Solution-Processed OLED
oled材料制备工艺流程
oled材料制备工艺流程OLED Material Preparation ProcessOLED材料制备工艺流程The OLED material preparation process involves several key steps. Firstly, the substrate preparation is crucial, as it serves as the foundation for the OLED device. Glass or plastic materials are commonly used as substrates, which undergo cleaning, dust removal, and surface treatment to ensure good adhesion for subsequent coatings and films.Next, the transparent conductive layer, typically made of materials like Indium Tin Oxide (ITO) or Fluorine-doped Tin Oxide (FTO), is coated onto the substrate using vacuum evaporation or solution coating methods. This layer is essential for conducting current and providing transparency.Following this, the organic semiconductor material, which determines the color and brightness of the emitted light, is deposited onto the transparent conductive layer. This material is usually composed of organic molecules or polymers and is applied through vacuum evaporation or solution deposition techniques.Subsequently, the anode material, often ITO or a similar conductive material, is deposited on top of the organic semiconductor layer. This anode collects electrons and facilitates current flow within the OLED device.The crucial step of depositing the emissive layer comes next. Depending on the desired color, different organic luminescent materials such as red, green, or blue are used and applied via vacuum evaporation or solution coating methods.After the emissive layer, the cathode material, typically a metal like aluminum or calcium, is deposited. This cathode is responsible for injecting electrons to excite the organic luminescent materials and produce light.Finally, the encapsulation process protects the OLED device from moisture and dust. Various encapsulation techniques like thermal rolling or vacuum encapsulation can be employed to seal the device effectively.Through this meticulous preparation process, OLED materials are crafted to deliver high-quality displays with vibrant colors, high brightness, and fast response times.OLED材料制备工艺流程涉及几个关键步骤。
oled工艺流程
oled工艺流程OLED显示技术（Organic Light Emitting Diode）是一种新型的平面显示技术，其工艺流程主要包括基板准备、有机发光材料的蒸镀、电极制备、封装和测试等步骤。
首先是基板准备。
在OLED显示器的制程中，选择适合的基板材料非常重要，常用的基板材料有玻璃和聚酯薄膜。
基板表面需要进行清洗和涂覆防护层等处理，以确保有机发光材料的附着和性能。
接下来是有机发光材料的蒸镀。
有机发光材料是OLED显示器的核心，通过蒸镀技术将有机分子层层堆积在基板上。
在蒸镀过程中，需要精确控制温度和蒸发速率，以实现红、绿、蓝三原色的有机分子的均匀堆积。
然后是电极制备。
在OLED显示器中，使用透明导电材料作为电极，通常采用氧化铟锡（ITO）薄膜作为阳极，铝或镁银合金作为阴极。
制备电极的方法一般有物理蒸镀和喷墨等技术，这些电极需要具备透明性和导电性。
接下来是封装。
封装是保护OLED显示器的重要步骤，它可以防止水汽和氧气进入显示屏，减少有机发光物质的寿命衰减。
常用的封装方法有真空封装和大气封装两种。
真空封装要求高，但能够有效延长显示器的使用寿命，而大气封装成本较低，但对显示器的使用寿命有一定的影响。
最后是测试。
在OLED显示器的生产过程中，需要对制造的显示器进行严格的测试。
测试内容包括电流-亮度特性、均匀度、色彩均匀度、灰阶等，并对其中的不良品进行剔除。
合格的显示器将进入最终组装和包装环节。
总的来说，OLED显示器的工艺流程包括基板准备、有机发光材料的蒸镀、电极制备、封装和测试等步骤。
这些步骤都需要精确控制各个工艺参数，以确保制造出高质量的OLED显示器。
OLED显示技术的应用前景广阔，未来可望实现更薄、更轻、更柔性的显示设备。
Samsung AMOLED (三星的AM- OLED制程介绍)
Film
Zn/In
2.0 1.5 1.0 0.5
In/Zn=3 for TFT-channel
0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Solution 2.5 3.0 3.5
Printed Electronics Asia 2009 MK-RYU 11
Spin-Coated IZO films : Depth profile
Background : Oxide semiconductors
Main elements Sub-elements
Binary, ternary, quaternary, … ZnO, In2O3, Ga2O3, SnO2, ZnO-derivatives : InZnO (IZO), GaInZnO (GIZO), ZnSnO (ZTO), InAlO (AIO), InZnSnO (IZTO), AlSnZnO (ATZO), AlSnZnInO (ATZIO), ZnZrO (ZZO), ZnMgO (ZMO), MgInZnO (MIZO), etc
Printed Electronics Asia 2009 MK-RYU 3
Background : Zinc Oxide TFT (High performance)
High mobility
1.E-04 1.E-05 1.E-06 1.E-07 1.E-08
IDS(A)
Large & high resolution display
- Conductor - Semiconductor - Insulator
Transparent TFT
- Electrode - Channel - Dielectric
OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备介绍
OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备介绍光刻工艺是OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）生产线中关键的设备及工艺之一。
光刻技术是一种重要的微影制造技术，广泛应用于半导体、光电子、平板显示等领域。
