天科合达 2 英寸 SiC 晶片产品标准
sic外延规格
sic外延规格摘要：1.介绍SIC 外延规格2.SIC 外延规格的重要性3.SIC 外延规格的制定标准4.SIC 外延规格的应用领域5.我国在SIC 外延规格方面的发展正文：1.介绍SIC 外延规格SIC 外延规格是指在半导体材料生产过程中，特定于外延层的一系列参数和特性。
这些特性包括但不限于外延层的厚度、掺杂浓度、缺陷密度、电学性质等。
这些参数和特性对于半导体材料的性能和应用至关重要。
2.SIC 外延规格的重要性SIC 外延规格的重要性体现在其对半导体材料性能的影响。
符合规格的外延层可以保证半导体材料的电学性能、光学性能、力学性能等，从而满足不同应用领域的需求。
反之，如果外延规格不符合要求，可能会导致半导体材料性能下降，甚至无法满足应用要求。
3.SIC 外延规格的制定标准SIC 外延规格的制定标准主要由国际半导体产业协会（SEMI）和国际电子电气工程师协会（IEEE）制定。
这些标准规定了SIC 外延层的一系列参数和特性，为半导体材料生产提供了重要的参考依据。
4.SIC 外延规格的应用领域SIC 外延规格广泛应用于半导体照明、功率电子、射频微波、光电子等领域。
在这些领域中，符合规格的SIC 外延层可以保证半导体材料的性能，从而实现高性能、高效率、高可靠性的器件和系统。
5.我国在SIC 外延规格方面的发展我国在SIC 外延规格方面取得了显著的发展。
近年来，我国半导体产业不断壮大，SIC 外延规格的研发和生产能力不断提高。
同时，我国政府也积极推动半导体产业的发展，为SIC 外延规格的研究和应用提供了有力的支持。
总之，SIC 外延规格对于半导体材料的性能和应用至关重要。
我国在SIC 外延规格方面取得了显著的发展，为半导体产业的繁荣做出了贡献。
sic晶圆的划片道宽度
sic晶圆的划片道宽度【最新版】目录1.晶圆的概述2.Sic 晶圆的特点3.划片道宽度的定义与重要性4.Sic 晶圆的划片道宽度标准5.Sic 晶圆划片道宽度的测量方法6.Sic 晶圆划片道宽度的挑战与未来发展正文一、晶圆的概述晶圆，也称为晶片，是半导体制造中常见的基础材料。
它由单晶硅制成，通常为圆形，其表面平整，用于生产集成电路。
晶圆在半导体制造中具有举足轻重的地位，因为它是制造芯片的关键部件。
根据不同的应用需求，晶圆可以分为不同类型，如硅晶圆、锗晶圆和碳化硅晶圆等。
二、Sic 晶圆的特点碳化硅（SiC）晶圆是近年来备受关注的一种晶圆材料。
与传统的硅晶圆相比，Sic 晶圆具有许多优势，如更高的耐压、更高的工作频率、更低的导通电阻等。
因此，Sic 晶圆在高压、高频、大功率等应用领域具有广泛的应用前景。
三、划片道宽度的定义与重要性划片道宽度，也称为划片间隔，是指在晶圆上相邻两个划片之间的距离。
划片道宽度对于晶圆的加工和芯片制造具有重要意义。
合适的划片道宽度可以提高芯片的产量、降低生产成本，并保证芯片的质量和性能。
四、Sic 晶圆的划片道宽度标准Sic 晶圆的划片道宽度通常由晶圆制造商根据实际需求和制程技术制定。
不同的 Sic 晶圆制造商可能会有不同的划片道宽度标准。
一般来说，Sic 晶圆的划片道宽度会随着制程技术的进步而逐渐减小。
五、Sic 晶圆划片道宽度的测量方法Sic 晶圆划片道宽度的测量方法有多种，如光学显微镜法、扫描电子显微镜法、激光干涉法等。
这些方法各有优缺点，需要根据实际需求和测量精度选择合适的测量方法。
六、Sic 晶圆划片道宽度的挑战与未来发展随着 Sic 晶圆应用领域的不断拓展和制程技术的不断进步，Sic 晶圆划片道宽度的测量和控制将面临更多的挑战。
天科合达 2 英寸 SiC 晶片产品标准
裂纹(强光灯观测) Cracks by high intensity light 六方空洞（强光灯观测） Hex Plants by high intensity light 多型(强光灯观测) Polytype Areas by high intensity light 划痕(强光灯观测) Scratches by high intensity light 表面污染物（强光灯观测） Contamination by high intensity light 有用面积 Usable area
主定位边长度 Primary Flat Length 次定位边长度 Secondary Flat Length 次定位边方向 Secondary Flat Orientation 边缘 微管密度 半高宽 Edge exclusion Micropipe Density FWHM 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp
Edge<1mm 2 allowed ≤100 microns each None None None ≥90%
Edge1-2mm 5 allowed ≤300 microns each Cumulative area≤2 % None None ≥80%
天科合达 2 英寸 SiC 晶片产品标准
2 inch diameter Silicon Carbide (SiC) Substrate Specification
等级 Grade 直径 厚度 晶片方向 主定位边 Diameter Thickness Wafer Orientation Primary Flat 工业级 Production Grade 50.8 mm±0.38 mm 330/430 μm±25μm On axis : <0001>±0.5° {10-10}±5.0° 15.88 mm±1.65 mm (0.625″±0.065″) 8.0 mm±1.65 mm (0.315″±0.065″) Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5°/C-face:90ห้องสมุดไป่ตู้ ccw. from orientation flat ± 5° 1 mm ≤25μm /≤25μm /≤25μm ≤10 cm-2 ＜30 arcsec 4H-N 电阻率 Resistivity 6H-N 6H-SI 表面粗糙度 Roughness Polish CMP 0.01Ω·cm ~0.03 Ω·cm 0.02Ω·cm ~0.1 Ω·cm (90%) >1E5 Ω·cm Ra≤1 nm Ra≤0.5 nm ≤30 cm-2 ＜50 arcsec 4H-N 6H-N 6H-SI Polish CMP 0.01Ω·cm ~0.1Ω·cm 0.02Ω·cm ~0.2Ω·cm (80%) >1E5 Ω·cm Ra≤1 nm Ra≤0.5 nm ≤100 cm-2 Na 4H-N 6H-N 6H-SI N/A N/A Cumulative length≤10mm,single length≤2mm Cumulative area≤30% Cumulative area≤5% 3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length None ≥70% 0.01Ω·cm ~0.1Ω·cm 0.02Ω·cm ~0.2Ω·cm (70%) >1E5 Ω·cm Off axis : 1.0°/3.5°/4.0/8.0 toward < 1120 > ±0.5° 研究级 Research Grade 试片级 Dummy Grade (2.000″±0.015″)
