场效应管功放电路

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场效应管功放电路原理

场效应管功放电路原理场效应管功放电路是一种在音频电路中广泛使用的放大器。

这种电路依赖于场效应管的输出功率进行放大，可提供高品质的音频输出。

在本文中，我们将解释场效应管功放电路的原理，以及它是如何工作的。

场效应管（FET）是一种半导体器件，与双极型晶体管相比，其特点是输入电阻高、输出电阻低，并且具有高增益和低噪声。

由于这些优点，场效应管在音频电路中经常被用作放大器。

场效应管功放电路的基本原理如下：信号源通过输入电容连接到场效应管的栅极。

栅极电压变化，通过栅极和源极之间的通道控制了场效应管的电流。

输出电容将电流信号连接到负载，如扬声器或耳机。

一个负反馈网络可以添加在输出和输入之间，以确保输出信号匹配输入信号。

放大器的设计和实现是针对性的。

如果希望放大器具有高功率输出，需要使用高功率的场效应管。

此类场效应管需要与合适的散热器相连。

因为这些场效应管工作时会产生大量的热量。

另外，输出电容的大小应适当地选择，以确保信号不被截断。

场效应管功放电路的另一个关键因素是选择适当的电源电压和电源电容。

电源电压可以影响放大器的最大输出功率，但是过高的电源电压可能会使放大器过载。

电源电容可以降低电源的波动，从而提高放大器的噪声性能。

但是，选择过大的电源电容可能会导致初始启动时的过电流。

在设计场效应管功放电路时，还需要选择适当的输入和输出电容，以确保阻止带外信号。

输入电容是信号源和放大器之间的阻断电容，而输出电容是放大器和负载之间的阻断电容。

总的来说，场效应管功放电路是一种在音频应用中非常重要的放大器。

它具有高输入阻抗，低输出阻抗和高增益，是电子产品中广泛应用的器件之一。

合适的选型和设计可以使其产生出清晰、高质量的音频效果。

场效应管放大电路

结型场效应管的工作状态可划分为四个区域。 (a) 可变电阻区可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，它表示vDS较小、管子预夹断前，电压vDS与漏极电流iD间的关系。
在此区域内有VP＜vGS≤0，vDS＜vGS－VP。当 vGS一定，vDS较小时，vDS对沟道影响不大，沟道电阻基本不变，iD与vDS之间基本呈线性关系。若 | vGS | 增加，则沟道电阻增大，输出特性曲线斜率减小。所以，在vDS较小时，源-漏极间可以看作是一个受vGS控制的可变电阻，故称这一区域为可变电阻区。这一特点常使结型场效应管被作为压控电阻而广泛应用。
4.3 金属-氧化物-半导体场效应管
结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。
本节介绍的金属-氧化物-半导体场效应管（ MOSFET）具有更高的输入电阻，可1015欧姆。并具有是制造工艺简单、适于集成电路的优点。
MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种。增强型MOS管在vGS=0时，没有导电沟道存在。而耗尽型MOS管在vGS=0时，就有导电沟道存在。
2.结型场效应管的工作原理
N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。N沟道结型场效应管工作时，需要外加如图4所示的偏置电压.
偏置电压的要求： 1 .栅-源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使栅-源极间的P+N结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右)。 2.漏-源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD。在上述两个电源的作用下,iD的大小主要受栅-源电压vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。因此，讨论场效应管的工作原理就是：（1）讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD（或沟道电阻）的控制作用（2）讨论漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。

场效应管放大电路图大全（五款场效应晶体管放大电路原理图详解）-全文

场效应管放大电路图大全（五款场效应晶体管放大电路原理图详解）-全文场效应管放大电路图（一）图3-26所示是一种超小型收音机电路，它采用两只晶体管，这种电路具有较高的灵敏度。

图3-26场效应管在袖珍收音机电路中的应用该电路中，电池作为直流电源通过负载电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压，使其工作在放大状态。

