些方法在保持计算 精度的同时,显著提高了计算效率。
实际应用领域的拓展
将静电场边值问题唯一性定理应用于多个实际领域,如电子工程、生物医学等,成功解决了一系列具有 挑战性的实际问题。
对未来研究的展望
解,从而简化计算过程。

电磁场与电磁波课件第5章 静态场的边值问题

电磁场与电磁波课件第5章  静态场的边值问题

1 2 ,
然后进行 证明.同样可得出结论,其解唯一.
设φ1φ2是同一有源区域的边值问题
2 的解。 | f1 ( S )
即在区域V内,φ1和φ2满泊松方程,即
1 2 2
2
在V的边界S上,φ1和φ2满足同样的边界条件, 即
5.3.1 导体平面镜像
设在无限大导体平面(z=0)附近有一点电荷与平面距离为z=h 。 若导体平面接地,则导体平面电位为零,如图所示。求上半 空间中的电场。 分析:上半空间任一点 P处的电位,应等于点 电荷q和无限大导体平 板上感应的负电荷产生 的的电位总和。因此, 上半空间的电位问题可 表示为 :
2
C (常数)

0

1 2
C 0
5.3 镜像法
实质:是以一个或几个等效电荷代替边界的影响,将原来具有边
界的非均匀空间变成无限大的均匀自由空间,从而使计算过程 大为简化。
依据:惟一性定理。等效电荷的引入必须维持原来的边界 条件不变。这些等效电荷通常处于镜像位置,因此称为镜 像电荷,而这种方法称为镜像法。

2 A ( A) A J
人为规定


A 0

这个规定被称为库仑规范
于是有
2 A J
此式即为矢量磁位的泊松方程。
在没有电流的区域有J 0

2 A0
此式即为矢量磁位的拉普拉斯方程。 (2) 磁场的标量位函数 在没有电流分布的区域内,恒定磁场的基本方程变为 H 0 B 0 这样,在无源区域内,磁场也成了无旋场,具有位场的性 质,因此,象静电场一样,我们可以引入一个标量函数, 即标量磁位函数

电磁场原理习题与解答(第5章)

电磁场原理习题与解答(第5章)

第五章习题答案5-2 如题图所示,一半径为a 的金属圆盘,在垂直方向的均匀磁场B 中以等角速度ω旋转,其轴线与磁场平行。

在轴与圆盘边缘上分别接有一对电刷。

这一装置称为法拉第发电机。

试证明两电刷之间的电压为22ωBa 。

证明:,选圆柱坐标, ρφe vB e B e v B v E z ind=⨯=⨯=其中 φρωe v=22ωρρωρερρa B d B e d e v B l d E aal ind====⎰⎰⎰∙∙∴证毕 5-3解:5-4 一同轴圆柱形电容器,其内、外半径分别为cm r 11=、cm r 42=,长度cm l 5.0=,极板间介质的介电常数为04ε,极板间接交流电源,电压为V t 10026000u πsin =。

求s t 0.1=时极板间任意点的位移电流密度。

解法一:因电源频率较低,为缓变电磁场,可用求静电场方法求解。

忽略边沿效应,电容器中的场为均匀场,选用圆柱坐标,设单位长度上内导体的电荷为τ,外导体电荷为τ-,因题图5-2zvρ此有ρρπετe 2E 0=21r r <<ρ1200222121r r d dl E u r r r r lnπετρρπετ===⎰⎰∙1202r r u ln=∴πετ所以ρρer r u E 12 ln =, ρρεer r u D 12ln=2A/mρρππρερεe t 10010026000r r e tu r r tD J 1212dcos ln ln ⨯=∂∂=∂∂=当s t 1=时2512A/m10816100100260004108584ρρρππρe e J d--⨯=⨯⨯⨯⨯=.cos ln .解法二:用边值问题求解,即⎪⎩⎪⎨⎧=====∇401u 02ρϕρϕϕ 由圆柱坐标系有0)(1=∂∂∂∂ρϕρρρ(1)解式(1)得 21ln c c +=ρϕ由边界条件得: 4u c 1ln -= u c 2=u 4u +-=∴ρϕln ln所以 ρρπϕe 4t10026000Eln sin =-∇=ρρπεεe 4t 100260004E D 0ln sin ==ρπρπεe 1004t 100260004t D J 0D⨯=∂∂=ln cos当s t 1=时)(.25D mAe 10816J ρρ-⨯=5-5由圆形极板构成的平板电容器)(d a >>见题图所示,其中损耗介质的电导率为γ、介电系数为ε、磁导率为μ,外接直流电源并忽略连接线的电阻。