本文将介绍OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备。
光刻工艺在OLED生产线中的作用非常重要。
它用于将电子器件图案化到基板上，即在基板上形成所需的电子器件结构。
光刻工艺主要包括光源、掩膜、光刻胶、显影、刻蚀和清洗等步骤。
其中，掩膜是光刻工艺中的核心部分，它由根据设计需求制作成的透明玻璃或石英片，上面有所需的具体器件图形。
在光刻工艺中，关键设备主要包括光刻机、曝光机、开发机和显影机等。
光刻机是光刻工艺中的核心设备，它用于对掩膜和基板进行对位和曝光。
曝光机则是光刻机的一个组成部分，它用于将掩膜上的图案投射到基板上。
开发机是用来去除未曝光部分光刻胶的设备，显影机则是用来去除曝光后的光刻胶的设备。
光刻工艺中的关键设备还包括光源和光刻胶。
光源是提供光刻工艺所需的光的设备，目前常用的光源有汞灯和氙灯。
光刻胶是用来将电子器件的图形转移到基板上的关键材料，它是一种光敏性的聚合物材料，可以在曝光后发生物理和化学的变化。
在光刻工艺中，光刻胶的特性和性能对制程影响很大。
具备良好的分辨率、较高的耐溶剂性和优异的显影性能是优良的光刻胶的重要特点。
因此，选择适合的光刻胶对于OLED生产线中的光刻工艺至关重要。
光刻工艺中还有一些特殊的设备需求，例如掩膜对位设备和控制系统。
掩膜对位设备用于实现掩膜与基板之间的精确对位，确保所需图案的准确显影。
控制系统则用于调节和控制光源、曝光机和开发机等设备的操作。
这些设备和系统的稳定性和精确性对于光刻工艺的成功实施起着至关重要的作用。
除了关键设备和工艺，光刻工艺中还有一些常见的问题需要注意。
例如，光刻工艺中的曝光和显影过程中可能会出现边角效应，即图案在边缘出现拉伸或压缩的现象。
柔性oled工艺流程
柔性oled工艺流程柔性OLED（Organic Light-Emitting Diode）是一种新型的显示技术，具有薄、轻、柔性等特点，可以应用于可弯曲和可折叠的显示设备上。
柔性OLED的制程工艺相对于传统液晶显示器来说更为复杂和严格。
本文将简介柔性OLED的制程流程。
首先，柔性OLED的制程流程可以分为基底制备、有机光电器件制备和封装三个主要过程。
其中，基底制备包括基底材料的选择和准备工作，有机光电器件制备包括有机发光层和电子传输层的制备工序，封装则是将制备好的器件进行封装保护。
基底制备是柔性OLED制程的第一步，基底材料通常选择透明、柔性和耐高温等特点的材料，如聚酯薄膜。
首先，将基底通过机械和化学方法进行清洗，去除表面的杂质和污垢。
然后，进行表面处理，使表面具有一定的粗糙度，以增加后续工序的附着力。
最后，通过真空沉积或其他方法在基底上形成导电层，如ITO（Indium Tin Oxide）。
有机光电器件制备是柔性OLED制程的核心过程。
首先，在导电层上形成电子传输层和空穴传输层。
电子传输层通常采用长寿命的无机材料，如镓钌合金；空穴传输层则采用有机材料，如PEDOT:PSS（聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚对苯二甲酸乙二醇酯）。
然后，在两个传输层之间形成发光层，发光层通常由有机小分子或聚合物材料组成，不同的材料可以产生不同的颜色。
最后，在顶部形成电子注入层和空穴注入层，以帮助电子和空穴在器件内部进行注入和输运。
封装是柔性OLED制程的最后一步，其目的是保护制备好的有机光电器件，防止其受到空气、湿气和尘埃等环境因素的损害。
封装工艺可以分为有机封装和无机封装两类。
有机封装是将有机材料（如聚合物、树脂）涂覆在器件上，并使用粘合剂将封装材料粘贴在基底上。
无机封装是将玻璃等无机材料直接粘贴在器件上。
封装完成后，需要通过真空以及其他方法去除气泡和杂质，保证封装层的质量。
总之，柔性OLED的制程流程包括基底制备、有机光电器件制备和封装三个主要过程。
oled 工艺名词
OLED的工艺名词包括以下几种：
PMOLED（被动式，Passive Matrix，又称无源驱动OLED）：制程相对简单，结构单纯，但缺点是不容易制作成大尺寸。
AMOLED（主动式，Active Matrix，又称有源驱动OLED）：是OLED 技术的主流产品，广泛应用于手机、平板电脑等平板显示中。
LTPS-AMOLED（低温多晶硅技术-有源驱动OLED）：制作工艺囊括了显示面板行业的诸多尖端技术。
此外，OLED工艺中还有COF封装工艺和COP封装工艺。
COF英文全称为Chip On Film，是将屏幕的IC芯片集成在柔性材质的PCB板上，然后弯折至屏幕下方，可以进一步缩小边框，提升屏占比。
COP 英文全称为Chip On Pi，是一种全新的屏幕封装工艺，可视为专为柔性OLED屏幕定制的完美封装方案。
OLED生产线设备的工艺流程及关键设备介绍
OLED生产线设备的工艺流程及关键设备介绍概述：有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode, OLED）作为一种新型的显示技术，具有超薄、高对比度、快速响应、自发光等特点，广泛应用于各种电子设备的显示屏幕中。
OLED生产线在制造OLED显示屏时起到至关重要的作用。
本文将介绍OLED生产线的工艺流程及其关键设备。
一、OLED生产线工艺流程1. 基板准备：OLED显示屏的制造过程通常从基板准备开始。
基板可以是玻璃、塑料薄膜或金属，选择的基板材料将直接影响到显示屏的性能和质量。
2. 洁净处理：洁净处理是为了去除基板表面的污垢和杂质，以提供干净的基板用于后续的处理工序。
洁净处理通常包括去除粉尘和有机物质的清洗，采用超声波清洗、离子束清洗、氧等离子体清洗等技术。
3. 透明导电层的制备：透明导电层是OLED显示屏的关键组成部分之一，用于在显示过程中提供电子流的路径。
常用的透明导电材料有氧化锌（ZnO）和氧化铟锡（ITO）。
制备透明导电层进程通常采用物理气相沉积、磁控溅射、电子束蒸发等技术。
4. 有机发光材料的制备：有机发光材料是OLED显示屏的关键组成部分之一，用于产生发光。
有机发光材料可以是有机小分子材料或有机聚合物材料。
常见的有机小分子材料有三联苯（Tris(8-羟基喹啉)铝）和荧光染料。
有机聚合物材料则是将其溶解在溶剂中，通过印刷或涂敷技术在基板上形成薄膜。
5. 发光层的制备：发光层是OLED显示屏的关键组成部分之一，用于发射冷光或暖光。
发光材料依据其发光颜色的不同而有所区别。
常见的有机发光材料有苯并咪唑苯（PBD）、二苯亚乙烷（TPD）等。
发光层制备通常采用真空热升华等技术。
6. 封装：OLED显示屏的封装是将前面制造好的OLED芯片与后盖玻璃（或塑料）等材料封装在一起，形成一个完整的显示模组。
封装通常包括黏合、贴合、封装和封口等工艺，同时也需要进行清洗和测试，确保封装的完整性和可靠性。
蓝光OLED进展报告
蓝光OLED进展报告OLED，即有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode），又称为有机电激光显示Organic Electroluminesence Display, OELD）。
因为具备轻薄、省电等特性而得到了广泛的关注。
而能否制备出高效省电的蓝光OLED是其在显示方面大规模应用的关键。
以下是近些年来世界各国关于蓝光OLED方面的进展情况。
（08~09年，按时间排序）1.日本出光兴产与Sony展示蓝光OLED元件(2008-5)日本大厂出光兴产与Sony宣佈共同开发出蓝色发光OLED元件,并已证实内量子效率为28.5%,且发光寿命为3万小时以上。
该蓝色发光OLED元件是结合出光兴产的发光材料等有机半导体元件材料与索尼开发的「Super Top Emission」元件结构而得。
发光色的色纯度按照CIE 色度座标值为（0.137,0.065）。
发出的蓝光比NTSC标准值（0.14,0.08）更深。
发光寿命（亮度半衰期）方面,在初始亮度为200cd/m2、温度为50℃环境下进行连续点亮试验的结果表明,实际为3万小时以上。
单位电流的亮度为3.9cd/A。
由这一结果,将有望降低此前红（R）、绿（G）、蓝（B）三色OLED组件中功耗最大的蓝色OLED组件的功耗,并有望实现OLED电视的中、大型化。
就萤光型发光材料而言,这一发光效率为全球最高水准。
该成果将在美国洛杉磯正在召开的显示器技术国际学术会议「SID2008（Society for Information Display）」上发佈。
2.佛罗里达大学取得高效率蓝光OLED（2008-9）最近佛罗里达大学的研究团队演示了峰值效率达40 lm/W的蓝光磷光OLED，外部量子效率为25%，没有采用外部光提取技术。
这项成就被认为是美国蓝光OLED的最高效率。
从全球的报道看来，蓝光OLED对开发照明用白光OLED非常重要，但是长寿命高效率蓝光OLED一直是一个重要的障碍。
溴到硼酸酯
Materials Chemistry C
Published on 20 November 2014. Downloaded on 08/12/2016 07:54:22.
