AVR单片机EEPROM和FLASH区别
RAM,ROM,EEPROM,FLASH区别
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。
通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。
ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。
此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。
一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。
而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。
在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。
RAM（random access memory）随机存储器。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。
相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）当电源关闭时RAM不能保留数据。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。
在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。
下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RA M 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPR OM或F LASHR OM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在ST C 单片机中内置了E EPROM（其实是采用IAP技术读写内部FLAS H 来实现EEPR OM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
下面就详细介绍STC单片机内置EEP ROM 及其使用方法。
f lash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的f lash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPR OM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EE PROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00下面是网上详细的说法，感觉不错：F LASH和EEPR OM的最大区别是FL ASH按扇区操作，E EPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLA SH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EE PROM低，因而适合用作程序存储器，EE PROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FL ASH做数据存储器也行，但操作比EEPR OM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成F LASH和EEPRO M两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLA SH，早期可电擦写型MCU则都是EEPR M结构，现在已基本上停产了。
EEPROM和FLASH的区别,单片机中为啥很少有EEPROM
EEPROM和FLASH的区别，单片机中为啥很少有EEPROMROM的发展ROM：Read-Only Memory，只读存储器。
以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。
最早的ROM是不能编程的，出厂时其存储内容（数据）就已经固定了，永远不能修改，也不灵活。
因为存在这种弊端，后来出现了PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器），可以自己写入一次，要是写错了，只能换一块芯片。
因为只能写一次，还是存在很多不方便，于是出现了EPROM （Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是这种可擦除的存储是通过紫外线进行擦除，擦除的时候也不是很方便。
引用一个比如：如果你往单片机下载一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。
随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM:早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，从几KB到几百KB不等。
（有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。
如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了，算是已经发展到很先进的水平了。
至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是发展的很成熟的EEPROM 了。
Flash的发展Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。
Eeprom和Flash的区别
Eeprom和Flash的区别 存储器分为两⼤类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。
ram就不讲了，今天主要讨论rom。
（1）rom最初不能编程，出⼚什么内容就永远什么内容，不灵活。
（2）后来出现了prom，可以⾃⼰写⼊⼀次，要是写错了，只能换⼀⽚，⾃认倒霉。
（3）⼈类⽂明不断进步，终于出现了可多次擦除写⼊的EPROM，每次擦除要把芯⽚拿到紫外线上照⼀下，想⼀下你往单⽚机上下了⼀个程序之后发现有个地⽅需要加⼀句话，为此你要把单⽚机放紫外灯下照半⼩时，然后才能再下⼀次，这么折腾⼀天也改不了⼏次。
（4）历史的车轮不断前进，伟⼤的EEPROM出现了，拯救了⼀⼤批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。
（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的进化！） EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器（不要觉得多⾼⼤上，其实经常都会⽤到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。
是相对于紫外擦除的rom来讲的。
但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了⼀类存储器的统称。