第五章-边值问题

第五章-边值问题

4u0
n1,3,5
1 n
e
n b
x
sin
n
b
y
例 5.5: 将问题分解为两个场的叠加,简化问题的求解。
U0
U0
0
上下板、隔板处的边值保持不变。
0
U0
U0 d
y
U0 y
0
d
0
0
U0
U0 d
y
U0 y
d
0
U0
1
U0 d
y
0
Y ( y) sin(n y)
d
X (x) ek x
n x
贝塞尔函数
贝塞尔函数是数学上的一类特殊函数的总称。通常单说的贝 塞尔函数指第一类贝塞尔函数。一般贝塞尔函数是下列常微
分方程(一般称为贝塞尔方程)的标准解函数y(x):
x2
d2y dx2
x
dy dx
(x2
2)y
0
J 第一类贝塞尔函数
N Y 第二类贝塞尔函数,又写为
I
K 参考资料
虚宗量贝塞尔函数
/wiki/%E8%B4%9D%E5%A1%9E%E5%B0%94%E5%87%
分离变量法的应用
例5.3
1、确定解的形式:由于电位对于y方向来说出现重复零点, 因此用三角函数的形式更方便计算
y 0
Y Asinky Bcosky
b U0 a
0 x

X Cekx Dekx
(x, y) (Cekx Dekx)(Asin ky Bcosky)
代入边界条件
2
(
x,
xx yy 0 0) (x,b) 0
e d
n
n
An sin( d

基础物理学第五章(静电场)课后习题答案

基础物理学第五章(静电场)课后习题答案

第五章 静电场 思考题5-1 根据点电荷的场强公式2041rqE ⋅=πε,当所考察的点与点电荷的距离0→r 时,则场强∞→E ,这是没有物理意义的。

对这个问题该如何解释? 答:当时,对于所考察点来说,q 已经不是点电荷了,点电荷的场强公式不再适用.5-2 0FE q =与02014q E r r πε=⋅两公式有什么区别和联系? 答:前式为电场(静电场、运动电荷电场)电场强度的定义式,后式是静电点电荷产生的电场分布。

静电场中前式是后一式的矢量叠加,即空间一点的场强是所有点电荷在此产生的场强之和。

5-3 如果通过闭合面S 的电通量e Φ为零,是否能肯定面S 上每一点的场强都等于零?答:不能。

通过闭合面S 的电通量e Φ为零,即0=⋅⎰SS d E,只是说明穿入、穿出闭合面S的电力线条数一样多,不能讲闭合面各处没有电力线的穿入、穿出。

只要穿入、穿出,面上的场强就不为零,所以不能肯定面S 上每一点的场强都等于零。

5-4 如果在闭合面S 上,E 处处为零,能否肯定此闭合面一定没有包围净电荷? 答:能肯定。

由高斯定理∑⎰=⋅内qS d E S1ε,E 处处为零,能说明面内整个空间的电荷代数和0=∑内q,即此封闭面一定没有包围净电荷。

但不能保证面内各局部空间无净电荷。

例如,导体内有一带电体,平衡时导体壳内的闭合高斯面上E 处处为零0=∑内q,此封闭面包围的净电荷为零,而面内的带电体上有净电荷,导体内表面也有净电荷,只不过它们两者之和为零。

5-5 电场强度的环流lE dl ⋅⎰表示什么物理意义?0lE dl⋅=⎰表示静电场具有怎样的性质?答:电场强度的环流lE dl ⋅⎰说明静电力是保守力,静电场是保守力场。

0lE dl⋅=⎰表示静电场的电场线不能闭合。

如果其电场线是闭合曲线,我们就可以将其电场线作为积分回路,由于回路上各点沿环路切向,得⎰≠⋅Ll d E 0,这与静电场环路定理矛盾,说明静电场的电场线不可能闭合。

静电场及其边值问题的解法.pptx

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2 L2 L
l 0
ln
2 L2 L
l 0
ln 2L
4π0 2 L2 L 2π0
2π0
L

