FOSAN富信电子 二极管 S3AB-S3MB-产品规格书
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
S3AB-S3MB
SMB General Purpose Rectifier Diode
通用整流二极管
■Features 特点
Glass passivated junction 玻璃钝化结
Low reverse leakage current 低反向漏电流Low forward voltage drop 低正向压降High current capability 高电流能力
Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMB(DO-214AA)
■Maximum Rating 最大额定值
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号
S3AB S3BB S3DB S3GB S3JB S3KB S3MB Unit 单位
Peak Reverse Voltage 反向峰值电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)
35
70
140
280420
560
700
V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 3A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 100A Thermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 13
℃/W
Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度
T J ,T stg
150℃,-55to+150℃
■Electrical Characteristics 电特性
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数Symbol 符号
Min 最小值
Typ 典型值
Max 最大值
Unit 单位
Condition 条件
Forward Voltage 正向电压V F 1.1V I F =3A Reverse Current 反向电流I R 5250
uA V R =V RRM T a =25℃
T a =125℃Diode Capacitance 二极管电容
C D
60
pF
V R =4V,f=1MHz
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
S3AB-S3MB ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
S3AB-S3MB ■Dimension外形封装尺寸。