国家标准《碳化硅单晶抛光片》编制说明
《碳化硅单晶抛光片》送审稿编制说明一、工作简况1.任务来源根据国家标准化管理委员会下发的国标委综合[2011]57号“关于下达2011年第一批国家标准制修订计划的通知”的要求，由北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所负责起草、编制本标准，规定碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
此项目编号为20110061-T-469，完成年限2012年。
2.标准项目申报单位简况北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。
公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果，经过多年卓有成效的研究，公司研发出拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线，在国内率先实现了碳化硅晶片的产业化生产，成为全球碳化硅晶片的主要生产商之一。
3.主要工作过程本标准从2011年开始起草，形成草案，上报全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，并于2012年3月在徐州参加了标准草案的讨论会，与会的21位专家、代表对该标准给予了肯定，并提出四点建议。
标准编制组根据讨论会的建议对草案进行了修订，形成本标准的“征求意见稿”。
在之后的两个月时间内，在同行及下游企业广泛的征求了意见，共收到意见15条，编制组收集整理意见后编写的“意见汇总处理表”，并根据意见形成了“送审讨论稿”，提交至标委会送审讨论。
二、标准编制的原则和依据1.标准编制原则1.1标准的编写格式按国家标准GB/T1.1-2000《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写规则》的统一规定和要求进行编写。
1.2考虑用户的当前使用要求及以后技术发展的潜在使用要求1.3考虑国内生产企业的生产现状及技术发展趋势2.标准的主要内容及依据2.1适用范围本标准规定了4H 及6H碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
碳化硅 标准
碳化硅标准
碳化硅（SiC）是一种结晶形态的固态化合物。
碳化硅晶体可以采用多晶或单晶的形式制备。
对于碳化硅材料，有一些标准和规范可以应用。
1. 化学成分标准：碳化硅材料的化学成分应符合相应的标准要求。
典型的化学成分包括二氧化硅（SiO2）和碳（C）。
2. 晶体结构标准：碳化硅通常采用六方晶系。
晶体结构应符合相关的标准和规范。
3. 物理性质标准：碳化硅的物理性质需要符合一定的标准，例如密度、硬度、热导率等。
4. 尺寸和形状标准：碳化硅材料的尺寸和形状应符合规定的标准，同时需要满足特定应用的要求。
5. 表面质量标准：碳化硅材料的表面质量应符合相应的标准，例如表面光洁度、平整度等。
6. 材料性能标准：碳化硅材料的一些重要性能参数，如电气性能、热学性能、机械性能等，应符合相关的标准。
以上只是一些常见的碳化硅标准的示例，具体的标准要求可能因应用需求而有所不同。
对于特定的应用，可能还需要遵循其他的标准和规范。
为了确保碳化硅材料的质量和可靠性，生产和使用过程中，还需要进行必要的质量控制和测试。
4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究
4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究许龙来;钟志亲【摘要】鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料.但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响.针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/02混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响.实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好.在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700 W、压强为20 mT和SF6/O2为50/40 sccm时,样品表面的粗糙度最小.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2019(032)002【总页数】4页(P1-3,8)【关键词】碳化硅;电感耦合等离子体-反应离子刻蚀;粗糙度;压强;功率;SF6/O2【作者】许龙来;钟志亲【作者单位】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054【正文语种】中文【中图分类】TN305SiC材料作为第三代宽禁带半导体材料，可用于制造出与传统硅基器件相比，能在更高温度、更高功率和更恶劣的环境下工作的器件[1-2]。
此外，SiC材料的高硬度及其化学稳定性使它在微机电系统中也有很好的应用前景[3-6]。
由于Si-C共价键很强，使SiC化学性质非常稳定。
常温下湿法腐蚀很难使SiC图形化，需要在高温辅助下进行强酸碱湿法化学腐蚀或者激光辅助光电化学刻蚀 [7]。
但是，这种腐蚀的缺点在于只有很少的金属可以用作掩模。
而且湿法腐蚀具有各向同性，致使侧壁出现严重的钻蚀现象，因此普遍使用干法刻蚀图案化SiC材料。
常用的干法刻蚀技术包括：反应离子刻蚀(RIE)[8]、电子回旋共振等离子体(ECR)以及电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等[9-10]。
最新人教版九年级上册道法04第二课第2课时创新永无止境
第二课创新驱动发展第2课时创新永无止境测试时间:25分钟1.(2021山东泰安中考)2021年2月26日,科技部部长王志刚在国新办举行的新闻发布会上介绍,“十三五”以来,我国在量子信息、铁基超导、干细胞等方面取得原创成果,高速铁路、关键元器件和基础软件研发取得积极进展,涌现了“嫦娥五号”、“奋斗者”号等一批国之重器。
这一系列科技成就的取得,表明( )①我国大力实施创新驱动发展战略,努力建设创新型国家②我国自主创新能力不断提升,科技实力跃上新台阶③我国科技整体水平已超过世界发达国家④科技创新是决定中国命运的关键抉择A.①③B.①②C.②④D.②③答案 B “十三五”以来,我国在量子信息、铁基超导、干细胞等方面取得原创成果,这体现了①②观点。