由外接天线接收天空中的各种信号，交流信号通过C1，进入LC谐振电路。

LC谐振电路是由磁棒线圈和电容器组成的，谐振电路选频后，经C4耦合至场效应管VT的栅极，与栅极负偏压叠加，加到场效应管栅极上，使场效应管的漏极电流ID相应变化，并在负载电阻器R1上产生压降，经C5隔离直流后输出，在输出端即得到放大了的信号电压。

放大后的信号送入三极管的基极，由三极管放大后输出较纯净的音频信号送到耳机。

图3-27所示是FM收音机调谐电路，它是由高频放大器VT1、混频器VT3和本机振荡器VT2等部分构成的。

天线感应的FM调频广播信号，经输入变压器L1加到VT1晶体管的栅极，VT1为高频放大器主要器件，它将FM高频信号放大后经变压器L2加到混频电路VT3的栅极，VT2和LC谐振电路构成本机振荡器，振荡信号由振荡变压器的次级送往混频电路VT3的源极。

混频电路VT3由漏极输出，经中频变压器IFT（L4）输出10.7MHz中频信号。

图3-27FM收音机电路（调谐器部分）场效应管放大电路图（二）与双极型晶体管一样，场效AM29LV017D-70EC应管也有三种基本接法：共源、共漏和共栅极接法，其中，共源相当于共发射极接法；共漏相当于共集电极接法；共栅相当于共基极接法。

共源极电路，如图4-19（a）所示，相当于双极晶体管的共发射极电路。

当交流信号Ui经C，加到栅一源极时，使栅极偏压随信号而变，于是控制了ID的变化，在RL上产生压降，通过C2将放大了的信号电压输出。

如果用Rc;表示场效应管的栅极偏置电阻，用R喁表示场效应管的栅一源间电阻，则共源电路的输入电阻R，=Rc／／Rcs≈Rc（因Rcs》Rc）。

MOSFET功放电路

目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。

电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。

其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

场效应管80W音频功率放大电路一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。

如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。

电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。

晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。

预设R1用于调整放大器的输出电压。

电阻R3和R2设置放大器的增益。

第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。

这样做是为了提高线性度和增益。

Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。

预设R8可用于调整放大器的静态电流。

电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。

F1和F2是安全的保险丝。

电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。

下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

采用IRF250场效应管制作胆味功放及电路图

采用IRF250场效应管制作胆味功放及电路图笔者用绝缘栅VMOS大功率场效应管IRF250制作纯甲类功率放大器。

这类管子在音响界里是冷僻管，不大受人喜欢。

该类管通常用于开关电源中，由于该类管高频区线性好、开关速度快、输出电流大、耐压高，让笔者很感兴趣，把它用于音频放大器中作功率输出管，在甲类输出状态下，声音极具"胆"味。

该管的价位低廉，拆机品2元／只，便宜好找，适合工薪族发烧(IRF250电流30A，耐压220V，导通电阻0．8 5Ω，功率150W，IRF240电流40A耐压180V，导通电阻0．55Ω，功率150W)，何乐而不为?一、场效应管与电子管的原理比较有相似之处场效应管与电子管的原理相比较如图1所示。

场效应管的源极供应电子，相当于电子管的阴极，漏极泄漏电子，相当于电子管的屏极(阳极)，栅极是控制电子流的大小，和电子管的栅极作用完全一样，都是通过栅极"G"来输入控制，开大或开小电流从漏极流向源极(电子管是阳极流向阴极)。