时,上式变为无穷大,这是因为电荷不是分布在有限区域内,而将电位参考点
选在无穷远点之故。这时可在上式中加上一个任意常数,则有
(r ) l0 ln 2L C 2π0
并选择有限远处为电位参考点。例如,选择ρ= a 的点为电位参 考点,则有
静态场
➢静电场是指由静止的且其电荷量不随时间变化的电荷产生的电场。 ➢恒定电场是指导电媒质中,由恒定电流产生的电场。 ➢恒定磁场是指由恒定电流或永久磁体产生的磁场,亦称为静磁场。
第2页/共49页
第3章 静电场及其边值问题解法
The Electrostatic Field and Solution Techniques for
结论:静电场中电场力作的功与路径无关, 只取决于始点和终点的位置;
静电场是保守场, 也称位场;
第11页/共49页
利用斯托克斯公式, 可得其微分形式为
cA dl s A ds
l E (r ) dl 0
E (r) 0
上式说明任何静电荷产生的电场, 其电场强度矢量 E 的旋度恒
等于零, 静电场是无旋场。
(P) l 1n 2 0
x
d
2
y2
2
x
d
2
y2
2
l 4
0
1n
x x
d 2 d
2
2
y2 y2
(V )
2
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✓ 一维电位方程的求解
电位的微分方程
在均匀介质中,有
D E
E

第五章 静电场边值问题的解法

第五章 静电场边值问题的解法
2
2 1/ 2
z
n m U ( x, y) C nm sin x sin y a b n 1 m 1 4 a b n m C nm 0 0 U ( x, y) sin a x sin b y dxdy 11 ab

由边界条件可知:
n n U 0 Cn ch a sin y b b n 1 n an sin y b n 1

14
三、柱坐标系中的分离变量法
圆柱坐标系中的拉普拉斯方程 1 1 2 2 2 0 r 2 2 r r r r z 若场与 z 无关且具有轴对称性,则其解为
Z (1 2 )( D1 D2 ) (1 2 ) ( D1 D2 )
Z ( E1 E2 ) ( D1 D2 )
S
带入积分式有

V
( E1 E2 ) ( D1 D2 )d (1 2 )(D1 D2 ) dS
C1 ln r C2
若场仅与 z 方向无关(二维情况),则拉普拉斯方程演 化为 2 1 1 0 r 2 2 r r r r 假设解具有 R( r ) ( ) 的形式,带入上式得
15
( ) R( r ) R( r ) 2 ( ) 0 r 2 2 r r r r
1 2 0 ; r r
0
r a 时 , 1 2

r a 时,
19
由 2 的表达式
2 r An sin(n ) Bn cos(n )

第5章 静态场边值问题的解法

第5章 静态场边值问题的解法

两边同乘 sin
b
b m y n y m y 0 V sin b dy 0 Cn sin b sin b dy n 1 b m y n y
b
并从0 → b积分:
C
n 1
n 0
sin
0 m y n y ∵ sin sin dy 0 b b b / 2

,即
n
具有轴对称性,通解为
P0 1
bn ( R, ) (a n R n 1 ) Pn (cos ) R n
若 与
P1 (cos ) cos
Pn (cos ) -----为勒让德函数
1 P2 (cos ) (3 cos 2 1) 2
三 、求解场方法
(一)、直接积分法(一维场)
适用条件:一些简单对称的问题 例:5.1
(二).
拉普拉斯方程
—— 分离变量法
•分离变量法的适用条件 •拉普拉斯方程的解在坐标系中的形式 •解题步骤 •应用实例
•拉普拉斯方程的适用条件 1、空间 0 ,自由电荷只分布在某些介质(或导
体)表面上,将这些表面视为区域边界, 可用 拉普拉斯方程。 2、在所求区域的介质中若有自由电荷分布,则要求 自由电荷分布在真空中产生的势为已知。 一般所求区域为分区均匀介质,则不同介质分界 面上有束缚面电荷。区域V中电势可表示为两部分 的和,即 0 0 为已知自由电荷产生 , 的电势, 不满足 2 0 , 为束缚电荷产生 的电势,满足拉普拉斯方程 2 0 但注意,边值关系还要用 S 而不能用 S
1 S 2
S
1 2 1 2 n S n
S
一般讨论分 界面无自由 电荷的情况

