flash_memory讲解

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ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)

用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也被称为数据闪存（Data Flash）。
RAM
不同SRAM
特点
SRAM
DRAM
DDRAM（基于）
全称
Static RAM，静态随机存储器
DynamicRAM，动态随机存储器
Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROM
EPROM
E2PROM
Flash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
存储设备
存储器
特点
RAM
Flash Memory
ROM
中文名称
（Random Access Memory）的全名为随机存取器
FLASH存储器又称闪存
ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器
电源关闭数据是否保留
否
是
是
主要分类
SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）
NOR Flash和NAND Flash型
可靠性和耐用性
寿命(耐用性)
NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。

嵌入式Flashmemory技术简介及工作原理

嵌入式Flashmemory技术简介及工作原理1概述随着数码时代的来临，除了PC外，越来越多的数码信息产品正在或即将进入我们的家庭：移动电话、掌上电脑、数码相机、GPS等等，这些产品越来越多的使用各种移动微存储器。

这些存储器中很大部分是快闪存储器(FlashMemory)。

Flashmemory是从EPROM和EEPROM发展而来的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好、可重复擦写10万次以上，数据可靠保持超过10年。

国外从80年代开始发展，到2002年随着数码时代的来临，除了PC外，越来越多的数码信息产品正在或即将进入我们的家庭：移动电话、掌上电脑、数码相机、GPS等等，这些产品越来越多的使用各种移动微存储器。

这些存储器中很大部分是快闪存储器(Flash Memory)。

Flash memory是从EPROM和EEPROM发展而来的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好、可重复擦写10万次以上，数据可靠保持超过10年。

国外从80年代开始发展，到2002年，Flash memory的年销售额超过一百亿美元，并增长迅速，预计到2006年，年销售额可达126亿美元／年。

到目前，用于Flash memory生产的技术水平已达0．13μm，单片存储量达几千兆。

除大容量存储器应用外，Flash Memory也大量地替代EPROM、EEPROM嵌入到ASIC、CPU、DSP电路中，如TI公司的TMS320F240系列、TMS280系列分别含有8K―128K Words的Flash Memory，又如Microchip公司，也推出了内嵌Flash Memory的16F系列MCU产品。

Flash Memory电路芯片设计的核心是存储单元(Cell)设计(包括结构、读写擦方式)，外围电路都是围绕其设计。

因此，我们首先要研究并确定电路中采用的Flash Memory Cell。

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。

这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是成本低、非常低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。

它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

浅谈Flash Memory

浅谈ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ【摘要】:电子产品市场中应用广泛的Flash Memory技术以其高性能、低功耗的优势从众多数据存储产品中脱颖而出。

文章从技术优势和应用的角度，对Flash Memory的地位、工作原理以及运用作了阐述。

为Flash Memory设备的使用者提供一个深入认识并掌握正确使用方法的窗口。

【关键词】：闪存; 存储器; 浮动栅; 数据从计算机硬件的基本组成中，我们了解到数据存储设备主要分为内存和外存。

与外存相比，内存具有存取速度快、噪音小、散热小、抗震性好的优势。

因此在当今这个讲速度讲效率的社会中，内存的各种制作技术自然就被关注着。

Flash Memory(快速闪存存储，简称“闪存”)就属于内存器件ROM的一种，具有不挥发性，即在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据。

其存储特性相当于硬盘，这也正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

Flash Memory是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型存储器，具有结构简单、高密度、低功耗、低成本、高可靠性等优点。

它属于半导体存储器，其存储物理机制实际上是EPROM（可擦除可编程只读存储）与EEPROM（电可擦除可编程只读存储）结合基础上的发展。

EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息；而EEPROM 可以通过程序的控制进行读写操作。

Flash Memory采用内部闭合电路，使电子区能够作用于整个芯片，且能预先设定“区块”。

在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。

传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而闪存每次可擦写一块或整个芯片，且工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。

闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮动栅MOS管组成。

但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。

写入方法与EEPROM相同，在第二级浮动栅加以正电压，使电子进入第一级浮动栅。

SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别

SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别SRAMSRAM的全称是Static Rnadom Access Memory，翻译过来即静态随机存储器。