它们都属于电压控制器件。

二、VMOS管的缺点与制作中的克服对于电源开关管IRF250、IRF240而言，确与音频名管中的K135、J49等有差异，使众多的发烧友不大喜欢用这类管子。

笔者认为其成了冷僻管的原因有两点，一是开启电压的差异，IRF250达到3V～5V不等，给推动级增加了极大的负担。

二是该管的一致性差，不好配对，N沟道和P沟道的异极型就更难配对了。

音频CMOS管在0．2V～1．5V的范围就能开启，并进入良好的线性工作区，对推动级的驱动能力要求低，且一致性好，容易配对。

因此用IRF250给制作带来一定难度，工作中有时一部分管子已到甲类状态，而另一部分管子还在乙类状态，甚至有的工作在开启与夹断之间，劣化了音质。

针对IRF250这类管子的特点，笔者认为可以避开它的缺点，挖掘它潜在的优点，如高耐压、大电流和好的高频放大线性等。

实际制作中，应将电路的重点放在推动级上，只要推动级能输出驱动末端场效应管所需的开启电压3V～5 V，也就克服了上述的一大难点。

MOSFET功放电路

电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。

其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

场效应管80W音频功率放大电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。

如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。

电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。

晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。

预设R1用于调整放大器的输出电压。

电阻R3和R2设置放大器的增益。

第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。

这样做是为了提高线性度和增益。

Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。

预设R8可用于调整放大器的静态电流。

电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。

F1和F2是安全的保险丝。

电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。

下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

注意事项质量好的印刷电路板组装的电路。

场效应管功放电路

场效应管功放电路
场效应管功放电路是一种常见的电子电路，其主要用途是在音频系统中提供高质量的放大信号。

该电路使用场效应管作为放大器的关键元件，可实现高增益、低噪声和稳定性良好的特性。

场效应管功放电路通常由放大器电路和电源电路两部分组成。

放大器电路是由场效应管、耦合电容、负反馈电路等元件构成的电路，它能够将输入信号放大，输出高质量的放大信号。

电源电路则用于提供稳定和可靠的直流电源，以保证放大器电路的正常工作。

在场效应管功放电路中，场效应管被用作放大器的核心元件。

场效应管具有高内阻、高输入电阻和低噪声等特点，能够实现高增益和低失真的放大效果。

同时，场效应管还具有大功率、高效率等特点，能够满足各种音频系统的需求。

在实际应用中，场效应管功放电路可以应用于各种音频系统中，如功放、音响、电视机、汽车音响等。

通过对电路的优化设计和调试，可以实现高保真、高质量的音频输出效果，为用户带来更加舒适、优美的听觉体验。

- 1 -。

MOS场效应管放大电路解读

2.67K
五、应用举例
•
• 3、计算电压放大倍数 Au 。
•
Au
gmRS // RL
0.258 //1000
1 gmRS // RL 1 0.258 //1000
0.67
注意事项
(1)在使用场效应管时，要注意漏源电压 UDS、漏源电流ID、栅源电压UGS及耗散功率等值不能超过最大允许值。
• 从表中可以看出，rgs和rds数值很大，可以忽略；跨接在g~d之间的电容Cgd可以用与晶体管分析相同的方法折合到输入和输出回路：
•
•
Cgs Cgs (1 K )Cgd , (K gm RL )
•
Cds
Cds
K
•
1
C
gd
,
K
•
(K gm RL )
场效应管的高频等效模型
• 由于输出回路的时间常数比输入回路小得多，可忽
1.08
0
解之，得：ID1 1.52mA, ID2 0.535mA
由于I D1
1.52mA
I
，
DSS
不合
题意，舍去。故：
IDQ 0.535mA
UGSQ 1.08V
U DSQ VDD I DQ (RD RS )
16 0.535 (10 8) 6.37V
五、应用举例
• 2、计算输入电阻Ri和输出电阻RO Ri RG RG1 // RG2 1 0.16 // 0.04 1.03M RO RD 10K
(2)场效应管从结构上看漏源两极是对称的，可以互相调用，但有些产品制作时已将衬底和源极在内部连在一起，这时漏源两极不能对换用。
(3)结型场效应管的栅源电压UGS不能加正向电压，因为它工作在反偏状态。通常各极在开路状态下保存。

场效应管放大电路

第五章场效应管放大电路1、图1所示场效应管工作于放大状态，ds r 忽略不计，电容对交流视为短路。

跨导为m 1ms g =。

（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数uA 和源电压放大倍数us A ；（3）求输入电阻i R 和输出电阻oR 。