PAPER
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Cite this: J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 861
However, these oligouorene functionalized oligomers may suffer from the unwanted long wavelength emission under long-term device operation, similar to polyuorene-based macromolecules.34–36
Received 26th September 2014 Accepted 17th November 2014 DOI: 10.1039/c4tc02173h /MaterialsC
Starburst 4,40,400-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine-based deep-blue fluorescent emitters with tunable oligophenyl length for solution-processed undoped organic lightemitting diodes†
Introduction
Since 1987, organic light-emitting diodes (OLEDs) have attracted tremendous attention due to their potential applications in at-panel displays and solid-state lightings.1–10 To achieve fullcolor displays, three primary RGB luminescent materials with excellent stability, efficiency and color purity are required. With respect to green and red counterparts, it seems to be a big challenge to develop blue emitters, especially deep-blue ones that have a Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) y coordinate value of <0.10, because the intrinsic wide bandgap would inevitably result in inefficient charge injection to an emitting layer (EML).11 Therefore, great efforts should be paid to the design of deep-blue emitters to push forward the commercialization of full-color OLEDs.
OLED制造中比较重要的三个制程
OLED制造中比較重要的三個制程的精华资料OLED制造中比較重要的三個制程的精华资料，大家看看，觉得好的给个回复，就是对论坛莫大的支持了！下面是OLED比較重要得三個制程得簡短說明！至於材料方面嘛，上網應該可以查到得，目前磷光材料得應用前景要比荧光材料大的多，低分子比高分子的前途也要明朗些！ITO基板前處理製程製造有機EL顯示面板所採用的Indium-tin-oxide (ITO) 透明導電玻璃基板，通常厚度為或的鈉鹼玻璃(soda lime)，在約150mm的ITO導電薄膜及鈉鹼玻璃基板之間鍍上約數十微米的SiO2薄膜，以阻絕鈉鹼玻璃內金屬離子游移的干擾，而ITO薄膜的導電特性則界定在其面電阻(sheet resistance) 約10Ω/□。
在進入面板製造流程前ITO基板的洗淨，則透過濕式及乾式的清洗製程達到高潔淨度的ITO表面，在濕式清洗過程反覆地以中性洗劑及純水超音波清洗後，再搭配有機溶劑以快速地乾燥ITO基板，經過乾燥的ITO基板表面仍有些許的有機物殘留，會影響ITO電極的正電荷(hole) 注入效率，U V-O3的處理可以將ITO基板上殘留有機物除去，而存在ITO表面的缺陷可利用RF-O2電漿的表面改質處理，以降低正電荷注入的能階障壁，因此，UV-O3及RF-O2電漿的乾式處理，能有效地降低有機EL元件發光的驅動電壓，也廣泛地應用在量產的製程中。
多層鍍膜製程在發光亮度、耗電量及工作電壓的操作條件考量下，多層結構的有機EL顯示面板所提供的發光特性和穩定性，始能滿足量產化的要求及量產生產時的效益，因此，多腔體的真空鍍膜系統及單一鍍膜腔體對應一層鍍膜處理的設計原則，架構了量產裝置的運作方式。
而針對多層鍍膜量產系統及製程因應簡述如下：1. Mask及ITO基板的對位：由於有機材料及其薄膜對濕式製程及溫度的敏感性，使得一般常用於半導體晶圓製造上的微影蝕刻技術，無法被應用於有機EL面板製程中細微化的加工。
Solution-processed, high-performance light-emitting diodes based on quantum dots
Institute of Advanced Materials (IAM), National Jiangsu Synergistic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 30 South Puzhu Road, Nanjing 211816, China.
Quantum dots are solution-processable semiconductor nanocrystals9–11 that promise size-tunable emission wavelengths, narrow emission linewidths, near-unity-photoluminance quantum yield and inherent photophysical stability. As inorganic crystalline emission centres, quantum dots are expected to be promising candidates to overcome stability problems of both polymer LEDs and small-molecule organic LEDS (OLEDs), such as drastic efficiency roll-off at high current densities and low operational lifetime. To fully exploit the superior properties of quantum dots, a number of quantum-dot-based LED (QLED) structures were developed and various materials, including small molecules, conjugated polymers and inorganic oxides, were explored as charge-transport interlayers3,12–20.
一文看懂OLED生产技术
一文看懂OLED生产技术
OLED主流生产技术
蒸镀技术
首先，要了解蒸镀技术，这得从OLED的结构讲起。
如下图所示，典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料，ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极电极加电压，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇复合，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
辐射光可从ITO一侧观察到，金属电极膜同时也起了反射层的作用。
OLED结构原理图
当然了，具体到整块面板，结构也就复杂很多，包括次像素间需要隔离柱、绝缘层之类。
AMOLED则还有TFT backplane这种控制每个像素开关的东西。
OLED像素结构示意图
简单来说，蒸镀就是真空中通过电流加热，电子束轰击加热和激光加热等方法，使被蒸材料蒸发成原子或分子，它们随即以较大的自由程作直线运动，碰撞基片表面而凝结，形成薄膜。
蒸镀技术制造OLED面板的核心设备是蒸镀机，而这个设备在面板制造企业的上游，主要供应商是佳能旗下一间名为Canon Tokki的企业。
随着全球OLED市场的风起云涌，Tokki 公司不断投入开发产能，但是仍然难以满足客户的需要。
据说，Tokki一年的蒸镀机产能也就区区几台而已，如LG Display这样的大客户也不得不因为蒸镀机数量有限而无奈的失去苹果订单。
PMOLED的典型工艺流程。
oled溶液加工流程
oled溶液加工流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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oled制备方法 -回复
oled制备方法-回复"OLED制备方法"OLED，即有机发光二极管，是一种使用有机化合物发光的电子设备。
它具有高对比度、快速响应时间和广视角，因此在消费电子产品领域得到广泛应用。
本文将逐步回答有关OLED制备方法的问题，帮助读者了解OLED 制备的过程与技术。
第一步：基础材料准备首先，制备OLED所需的基础材料需要准备。
这些材料包括透明导电材料、有机发光材料、电子传输材料和电子封装材料。
1. 透明导电材料透明导电材料通常是用于制作OLED的电极，其中最常用的是氧化铟锡（ITO）或氧化锡（ATO）涂层。
这些材料具有较低的电阻和较高的透明度，能够兼顾导电性和透明性。
2. 有机发光材料有机发光材料是OLED的核心材料，用于产生发光效应。
这些材料通常由发光分子和辅助材料组成，其结构和性质直接影响OLED的性能。
常见的有机发光材料有聚芴（PFO）、聚苯胺（PPV）和三苯基胺（TPD）等。
3. 电子传输材料电子传输材料用于在OLED中传输电子。
这些材料具有良好的电子传输性能，能够帮助将电子从阴极输送到发光层。
常见的电子传输材料有亚甲基蓝（MB）、八氟喹啉（F8QI）和三苯胺（TPD）等。
4. 电子封装材料电子封装材料用于封装OLED，保护其免受环境中的湿氧和灰尘的影响。
常见的电子封装材料有环氧树脂、薄膜和玻璃等。
第二步：OLED制备工艺在基础材料准备完成后，接下来我们将介绍OLED制备的具体工艺流程。
1. 清洗衬底首先，将透明衬底进行表面清洗处理，以去除表面的杂质和污染物。
常见的清洗方法包括超声波清洗和化学清洗。
2. 涂覆透明导电材料将透明导电材料以溶液或蒸发法的方式涂覆在清洗后的衬底上。
通过旋涂、喷涂或印刷等方式，将透明导电材料均匀涂覆在衬底上，并使其形成适当的厚度。
3. 微细图案制作使用光刻技术，将透明导电材料进行微细图案制作。
通过在导电材料上覆盖光刻胶，并使用光刻机器进行光照和显影处理，可以制作出具有所需图案的导电电极。
溶液浇铸法和流延法
溶液浇铸法和流延法溶液浇铸法（Solution Casting Method）和流延法（Roll-to-Roll Method）是两种常用的薄膜制备方法，用于制备聚合物薄膜、金属薄膜和其他薄膜材料。
下面是对这两种方法的详细解释：1. 溶液浇铸法：溶液浇铸法是一种制备薄膜的方法，通过将溶解于溶剂中的聚合物或其他材料溶液浇铸在平整的基底上，然后通过蒸发或溶剂挥发使溶剂快速脱离，形成薄膜。