这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电，⾥⾯的数据就可以永远保持。

但是当断点之后，⾥⾯的数据仍然会丢失。

由于SRAM的成本很⾼，所以像诸如CPU的⾼速缓存，才会采⽤SRAM。

DRAMDRAM全称是Dynamic Random Access Memory，翻译过来即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。

DRAM 只能将数据保持很短的时间。

为了保持数据，DRAM使⽤电容存储，所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

FlashFlash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，⼜名闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位⽽是以固定的区块为单位，区块⼤⼩⼀般为256KB到20MB。

闪存是电⼦可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，EEPROM能在字节⽔平上进⾏删除和重写⽽闪存是按区块擦写，这样闪存就⽐EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。

由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输⼊输出程序)、PDA(个⼈数字助理)、数码相机中保存资料等。

另⼀⽅⾯，闪存不像RAM(随机存取存储器)⼀样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

NOR Flash与NAND FlashNOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。

Intel于1988年⾸先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)⼀统天下的局⾯。

Nand-Flash详述(绝对经典)

NandFlash详述1. 硬件特性：【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。

这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。

Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。

jedec 三类内存标准

jedec 三类内存标准JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）是一个半导体工业的标准制定组织，它颁布了多种内存标准。

其中，JEDEC定义了三类常见的内存标准，分别是DRAM、SRAM和Flash。

1. DRAM（Dynamic Random Access Memory）：- DRAM是一种动态随机存取存储器，它是计算机系统中最常见的内存类型之一。

- DRAM存储单元由一个电容和一个访问晶体管组成，电容存储数据位。

由于电容会逐渐失去电荷，所以需要定期刷新（刷新周期）。

- JEDEC定义了不同类型的DRAM标准，如DDR（Double Data Rate）、DDR2、DDR3、DDR4等，它们在数据传输速率和技术方面有所不同。

2. SRAM（Static Random Access Memory）：- SRAM是一种静态随机存取存储器，相比于DRAM，它不需要定期刷新，但相对更昂贵且密度较低。

- SRAM存储单元由多个触发器（flip-flop）构成，每个触发器可以存储一个位。

- JEDEC并没有像DRAM那样详细定义SRAM的特定规范，因为SRAM通常用于较小的高速缓存而不是主存。

3. Flash Memory：- Flash是一种非易失性存储器，可用于数据存储和固件存储。

- JEDEC定义了多种Flash存储器标准，包括NAND Flash和NOR Flash。

NAND Flash通常用于主存储，而NOR Flash通常用于存储固件和代码。

-不同的Flash标准有不同的特性，例如擦写速度、读取速度、寿命等，其中NAND Flash 还被广泛用于SSD（固态硬盘）。

这些标准的制定有助于确保不同厂商生产的内存设备在计算机系统中的互操作性，并提供了一致的规范，以便硬件和软件开发人员设计和编写兼容的系统。

flash memory分类以及使用方法。

Flash Memory分类及使用方法一、引言在数字化时代，我们所使用的各种电子设备中，都离不开存储设备，其中一种常见的存储设备就是Flash Memory。

Flash Memory因其高速读写、便携性和高存储密度而备受青睐，广泛应用于闪存卡、固态硬盘、移动设备等领域。

本文将对Flash Memory进行全面评估，并探讨其分类和使用方法，以便读者能全面、深刻、灵活地理解这一主题。

二、Flash Memory分类1. 按照存储介质分类Flash Memory根据其存储介质不同可分为两类：NAND Flash和NOR Flash。

NAND Flash主要用于大容量数据存储，如固态硬盘；而NOR Flash则用于小容量数据存储，如闪存卡。

2. 按照接口分类根据接口的不同，Flash Memory可分为SATA接口、PCIe接口和USB接口。

其中，SATA接口适用于固态硬盘，PCIe接口适用于高性能存储设备，USB接口适用于便携性较强的闪存盘和移动设备。

3. 按照存储类型分类根据存储类型的不同，Flash Memory可分为SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）。