题图12、电路如图2所示，场效应管的m 11.3ms g =，ds r 忽略不计。

试求共漏放大电路的源电压增益us A 、输入电阻i R 和输出电阻oR 。

图23、放大电路如图3所示，已知场效应管的DSS 1.6mA I =，p U = -4V ，ds r 忽略不计，若要求场效应管静态时的GSQ 1V U =-，各电容均足够大。

试求：（1）g1R 的阻值；（2）uA 、i R 及o R 的值。

图34、图4(a)所示电路中的场效应管的转移特性为图4(b)所示，试求解该电路的GS U 、D I 和DS U 。

图45、电路如图5所示，已知FET 的I DSS = 3mA 、U P = －3V 、U (BR)DS = 10V 。

试问在下列三种条件下，FET 各处于哪种状态？(1) R d = 3.9k Ω；(2) R d = 10k Ω；(3) R d = 1k Ω。

VT+V DD R gR d图56、源极输出器电路如图6所示，已知场效应管在工作点上的互导m 0.9ms g ，ds r 忽略不计，其他参数如图中所示。

求电压增益u A 、输入电阻i R 和输出电阻oR 。

图6填空题1、双极型半导体三极管是器件，而场效应管属于器件。

2、对于MOSFET，用来描述栅源电压对漏极电流控制能力大小的参数称为。

3、在MOSFET中，在漏源电压一定的条件下，用以描述漏极电流与栅源电压之间关系的曲线称为。

4、在N沟道的MOSFET的电路中，若栅源电压已大于开启电压，漏源电压在某一变化区域内，漏极电流会随着漏源电压的增大而增大，说明此时MOSFET工作于区。

5、在构成放大器时，可以采用自给偏压电路的场效应管是场效应管。

第5章场效应管放大电路分析

如果接有外负载RL
Rg1
Rd d Vo
g sb
RL
Vi Rg2
Rg3 R
AV gm (Rd // RL )
Ri Rg3 Rg1 // Rg 2
g
Vi
Rg3 gmVgs R’g
d Rd Vo RL
Ro Rd
s R’g=Rg1//Rg2
27
源极电阻上无并联电容:
AV
Vo Vi
Vgs
gmVgs Rd gmVgs R
10
(2) 转移特性曲线 iD= f (vGS)|vDS= 常数
表征栅源电压vGS对漏极电流的控制作用，场效应管是电压控制器件。
在饱和区内，FET可看
作压控电流源。
IDSS
转移特性方程：
iD=IDSS(1-vGS/VP)2
vGS VP- 0.8 – vG
0.4
S
11
（3）主要参数
夹断电压：VP 当导电沟道刚好完全被关闭时，栅源所对应的电
s
gd
N+ PN+
18
3 、特性曲线
4区：击穿
区
3区
截止区
vGS<V
T
vGD<V
T
VT
1区：可变电阻区: vGS>VT vGD>VT 沟道呈电阻性，iD随vDS
的增大而线性增大。
iD=0 2区：恒流区(线性放大区）
vGS>VT vGD<VT iD=IDO｛(vGS/VT)-1｝2 IDO是vGS=2VT时，iD的值。
VT R
g
m
(VT
)
VT R
VT
(gm
1) R

纯直流场效应管功放电路

纯直流场效应管功放电路这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。

此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色与胆后级相近，再配上电子管前置放大则更为理想。

SRPP电子管前置放大电路，如图7-25所示。

其电路为并联调整式推挽电路，又可称为分流调整式推挽电路，原是用于高频输入级，如VHF／UHF的电子管高频头线路，而用于AF输入，无论失真度、线性度、放大率、动态和低输出阻抗均全面优胜于一般的甲类三极管放大器，巨与许多其它的电子管线路设计相反，SRPP 电路的失真率随着频率上升而减小。