我国科技发展总体水平不高,创新能力不强,③错误。
改革开放是决定当代中国命运的关键抉择,④错误。
2.(2021山东烟台中考)2020年12月17日凌晨,嫦娥五号带着从月球上采集的岩石和土壤样本,成功返回地面。
我国成为世界上第三个完成月球采样返回的国家,中国航天再一次创造了新的历史。
嫦娥五号成功探月( )①表明我国综合国力不断增强②说明我国科技发展水平已全面领先世界③坚定了我们坚持自主创新,建设创新型国家的信心④增强了民族自尊心、自豪感A.①②③B.①②④C.①③④D.②③④答案 C 嫦娥五号成功探月,我国成为世界上第三个完成月球采样返回的国家,这体现了①观点,③④是嫦娥五号成功探月的积极作用。
我国科技发展水平总体不高,②错误。
3.(2021辽宁营口中考)德育立人、智育赋能、体育健体、美育怡情、劳动养性。
通过“五育并举”提升学生核心素养,激发育人活力,探索育人模式,彰显育人力量。
下列说法正确的有( )①“五育并举”有利于提高国民素质②“五育并举”有利于培养创新型人才③“五育并举”有利于促进人的全面发展④“五育并举”已成为我国当前最为重要的中心工作A.①②③B.①③④C.②③④D.①②③④答案 A 本题考查“五育并举”的积极作用。
碳化硅晶片质量指标
碳化硅晶片是一种高性能的半导体材料，具有优异的物理、化学性能，被广泛应用于微电子、光伏、功率转换、激光、粉末冶金等领域。
碳化硅晶片的质量指标主要包括以下几个方面：一、尺寸和形状：碳化硅晶片的尺寸应符合规定，通常为正方形或矩形。
其边长、厚度、圆角半径等应符合一定的公差范围，以保证产品的合格性和一致性。
二、纯度和杂质含量：碳化硅晶片的纯度是评价其质量的重要指标之一。
纯度越高，其电学、热学等性能越好，同时也越不容易受到外界因素的影响，如化学腐蚀等。
杂质含量也是影响碳化硅晶片质量的重要因素，如含氮、含氧等杂质含量过高，会影响其电学性能，进而影响其应用效果。
三、表面质量和划痕：碳化硅晶片的表面质量和划痕直接关系到其应用效果和使用寿命。
表面应光滑、无杂质、无划痕，以保证其在应用中的稳定性和可靠性。
四、密度和硬度：碳化硅晶片的密度和硬度也是评价其质量的重要指标之一。
密度越高，说明晶片中碳化硅的含量越高，硬度越高，说明晶片的耐磨性越好，这都直接影响其应用效果和使用寿命。
五、一致性和可靠性：碳化硅晶片的一致性和可靠性也是评价其质量的重要指标。
在生产过程中，应保证每个晶片的质量和性能一致，同时应保证其在应用中的稳定性和可靠性。
六、其他性能：除了上述指标外，碳化硅晶片还应具有其他相关的性能指标，如热导率、电阻率等电学性能指标，以及热膨胀系数等物理性能指标。
这些指标直接影响着碳化硅晶片的应用效果和使用范围。
总之，碳化硅晶片的质量指标是多方面的，包括尺寸和形状、纯度和杂质含量、表面质量和划痕、密度和硬度、一致性和可靠性以及其他相关的性能指标。
只有全面考虑这些指标，才能保证碳化硅晶片的质量和性能达到最佳状态，满足不同领域的应用需求。
天科合达碳化硅节能审查报告
天科合达碳化硅节能审查报告一、概述天科合达碳化硅是一种新型无机非金属材料，具有高硬度、高热导率、低热膨胀系数等优异性能，被广泛应用于高温热场、半导体器件等领域。
本报告旨在为天科合达碳化硅产品的节能审查提供全面、客观的评估。
二、审查内容1. 技术优势：天科合达碳化硅采用先进的生产工艺和设备，确保产品质量稳定，具有较高的生产效率和较低的能源消耗。
与其他同类产品相比，本产品在导热性能、硬度等方面具有显著优势，有助于降低设备运行成本和减少环境污染。
2. 节能效果：经过测算，天科合达碳化硅产品的生产过程能源消耗较低，相比传统耐材具有显著节能效果。
在使用相同电力的情况下，本产品能够提高设备效率、降低热损失，从而为企业节省大量的能源成本。
3. 经济效益：使用天科合达碳化硅能够降低企业的运营成本，提高企业的市场竞争力。
此外，由于其优异的性能和环保特性，本产品有望在未来的市场拓展中取得更好的发展机遇。
三、审查结论经过综合评估，我们认为天科合达碳化硅在技术优势、节能效果和经济效益等方面表现出色，具有良好的市场前景。
同时，我们建议企业在生产过程中严格遵守环保法规，加强生产安全管理，确保产品的稳定供应和质量保障。
四、建议与展望1. 加强技术创新：建议企业持续投入研发，探索更加高效、环保的生产工艺和设备，进一步提高产品的性能和节能效果。
2. 优化生产流程：建议企业不断优化生产流程，降低能源消耗和排放，提高生产效率，以实现可持续发展。
3. 拓展市场应用：积极拓展碳化硅产品的应用领域，提升产品的市场占有率。
4. 建立完善的质量管理体系：确保产品的稳定性和可靠性，树立良好的品牌形象。
5. 关注政策动向：密切关注国家及地方政府的节能环保政策，适时调整企业发展策略，以适应市场需求和政策要求。
综上所述，天科合达碳化硅在节能领域具有显著优势，具有良好的市场前景。
我们期待企业在未来的发展中取得更加显著的成就。
碳化硅抛光片微管密度无损检测方法的精密度测试报告
碳化硅抛光片微管密度无损检测方法的精密度测试报告
1测试目的
本测试是为了验证国家标准草案《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》中规定的碳化硅抛光片微管密度的测试方法的精密度。
2测试仪器
具有正交偏光系统的光学显微镜
3测试概要
本测试根据《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》的要求，由北京天科合达蓝光半导体有限公司（简称天科合达）和中国科学院半导体研究所（简称半导体所）两家单位，分别对Φ50.8mm和Φ76.2mm 的碳化硅抛光片的微管密度重复测量3次，根据3次测试的结果分别计算该方法的重复性测试的精密度。
4测试过程及结果
4.1Φ50.8mm碳化硅抛光片微管密度测试位置分布和测试值
表1中国科学院半导体研究所测试结果
表2北京天科合达蓝光半导体有限公司测试结果
表3φ50.8mm碳化硅抛光片微管密度测试结果
单位：个/cm2
4.2Φ76.2mm碳化硅抛光片微管密度测试位置分布和测试值
表4中国科学院半导体研究所测试结果
表5北京天科合达蓝光半导体有限公司测试结果
表6 Φ76.2mm 碳化硅抛光片微管密度测试结果
单位：个/cm 2
5
结果分析
本方法的精密度是由起草单位和验证单位在同样条件下，用正交透射偏光显微镜对φ50.8mm 碳化硅抛光片和φ76.2mm 碳化硅抛光片分别进行3次重复性试验，并根据标准偏差公式
()[]
∑--=1/2
n X X Sqr S i n 和重复性试验数据计算得出标准偏差和相对偏差。
各样片的标准偏差值
和相对偏差值如下：
表7 碳化硅抛光片微管密度测试精密度分析
综上所述，本检测方法的测试结果标准偏差不大于0.5个/cm2，相对偏差不大于15%。
一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法[发明专利]
![一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/5d20c8e177a20029bd64783e0912a21614797f85.png)