SLC 存储密度低，但读写速度快，寿命长；MLC存储密度中等，价格适中；TLC存储密度高，价格低廉，但寿命相对较短。

三、Flash Memory的使用方法1. 选择适合的存储介质根据实际需求，选择NAND Flash或NOR Flash，以满足不同的存储需求。

2. 根据设备接口选择Flash Memory在选购Flash Memory时，要根据设备的接口来选购，确保Flash Memory能够与设备兼容并发挥最佳性能。

3. 注意数据传输速度和读写次数在使用过程中，要注意Flash Memory的数据传输速度和读写次数，避免因频繁读写导致存储器老化。

4. 合理使用存储空间在使用Flash Memory时，要合理利用存储空间，避免存储碎片和浪费存储资源。

解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory

解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存，又称内存，是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。

计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

内存（Memory）也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。

内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

辅存狭义上是我们平时讲的硬盘。

科学地说是外部存储器（需要通过I/O系统与之交换数据，又称为辅助存储器）。

存储容量大、成本低、存取速度慢，以及可以永久地脱机保存信息。

主要包括磁表面存储器、软盘存储器、磁带存储设备、光盘存储设备。

cache 高速缓冲存储器一种特殊的存储器子系统，其中复制了频繁使用的数据以利于快速访问。

存储器的高速缓冲存储器存储了频繁访问的RAM 位置的内容及这些数据项的存储地址。

当处理器引用存储器中的某地址时，高速缓冲存储器便检查是否存有该地址。

如果存有该地址，则将数据返回处理器；如果没有保存该地址，则进行常规的存储器访问。

因为高速缓冲存储器总是比主RAM 存储器速度快，所以当RAM 的访问速度低于微处理器的速度时，常使用高速缓冲存储器。

RAM（Random Access Memory）随机存取存储器主要用于存储计算机运行时的程序和数据，需要执行的程序或者需要处理的数据都必须先装入RAM内，是指既可以从该设备读取数据，也可以往里面写数据。

RAM的特点是：计算机通电状态下RAM中的数据可以反复使用，只有向其中写入新数据时才被更新；断电后RAM中的数据随之消失。

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

ROM、RAM、Flash memory的区别

2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROMEPROME2 NhomakorabeaROMFlash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。

fpga中memory的实现方式

fpga中memory的实现方式FPGA（Field Programmable Gate Array）中的内存实现方式有多种，其中包括SRAM（Static Random Access Memory）、DRAM（Dynamic Random Access Memory）、ROM（Read-Only Memory）和Flash Memory等。