flash属于⼴义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。
但是为了区别于⼀般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何⼀个字节，可以往每个bit中写⼊0或者1。
这是最传统的⼀种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较⾼的可靠性，但是电路复杂/成本也⾼。
因此⽬前的EEPROM都是⼏⼗千字节到⼏百千字节的，绝少有超过512K的。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，⽽是以块为单位，⼀次简化了电路，数据密度更⾼，降低了成本。
上M的rom⼀般都是flash。
flash分为nor flash和nand flash。
FLASH-SRAM-EEPROM-区别-【专业篇】加【通俗篇】
FLASH和EEPROM的最大区别专业篇FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM 主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
FLASH和EEPROM的最大区别
FLASH和EEPRO M的最大区别FLASH和EEPRO M的最大区别是FLA SH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比E EPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLA SH做数据存储器也行，但操作比EE PROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FL ASH和E EPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有F LASH，早期可电擦写型MCU则都是EEP RM结构，现在已基本上停产了。
至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPRO M不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FA LSH结构或EEPR OM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RA M里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FL ASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RA M指的都是半导体存储器，ROM是Re ad Only Memory的缩写，RAM是Ra ndomAccess Memory的缩写。
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别
FLASH存储器和EEPROM存储器的区别FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。
而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。
并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。
2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。
但比单片机片内RAM的读写还要慢。
3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。
另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。
EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。
技术上，FLASH是结合EPROM 和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。
但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。
其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是1。
EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。
非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。
它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。
在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。
一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。
非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。
它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。
这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。
尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。
而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。
另一方面Flash是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中擦除数据，并且可以在字节级别读取或写入数据。
二、使用闪存与EEPROM有什么优缺点？使用闪存或EEPROM设备有很多优点和缺点：由于EEPROM以字节为单位运行其擦除功能，因此这增加了清除和编辑设备所花费的时间，但允许开发人员在需要时编辑特定部分。
闪存能够擦除大量数据，从而大大提高了擦除速度，并使设备可以更紧凑地存储信息。
但是由于这个原因，它也失去了编辑某些字节的能力，从而迫使开发人员在进行任何更改时都重写整个数据块。
在存储设备上执行多个擦除和写入周期将导致其最终随着时间的推移而降级。
使用EEPROM的优点之一是使用寿命更长。
EEPROM在其生命周期内最多可以执行1000000个擦除/重写周期。
根据闪存的类型，闪存的使用寿命会缩短，大多数闪存产品在磨损开始恶化存储完整性之前，能够承受大约10000至1000000次擦除/写入循环。
就大小和成本而言，闪存具有比EEPROM更小的存储单元尺寸，并且实现成本更低。
智能卡存储单元EEPROM、Flash和FRAM之间的性能比较
作为智能卡存储单元的非挥发性存储器主要包括电可改写可编程只读存储器 EEPROM、快 闪存储器 Flash memory 以及铁电存储器 FRAM。
EEPROM 是最典型的电可改写非挥发性存储器，是 80 年代以来发展起来的一种非挥发性半 导体存储器，它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。EEPROM 的工艺基础是 CMOS 工艺，随着 CMOS 工艺向亚微米发展，EEPROM 的集成度在不断提高。
