S100各种Flash烧录指导文档

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河洛FLASH-100烧录器

河洛FLASH-100烧录器

� 传送接口 : USB x 1 � 传送速度 : USB1.1 : 12 Mb/sec. USB2.0 : 480 Mb/sec. 主控电脑需求 � � � � � 电源 � 电源需求 : 100~240 VAC 50~60 Hz � 电力消耗 : ~ 0.8 A 作业溫度 � 0 ~ 40℃ (32 ~ 105 ℉ ) 外观尺寸 � W x D x H 重量 � ~ 0.82 kg (主机) 认证 � CE 认证 ~ 0.86 kg (附加脚座接板) 130mm x 170mm x 40mm 使用 Intel Pentium 4 或其他相容的处理器,具备至少 512MB 的 RAM 拥有至少一个 USB 接口 需要至少 50MB 的硬盘空间 使用 Windows 2000 / XP / Server 2003 / Vista 或更新的操作系统 具有 CD ROM / DVD ROM 光碟机
性能与特色
� 性能卓越: 超高时代核心线路设计大幅缩短新世代大容量记忆 IC 的 烧录时间,精密的脚位驱动线路,提供高速度、低杂讯、精准且稳 定的烧录讯号,滿足包括高速度低电压等特殊 IC 类型的烧录要求。 � IC 支援层面广: FLASH-100S 可支援的 IC 范围极广,涵盖 EPROM, EEPROM, Serial EE, SPI memory, FLASH, MPU/MCU 等 IC 种类及 DIP, SDIP, SOP, SSOP, TSOP, PLCC, QFP, QFN, SON, BGA 等 IC 封裝。 � 设定/操作容易:FLASH-100S 设定/操作容易,藉由 USB 接口连接至 使用 Windows 2000/XP/Server 2003/Vista 操作系统的电脑,载入 烧录资料档案或读取 IC 母片,选择烧录功能 (Program、Verify、 Auto…等) 后即可开始烧录。 � 直载式的脚座接板: 依 IC 封装类型使用特定的脚座接板,避免因 外加脚位转接座而产生的杂散电讯或接触不良影响烧录良率。 � 高度扩充弹性:从研发/工程阶段使用的 FLASH-100S 单颗 IC 烧录, 到试产/量产阶段使用的 FLASH-100 多颗 IC 并行烧录,再到大量生

烧录器烧录NANDFlash注意事项

烧录器烧录NANDFlash注意事项

烧录器烧录NANDFlash注意事项烧录器烧录NAND Flash注意事项摘要:母片的数据读取出来,然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上,却无法正常运行呢?因为客户忽略了NAND flash里面是有坏块!芯片里面的坏块,就好像埋在芯片的“地雷”。

有效的“排雷”方法有哪些呢?日常工作场景:技术支持电话叮铃铃响了,客户在电话用非常紧急的语气说:“使用SmartPRO系列编程器,烧录某款NAND Flash,烧录成功之后,贴板却跑不起来,请紧急帮忙分析原因!”然后呢?…..然后就没有了…………耐心寻找疑点:通常遇到这种情况下,我们都会首先详细询问:“请将您的操作流程详细描述一下。

”发现问题的来源:客户的一五一十的说,他使用了最原始的办法:使用一颗能正常运行的NAND芯片作为母片,连接编程器之后,点击烧录软件上的“读取”按钮,把数据从芯片里面拷贝出来,然后再找几颗空白芯片,把数据拷贝进去。

从客户的描述当中,我们初步找到了原因:原来客户把NAND Flash当作普通Nor Flash 使用了!为了让读者更加愉快地阅读下文,先请本文的主角NAND Flash自我介绍一下1、Nand Flash有自我的存储结构:Nand Flash存储器由多个Block组成,每一个Block又由多个Page组成,每个Page 又包含主区(Main Area)和备用区(Spare Area)两个域;2、NAND Flash是有坏块的:由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块的。