(10)申请公布号 CN 102543718 A(43)申请公布日 2012.07.04C N 102543718 A*CN102543718A*(21)申请号 201010588051.2(22)申请日 2010.12.14H01L 21/324(2006.01)C30B 33/02(2006.01)C30B 29/36(2006.01)(71)申请人北京天科合达蓝光半导体有限公司地址100190 北京市海淀区中关村东路66号1号楼2005室申请人中国科学院物理研究所(72)发明人王波 陈小龙 刘春俊 郑红军(54)发明名称一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法(57)摘要公开了一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法。
所述方法包括如下步骤：在研磨抛光完碳化硅晶片上施加机械应力使晶片产生向平整度减小方向的变形，其机械应力的大小为使晶片达到期望小的翘曲度、弯曲度；同时，将晶片加热到的足够高的温度，进行退火并保持足够长时间，以使其晶格发生滑移、重排，从而将晶片的变形保留下来，达到所获晶片具备足够小的翘曲度、弯曲度。
(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页1/1页1.一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法，其步骤具体包括：将研磨抛光完晶片固定，在晶片上施加机械应力使晶片产生向平整度减小方向的变形，其机械应力的大小为使晶片达到期望小的翘曲度、弯曲度；同时，将晶片加热到的足够高的温度，进行退火并保持足够长时间，以使其晶格发生滑移、重排，从而将晶片的形变保留下来，达到所获晶片具备足够小的翘曲度、弯曲度。
2.如权利要求1所述，其中碳化硅晶片多型包括3C-SiC 、4H-SiC 、6H-SiC 和/或15R-SiC 。
3.如权利要求1所述，其中碳化硅晶片尺寸包括2inch 、3inch 、4inch 及4inch 以上。
半导体硅片尺寸
半导体硅片尺寸半导体硅片尺寸1. 引言半导体硅片是制造电子芯片的关键元件之一。
硅片的尺寸对于半导体工艺和集成电路设计有着重要的影响。
在本文中，我们将探讨半导体硅片尺寸的背景、现状以及未来的发展趋势，并分享对这个主题的观点和理解。
2. 半导体硅片尺寸的背景早期的半导体硅片尺寸较小，通常以毫米为单位。
然而，随着技术的发展和需求的增加，人们迫切需要更大的硅片尺寸来提高芯片的生产效率和集成度。
随着时间的推移，从毫米级到厘米级再到今天的以英寸为单位的硅片已成为行业标准。
3. 半导体硅片尺寸的现状目前，2英寸、4英寸、6英寸和8英寸是较为常见的半导体硅片尺寸。
2英寸和4英寸硅片被广泛应用于一些传统电子设备，如计算机芯片和电子元件。
而6英寸和8英寸硅片则主要用于生产集成电路和高性能处理器。
随着5G技术的快速发展，12英寸硅片已经成为新兴的趋势。
4. 半导体硅片尺寸对半导体工艺的影响半导体硅片尺寸的增大带来了许多好处。
更大的硅片可以容纳更多的芯片，从而提高生产效率和降低成本。
较大的硅片提供了更多的宝贵空间，可以用于布置更多的电子元件，从而提高集成度和性能。
然而，随着硅片尺寸的增大，也带来了一些挑战，如晶圆制造的难度和产能要求的增加。
5. 半导体硅片尺寸的未来发展趋势随着技术的不断进步，半导体硅片尺寸有望继续增大。
目前，12英寸硅片已成为主流，但已经有人开始研究更大尺寸的硅片，如14英寸和18英寸。
增大硅片尺寸的优势在于进一步提高生产效率和集成度，推动半导体行业向更高水平发展。
然而，随着硅片尺寸的增大，晶圆制造过程的复杂性也会增加，对工艺技术和设备要求提出了更高的挑战。
6. 个人观点和理解在我看来，半导体硅片尺寸的增大是半导体行业发展的必然趋势。
随着技术的进步，人们对更高性能和更高集成度的需求不断增长，而较大的硅片尺寸可以满足这些需求。
然而，我也意识到硅片尺寸的增大带来的挑战不能被忽视，特别是对于晶圆制造工艺和设备的要求。
单面研磨6H-SiC 单晶片的加工表面性能分析
单面研磨6H-SiC 单晶片的加工表面性能分析潘继生;阎秋生;李伟【摘要】Single-sided lapping experiment was carried out on 6H-SiC monocrystalline wafer using hard-base lapping plate.Wafer surface topography and scratch performance after lapping were analyzed.The surface lapped by cast iron plate was more uniform than those lapped by copper plate and aluminium plate.Diamond abrasive and boron carbide abrasive were more suitable for monocrystalline SiC wafer lapped with cast iron plate.The surface had many dense and tiny pits produced by brittle fracture when the SiC wafer were lapped by M0.5/1.5 diamond abrasives.However,small size abrasive was very hard to disperse and glomerate abrasive was easy to generate scratch and uneven lapping,so that the particle size greater than M3/6 were more suitable for cast iron plate to machine SiC wafer.Deep cut abrasives were easy to produce micro cracks,which would cause brittle fracture pits rolled by abrasives predominates and brittle removal scratchs.Shallow cut abrasives led some microscale plastic removal scratchs.%采用硬基研磨盘对6H-SiC 单晶片进行单面研磨,分析了晶片加工表面形貌和划痕特征。
碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述
碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述郭钰;刘春俊;张新河;沈鹏远;张博;娄艳芳;彭同华;杨建【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2024(53)2【摘要】碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。
SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错(Frank SF)等。
另一方面受到外延工艺的影响,如在外延过程中衬底的基平面位错(BPD)受应力等条件作用会滑移形成Σ形基平面位错(Σ-BPD),衬底的TSD或刃位错(TED)会衍生为腐蚀坑(Pits),以及新产生SF和硅滴等。
因此,获得高质量的SiC外延晶片需要从优选SiC衬底和优化外延工艺两方面入手。
本文对外延生长过程中晶体缺陷如何转化并影响器件性能进行了系统分析和综述,并基于北京天科合达半导体股份有限公司量产的高质量6英寸SiC衬底,探讨了常见缺陷,如BPD、层错、硅滴和Pits等的形成机理及其控制技术,并对Σ-BPD的产生机理和消除方法进行研究,最终获得了片内厚度和浓度均匀性良好、缺陷密度低的外延产品,完成了650和1 200 V外延片产品的开发和产业化工作。
【总页数】8页(P210-217)【作者】郭钰;刘春俊;张新河;沈鹏远;张博;娄艳芳;彭同华;杨建【作者单位】北京天科合达半导体股份有限公司;深圳市重投天科半导体有限公司【正文语种】中文【中图分类】O78;O484;O47【相关文献】1.影响非直属附属医院同质化教学质量的因素分析2.装备制造业质量影响因素研究——基于协同质量链视角3.碳化硅MOSFET并联电流分配不均衡影响因素与抑制方法综述4.碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
Silicon Carbide (SiC) 晶体管模块数据手册说明书
MSCSM120AM042CD3AGDatasheet Phase Leg SiC Power ModuleJanuary20201Revision History (1)Revision1.0 (1)Product Overview (2)2.1Features (3)2.2Benefits (3)2.3Applications (3)Electrical Specifications (4)3.1SiC MOSFET Characteristics(Per MOSFET) (4)3.2SiC Schottky Diode Ratings Characteristics(Per SiC Diode) (6)3.3Thermal Package Characteristics (6)3.4Typical SiC MOSFET Performance Curves (7)3.5Typical SiC Diode Performance Curves (10)Package Specifications (11)Table1•Absolute Maximum Ratings (4)Table2•Electrical Characteristics (4)Table3•Dynamic Characteristics (5)Table4•Body Diode Ratings and Characteristics (5)Table5•SiC Schottky Diode Ratings and Characteristics (6)Table6•Package Characteristics (6)Figure1•MSCSM120AM042CD3AG Electrical Schematic (2)Figure2•MSCSM120AM042CD3AG Pinout Location (2)Figure3•Maximum Thermal Impedance (7)Figure4•Output Characteristics,TJ=25°C (7)Figure5•Output Characteristics,TJ=175°C (7)Figure6•Normalized RDS(on)vs.Temperature (7)Figure7•Transfer Characteristics (7)Figure8•Switching Energy vs.Rg (8)Figure9•Switching Energy vs.Current (8)Figure10•Capacitance vs.Drain Source Voltage (8)Figure11•Gate Charge vs.Gate Source Voltage (8)Figure12•Body Diode Characteristics,TJ=25°C (8)Figure13•3rd Quadrant Characteristics,TJ=25°C (8)Figure14•Body Diode Characteristics,TJ=175°C (9)Figure15•3rd Quadrant Characteristics,TJ=175°C (9)Figure16•Operating Frequency vs.Drain Current (9)Figure17•Maximum Thermal Impedance (10)Figure18•Forward Characteristics (10)Figure19•Capacitance vs.Reverse Voltage (10)Figure20•Package Outline (11)1Revision HistoryThe revision history describes the changes that were implemented in the document.The changes are listed by revision,starting with the most current publication.1.1Revision 1.0Revision 1.0is the first publication of this document,published in January 2020.Revision HistoryThe MSCSM120AM042CD3AG is a phase leg1200V/495A silicon carbide power module.Figure1•MSCSM120AM042CD3AG Electrical SchematicFigure2•MSCSM120AM042CD3AG Pinout LocationAll ratings at T J=25°C unless otherwise specified.Caution:These devices are sensitive to electrostatic discharge.Proper handling procedures should befollowed.2.1FeaturesThe following are key features of the MSCSM120AM042CD3AG device:•SiC Power MOSFET◦Low RDS(on)◦High temperature