制备过程：-首先，将所需材料（如聚合物）加入适当的溶剂中，并进行充分的搅拌和混合，直至形成均匀的溶液。
-然后，在平整的基底（如玻璃片、金属板）上倒入溶液，使其均匀涂布在基底表面。
-接下来，通过使溶剂在常温下蒸发或通过加热快速挥发，使溶剂从溶液中脱离，形成薄膜。
-最后，得到的薄膜可以进行后续的处理，如烘干、退火、交联等。
应用领域：溶液浇铸法适用于制备聚合物薄膜，可用于电子器件、光学材料、电池等领域。
此外，它还可以用于制备金属薄膜、陶瓷薄膜等。
2. 流延法：流延法是一种将薄膜材料通过滚轴（如辊筒）连续地涂布在基底上的制备方法。
该方法通常用于制备大面积的薄膜，并可实现连续生产。
制备过程：-首先，将所需材料制备成粘度适宜的浆料或溶液。
-然后，通过滚轴系统将材料均匀地涂布在连续移动的基底上，辊筒上的刮刀或压力可调节涂层的厚度。
-接着，基底经过烘干、固化等处理，使涂层材料形成薄膜结构。
-最后，薄膜可根据需要进行后续处理，如退火、切割、表面处理等。
应用领域：流延法广泛应用于许多领域，包括但不限于以下几个方面：-聚合物薄膜：流延法可用于制备聚合物薄膜，如聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚乙烯薄膜等。
这些薄膜可用于包装材料、光学膜、电子器件等领域。
-金属薄膜：通过流延法，可以制备金属薄膜，如铝薄膜、铜薄膜、钢薄膜等。
这些薄膜广泛应用于建筑、电子、汽车等行业。
-柔性电子器件：流延法可以制备柔性电子器件所需的薄膜材料，如有机发光二极管（OLED）薄膜、柔性太阳能电池薄膜等。
基于纳米压印 PET 基底的高效柔性有机电致发光器件
基于纳米压印 PET 基底的高效柔性有机电致发光器件朱红;田宇;唐建新【摘要】为了克服现有的以玻璃为基底、ITO 为电极的有机电致发光器件(OLED)的韧性差、对裂纹缺陷敏感等固有缺点，对现有的 OLED 器件结构进行优化.本文提出了以 PET 为基底，旋涂高导PEDOT∶PSS 作为阳极的高效柔性 OLED器件结构.并在此基础上，通过纳米压印蛾眼模板将光耦合结构引入器件，提高器件的光取出效率.此绿光 FOLED 器件在亮度为1000 cd.m－2时，功率效率为36．10 lm.W－1.在此基础上，通过纳米压印引入光耦合结构的柔性 OLED器件表现出良好的光电性质，在亮度为1000 cd.m－2时，功率效率可达到80．46 lm.W－1.并且这种绿光柔性 OLED器件在以器件半边长为曲率半径180°弯折200次后亮度衰减很少.此种高导PEDOT∶PSS 电极和柔性 PET 基底可以成为较好的 ITO 透明电极和刚性玻璃基底的替代物，为生产可穿戴式设备提供了可能.%Flexible organic light emitting diodes (FOLEDs)have attracted an amount of attentions due to their advantages in power-consumption and color-quality for lighting and display applications.Al-though the indium-tin-oxide (ITO)-coated glass substrates are widely used in OLEDs,their brittle nature limits the further development of flexible OLEDs for some special products.Here,we present a device structure which uses plastic PET as the substrate and spin-coated high-conductivity PEDOT∶PSS as the anode.Based on this OLED device structure,Moth’s eye nanostructure is imprinted on OLED to introduce optical outcoupling structure and increase the light outcoupling efficiency.The green flexible OLEDs on this substrate exhibit superior optical and electrical characteristics,showing a powerefficiency of 36.10 lm.W-1 at 1 000 cd.m-2 .By introducing a nanoimprinted light-outcoupling structure on the PET film,flexible OLEDs can yield a power efficiency of 80.46 lm.W-1 at 1 000 cd.m-2 with excellent optical and electrical characteristics.In the bending tests,the FOLEDs show great m echanical stability in luminance after bending 200 cycles in 180°.Itis demonstrated that the PET-PEDOT∶PSS sub-strate of the flexible OLED can work as an alternative for the counterpart on ITO-glass substrate for the use in wearable and mobile communication devices.【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2016(031)008【总页数】7页(P733-739)【关键词】柔性;高效;有机电致发光器件;纳米压印【作者】朱红;田宇;唐建新【作者单位】苏州大学纳米科学技术学院功能纳米与软物质研究院，江苏苏州215123;苏州大学纳米科学技术学院功能纳米与软物质研究院，江苏苏州215123;苏州大学纳米科学技术学院功能纳米与软物质研究院，江苏苏州215123【正文语种】中文【中图分类】TN383+.1柔性有机电致发光器件(flexible organic light emitting diode, FOLED)作为柔性显示技术的重点研究方向，以其轻型便捷的视觉体验，被誉为人类视觉自由的关键。
一文看透硅基OLED显示技术工艺流程、像素驱动方案……
一文看透硅基OLED显示技术工艺流程、像素驱动方案……
硅基OLED微型显示产品示意图
OLED，即有机发光二极管。
其采用有机发光材料,各项性能明显优于LCD（液晶），被称为继CRT、LCD之后的第三代显示技术。
而OLED微型显示，我们也叫硅基OLED显示，是显示行业的一个新兴分支。
硅基OLED微型显示主要由IC制造技术和 OLED技术组成。
它有别于传统意义的手机、IPAD、电脑、电视屏幕，多指小于2.5 英寸的显示器。
硅基OLED显示因为采用单晶硅晶圆作为有源驱动背板，所以更容易实现高PPI（像素密度）、高度集成、体积小、易于携带、抗震性能好、超低功耗等优异特性。
目前主要的应用方式分为两大类：沉浸式和穿透式。
据了解，硅基OLED产品成本价格居高，目前都是超过200美金，售价可超过1万人民币。
优缺点
工艺流程
像素驱动方案
应用领域及企业概况
除此之外，还有京东方与云南北方奥雷德光电、高平科技、云南滇中发展合作，共同投资11.5亿元人民币在云南省昆明市建设国内首
条大型OLED微显示器件生产线项目，从事OLED微显示器件的生产、销售及研发。
伴随着京东方奥雷德等的合作，国内还有总投资20亿元的合肥视涯硅基OLED微型显示器项目，其计划2018年9月开始设备搬入，2019年投产，预计2020年可实现月加工6000片12寸晶圆产能，年产2000万片微型显示器件，届时将成为全球最大的硅基OLED微型显示器件（Micro-OLED）生产基地。
oled原理及其优点,OLED的应用领域
oled原理及其优点| OLED的应用领域oled是什么？OLED（Organic Light-Emitting Diode），又称为有机电激光显示、有机发光半导体（Organic Electroluminescence Display，OLED）。
OLED属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。
OLED在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。
当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
oled原理：OLED是指在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象。
其原理是用ITO玻璃透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，然后分别迁移到发光层，相遇形成激子使发光分子激发，后者经过辐射后发出可见光。
辐射光可从ITO 一侧观察到，金属电极膜同时也起了反射层的作用。
oled优点：（1）功耗低与LCD相比，OLED不需要背光源，而背光源在LCD中是比较耗能的一部分，所以OLED是比较节能的。
例如，24in的AMOLED模块功耗仅仅为440mw，而24in 的多晶硅LCD模块达到了605mw。
（2）响应速度快OLED技术与其他技术相比，其响应速度快，响应时间可以达到微秒级别。
较高的响应速度更好的实现了运动的图像。
根据有关的数据分析，其响应速度达到了液晶显示器响应速度的1000倍左右。
（3）较宽的视角与其他显示相比，由于OLED是主动发光的，所以在很大视角范围内画面是不会显示失真的。
其上下，左右的视角宽度超过170度。
（4）能实现高分辨率显示大多高分辨率的OLED显示采用的是有源矩阵也就是AMOLED，它的发光层可以是吸纳26万真彩色的高分辨率，并且随着科学技术的发展，其分辨率在以后会得到更高的提升。