3、NAND Flash有专用的ECC算法:由于NAND Flash本身工艺的特性,在读取或者校验的时候,会出现一个或者多个bit 的出错;为了应对这种情况,NAND Flash引用一种比较专用的校验方法----ECC(Error Correcting Code);4、NAND Flash容易出现位翻转:由于NAND Flash本身硬件的内在特性,在对Flash操作过程中,会偶尔地出现位反转的现象;所谓的位反转(bit flip)指的是原先NAND Flash中的某个位(bit),发生了变化,要么从1变成0了,要么从0变成1了;基于Nand Flash上述1、2、3、4点特性,我们还继续把它当作普通Nor Flash使用吗?NO!重新追溯问题的源头:为什么客户把母片的数据读取出来,然后再把数据原原本本拷贝到其他芯片上,却无法正常运行呢?因为客户忽略了NAND flash里面是有坏块!芯片里面的坏块,就好像埋在芯片的“地雷”,那么我们在读取数据的时候,会把母片里面的“地雷”当成数据!给出排除、解决方案:既然芯片里的“地雷”这么危险,那我们就想办法去躲开它吧,最简单最有效的方法就是:跳过!跳过“地雷”就真的能彻底解决问题了吗?NO!“地雷”是给被我们绕开了,原本写到“地雷”位置的数据,我们也安全转移到下一个块里,但是细心的人也会发现,数据存放的地址也发生了变化!用一个图来描述更清楚一点:很多客户使用NAND Flash来存储大量数据,而这些数据又是由多个文件分别组成,比如uboot、uImage、Logo、rootfs等烧录文件,每个文件在NAND Flash又给分配一定的存储区域,并且指定了每个文件存储的起始物理地址块;如果“地雷”出现在数据区域,为了避开它,势必需要把数据安全往下转移,引起的后果是后续烧录文件的起始物理地址也随着发生偏移了,这将会导致主控MCU无法准确完整地获取每个文件的数据,最终造成的结果是芯片无法跑起来!这样的话,就真的是没办法解决了吗?按分区烧录,完美解决问题按分区烧录,无论“地雷”出现在哪个地方,分区文件都是按照规则,来安排数据的存放的,很好的避开了“地雷”,也将根据客户预设方案存放在NAND Flash存储区内了。

Flash烧写步骤

Flash烧写步骤

Flash程序烧写步骤1、protect off allerase all(如果要同时烧录fpga0、fpga1、vmlinux内核才使用此命令,擦除所有all。

如果只需要更换其中的部分,可单独擦除,如下。

)2、printenv(查看网络连接情况)3、setenv serverip 192.168.11.60(设置电脑地址)4、setenv ipaddr 192.168.11.201(设置UC IP地址)5、saveenv(保存设置)6、setenv ethact octeth1(erase 18080000 180fffff - 如果单独烧写fpga0则使用该命令擦除flash中原fpga0的内容,如果执行了命令“erase all”,则不用执行该命令)7、tftp 20000000 fp0_v200c_0802.app(使用tftp将fpga0从电脑传到UC内存的20000000地址)tftp 20000000 fp0_v200d_20101108.app(软交换)8、cp.b 20000000 0x18080000 0x39998(【1】将刚传到UC内存地址20000000的fpga0拷贝到UC的flash的18080000地址中;【2】注意文件大小正确,此例的大小是0x39998)(erase 19f40000 19ffffff - 如果单独烧写fpga1则使用该命令擦除flash中原fpga1的内容,如果执行了命令“erase all”,则不用执行该命令)9、tftp 20000000 fp1_v2005_0802.app(使用tftp将fpga1从电脑传到UC内存的20000000地址)tftp 20000000 fp1_v2007_20101207.app(软交换)10、cp.b 20000000 0x19f40000 0x39998(【1】将刚传到UC内存地址20000000的fpga1拷贝到UC的flash的18080000地址中;【2】注意文件大小正确,此例的大小是0x39998)(erase 0x18100000 0x186fffff - 如果单独烧写Linux则使用该命令擦除flash中原Linux的内容,如果执行了命令“erase all”,则不用执行该命令)tftp 20000000 vmlinux.64.2011_01_05.gztftp 20000000 vmlinux.64.2011_01_18.gz(1-18最新内核)11、tftp 20000000 vmlinux.64.2011_01_20.gzcp.b 0x20000000 0x18100000 0x598a41(【1】将刚传到UC内存地址20000000的vmlinux.64.gz拷贝到UC的flash的18080000地址中;【2】注意文件大小正确,此例的大小是0x4fcff0)cp.b 0x20000000 0x18100000 0x598a7e(新版本的大小)在其修改了,还是在终端出现错误12、cp.b 0x20000000 0x18100000 0x5cd32113、askenv boot(设置boot参数)Please enter 'boot':gunzip 0x18100000 0x598a41 0x20000000 0xb00000(1-5号的版本)Please enter 'boot':gunzip 0x18100000 0x598a7e 0x20000000 0xb00000(1-18号的版本)14、Please enter 'boot':gunzip 0x18100000 0x5cd321 0x20000000 0xb00000 (1-20号的版本)15、askenv bootcmd(设置boot参数)16、Please enter 'bootcmd':run boot;Init8201;bootoctlinux17、saveenv(保存设置)18、run bootcmd19、在shell终端执行命令:20、~ # ifconfig eth1 up<激活UC网口eth1>21、~ # ifconfig eth1 192.168.11.1 <为UC的eth1网口配置IP地址>------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- <<smba挂载>>将保存到tftp里的tables.dat文件导入:zlj<共享文件名称>,192.168.11.30<PC的IP地址> ————————————————————————————————————————~ # mount -t cifs -o username=ZhangLiJun,passwd='zhanglijun' //192.168.11.30/today /mnt~ # cd /mnt/mnt # lsPromptTone.tar rc.local tables.datdis.tar.gz simple.script uscmacippbx.tar.gz system.conf wm.tar.gz/mnt # cp tables.dat /disk/ (copy tables.dat) ----cp * /disk(copy all file)/mnt # lsPromptTone.tar rc.local tables.datdis.tar.gz simple.script uscmacippbx.tar.gz system.conf wm.tar.gz/mnt # cd /disk//disk # lsPromptTone.tar rc.local tables.datdis.tar.gz simple.script uscmacippbx.tar.gz system.conf wm.tar.gz/disk # chmod 777 */disk # lsPromptTone.tar rc.local tables.datdis.tar.gz simple.script uscmacippbx.tar.gz system.conf wm.tar.gz ————————————————————————————————————————HTTP工具wget 网址-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------22、~ # cd /disk/<打开UC中的目标目录文件夹>23、/disk # tftp -g -r ippbx.tar.gz 192.168.11.60<-g:代表的文件传输方向是从源PC(192.168.11.60)到目的UC(192.168.11.1)> <加载ippbx.tar.gz>24、/disk # tftp -g -r rc.local 192.168.11.60 <加载rc.local >25、/disk # tftp -g -r system.conf 192.168.11.60 <加载rc. system.conf >26、tftp -g -r dis.tar.gz 192.168.11.6027、tftp -g -r PromptTone.tar 192.168.11.6028、tftp -g -r simple.script 192.168.11.6029、tftp -g -r uscmac 192.168.11.6030、tftp -g -r wm.tar.gz 192.168.11.6031、chmod a+rwx *32、chmod 777 * (注意一定要更改权限:UC软件包中的文件都下载完后,重启系统,使下载的文件生效)33、/disk # reboot <软重启>直接掉电重启AX配置说明对AX的配置,只需要根据具体需求,更改AX的IP地址。