此电路明明是两只电子管串联着的，怎么是并联调整式推挽电路呢？这是对交流工作而言，两只管子直流供电方式是串联着的，每只担负一半的电源电压。

但对交流信号就不一样，上面管子的屏极是对地相通，输入取自下面管子的屏极，又由阴极输出（共屏电路），这样两只管子就变成了并联工作了。

因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。

场效应管功放级电路原理，差分排动级原理如阁7-26所示。

差分输入级采用场效应挛生模块NPD5565S，其参数为VDss=55V，iDss=6～15mA，其输入特性非常好（高输入阻抗），如无NPD5565S，也可用其它小功率N沟道管，耐压要求大于100V，Gm值配对，误差要小于2％。

VR既是源极负反馈电阻也是中点电位调零电阻。

VT3、VT4是镜像恒流源的特点是对直流电路近似通路，而对交流而言是开路，这样就能满足各管的直流工作点，又能使交流信号尽可能地传送到下一级，这对于推动级来说是最好的，又因不用传统的普通直流放大器的中点伺服电路，使得中点电位调零极方便、简单。

VT5、VT6为电压放大级，因本电路采用电流倾注式，R4决定VT5、VT6的工作电流大小，故调节R4、使VT5、VT6的工作电流为80mA，工作在甲类状态，一方面可以消除可怕的交越失真，另外可使它的负载能力加强。

几款不错的场效应管功放电路图

几款不错的场效应管功放电路图描述场效应管多管并联输出，500W。

场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动，在驱动级上有些不一样，没弄过场管功放，音质怎要看你设计和工艺！IRFB33N15D是一颗非常好的MOS管，其导通内阻低达56mΩ，最大电流为33A，耐压却有150V，常用于DC/DC的变换器中，当然，在数字功放中，也经常应用。

其也有不足的地方，其输入电容为2020pF，和常见的MOS管一样，在驱动它时，就要采用特殊电路来驱动，如同你的电路中的R29和D3并联电路，也是业界惯用手法，其作用是：当没有R29时，Q7的栅极直接接前面的IC引脚，其内部都是图腾柱电路，由于是容性负载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是，MOS管开启不够，内阻大，效率低。

串入R29可以消除这种振荡，其和后续的MOS管输入电容（Ciss）的时间常数要远小于MOS管的开启时间13ns，而4.7Ω的2020pF的时间常数为9.5nS，满足要求。

IRFB33N15D用标准电路（相当于R29为3.6Ω）驱动时，其恢复时间长达130nS，这也是MOS管的通病，为了加快关断（争取这9.5nS的时间），在关断时，希望栅级电阻为0，所以会在R29上反向并联肖特基二极管D3（其工作频率可以近GHz），来加速放电。

IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V这间，实际驱动时，取决于IRS2902S的工作电压，实际都在10V左右，肖特基二极管D3的正向压降只有1.2V左右（电流1A，但其ΔV/ΔI约为0，动态内阻极低），已经可以确保Q7和栅极处于低于VGS以下，对关断没有影响。

另外，你要学习动态内阻的含义，如同电源，其压降可能是5V，但其内阻可以低达十几毫欧。

这个电路里的2颗场效应管不能同时导通，所以，在它们工作的时候，要关断优先，导通稍缓。

D3，D4二极管就能够在驱动电压下降的时候，迅速释放场效应管的栅极结电压，从而使管子从导通状态恢复到关断状态的时间大大缩短。

基于场效应管的功率放大器电路（可编辑）

基于场效应管的功率放大器电路摘要：本设计低频功率放大器主要包括前级放大电路、中间放大电路、功率放大电路以及显示电路四个部分。

其中，前级电压放大采用基于运放的反相比例二级放大形式，能够得到后级输入所需的放大信号值；带阻滤波电路采用二阶有源滤波器，使阻带频率范围控制在40HZ~60HZ之间，并在50HZ频率点输出的衰减≥6dB；功率放大电路末级采用分立的大功率MOS晶体管，在输入有效值5mV 信号下保证了功率输出大于5W；系统最终通过液晶显示整个电路输出功率、直流电源功率以及系统的工作效率。