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7Solution-Processed OLED MaterialsSoluble Materials forHole Transport Layer / Hole Injection Layer(HTL/HIL) Phosphorescent Host Phosphorescent Dopant Fluorescent Host Fluorescent Dopant Electron Transport Layer / Hole Blocking Layer(ETL/HBL)Solution-Processed OLED MaterialsSolution-ProcessedOrganic Light-Emitting Diodes Materials1014 18 21 23 25................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................In the past decades, numerous efforts have been focused on thesynthesis of new materials which have been developed for solution-processed OLEDs. Among them are light-emitting polymer and dendrimers.Light-emitting polymers are considered to be suitable for solution-processed, although their performances are lower than vacuum depositedsmall molecules, and there are some intrinsic difficulties such as thecontrol of batch-to-batch variations and the purification of the polymeric materials. Furthermore, dendrimers are another important class of macromolecule since they were also successfully developed and used insolution-processed OLEDs5, 6.Recently, by adopting novel molecule structure design or processing strategies, solution-processed small molecule OLEDs are also successfully demonstrated and showed comparable performance to those vacuum evaporated processed counterparts7, 8.1. Tang, C. W.; Van Slyke, S. A. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913.2. M. C. Gather, A. Köhnen , K. Meerholz , Adv. Mater. 2011, 23, 2.3. J. Huang , G. Li , E. Wu , Q. Xu , Y. Yang , Adv. Mater. 2006, 18,114.4. Grimsdale, A. C.; Chan, K. L.; Martin, R. E.; Jokisz, P. G.; Holmes, A. B.Chem. Rev. 2009, 109, 897–1091 and the references therein.5. Li, J.; Liu, D. J. Mater. Chem. 2009, 19, 7584–7591 and the referencestherein.6. Lo, S.; Burn, P. L. Chem. Rev. 2007, 107, 1097–1116 and the referencestherein.7. Rehmann, N.; Hertel, D.; Meerholz, K.; Becker, H.; Heun, S. Appl. Phys.Lett. 2007, 91, 103507.8. Hou, L. D.; Duan, L.; Qiao, J.; Li, W.; Zhang, D. Q.; Qiu, Y. Appl.Phys. Lett.2008, 92, 263301.Solution-Processed OLED Materials910Solution-Processed OLED Materials3 derivative(TEG).of a layer based on two cross-linkable 2.2.Best nm)/OTPD(10 nm)/M : TEG (19wt.%, Physical Characteristics & Device EfficiencyReference: Appl. Phys. Lett. 91, 103507 (2007)N NO OOOPONI r311Solution-Processed OLED MaterialsThe alkyl-chain NPB derivative(ONPB) was investigated its thermal, optical and electrochemical properties.Used for hole transporting material for solution-processed OLED.The solution-processed OLED device showed comparable driving voltage and improved efficiencies, comparing with NPB in dry-processed OLED.Current Efficiency vs. VoltageCurrent Efficiency vs. Current DensityLuminance vs. VoltageHTL/HIL Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyReference: Journal of Photopolymer Science and Technology, Volume 25,Number 3 (2012) 335 –339N NC 8H 17Solution-Processed OLED Materials12Solution-Processed OLED MaterialsCompounds for Testing and ResearchPoly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) Description of product Product : Aqueous dispersion, blue liquid. Grades Available : Product DesignationChemical Characteristics : (Mass fraction in % [cg/g]; ppm [μg/g])Sodium : Limit max. 400ppm Sulphate : Limit max. 40ppmPhysical Characteristics : Solid content: 1.3-1.7%Particle size(swollen) : d 50 80 nm d 90 100 nmResistivity : 500-5000 ΩcmN,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-spirobifluorene C 51H 38N 2UV PLSolventCAS No. : : : :: 678.86 g/mole379 nm (in THF) 416 nm (in THF)Toluene, Chloroform1033035-83-4NNReference : Organic Electronics 13 (2012) 914-918Reference : Synthetic Metals 160 (2010) 2393-2396Reference :J. Mater. Chem., 2012, 22, 22769-22773Di-[4-(N,N -ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexaneC 46H 46N 2UVPLSolventCAS No. : : : :: 626.87 g/mole 305 nm (in THF) 414 nm (in THF)Toluene, Chloroform1174006-36-0N NN, N,N',N'-tetra-(3-methylphenyl)-3,3'-dimethylbenzidine C 42H 40N 2UV PLSolventCAS No.: : : ::572.78 g/mole302 nm (in THF) 399 nm (in THF)Toluene, Chloroform80730-98-9NN 2,2'-bis(3-(N,N -di-p -tolylamino)phenyl)biphenyl C 52H 44N 2UV PL SolventCAS No. : : : :: 696.92 g/mole291 nm (in CH 2Cl 2)430 nm (in CH 2Cl 2) Toluene, Chloroform869357-89-1NNN -(4-sec-butylphenyl)(C 51H 61N)nUVPLSolvent(C 22H 21N)n UV PLSolventCAS No. CAS No. : : : : : : : : : : >10000 389 nm (in CH 2Cl 2) 443 nm (in CH 2Cl 2) Toluene, Chloroform>10000 371, 338 nm (in CH 2Cl 2)424 nm (in CH 2Cl 2) Chloroform, Chlorobenzene 220797-16-0472960-35-3Poly[N,N '-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]N2,N2'-(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl)bis(9,9- dimethyl-N2,N7,N7-triphenyl-9H-fluorene-2,7-diamine)C95H94N4SolventGrade:::1291.79 g/moleToluene, Chloroform>99%CAS No. :1010396-31-2N4,N4'-di(naphthalen-1-yl)-N4,N4'-bis(4-vinylphenyl)biphenyl-4,4'-diamineC48H36N2UVPLSolvent::::640.81 g/mole339 nm (in THF)450 nm (in THF)Toluene, ChloroformNNN4,N4'-bis(4-(6-((3-ethyloxetan-3-yl)methoxy)hexyl)phenyl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamineC52H48N2UVPLSolvent::::700.95 g/mole347 nm (film)439 nm (film)Toluene, ChloroformReference : Journal of Photopolymer Science and Technology,Volume 25, Number 3 (2012) 335–339N NC8H17N4,N4'-bis(4-(6-((3-ethyloxetan-3-yl)methoxy)hexyl)phenyl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamineC60H72N2O4Solvent::885.22 g/moleToluene, ChloroformN4,N4'-bis(4-(6-((3-ethyloxetan-3-yl)methoxy)hexyl)phenyl)-N4,N4'-bis(4-methoxyphenyl)biphenyl-4,4'-diamineC52H48N2Solvent::700.95 g/moleToluene, ChloroformReference : Journal of Photopolymer Science and Technology,Volume 25, Number 3 (2012) 335–339N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dioctyl-fluorene55H64N2CAS No.:::::753.11 g/mole376 nm (in THF)401 nm (in THF)Toluene, Chloroform439942-97-913Solution-Processed OLED MaterialsSolution-Processed OLED Materials14Solution-Processed OLED MaterialsPH Host Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyOLED with a solution-processed emissive layer(FIrPic) composed of PVK derivatives (PCMO, PCOC) for host.PCMO obtained maximum efficiencies ：current efficiency of 42.6 cd/A with an EQE of 22.9% and power efficiency of 29.7 lm/W by pre-heating the emissive solution at an elevated temperature before spin-coating.Best Device ：ITO/PEDOT:PSS(45nm)/PCMO:FIrPic(24wt.