5 第五章 静电场边值问题的解法之有限差分法

5 第五章 静电场边值问题的解法之有限差分法

⑵超松弛迭代法
φ i(, kj + 1) = φ i(, kj ) + α
4
+ 1) ( k + 1) (k ) (k ) 2 (k ) [φ i(−k1, j + φ i , j − 1 + φ i + 1, j + φ i , j + 1 − Fh − 4φ i , j ]
式中:
α
——加速收敛因子 (1 < α < 2)
边界条件的离散化处理
其中
K = εa εb
1 ϕ0 = (ϕ1 + ϕ2 + ϕ3 + ϕ4 − Fh2 ) 3. 差分方程组的求解方法 4
⑴高斯——赛德尔迭代法
φ i(, kj + 1) =
1 ( k + 1) 1) (k ) (k ) 2 [φ i −1, j + φ i(, kj + − 1 + φ i + 1, j + φ i , j + 1 − Fh ] 4
将式(7)、(9)代入式(1),得到泊松方程的五点差分格式
ϕ 1 + ϕ 2 + ϕ 3 + ϕ 4 − 4ϕ 0 = Fh
2
1 ϕ0 = (ϕ1 + ϕ2 + ϕ3 + ϕ4 − Fh2 ) 4
ϕ0 =
1 (ϕ 1 + ϕ 2 + ϕ 3 + ϕ 4 ) 4
当场域中 ρ = 0,得到拉普拉斯方程的五点差分格式
ϕ 1 + ϕ 2 + ϕ 3 + ϕ 4 − 4ϕ 0 = 0
差分格式为: 若场域离散为矩形网格,

有电介质的静电场边值问题

有电介质的静电场边值问题

有电介质的静电场边值问题姓名:***院校系别班级摘要:我们知道,静电场在一种均匀电介质中是不会发生跃变的。

但在两种均匀电介质边界上是否发生突变?如果发生跃变,那么这个过程是怎样的呢?根据前面的知识,本文我们采用柏松公式和拉普拉斯定理对有电介质的静电场边值问题进行证明!关键词:静电场 电介质 突变 边值问题 唯一性引言:由于在外场作用下,两均匀电介质分界面上一般会出现一层束缚电荷和电流分布,这些电荷、电流的存在又使得界面两侧场量发生跃变,这种场量跃变是面电荷、面电流激发附加的电场产生的,描述在电介质分界面上。

若带电体的形状、尺寸和位置均已固定,则满足边界条件的柏松方程和拉普拉斯方程的解是否唯一?一、讨论两不同电介质交界面两侧场量跃变情况我们先探讨在外电场存在的作用下两种电介质交界面两侧场量跃变情况。

通过对电磁学的学习,我们知道麦克斯韦方程组的微分形式是0BE t ∂∇⨯+=∂ (1)000EB t με∂∇⨯-=∂ (2)0E ∇⋅= (3)0B ∇⋅= (4)微分方程中所涉及的量都必须是良态的。

所谓良态,即函数在其观察点及其领域内连续并有连续的导数,则称该函数是良态的。

所以微分形式的麦克斯韦方程组只能描述一种介质内电磁场的变化规律,然而实际中常常遇到有不同介质交界面的情况。

在分界面上,介质的性质有一突变,电磁常量一般也要发生突变,所以,在分界面上的各点,麦克斯韦方程组的微分形式已失去意义。

由于麦克斯韦方程组的积分形式不要求各个量都是良态,所以它适用于包括介质分界面在内的区域。

因此研究边值关系的基础是积分形式的麦克斯韦方程组。

即:0l s E dl B ds t ∂⋅+⋅=∂⎰⎰ (5)0l S H dl D ds t ∂⋅-⋅=∂⎰⎰ (6)s D ds Q ⋅=⎰⎰ (7)0s B ds ⋅=⎰ (8)式中:环线l 为面s 的闭合边界,其正向与面元d s 法向遵从右手螺旋法则。

环面s 为包围体积v 的闭合面,面元d s 指向为s 面的外法向。

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V V 1 2 1 2 S 1 2 1 2
9
(续) 续