下面我将分段解释每种内存的实现方式。

1. SRAM（静态随机存取存储器）：SRAM是一种高速、易于访问的内存类型。

在FPGA中，SRAM通常用于存储逻辑电路中的寄存器、缓冲器和Look-Up Table（LUT）的配置信息。

它是基于触发器和门电路构建的存储单元，能够在时钟的边沿进行读写操作。

SRAM的实现方式是通过FPGA芯片中的可编程存储单元来存储数据，这些存储单元可以通过逻辑门进行访问。

2. DRAM（动态随机存取存储器）：DRAM是一种高密度、低功耗的内存类型，广泛用于FPGA中的存储器实现。

与SRAM相比，DRAM的存储单元由一个电容和一个开关组成，需要定期刷新以保持数据的有效性。

在FPGA中，DRAM通常用于存储大量的数据，例如图像、音频和视频等。

它的实现方式是通过使用FPGA芯片中的存储器单元来存储数据，并通过控制电路来管理存储单元的刷新操作。

3. ROM（只读存储器）：ROM是一种只读存储器，用于存储固定的数据和程序。

在FPGA中，ROM通常用于存储程序指令、查找表和常量数据等。

它的实现方式是通过在FPGA芯片中存储数据并使用编程器进行配置，以确保存储的数据不会被修改。

ROM的访问速度比较慢，但在FPGA中可以通过并行读取和查找表的方式来提高访问速度。

4. Flash Memory（闪存存储器）：Flash Memory是一种非易失性存储器，可以在掉电情况下保持数据的保存。

在FPGA中，Flash Memory通常用于存储FPGA配置位流以及其他的程序和数据。

Flash Memory测试简介

Benefits of Flash Memory Chips
Smaller than EPROMS and EEPROMS Requires only one transistor and a storage capacitor per bit cell. Can be quickly and easily erased and reprogrammed without the need of special equipment. Excellent for use in cell phones, pagers, calculators, portable digital devices, automotive, flight data recorders, and personal computers.
6
7
VGS
Flash Array Architecture (schematic)
1. Bit cell formation 2. Word lines (gate) 3. GND lines (source) 4. Bit lines (drain)
Core memory (core)
Flash Array Cell Addressing
Nonvolatile Memory非易挥发存储器 Memory非易挥发存储器
• Data remains even when power is removed.
Volatile Memory RAM – Random Access Memory
• SRAM - Static RAM is commonly used as 640 Kb cache memory in computers. • DRAM - Dynamic RAM is commonly used for read-write memory in computers. read-

Flash存储器

Flash存储器FLASH闪存闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。

不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。

NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。

这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。

再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。

NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。

由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

flash memory 原理

flash memory 原理
Flash memory 是一种非易失性存储介质，它的原理是利用了浮栅结构和电荷累积效应来存储数据。

Flash memory 的基本单元是电荷存储晶体管，每个晶体管由一个控制门、一个浮栅和一个通道构成。

通过在浮栅结构上施加电压，可以在晶体管中存储或擦除电荷。

当存储数据时，晶体管处于写入模式。

在控制门施加正电压的同时，通道之间的电场会将电荷注入到浮栅区域。

这个电荷累积在浮栅上，形成一个电子堆。

电子堆的存在与否可以表示存储的二进制数据。

在擦除数据时，晶体管处于擦除模式。

通过在控制门施加负电压的同时，通道之间的电场会将浮栅上的电荷清除，将晶体管恢复到初始状态。

读取数据时，测量浮栅上的电荷量，可以确定存储的数据是0还是1，进而实现数据的读取操作。

Flash memory 的主要优势是速度快、体积小、功耗低、抗震抗撞击等。

它在移动设备、嵌入式系统和固态硬盘等应用中得到广泛应用。

RAM, ROM 以及Flash Memory 之间的区别

RAM, ROM 以及Flash Memory 之间的区别提要:RAM: 是Random Access Memory的缩写, 随机高效能存储器.ROM: 是Read Only Memory的缩写, 意思是只读存储器或只读内存.通俗点说，RAM就像电脑的内存，ROM就像电脑的硬盘，而存储卡就像外接硬盘，比如U 盘，而移动硬盘等等。

RAM 就像电脑的内存, 用来存储和保存数据. 在任何时候都可以读写, 通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质, 可称为"系统内存". ROM就像电脑的硬盘, 用来存储和保存数据. ROM 数据不能随意更新, 在任何时候都可以读取. 即使是断电, ROM 也能保存数据. 但是资料一旦写入以后只能用特殊方法更改或更本无法更改.RAM 和ROM 最大的区别在于, 断电以后RAM上的保存的数据会自动消失, 而ROM 上的饿数据就不会.而存储卡就像外界硬盘, 如U盘/移动硬盘.因为ROM 不易更改的特性让更新资料变得非常麻烦, 因此就有了Flash memory 的发展.单价比ROM 高.详细：RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。

它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。

不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。

正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。

RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。

DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。

ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。

ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。

Flash闪速存储器--(NAND和NOR比较)

Flash闪速存储器--（NAND和NOR比较）一、闪速存储器的特点闪速存储器（FlashMemory）是一类非易失性存储器NVM（Non-VolatileMemory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。

FlashMemory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。

其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。

Flash的技术特点如下：（1）区块存储单元：在物理结构上分成若干个被称为区块的存储单元，不同区块之间相互独立，每个区块几KB~几十KB。

（2）先擦后写：任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

（3）位交换：有时一个比特位会发生反转，就是位交换。

（4）区块损坏：使用过程中，某些区块可能会被损坏，区块损坏后就不可修复。

二、闪速存储器的技术分类全球闪速存储器的主要供应商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。

1 NOR技术NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的FlashMemory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。

它源于传统的EPROM器件，与其它FlashMemory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC 的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。

RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结

RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。

它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。

存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。

因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。

每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。

它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。

多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。

传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。

而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。