%)/TPBi(32 nm)/LiF(0.7nm)/Al(150nm)Energy-level diagramElectroluminescent characteristicsPL of Host & UV-Vis of FIrPicReference: J. Mater. Chem., 2011, 21, 9546-9552Phosphorescent Host Materials HO NHnHONNHn15Solution-Processed OLED MaterialsA soluble small molecule mixed host system consisting of hole t ra n s p o r t i n g m a t e r i a l (TC TA ) a n d b i p o l a r c a r r i e r t ra n s p o r t i n g material(26DCzPPy).Small molecule host made by solution-processed shows the smoothest morphological property similar to a vacuum deposited amorphous film.A low driving voltage of 5.4 V at 1000 cd/m 2and maximum EQE 14.6% are obtained in the solution-processed blue PHOLED.Best Device ：ITO/PEDOT:PSS(60nm)/TCTA:26DCzPPy:FIrPic(10wt.%, 60 nm)/TmPyPB(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)PH Host Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyLuminance vs. VoltagePhotophysical propertiesCurrent Efficiency & Power Efficiency vs. LuminanceReference: Organic Electronics 13 (2012) 586–592NNNSolution-Processed OLED Materials16Solution-Processed OLED MaterialsCompounds for Testing and Research2,6-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridineC 41H 27N 3UVPLSolventCAS No. : : : :: 561.67 g/mole 239,292 nm (in CH 2Cl 2)410 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 1013405-24-7Reference : Organic Electronics 13 (2012) 586-592; Organic Electronics 13 (2012)9,9-spirobifluoren-2-yl-diphenyl-phosphine oxide 37H 25OP CAS No. : : : :: 516.57 g/mole307,317 nm (in CH 2Cl 2)346 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform1125547-88-7Reference : J. Mater. Chem., 2010, 20, 8411-8416Bis[3,5-di(9H-carbazol-9-yl)phenyl]diphenylsilane C 72H 48N 4Si UVPLSolventCAS No. : : : :: 997.26 g/mole 324,338nm (in CH 2Cl 2)362 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 944465-42-3S iNN Reference : Adv. Mater., 2011, 23, 4956-49593-(diphenylphosphoryl)-9-(4-(diphenylphosphoryl)phenyl)-9H-carbazole42H 31NO 2P 2CAS No. : : : :: 643.65 g/mole 295 nm(in CH 2Cl 2)349, 362 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 1226860-68-93,5-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine C 41H 27N 3UV PLSolventCAS No. : : : :: 561.67 g/mole307,317 nm (in CH 2Cl 2)347 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform1013405-25-8NNN2,8-bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d ]thiophene C 36H 26O 2P 2S UV PLSolventCAS No. : : : :: 584.60 g/mole315,328nm (in CH 2Cl 2)339,351nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform1019842-99-953H 36O 2P 2CAS No. : :: 766.8 g/moleToluene, Chloroform1270960-64-7C 56H 35OP UVPLSolventCAS No. : : : :: 754.85 g/mole 275 nm (film) 365 nm (film)Toluene, Chloroform 824426-27-9 Reference : Appl. Phys. Lett. 91, 103507 (2007)NNN SP POO17Solution-Processed OLED Materials4'',4'''-(phenylphosphoryl)bis(N-1-naphthyl-N-phenyl-1,1':4',1''-terphenyl-4-amine)C 74H 53N 2OP UVPLSolvent: : : :1017.20 g/mole349 nm (in CH 2Cl 2) 466 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform Reference : Chem. Eur. J. 2012, 18, 13828-13835Reference : Chem. Eur. J. 2012, 18, 13828-138354''',4''''-(phenylphosphoryl)bis(N-1-naphthyl-N-phenyl-1,1':4',1'':4'',1'''-quaterphenyl-4-amine)C 86H 61N 2OP UVPLSolvent: : : :1169.39 g/mole347 nm (in CH 2Cl 2)471 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, ChloroformReference : J. Mater. Chem., 2011, 21, 9546-9552Poly[3-(carbazol-9-ylmethyl)-3-methyloxetane](C 17H 17NO)nSolvent: : >10,000Chloroform, Chlorobenzene Reference : J. Mater. Chem., 2011, 21, 9546-9552Poly[3-(carbazol-9-yl)-9-(3-methyloxetan-3-ylmethyl)carbazole](C 29H 24N 2O)n Solvent: :>10,000Chloroform, Chlorobenzene Reference : Org. Lett., 2011, 13, 3146-3149C 42H 31NO 2P 2Solvent : :643.65 g/mole Toluene, ChloroformN PPO O 6-(3',6'-di-tert -butyl-6-(3,6-di-tert -butyl-9H-carbazol-9-yl)-9H-3,9'-bicarbazol-9-yl)-9-(4-(3',6'-di-tert -butyl-6-(3,6-di-tert -butyl-9H-carbazol-9-yl)-9H-3,9'-bicarbazol-9-yl)phenyl)-3',6'-bis(3,6-di-tert -butyl-9H-carbazol-9-yl)-9H-3,9'-bicarbazoleC 174H 172N 10CAS No. : : > 10000472960-35-33,5-di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl C 36H 24N 2 SolventCAS No. :: : 484.59 g/moleToluene, Chloroform750573-28-5NNSolution-Processed OLED Materials18Solution-Processed OLED MaterialsPhosphorescent Dopant MaterialsPH Red Dopant Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyRed Ir complexes derivate, Hex-Ir(piq)3, solubility ofthis triplet emitter is high which enable to be uniformly dispersed in the polymer host.Blade coating method is utilized to prepare.The best device efficiencies are 17cd/A current efficiency, 10 lm/W power efficiency, and 8.8% EQE efficiency.Best Device ：ITO/PEDOT:PSS/TFB/PVK:PBD:TPD:Hex-Ir(piq)3(61wt.