通常为毫秒数量级。而 EEPROM 的编程方式是隧道效应。因此，Flash memory 编程时间要 比 EEPROM 快。
下表给出了 Flash Memory 和 EEPROM 的性能对比：
EEPROM Flash
耐久性 好 良好
密度 中
单元中 晶体管数 双
高
单
充电 机理 隧道 效应 电子 效应
放电 机理 隧道 效应 隧道 效应
编程 复杂度 简单
复杂
擦写
写入时 自动擦除 字组 擦除
二． FRAM 与 EEPROM、Flash memory 的性能比较：
FRAM 存储单元的基本原理是铁电效应，是应用铁电薄膜的自发性极化形式储存的铁电存储 器件，由于 FRAM 通过外部电场控制铁电电容器的自发性极化，与通过热电子注入或隧道效 应而完成写入动作的 EEPROM 以及 Flash memory 相比，FRAM 具有写入速度快（为 EEPR OM、Flash 的 1000 倍以上），因为它在擦写时不需要高压，因此写入时的功耗大为降低（为 EEPROM、Flash 的 1/1000 - 1/100000），尤其适合用于非接触卡或双界面卡等低功耗的 应用场合。另外，由于不需要使用隧道氧化膜，其数据的重写次数，与 flash memory 和 E EPROM 相比也大大提高（EEPROM 或 flash 为 10 5 - 10 6 ，FRAM 可以达到 10 12 以上）。
AVR存储器
AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器，它们分别为：Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器。
Flash 存储器为1K～128K 字节，支持并行编程和串行下载,下载寿命通常可达10,000 次。
由于AVR 指令都为16 位或32 位，程序计数器对它按字进行寻址，因此FLASH 存储器按字组织的，但在程序中访问FLASH 存储区时专用指令LPM 可分别读取指定地址的高低字节。
寄存器堆（R0～R31）、I/O 寄存器和SRAM 被统一编址。
所以对寄存器和I/O 口的操作使用与访问内部SRAM 同样的指令。
32 个通用寄存器被编址到最前,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。
从0X0060 开始为内部SRAM。
外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。
AVR 单片机的内部有64～4K 的EEPROM 数据存储器，它们被独立编址，按字节组织。
擦写寿命可达100，000 次。
1. I/O 寄存器操作I/O 专用寄存器（SFR）被编址到与内部SRAM 同一个地址空间，为此对它的操作和SRAM 变量操作类似。
SFR 定义文件的包含：#include <avr/io.h>io.h 文件在编译器包含路径下的avr 目录下，由于AVR 各器件间存在同名寄存器地址有不同的问题，io.h 文件不直接定义SFR 寄存器宏，它根据在命令行给出的–mmcu 选项再包含合适的ioxxxx.h 文件。
在器件对应的ioxxxx.h 文件中定义了器件SFR 的预处理宏，在程序中直接对它赋值或引用的方式读写SFR，如：PORTB=0XFF;Val=PINB;从io.h 和其总包含的头文件sfr_defs.h 可以追溯宏PORTB 的原型在io2313.h 中定义：#define PORTB _SFR_IO8(0x18)在sfr_defs.h 中定义：#define _SFR_IO8(io_addr) _MMIO_BYTE((io_addr) + 0x20)#define _MMIO_BYTE(mem_addr) (*(volatile uint8_t *)(mem_addr)) 这样PORTB=0XFF; 就等同于*(volatile unsigned char *)(0x38)=0xff;0x38 在器件AT90S2313 中PORTB 的地址对SFR 的定义宏进一步说明了SFR 与SRAM 操作的相同点。
浅谈EEPROM和flash的区别 及 nor flash和nand flash
浅谈EEPROM和flash的区别及nor flash和nand flashNOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。
Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。
NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。
性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
智能卡存储单元EEPROM、Flash和FRAM之间的性能比较
Flash memory 和 EEPROM 都是电可擦写可编程的存储器，它们的原理是将数据以电荷的形 式储存在浮栅电极上。与 EEPROM 相比，Flash 在集成度方面有无可比拟的优越性。由于 F lash Memory 采用单管单元，可以做到很高的集成度，它的单元面积仅为常规 EEPROM 的 1/4。
Flash Memory 单元的编程方法主要有两种：沟道热电子注入（CHE）和隧道效应（FowlerNordheim）。沟道热电子注入（CHE）是目前 Flash Memory 使用最为广泛的编程方式。沟 道热电子注入 CHE 的编程时间为微秒数量级，而隧道效应（Fowler-Nordheim）编程时间则
智能卡存储单元 EEPROM、Flash 和 FRAM 之 间的性能比较
智能卡存储单元 EEPROM、Flash 和 FRAM 之间的性能比较 半导体存储器可分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数 据，后者即使在切断电源也可以保持数据。挥发性存储器又可分为 DRAM 和 SRAM。而 RO M 则是非挥发性存储器，ROM 在类型上根据用户是否可以写入数据而分为两类，一类是用 户可以写入的 ROM，另一类是制造商在加工过程中写入的被称为 MASK ROM。在可以写入 的 ROM 中按写入方式分为 O TP ROM（One Time Programmable ROM）、EPROM（Era sable Programmable ROM）、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash
பைடு நூலகம்
通常为毫秒数量级。而 EEPROM 的编程方式是隧道效应。因此，Flash memory 编程时间要 比 EEPROM 快。
eeprom和flash的区别
eeprom和flash的区别
EEPROM和Flash都是非易失性存储器，它们都可以在掉电后保留数据。
但它们在很多方面存在一些差异，具体区别如下：
1.擦写方式：EEPROM的擦写是以字节为单位进行的，而Flash 通常需要按块进行擦写。
也就是说，在Flash中，要擦除一个数据，通常需要先擦除一整个块，然后再将该块中需要保留的数据重新写入。
因此，Flash的擦写操作相对EEPROM更为复杂。
2.写入方式：EEPROM的写入方式也是按字节进行，而Flash
的写入方式通常是按块进行。
这意味着，在Flash中，要写入一个数据，需要先将整个块擦除，然后再将新数据写入该块。
