基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究

基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究
VDSR32M32立体封装SRAM芯片采纳8片型号为R1RW0416DSB-2PI的基片利用欧比特公司的SIP立体封装工艺堆叠而成，分为自立的8个片选信号（CS0~CS7），实现了由8个存储容量为256K×16bits字节的芯片扩展成容量为1M×32bits的SIP大容量存储器芯片。

各引脚的功能用法解释如下：
VCC：+3.3V电源输入端;
VSS：接地引脚；
A0~A17:地址同步输入端；
LB：低字节挑选;
UB: 高字节挑选;
OE：输出访能, 数据读取时需置为低，写时置为低；
CE0/CE7：片选信号，低电平有效时选中该片；DQ0~DQ32：数据输入/输出脚；
WE: 写使能信号.
2.2 VDSR32M32电特性。

表 1 产品电特性
电性指标技术参数符号测试条件最小值最大值单位允许漂移静态指标输入漏电ILIVIN = VSS to VCC-1616μA—输出漏电电流ILOVIN = VSS to VCC-1616μA—工作电流ICC最快的拜访速度-500mA ±10%CS = VIL , IOUT = 0mA其它管脚 = VIH或VIL 休眠电流 ISB 最快的拜访速度-320mA±10%CS = VIH其它管脚 = VIH或VIL规律输入高电平VIH—2VCCV—规律输入低电平VIL—-0.30.8V—输出高电平VOHIOL = 8mA2.4-V—输出低电平VOLIOH = -4 mA-0.4V—动态指标地址变幻到数据输出时光tAA见图3--15ns—
2.3 VDSR32M32功能操作
表 2 器件功能真值表1）
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