%: 24wt.%:9wt.%:6wt.%)/TPBi/CsF/Al Energy-level diagramCurrent Density & Liminance vs. VoltageCurrent Efficiency vs. VoltageReference: Synthetic Metals 161 (2011) 148-152NC 6H 13I r319Solution-Processed OLED MaterialsCompounds for Testing and ResearchTris(2-phenylpyridine)iridium(III)C 33H 24IrN 3UVPLSolventCAS No. : : : :: 654.78 g/mole 282,377 nm (in THF) 513 nm (in THF) Toluene, Chloroform 94928-86-6Appl. Phys. Lett. 87, 043508 (2005)Bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)C 27H 23IrN 2O 2UV PLSolventCAS No. : : : :: 599.70 g/mole 259 nm (in THF) 378,524 nm (in THF) Toluene, Chloroform337526-85-9Organic Electronics 13 (2012) 388-393Tris[2-(p-tolyl)pyridine]iridium(III)C 36H 30IrN 3UVPLSolventCAS No. : : : :: 696.86 g/mole 287,373nm (in CH 2Cl 2)514 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 149005-33-4Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III)Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borateiridium(III)Bis(2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridium(III)Tris(2-phenylquinoline)iridium(III)C 28H 16N 3O 2F 4Ir UVPLSolventC 35H 27N 10BF 4Ir UVPLSolventC 31H 23N 2O 2S 2Ir UVPLSolventC 45H 30N 3IrUVPLSolventCAS No. CAS No. CAS No. CAS No. : : : :: : : :: : : :: : : :: : : :694.66 g/mole258 nm (in THF) 472 nm (in THF)Toluene, Chloroform 866.68 g/mole367 nm (in THF)461,490 nm (in THF)Toluene, Chloroform 711.87 g/mole283 nm (in THF)615 nm (in THF)Toluene, Chloroform 804.97 g/mole 271,406 nm (in THF)578 nm (in THF)Toluene, Chloroform 376367-93-0664374-03-2343978-79-0911142-72-8ON F FNFFI rN OSolution-Processed OLED Materials20Solution-Processed OLED MaterialsTris[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline)]iridium(III)63H 66N 3IrCAS No. : : : :: 1057.43 g/mole 323 nm (in CH 2Cl 2)583 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 1268460-37-2Bis(2-(9,9-diethyl-fluoren-2-yl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazolato)(actylacetonate)iridium(III)65H 57N 4O 2Ir CAS No. : : : :: 1118.40 g/mole421 nm (in THF)538 nm (in THF)Toluene, Chloroform 725251-24-1Tris[(4-n -hexylphenyl)isoquinoline]iridium(III)63H 66N 3IrCAS No. : : : :: 1057.43 g/mole 325 nm (in CH 2Cl 2)617 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 1240249-29-9fac -tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III)57H 48IrN 3: : : :967.23 g/mole 400 nm (film)539 nm (film)Toluene, Chloroform21Solution-Processed OLED MaterialsFL Host Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyAll-solution-processed multilayer blue small molecular OLED is fabricated by blade coating method.Fluorescent blue host(DAnF8Pye) used to achieve good solubility and pinhole-free thin film by solu ti on-processed.The device efficiency of all-solution-processed is 4.8 cd/A at 1200 cd/m 2, close to that by thermal deposition in high vacuum chamber.B e s t D e v i c e ：I TO /P E D O T:P S S /D M F L -N P B /D A n F 8P y e :N -B D AV B i -C 6 (2wt. %)/TPBi/LiF/Al Fluorescent Host MaterialsCurrent Efficiency vs. VoltageLuminance vs. VoltageReference: Organic Electronics 10 (2009) 1610-1614C 8H 17C 8H 17Solution-Processed OLED Materials22Solution-Processed OLED MaterialsCompounds for Testing and Research1-(7-(9,9'-bianthracen-10-yl)-9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl)pyrene C 69H 58UV PLSolvent: : : :887.20 g/mole 356nm (in CH 2Cl 2)452nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform210347-52-7Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,7-diyl)]35H 42N 2S)n CAS No. : : : :: 20,000~50,000453 nm (in THF)645 nm (in THF)Chloroform,Chlorobenzene 2,7-bis[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene C 81H 62UV PLSolventCAS No. : : : :: 1035.36 g/mole 353 nm (in THF)397,419 nm (in THF): Toluene, Chloroform474918-42-82-[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene54H 42CAS No. : : : :: 690.91 g/mole 333 nm (in THF)368,386 nm (in THF)Toluene, Chloroform854046-47-21-(7-(9,9'-bianthracen-10-yl)-9,9-dioctyl-9H-fluoren-2-yl)pyrene 73H 66: : : :943.31 g/mole 356nm (in CH 2Cl 2)452nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform23Solution-Processed OLED MaterialsFL Blue Dopant Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyAll-solution-processed multilayer blue small molecular OLED is fabricated by blade coating method.Fluorescent blue dopant(N-BDAVBi-C6) have an alkyl group, used to a c h i eve go o d s o l u b i l i t y a n d p i n h o l e -f re e t h i n f i l m by s o l u t i o n -processed.The device efficiency is 4.8 cd/A at 1200 cd/m 2, close to that by thermal deposition in high vacuum chamber.B e st D e v i c e ：I TO /P E D OT:P S S /D M F L -N P B /DA n F 8P ye :N -B DAV B i (2w t. %)/TPBi/LiF/AlFluorescent Dopant MaterialsCurrent Efficiency vs. VoltageLuminance vs. VoltageReference: Organic Electronics 10 (2009) 1610-1614NNC 6H 13C 6H 13C 6H 13C 6H 13Solution-Processed OLED Materials24Solution-Processed OLED MaterialsCompounds for Testing and Research9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene C 42H 36N 2UV PLSolventCAS No. : : : :: 568.75 g/mole294,471 nm (in CH 2Cl 2)554 