设计完成的放大器达到了要求。

关键词: 低频功率放大器；功率放大电路；场效应管目录1绪论 32低频功率放大器概述 42.1低频功率放大器的基本要求42.2低频功率放大器的分类 42.3功率放大电路的主要特点 53基于场效应管的功率放大器电路的设计 63.1基于场效应管的功率放大器电路的要求和内容 63.2系统总体设计方案 6路7方案选择和论证7的最终方案确定93.3系统电路设计10大电路10大级 10大级 11显示部分12示模块软件设计流程图133.4系统测试15器15测试 16.1放大倍数的测试16.2输入电阻的测试16.3通频带的测试 16.4低频放大器效率的测试16结论17谢辞17参考文献18附件191绪论在模拟电子线路中信号经过放大后，往往要去推动执行机构完成人们所预期的功能，例如推动喇叭发出声音，推动继电器实现控制等等。

这些执行机构是把电能转换成其他形式能量的器件，他们正常工作需要从电路中获取较大的能量。

所以放大电路的末级多有功率放大器组成，以便为负载提供足够的信号功率。

本次设计就是基于场效应管的功率放大器电路。

随着现代社会电子科技的迅速发展，伴随着人们生活水平的提高，近年来随着国内外音响技术的迅猛发展，电子管音频放大器以他独特的魅力重出江湖，各种电子管层出不穷，日新月异，成为广大音响爱好者追求的热点。

全球音频领域的数字化的浪潮以及人们对音频视频节能环保的要求，迫使人们尽快研究来发高效，节能，数字化的功率放大器。

课题七功率放大电路和场效应管放大电路课件

方式2 ib
B
E ie
T1 PNP
T2 NPN
ic
E
ie
ib
B
PNP
ic C
C
复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同
复合管的电流放大系数 1 2
3. OCL电路(乙类)
特点：双电源供电、
输出无电容器。静态时：
ui = 0V,
IC1 0，IC2 0
ui
uo = 0V。
动态时：
ui > 0V T1导通，T2截止
UGS= 4V
ID 2Kn (UGS UT ) UDS
UGS= 3V UGS= 2V
UGS= 1V
(3) 放大区（恒流区）
UGS >UT ，且UDS≥（UGS－UT）
截0止区
UDS/V 特点: UDSID不变
场效应管相当于一个压控电流源
漏极特性曲线
ID Kn (U GS U T )2
3) P沟道增强型结构
和电压放大电路不同电压放大电路
1）任务
提高信号幅度
2）工作特点 3）分析方法
输入小信号，信号动态范围小，有一定静态电流图解法、小信号法
功率放大电路
提供大输出功率
输入大信号，信号动态范围大，静态电流接近于0 图解法
4）动态指标
Av、Ri、Ro等
Po、PT、η等
1. 3 对功率放大电路的基本要求
UCC
C
（2）动态时
设输入端在VCC/2 直流基础上加入正弦信号。
ui 0
T1导通、T2截止；同时给电容充电
UCC
C
ui 0
T2导通、T1截止；电容放电，相当于电源