performance•Silicon carbide(SiC)Schottky diode◦Zero reverse recovery◦Zero forward recovery◦Temperature-independent switching behavior◦Positive temperature coefficient on VF•Kelvin emitter for easy drive•High level of integration•Aluminum nitride(AlN)substrate for improved thermal performance•M6power connectors2.2BenefitsThe following are benefits of the MSCSM120AM042CD3AG device:•High efficiency converters•Stable temperature behavior•Direct mounting to heatsink(isolated package)•Low junction-to-case thermal resistance•RoHS Compliant2.3ApplicationsThe MSCSM120AM042CD3AG device is designed for the following applications:•Welding converters•Switched Mode Power Supplies•Uninterruptible Power Supplies•EV motor and traction drive3Electrical SpecificationsThis section shows the electrical specifications of the MSCSM120AM042CD3AG device.3.1SiC MOSFET Characteristics (Per MOSFET)This section describes the electrical characteristics of the MSCSM120AM042CD3AG device.Table 1•Absolute Maximum RatingsUnit Maximum Ratings ParameterSymbol V 1200Drain-source voltage V DSS A4951T C =25°C Continuous drain currentI D3951T C =80°C990Pulsed drain current I DM V –10/25Gate-source voltage V GS mΩ5.2Drain-source ON resistance R DSon W 2031T C =25°CPower dissipationP DNote:1.Specification of SiC MOSFET device but output current must be limited due to the size of power connectors.Table 2•Electrical CharacteristicsUnitMaxTypMinTest ConditionsCharacteristicSym-bol μA 60060V GS =0V;V DS =1200V Zero gate voltage drain current I DSS mΩ5.24.2T J =25°C V GS =20V I D =240ADrain–source on resistanceR DSon6.7T J =175°CV2.81.8V GS =V DS ,I D =6mA Gate threshold voltage V GS(th)nA600V GS =20V,V DS =0VGate–source leakage currentI GSSTable 3•Dynamic CharacteristicsUnit MaxTyp MinTest Conditions Characteristic Symbol pF18.1V GS =0V V DS =1000V f =1MHzInput capacitance C iss 1.6Output capacitance C oss 0.15Reverse transfer capacitance C rss nC1392V GS =–5/20V V Bus =800V Total gate charge Q g 246Gate–source charge Q gs I D =240A 300Gate–drain charge Q gd ns 56V GS =–5/20V V Bus =600V Turn-on delay time T d(on)55Rise time T r I D =300A166Turn-off delay time T d(off)R Gon =1.3Ω;R Goff =0.8ΩTJ =150°C 67Fall time T f mJ 6.1T J =150°CInductive Switching V GS =–5/20V Turn on energy E on mJ5.5T J =150°CTurn off energyE offV Bus =600V I D =300A R Gon =1.3ΩR Goff =0.8ΩΩ1Internal gate resistanceR Gint °C/W0.074Junction-to-case thermal resistanceR thJCTable 4•Body Diode Ratings and CharacteristicsUnit MaxTyp MinTest Conditions Characteristic Symbol V4V GS =0V;I SD =240A Diode forward voltageV SD4.2V GS =–5V;I SD =240Ans 90I SD =240A;V GS =–5V;V R =800V;diF/dt =6000A/μsReverse recovery time t rr nC 3300Reverse recovery charge Q rr A81Reverse recovery currentI rr3.2SiC Schottky Diode Ratings Characteristics (Per SiC Diode)This section shows the SiC Schottky diode ratings and characteristics of the device.Table 5•SiC Schottky Diode Ratings and CharacteristicsUnitMaxTypMinTest ConditionsCharacteristicSym-bol V 1200Peak repetitive reverse voltage V RRM μA120060T