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform177799-16-5NN9,10-bis[phenyl(m-tolyl)-amino]anthracene40H 32N 2CAS No. : : : :: 540.70 g/mole292,458 nm (in CH 2Cl 2)532 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform190974-21-15,6,11,12-tetraphenylnaphthaceneC 42H 28UV PL Solvent CAS No. : : : :: 532.67 g/mole 299 nm (in THF)553 nm (in THF)Toluene, Chloroform517-51-1Organic Electronics 11 (2010) 641-648; Appl. Mater. Interfaces, 2011, 3(7), 2496–2503Organic Electronics 10 (2009) 1610-1614Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with dimethylphenyl Poly(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)4,4'-(1E,1'E)-2,2'-(naphthalene-2,6-diyl)bis(ethene-2,1-diyl)bis(N,N-bis(4-hexylphenyl)aniline)(C 29H 40)n UV PLSolventC 16H 18(C 29H 40)n UVPLSolvent25H 32)nC 74H 86N 2UV PL Solvent CAS No. CAS No. : : : :: : : :: : : :: : : :: : 5,000~150,000376 nm (in THF)426,440 nm (in THF)Toluene, Chloroform5,000~150,000368 nm (in THF)421 nm (in THF)Toluene, Chloroform 5,000~150,000389 nm (in THF)418 nm (in THF)Toluene, Chloroform1003.49 g/mole 407 nm (in THF)469 nm (in THF)Toluene, Chloroform19456-48-5201807-75-2C 8H 17C 8H 17nC 8H 17C 8H 17C H 3C H 3H 3CH 3CnNNC H C H C H C H25Solution-Processed OLED MaterialsETL Material Related PublicationPhysical Characteristics & Device EfficiencyS o l u t i o n -p r o c e s s e d b l u e P H O L E D w i t h F I r P i c a s t h e b l u e e m i t t e r a n d a n e w s o l u t i o n -p r o c e s s e d oligoquinoline material(TPyQB) as the ETL.Electron mobility of TPyQB as high as 3.3×10-3cm 2/Vs.This device gave luminous efficiency of 30.5 cd/A ata brightness of 4130 cd/m 2with an EQE of 16.0%.P H O L E D i n c o r p o rat i n g s o l u t i o n -d e p o s i te d E T L wa s over two-fold more efficient than those it containing vacuum-deposited ETL.Best Device ：ITO/PEDOT:PSS/EML/solution-processed TPyQB/Al EML ：blends of PVK and OXD-7 as the polymeric host; doped with FIrPic as the blue emitterE T L ：TPyQB was dissolved and spin-coated a formic acid/water mixture solvent(FA:H 2O=3:1)Electron Transport Layer / Hole Blocking Layer (ETL/HBL) Materials Electrochemical Properties of TPyQBCurrent Density vs. Voltage SCLC Electron Mobility of TPyQBLuminance vs. VoltageLuminous Efficiency vs. VoltageReference: Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 3889-3899NN NN NNSolution-Processed OLED Materials26Solution-Processed OLED MaterialsCompounds for Testing and Research2-(4-biphenyl)-5-(4-tert -butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole C 24H 22N 2O UVPLSolventCAS No. : : : :: 354.44 g/mole 305 nm (in THF)364,380 nm (in THF)Toluene, Chloroform 15082-28-7Australian Journal of Chemistry 2012, 65(9), 1244-12512,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline26H 20N 2CAS No. : : : :: 360.45 g/mole 277 nm (in THF)386 nm (in THF)Toluene, Chloroform 4733-39-54,7-diphenyl-1,10-phenanthroline 24H 16N 2CAS No. : : : :: 332.4 g/mole 272 nm (in THF)379 nm (in THF)Toluene, Chloroform 1662-01-7: 150405-69-9Appl. Phys. Lett. 87, 043508 (2005)3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert -butylphenyl-1,2,4-triazole C 30H 27N 3UV PLSolventCAS No. : : : :429.56 g/mole 290 nm (in THF)370 nm (in THF)Toluene, Chloroform1,3-bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzeneC 30H 30N 4O 2UVPLSolventCAS No. : : : :: 478.58 g/mole 292 nm (in THF)347 nm (in THF)Toluene, Chloroform 138372-67-5Journal of the Society for Information Display, Volume 19, Issue 4, pages 346–352, April 2011CAS No. : 673474-75-4Poly[(9,9-bis(3’-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)]52H 70N 2)n: : : :>7,000378 nm (in CH 2Cl 2)414 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform : 929203-02-1Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane C 42H 42N 3BUVPLSolventCAS No. : : : :599.61 g/mole 331 nm (in THF)382 nm (in THF)Toluene, Chloroform Organic Electronics 11 (2010) 1005-1009BNNN1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene 39H 27N 3CAS No. : : : :: 537.65 g/mole 254 nm (in CH 2Cl 2)353 nm (in CH 2Cl 2)Toluene, Chloroform 921205-03-027Solution-Processed OLED Materials Materials are used by qualified for testing and research only, there are not guaranteed in patent contention by customer use.Head office: 2F, No. 17, R&D Road II, Science-Based Industrial Park, Hsin-Chu 30076, Taiwan, R.O.C., Tel: +886-3-666-3188, Fax: +886-3-666-9288Email: sales@, Web: 3,3',5,5'-tetra[(m -pyridyl)-phen-3-yl]biphenyl C 56H 38N 4UVPLSolvent CAS No. : : : :: 766.93 g/mole 253 nm (in THF)352 nm (in THF)Toluene, Chloroform 1009033-94-6 NN N N1125547-88-71350742-68-59,9-spirobifluoren-2-yl-diphenyl-phosphine oxide C 37H 25N 3OP UVPLSolventCAS No. CAS No. : : : :: : 516.57 g/mole 307, 317 nm (in CH 2Cl 2)346 nm (in CH 2Cl 2) 2-propanolPoly[(9,9-bis(3’-((N,N-dimethyl)-N-ethylammonium)-propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)]Dibromide (C 56H 80Br 2N 2)n UVPLSolvent: : : :>7,000375 nm (in MeOH)440 nm (in MeOH)Methanol, DMF, DMSO Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 3889-38991,3,5-tris(4-(pyridin-4-yl)quinolin-2-yl)benzene C 48H 30N 6UV Solvent: : :690.79 g/mole 273,326 nm (in THF)Methanol, DMF, DMSO NN N N NN。