场效应管功放电路

场效应管功放电路
场效应管功放电路是一种常用的放大器电路，它利用场效应管的放大特性来实现信号放大。

这种电路具有输入阻抗高、输出阻抗低、功率大、失真小等特点，被广泛应用于音频放大器、射频功放、电源放大器等领域。

场效应管功放电路的基本原理是通过控制场效应管的栅极电压
来改变其导通状态，从而实现信号放大。

在具体的电路设计中，可以采用单端、差分、桥式等不同的电路结构来实现不同的功率输出和频率响应。

在实际应用中，场效应管功放电路还需要考虑功率放大器的稳定性、失真、温度漂移等问题。

为了提高电路的稳定性和可靠性，可以采用负反馈等技术来优化电路设计。

总之，场效应管功放电路是一种重要的电路结构，其在音频、射频和电源等领域都有广泛的应用。

随着技术的不断进步和创新，相信这种电路将会在未来的电子领域中扮演更为重要的角色。

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mos功放温补电路

MOS功放温补电路是一种用于补偿温度变化对MOS场效应晶体管（MOSFET）功率放大器性能影响的电路。

在功率放大器的设计中，MOS晶体管的参数会随着温度的变化而变化，这会影响放大器的增益、线性度和效率等关键性能指标。

为了保持放大器的性能稳定，通常需要设计温度补偿电路来抵消这些变化。

以下是一些关于MOS功放温补电路的设计要点：
1. 温度检测：温补电路需要能够准确地检测到晶体管的工作温度。

这可以通过集成在芯片上的温度传感器来实现，或者使用外部的温度传感器。

2. 电压调节：为了补偿温度引起的阈值电压变化，温补电路会根据检测到的温度调整MOS 晶体管的栅极电压。

这通常是通过一个与温度相关的电压参考源来实现的。

3. 电流调节：除了电压调节外，温补电路还可能需要调整晶体管的驱动电流，以保持放大器的线性度和效率。

4. 稳定性：温补电路的设计需要确保在整个温度范围内放大器的稳定性，避免引入不必要的振荡或噪声。

5. 系数对应：温补电路的温度系数应与MOS晶体管的温度系数相对应，以确保有效的补偿效果。

总的来说，MOS功放温补电路是确保功率放大器在不同温度下都能保持稳定性能的重要部分。

设计时需要考虑到多种因素，包括温度检测的准确性、电压和电流调节的精确性以及整体电路的稳定性。

通过精心设计的温补电路，可以显著提高功率放大器的可靠性和性能。

场效应管功放电路

场效应管功放电路场效应管功放电路2011-06-07 23:08:46| 分类：硬件设备| 标签：运放音色功放电路电压 |字号大中小订阅使用NE5532制作简洁场效应管功放电路场效应管为电压控制器件，其高频特性好，作为功放管有着电子管般的音色。

但是一些局部负反馈的场效应管功放，实际听音效果并不理想。

而本文介绍的电路设计成环路负反馈后，音色愈显甜美，高音细节清晰，低音力度十足，效果出人意料。

电路原理如下图所示，为典型的OCL功放。

其中使用IC1-B为直流零点伺服。

本电路使用两组电源供电，稳压+-15V供给运放NE5532，+-36V供给后级使用。

安装调试注意：可选用原理图所示器件或其他参数相近的器件。

BG1、BG2要求β值大于100，耐压大于100V的配对互补管。

R20、R21应尽量靠近MOS管栅极。

中点电压应为0V。

BG3和BG4栅源极电压一般为1V左右。

低档运放JRC4558，这种运放是低档机器使用得最多的。

现在，被认为超级烂，因为它的声音过于明亮，毛刺感强，所以比起其他的音响用运放来说是较差劲一种。

不过它在我国暂时应用得还是比较多的，很多的四、五百元的功放还是选择使用它，因为考虑到成本问题和实际能出的效果，没必要选择质量超过5532以上的运放。

而对于一些电脑有源音箱来说，它的应付能力还是绰绰有余的。

运放之皇5532，如果有谁还没有听说过它名字的话，那就还未称得上是音响爱好者。

这个当年有运放皇之称的NE5532，与LM833、LF353、CA3240一起是老牌四大名运放，不过现在只有5532应用得最多。

5532现在主要分台湾、美国和PHILIPS生产的，日本也有，但最好的是带大S标志的美国产品。

自从SIGNE被PHILIPS收购后，生产的5532商标使用的都是PHILIPS 商标，质量和原品相当，而台湾生产的质量就稍微差一些。

NE5532的封装和4558一样，都是DIP8脚双运放。

5532的声音特点总体来说属于温暖细腻型，驱动力强，但高音略显毛糙，低音偏肥。

用场效应管构成的功放电路

用场效应管构成的功放电路本文介绍了一款采用场效应管做前级放大制作的功率放大器，音响效果很理想。

由于该功放的后级电路是一个直流耦合的电路，各级工作点的选择，尤其第一级场效应管的工作点的选择，将对电路的性能有较大的影响，因此本文着重叙述电路参数的计算及调试。

1．电路原理图1电路主要由两级差动放大及三级射极跟随电路组成，如图1所示。

N沟道场效应管VT1、VT2构成第一级共源差动放大器，而VT3、VT4分别又与VT1、VT2构成共栅共源电路。

众所周知差动放大器具有共模抑制比高、失调和漂移小的优良性能。

而在共栅共源电路中，后级的输入电阻就是前级的负载电阻，由于共栅电路的输入电阻较小，使前级共源极的电压增益变小，但组合电路的电压增益主要由共栅极决定，输出电阻则主要由共栅极决定。