J =25°C V R =1200VReverse leakage currentI RRM900T J =175°CA180T C =100°CForward currentI FV1.81.5T J =25°C I F =180ADiode forward voltage V F2.1T J =175°CnC 780V R =600VTotal capacitive charge Q C pF846f =1MHz,V R =400V Total capacitanceC630f =1MHz,V R =800V°C/W0.175Junction-to-case thermal resistance R thJC3.3Thermal Package CharacteristicsThis section shows the thermal and package characteristics of the device.Table 6•Package CharacteristicsUnit MaxMin CharacteristicSymbol V 4000RMS isolation voltage,any terminal to case t =1min,50/60Hz V ISOL °C 175–40Operating junction temperature rangeT J °C T Jmax –25–40Recommended junction temperature under switching conditions T JOP °C 125–40Storage temperature range T STG °C 125–40Operating case temperature T C N.m53M6For terminals Mounting torqueTorque53M6To heatsinkg350Package weightWt3.4Typical SiC MOSFET Performance CurvesThis section shows the typical performance curves of the MSCSM120AM042CD3AG SiC MOSFET.Figure3•Maximum Thermal ImpedanceFigure4•Output Characteristics,T J=25°CFigure6•Normalized RDS(on)vs.TemperatureFigure8•Switching Energy vs.Rg Figure9•Switching Energy vs.CurrentFigure10•Capacitance vs.Drain Source VoltageFigure12•Body Diode Characteristics,T J=25°C°CFigure16•Operating Frequency vs.Drain Current3.5Typical SiC Diode Performance CurvesThis section shows the typical performance curves of the MSCSM120AM042CD3AG SiC diode.Figure17•Maximum Thermal ImpedanceFigure18•Forward CharacteristicsThis section shows the package outline of the MSCSM120AM042CD3AG device.All dimensions are inmillimeters.Figure20•Package OutlineSee application note1908-Mounting instructions for D3and D4power modules on Microsemi's product warranty is set forth in Microsemi's Sales Order Terms and rmation contained in this publication is provided for the sole purpose of designing with and using Microsemi rmation regarding device applications and the like is provided only for your convenience and may be superseded by updates.Buyer shall not rely on any data and performance specifications or parameters provided by Microsemi.It is your responsibility to ensure that your application meets with your specifications.THIS INFORMATION IS PROVIDED "AS IS."MICROSEMI MAKES NO REPRESENTATIONS OR WARRANTIES OF ANY KIND WHETHER EXPRESS OR IMPLIED,WRITTEN OR ORAL,STATUTORY OR OTHERWISE,RELATED TO THE INFORMATION,INCLUDING BUT NOT LIMITED TO ITS CONDITION,QUALITY ,PERFORMANCE,NON-INFRINGEMENT,MERCHANTABILITY OR FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE.IN NO EVENT WILL MICROSEMI BE LIABLE FOR ANY INDIRECT,SPECIAL,PUNITIVE,INCIDENTAL OR CONSEQUENTIAL LOSS,DAMAGE,COST OR EXPENSE WHATSOEVER RELATED TO THIS INFORMATION OR ITS USE,HOWEVER CAUSED,EVEN IF MICROSEMI HAS BEEN ADVISED OF THE POSSIBILITY OR THE DAMAGES ARE FORESEEABLE.TO THE FULLEST EXTENT ALLOWED BY LAW,MICROSEMI’S TOTAL LIABILITY ON ALL CLAIMS IN RELATED TO THIS INFORMATION OR ITS USE WILL NOT EXCEED THE AMOUNT OF FEES,IF ANY ,YOU PAID DIRECTLY TO MICROSEMI FOR THIS e of Microsemi devices in life support,mission-critical