3.擦写速度：EEPROM的擦写速度通常比Flash慢得多，这可能会影响到系统的性能。
4.存储密度：EEPROM和Flash的存储密度都很高，可以存储大量的数据。
5.使用场景：EEPROM通常用于存储掉电后不希望丢失的数据，如配置参数等。
而Flash则更多地用于存储程序代码或大量数据。
6.可靠性：Flash的可靠性通常比EEPROM更高，因为它具有更高的擦写次数和更长的使用寿命。
7.价格：一般来说，Flash的价格比EEPROM要便宜一些。
综上所述，EEPROM和Flash在擦写方式、写入方式、擦写速度、存储密度、使用场景、可靠性和价格等方面都存在差异。
在选择使用哪种存储器时，需要根据具体的应用需求和系统要求来决定。
基于AVR单片机中的EEPROM和FLASH的区别及使用方法解析
extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//读取指定地址的 一个字节 8bit 的 EEPROM 数据 extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//读取指定地址 的一个字 16bit 的 EEPROM 数据 extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）; //读取由指定地址开始的指定长度的 EEPROM 数据 extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地 址写入一个字节 8bit 的 EEPROM 数据 extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定 地址写入一个字 16bit 的 EEPROM 数据 通过串口向单片机发送配置命令，单片机收到指令后，利用函数 write_EEPROM_config（）将相应的配置信息存放于 EEPROM 中。系统初始 化时，利用函数 read_EEPROM_config（）从 EEPROM 中取出相应的数据，
RAM 用作程序运行时的数据存储器； EEPROM 用于存放数据，是用来保存掉电后用户不希望丢的数据，开机 时用到的参数。运行过程中可以改变。 FLASH 是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然 前提是该单片机的 FLASH 工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意 FLASH 的擦写次数通常小于一万次，而且通常 FLASH 只能按块擦除。 EEPROM 不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。 EEPROM 的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。EEPROM 在一个 PAGE 内是可以任意写的，FLSAH 则必须先擦除成 BLANK，然后再写入， 而一般没有单字节擦除的功能，至少一个扇区擦除。 2.2 结构上的区别 EEPROM 和 FLASH 都是非易失性存储器。 FLASH 的全称是 FLASH EEPROM，但跟常规 EEPROM 的操作方法不同。
AVR单片机EEPROM和FLASH区别
掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数保存在EEPROM中，其擦除次数较Flash 多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据。
Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。
它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。
目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS 程序，便于进行程序的升级。
其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。
FLASH 和EEPROM 的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需修改的数据。
所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。
所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。
现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Device, 一类是Charge Trapping Device。
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AVR单片机EEPROM和FLASH区别
为什么A VR单片机既有FLASH又有EEPROM？我如果要烧写程序只用HEX文件行么？那个EEP文件有什么作用?
你的程序代码是保存在FLASH里的，只烧写HEX文件就可以。
EEP文件是EEPROM的初始化数据文件，如果不烧写，EEPROM会保持FF，如果烧写了这个文件，就会按照你的初始化要求初始化EEPROM。
在实际中有时往往不仅仅需要程序代码，还需要用到一些数据，而这些数据又会根据情况的不同而变化。
举个例子，比如我要测量一个电机的转数，而每天电机最多测量12个小时，要求记录这12个小时的转数，然后第二天从这个数值继续测量，当然第二天单片机也会重新上电。
遇到这个情况你如何去保存你的记录数值呢？当然这就需要用到EEPROM了。
EEPROM存取数据方便，掉电不丢失，适合记录这种要求有变化又要求掉电不丢失的数据。
当然EEPROM也可以作为程序存储器来存放程序。
但是A VR单片机的BOOTLOADER是ATMEL提供的，只能够从FLASH开始。
其次，即使能够使用EEPROM做程序存储器，如今也不会采用这样的方式，因为EEPROM造价比FLASH要高很多，同时存取速度比FLASH要慢得多，因此如今的程序基本都是被放入FLASH中，而EEPROM只用来存放那些不希望丢失的数据而用了
FLASH 一个静态的只读存储器，单片机本身无法修改自己
EEPROM 是指5V或3.3V可擦写存储器，可以由单片机本身编程写入一般用来做掉电保护，也可以由烧程器写入。
烧程时当然只用HEX文件AVR编程的时候，可以对EEPROM编程 设置你想要的初始化量
简单的说，flash是保存程序的，eeprom是保存程序需要用到的，掉电不会丢失的变量，通常是初始值之类的。
通常flash不会被程序改写（avr有bootloader 功能，可以修改flash甚至bootloader自身），而eeprom则很容易被改写。
一般来讲，实际应用中eeprom用的不多，除非对成本极为看重，因为片内的eeprom比较不可靠，当电压不稳时，数据容易丢失。
AVR系列单片机的FLASH存储器、SRAM存储器、EEPROM存储器各有什么用途？
FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
FLASH:存储程序，表格数据；SRAM：程序运行时的临时数据，从新上电不存在的数据；EEPROM：存储主要数据， 从新上电仍存在的数据。