因为前级共源极的电压增益变小，所以特别适宜于高频工作。

R3、VT5、R4构成1mA的恒流源，此电流在VD3、R7上产生22V的电压，从而使VT3、VT4的栅极电压稳定在22V。

由于栅源极间电压很小，VT3、VT4．的源极电压即VT1、VT2的漏源电压就稳定在22V。

VT3、VT4的漏源电压也稳定在约22V。

对直流而言VT3、VT4的栅极电位为22V，对交流而言VT3、VT4的栅极电位为0V，因此为共栅电路。

R11、VT6构成第一级差动电路的恒流源，其作用是提高交流阻抗，提高共模抑制比。

R5、C2是相位补偿元件，用于防止高频振荡。

VT8、VT9构成第二级差动电路，VT7为其恒流源。

VT0、VT11为比例式镜像恒流源电路，VT11的集电极电流与VT10电流之比等于R22／R23，由于R22=R23，因此差动电流两臂的电流是相等的。

VT12、VT13为末三级射极跟随电路提供合适的工作电流点。

在输入信号为正时，R29、R30的中点以及输出O点电位为正，因此均可作为VT1、VT2差动级的负反馈电压。

R38、C9构成低通滤波器，角频率为1Hz时增益即下降到1／根号2。

场效应管驱动电路详解

场效应管驱动电路详解场效应管是一种重要的电子元件，常用于电子设备中的放大和开关电路。

为了使场效应管能够正常工作，需要驱动电路对其进行控制。

本文将详细介绍场效应管驱动电路的原理和工作方式。

场效应管驱动电路的主要作用是控制场效应管的导通和截止状态，从而实现信号放大和开关操作。

场效应管的导通与截止状态是由栅极电压控制的，因此驱动电路需要提供适当的电压信号来控制栅极电压。

驱动电路通常由信号源、电阻、电容和功率放大器等组成。

信号源是驱动电路的输入端，可以是来自传感器、微处理器或其他信号源的电压信号。

电阻和电容组成一个低通滤波器，用于滤除输入信号中的高频噪声，保证驱动电路的稳定性。

功率放大器是驱动电路的核心部分，它能够提供足够的电流和电压来驱动场效应管。

在驱动电路中，功率放大器的输出端与场效应管的栅极相连。

当输入信号为高电平时，功率放大器输出高电平信号，使场效应管的栅极电压升高，使其导通。

当输入信号为低电平时，功率放大器输出低电平信号，使场效应管的栅极电压降低，使其截止。

为了确保场效应管能够正常工作，驱动电路还需要满足一些要求。

首先，驱动电路的输出电流和电压需要满足场效应管的工作参数要求，以确保场效应管能够正常导通和截止。

其次，驱动电路需要具有良好的抗干扰性能，以避免外部干扰对场效应管的影响。

在实际应用中，场效应管驱动电路的设计需要考虑多个因素。

首先，需要确定输入信号的幅值范围和频率范围，以选择合适的功率放大器和滤波器。

其次，需要根据场效应管的特性和工作要求选择适当的驱动电路参数，如电流放大倍数和输出功率。

还需要考虑功率放大器和场效应管之间的匹配问题。

功率放大器的输出阻抗和场效应管的输入阻抗需要匹配，以确保信号能够正常传输。

同时，还需要考虑功率放大器的工作效率和稳定性，以提供稳定可靠的驱动信号。

总结起来，场效应管驱动电路是一种重要的电子电路，用于控制场效应管的导通和截止状态。

通过适当的电压信号驱动场效应管，可以实现信号放大和开关操作。