equipment or applications,and/or safety applications is entirely at the buyer’s risk,and the buyer agrees to defend and indemnify Microsemi from any and all damages,claims,suits,or expenses resulting from such use.No licenses are conveyed,implicitly or otherwise,under any Microsemi intellectual property rights unless otherwisestated.Microsemi2355W.Chandler Blvd.Chandler,AZ 85224USAWithin the USA:+1(480)792-7200Fax:+1(480)792-7277 ©2020Microsemi andits corporate affiliates.All rights reserved.Microsemi and the Microsemi logo aretrademarks of Microsemi Corporation and itscorporate affiliates.All other trademarks andservice marks are the property of theirrespective owners.Microsemi Corporation,a subsidiary of Microchip Technology Inc.(Nasdaq:MCHP),and its corporate affiliates are leading providers of smart,connected and secure embedded control solutions.Their easy-to-use development tools and comprehensive product portfolio enable customers to create optimal designs which reduce risk while lowering total system cost and time to market.These solutions serve more than 120,000customers across the industrial,automotive,consumer,aerospace and defense,communications and computing markets.Headquartered in Chandler,Arizona,the company offers outstanding technical support along with dependable delivery and quality.Learn more at .MSCC-0344-DS-01066-1.0-0120Legal。
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2 inch diameter Silicon Carbide (SiC) Substrate Specification
等级 Grade 直径 厚度 晶片方向 主定位边 Diameter Thickness Wafer Orientation Primary Flat 工业级 Production Grade 50.8 mm±0.38 mm 330/430 μm±25μm On axis : <0001>±0.5° {10-10}±5.0° 15.88 mm±1.65 mm (0.625″±0.065″) 8.0 mm±1.65 mm (0.315″±0.065″) Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5°/C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° 1 mm ≤25μm /≤25μm /≤25μm ≤10 cm-2 ＜30 arcsec 4H-N 电阻率 Resistivity 6H-N 6H-SI 表面粗糙度 Roughness Polish CMP 0.01Ω·cm ~0.03 Ω·cm 0.02Ω·cm ~0.1 Ω·cm (90%) >1E5 Ω·cm Ra≤1 nm Ra≤0.5 nm ≤30 cm-2 ＜50 arcsec 4H-N 6H-N 6H-SI Polish CMP 0.01Ω·cm ~0.1Ω·cm 0.02Ω·cm ~0.2Ω·cm (80%) >1E5 Ω·cm Ra≤1 nm Ra≤0.5 nm ≤100 cm-2 Na 4H-N 6H-N 6H-SI N/A N/A Cumulative length≤10mm,single length≤2mm Cumulative area≤30% Cumulative area≤5% 3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length None ≥70% 0.01Ω·cm ~0.1Ω·cm 0.02Ω·cm ~0.2Ω·cm (70%) >1E5 Ω·cm Off axis : 1.0°/3.5°/4.0/8.0 toward < 1120 > ±0.5° 研究级 Research Grade 试片级 Dummy Grade (2.000″±0.015″)
裂纹(强光灯观测) Cracks by high intensity light 六方空洞（强光灯观测） Hex Plants by high intensity light 多型(强光灯观测) Polytype Areas by high intensity light 划痕(强光灯观测) Scratches by high intensity light 表面污染物（强光灯观测） Contamination by high intensity light 有用面积 Usable area
Edge<1mm 2 allowed ≤1Байду номын сангаас0 microns each None None None ≥90%
Edge1-2mm 5 allowed ≤300 microns each Cumulative area≤2 % None None ≥80%
主定位边长度 Primary Flat Length 次定位边长度 Secondary Flat Length 次定位边方向 Secondary Flat Orientation 边缘 微管密度 半高宽 Edge exclusion Micropipe Density FWHM 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp