硅片检测设备

动作录像
基本配置
硅片类型 硅片尺寸 硅片角部形状 硅片厚度 处理能力 上料部 *可对应摞片式、以及客户专用式样。 标准式样：摞片分装 （t200um硅片时，130片/段） 良品可分装段数：8 （4段×2处） 不良品分装数：7 （1段×7处） *良品最多可分16段,不良品最多可分10段 装置大小 4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm 单晶／多晶硅片（对应金刚线加工硅片） □125mm／□156mm 无去角／R面／C面 *140um～ 3,600片/hour (1.0sec/片) 标准式样：对应硅片清洗箩筐 （上料部数：2处） （～Max22.8mm）
下料/分选部
装置重量
电源 空气
约1,500kg
AC3相 200V 50/60Hz 20A（4KVA） 0.39MPa 50L/min以上
检查项目一览
检查项目 外形大小（全长／全宽） 直径大小 去边长度 角度 表面裂痕／缺口 表面污垢 针孔(气孔) 检查精度／可测大小 100um以内（3σ） 200um以内（3σ） 300um以内（3σ） 0.1°以内（3σ） □200um以上 □1mm以上 □100um以上
＜edge检查范围＞
edge部表/里面
・崩边、缺口检查 edge部侧面 ・崩边、缺口检查 ・edge侧面厚度测定 检查分辨率15um/pix
11.5mm Edge侧面
Edge检查部
检查例１）检查edge部缺口
edge表面 側面 Edge里面
缺口大小） 从edge开始 0.6mm 长度2.9mm
侧面画像中也可 确认到缺口。
不可视裂痕 NVCD检查部（0°,90°）
检测例）细微的内部裂痕 TD200可以在硅片 0°以及 90°放置时检测
可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测
硅片0° 检查时的画像 硅片90° 检查时的画像
Edge检查部
Edge检查部
＜edge检查部概图＞
Edge检查部
硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。 TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。
Edge检查部
3D激光检查部
上面/下面 表面检查部
上面检查部
下面检查部
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
上面/下面 表面检查部

表面缺陷检查
污浊,伤痕,指纹等

硅片尺寸测定
全长/全宽,直径,去角,
角度
上面/下面 表面检查部
检测例１）污浊不良（单晶）
检测在约W0.4mm范围内存在的微小污浊
上面/下面 表面检查部
检测例２）污浊不良（多晶）
不可视裂痕 NVCD检查部 （0°,90°）
4000pix线扫描摄像头 视野:约184mm 检查分辨率 :约46um/pix 2000pix线扫描摄像头 视野:30mm 检查分辨率(画素) :约 15um/pix 激光变位器6set（上3/下3） 测定位置:±0.25mm 光径:约50um 分解能:0.2um 走查线位:上下3线
3D激光检查部
激光变位器6set（上3/下3）
3D激光检查部
厚度（Max,Min,Ave） TTV 线痕 段差 棱线 翘曲

3D激光检查部
检查例１）厚度小不良
Sensor1 Profile 400 300 200 100 0 -100 -200 -300 1 9 17 25 33 41 49 57 65 73 81 89 97 105 113 121 129 137 145 153 161
2000pix线扫描摄像头 视野:约170mm 检查分辨率：约85um/pix
检查位置
检测装置式样
上下表面检查部
内部裂痕
异物 崩边 edge侧面缺口 edge侧面厚度 硅片厚度（Max,Min,Ave） TTV（9点／5点） 线痕/ 段差／棱线 翘曲
100um×1mm以上
□100um以上 30um×1mm以上 □100um以上 10um以内（3σ） 2um以内（3σ） 3um以内（3σ） 5um以内（3σ）
上面测定结果 下面测定结果
Sensor1 Thickness 300 250 200 150 100 50 0 1 9 17 25 33 41 49 57 65 73 81 89 97 105 113 121 129 137 145 153 161
厚度演算结果
下限规格在 150μm以下的作不 良判定
检测出约１.2×0.6mm的污浊，
五其他部位的过度检测
不可视裂痕 NVCD检查部（0°,90°）
不可视裂痕 NVCD检查部（0°,90°）
与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方 式检测出来 Crack-Amplifier Technology*
他社方式
安永TD200
*Patent Pending
Edge检查部
检查例２）检查edge部缺口
侧面画像也可确认到不良
Edge检查部
检查例３）检查edge侧面细微缺口
可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷
Edge检查部
检查例４）测定edge侧面厚度
Edge侧面画像
可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度 （去角部除外）
3D激光检查部
检查例２）段层、线痕不良
Sensor2 Thickness 300 250 200 150 100 50 0 1 9 17 25 33 41 49 57 65 73 81 89 97 105 113 121 129 137 145 153 161 Sensor2 Thickness 200 190 180 170 160 150 140 130 120 110 100 1 9 17 25 33 41 49 57 65 73 81 89 97 105 113 121 129 137 145 153 161
段层不良
线痕不良
上料部（硅片供给部）
＜标准式样＞ 对应硅片清洗箩筐 （2套/自动交换） *可对应摞片式、以及客户专用式样
卸料分选部
全9ポート／4or2or1段機構
Wafer
＜标准式样＞ 良品分装段数:8（4段×2处） 不良品分装段数:7（1段×7处） 130片/段（t200um厚硅片）
*良品最多可分16段,不良品最多可分10段
Thank you for your participations Best wishes to all of you
太阳电池用硅片 外观检测装置ＴＤ２００
2010年11月
株式会社 安永 CE事業部 営業部門
特征

太阳能电池用硅片外观检测综合提案
硅片表面缺陷检查（硅片上面/下面）
硅片尺寸・形状测定 不可视内部裂痕检查（0° / 90°2阶段检查）
硅片4边edge详细缺陷检查
硅片edge侧面厚度测定 ３Ｄ检测（厚度,TTV,线痕 ,段差,棱线,翘曲）

高速检查 1.0sec/wafer 对应单晶以及多晶硅片 对应金刚线加工硅片
检查系统构成图
Edge检查 – 左 不可视裂痕检查 （NVCD） 0°
上表面检查
Edge检查 – 后
不可视裂痕检查 （NVCD） 90° 硅片 90°转向
Edge检查- 右
3D 激光检查
下表面检查
Edge检查– 前 To 传送 分选部