∇ ⋅ Z = (Φ 1 − Φ 2 )(∇ ⋅ D1 − ∇ ⋅ D2 ) + (∇Φ 1 − ∇Φ 2 ) ⋅ ( D1 − D2 )
由于 ∇ ⋅ D1 = ∇ ⋅ D2 − E2 ) ⋅ ( D1 − D2 )
∞ ∞
Example:例 5.4(Page. 126) : 解:写出四个边界条件 y=0, ϕ = 0 ; y=0, ϕ = 0
∑ q Φ ′ = ∑ q′Φ
i =1 i i i =1 i
m
m
i
证明:取一包围所有导体的闭合曲面,在这个曲面内又有各导 包围所有导体的闭合曲面 所有导体 曲面, 这个曲面 曲面内 证明: 表面构成 闭合曲面 它们之间 体积为 。 这个空间 构成的 曲面, 之间的 空间内 体表面构成的闭合曲面,它们之间的体积为 V。在这个空间内, 令ψ
2
解法 : 单位点电荷在无界空间内产生的电位函数 由
1 Φ ( r , r ′) = 4πε 0 r − r ′ 可知上式在无界空间的解为
1 G0 ( r , r′) = ε 0Φ ( r , r′) = 4π r − r′
3
一、格林函数(Cont’d) 格林函数
解法 :以点电荷所在点建立球坐标系,令 的空间, R = r − r ′ ,则在 R ≠ 0 的空间,格林函数满足拉普 拉斯方程: 拉斯方程:
若对应的常数为零, 若对应的常数为零,则解的形式应为线性函数
f ( x ) = A1 x + A2
15
Example 1:求如图长方形体积内的电位函数。 长方形体积 函数。 : 如图长方形体积内 电位函数 边界条件 条件除了 电位不为 边界条件除了 z=c 面电位不为 其他各方面表面电位都为 表面电位 零外, 其他各方面表面电位都为 表面上给定的电位函 零,z=c 表面上给定的电位函 Φ = U ( x , y) 数为 U(x,y)。 。 对于边界条件要求 边界条件 解: 对于边界条件要求 x=0,a 平面上电位为 可知即是 平面上电位为零可知即是 要求 f(x)在 x=0,a 的平面 在 为零。 上为零。考察 f(x)的三种 的 形式: 平面上 排除了 形式:当要求 x=0 的平面上 f(x)=0 时,即排除了 指数函数形式; 函数形式 平面上 指数函数形式;当要求 x=a 的平面上 f(x)=0 时, 排除了双曲函数形式。因此, 函数形式 排除了双曲函数形式。因此,只有 f(x)为三角函 为三角函 形式时 满足边界条件的要求, 边界条件 数形式时才能满足边界条件的要求,即: 16
2 x 2 y 2 z
14
若对应的常数为实数,则解的形式应为三角函数 若对应的常数为实数,
f ( x ) = A1 sin( k x x ) + A2 cos( k x x )
若对应的常数为虚数, 若对应的常数为虚数,则解的形式应为指数函数 或双曲函数
f ( x ) = A1 exp(α x x ) + A2 exp( −α x x ) f ( x ) = A1 sinh(α x x ) + A2 cosh(α x x ) 式中 k x = iα x
∞ ∞ 2
2 1/ 2
z
nπ m π U ( x , y ) = ∑ ∑ C nm sin x sin y a b n =1 m =1 4 a b nπ m π C nm = ∫0 ∫0 U ( x, y) sin a x sin b y dxdy 18 ab
2 2
6
格林互易定理:如果当 导体上 电荷为 格林互易定理:如果当 m 个导体上的电荷为 q1,q2,…qm 时, 互易定理 它们的 电势等于 导体上 电荷为 它们 的 电势 等于 Φ1 , Φ2 , …, Φm ; 当 导体 上 的 电荷 为 q’1 , , q’2,…q’m 时,它们的电势等于Φ’1,Φ’2,…,Φ’m,则有 它们的电势等于 ,
处的边界条件, 同样为了满足 y=0,b 处的边界条件,g(y)解的形式为 解的形式为
mπ 其中 k y = b
mπ g ( y) = ∑ Bm sin( y) b m =1

m = 1,2,3,⋯
17
对于 kz 则应满足
nπ m π k z = ± i ( k + k ) = ± i + = ± iα z a b 才能满 考察 h(z)的几种解的形式,只有 h(z)=sinh(αzz)的形式才能满 的几种解 形式, α 的形式才能 电位在 为零的边界条件 因此,电位函数 条件。 函数解 足电位在 z=0 面上为零的边界条件。因此,电位函数解的形 式为
13
上式成立的唯一条件是三项中每一项都是常数, 上式成立的唯一条件是三项中每一项都是常数, 则有
d f ( x) 2 = −k x f ( x ) 2 dx 2 d g ( y) 2 = − k y g ( y) 2 dy d h( z ) 2 = − k z h( z ) 2 dz
其中
2
2
k +k +k =0
据δ函数的性质,有: 函数的性质, 的性质
C1 1 2 ⋅ 4πR0 = −1 ⇒ C1 = − 2 R0 4π
1 因此格林函数为 因此格林函数为 G0 ( r , r ′) = 4π r − r′
5
二、格林定理
格林第一恒等式
2
证明: 证明:令 A = φ∇ψ ,则
∂ψ ∫V (φ∇ ψ + ∇φ ⋅ ∇ψ )dV = ∫S φ ∂n dS
11
§5.3 分离变量法
一、基本前提 边界面与坐标系的坐标面一致;或分段地 边界面与坐标系的坐标面一致; 与坐标面一致 待求偏微分方程的解可以表示为三个函数 的乘积且每一个函数分别仅是一个坐标的 函数
Φ( x, y, z ) = f ( x ) g ( y)h( z ) Φ( r ,ϕ , z ) = f ( r ) g (ϕ )h( z ) Φ( r ,θ ,ϕ ) = f ( r ) g (θ )h(ϕ )

m

最后有 最后有
Si
σ i′dS i = qi′
m

m i
Si
σ i dS i = q
∑ q Φ ′ = ∑ q′Φ
i =1 i i =1 i
i
8
§5.2 唯一性定理
唯一性定理: 唯一性定理: 在每一类边界条件下, 在每一类边界条件下,泊松方程和拉普拉斯方程 的解都是唯一的。 的解都是唯一的。
Chapter V. 静电场边值问题的解法
☺分离变量法 ☺镜像法 ☺有限差分法
§5.1 格林函数
一、格林函数
引入广义函数―― 的电荷密度, 引入广义函数――δ函数描述单位点电荷的电荷密度,即:
0 ρ (r ) = δ (r − r ′) = ∞
r ≠ r′ r = r′
0 ∫τ ρ (r )dτ =∫τδ (r − r′)dτ = 1 产生的电位满足泊松方程: 则单位点电荷产生的电位满足泊松方程:
1 d 2 d ∇ G ( r , r′) = 2 R G0 ( r , r′) = 0 R dR dR
2
上式通解为: 其边界在 R → ∞ 及 R = 0 处。上式通解为:
C1 G0 ( r , r ′) = − + C2 R
应用 R → ∞ 时的边界条件可得 C2=0。 。
在边界面上边界条件相同, 在边界面上边界条件相同,则无论 边界条件相同 第一类边界条件: 第一类边界条件: Φ 1
S
= Φ2 S ;
S
第二类边界条件: n ⋅ D1 第二类边界条件: 都有
= n ⋅ D2
S
∫ (E − E ) ⋅ (D − D )dτ = 0
V 1 2 1 2
⇒ E1 = E2
两个解相同,则解唯一,静电场唯一。 两个解相同,则解唯一,静电场唯一。
r ≠ r′ r = r′
∇ Φ = − δ ( r − r′) ε 0
2
或∇
2
(ε 0Φ) = −δ ( r − r′)
2
一、格林函数(Cont’d) 格林函数
定义格林函数 定义格林函数 G ( r , r ′) = ε 0 Φ ( r , r ′) , 则其满足方程 为:
∇ G ( r , r ′) = −δ ( r − r ′)
证明:设存在两个解 Φ 1 和 Φ 2 , 则 E1 证明 :
= −∇Φ 1 ,
E 2 = −∇ Φ 2 , D1 = εE1 , D2 = εE 2 。 构造函数
Z = (Φ 1 − Φ 2 )( D1 − D2 ) ,对其求散度并积分,则 对其求散度并积分,
∫ ∇ ⋅ Zdτ = ∫ ∇ ⋅ [(Φ − Φ )( D − D )]dτ = ∫ (Φ − Φ )( D − D ) ⋅ dS
f ( x ) = A sin( k x x )

nπ kx = a
本征值与本征函数; 本征值与本征函数; 般情况下, 般情况下,f(x)的最一般解为 的最一般解为
n = 1,2,3,⋯

若令 k x =

λ
,则有 nλ
= 2a ; 一
nπ f ( x ) = ∑ An sin( x) a n =1
4
一、格林函数(Cont’d) 格林函数
作一包围 R = 0 点的小球τ,将方程两边乘以 dτ并积 分,
∫τ∇ G ( r , r ′)dτ = ∫τ∇ ⋅ ∇G ( r , r ′)dτ
2 0 0
C1 = ∫ ∇G0 ( r , r ′) ⋅ dS = ∫ 2 er ⋅ dS = − ∫ δ ( r − r ′)dτ S S R τ
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