FLASH-100操作说明书

FLASH-100操作说明书

FALSH-100烧录器操作说明书版本:A.0编制者:刘霖编制时间:2011年2月20日FLASH-100 操作指示书1、首先将烧录器与电脑连接在一起,步骤如下:1-1、将电源线插入烧录器后部的电源插座(如下图),一端接电源插座;1-2、将USB1-3、确认连接线连接OK 后,打开电源开关(如下图);电源开关2、打开桌面图标:“SACCESS ”(如下图)4、将要烧写的IC准确的放入烧录座内,并点击“器件厂家选择”(如下图)选择器件厂家5、等待界面弹出窗口“Manufacture List”,根据各机型使用的IC进行选择对应IC的厂家;例:CA39MAIN 使用的FLASH IC 厂家及型号:厂家:STM型号:M29W640GT第一步,在“Manufacture List”中选择对应的厂家STM(如下图)厂家名称第二步,在“Typ List”中选择对应的IC型号(如下图),点击左侧方框内的“Run”键,等待设备识别IC6、当设备识别IC后,弹出“SMEMW.EXE-(V1.14)”窗口(如下图)7、程序烧录与擦除步骤说明7-1、进入烧写程序步骤,点击“File”(如下图)选择“Load File to Programmer Buffer”弹出“Load File”方框(如下图)点击相应的路径读取烧录软件程序后,弹出“File Format ”窗口(如下图)“OK ”键MOTOROLA Rescord ” B 、 选择文件起始位数据“00” C 、 选择完成,确认OK 后,点击Checksum”方格内后4位数是否与要求的数据值一致(参考技通文件)后4位数值需与技通文件的要求一致确认OK后,点击“Program”图标,进入烧写界面(如下图)点击此图标进入烧写界面点击后,“Program Device”烧写界面(如下图),并点击“RUN”键烧写点击“RUN到此步骤:烧录已经完成录器共有8个端口,可供8个IC 进行烧录(如上图);的代码: IC ,操作人员在确认时,需按序号对应。

flash烧写说明文档

flash烧写说明文档

flash烧写说明文档烧写说明:准备工作:1:安装Flash burn软件,安装的路径要与ccs安装路径一致,按默认的路径安装就行。

2:把提供的hex文件夹拷贝至C:根目录下。

移除CODEC.cmd文件project。

在文件类型中选择*.s*依次添加boot_c671x_2.s62,c6713_emif.s62两个文件。

在文件类型中选择*.cmd,添加lnk2.cmd文件。

然后点击Rebuid all按钮重新编译所有文件。

到DEC6713_CODEC.out文件,复制该文件到C:根目录下的hex文件夹下。

双击“命令提示符快捷方式”文件。

后关键命令窗口。

然后复制hex文件至工程文件夹下,C:\ti\myprojects\fft080111endDEC6713_CODEC.pjt工程。

打开TOOL下的FlashBurn工具。

在file中单击new。

在conversion Cmd框中添加hex文件夹下的boot.cmd文件。

在File to burn中添加hex文件夹下的DEC6713_CODEC.hex文件。

在FBTC program file框中添加FBTC6713文件夹下的FBTC6713.out文件。

在flash physical 填写0x90000000 ,bytes 0x40000,然后保存,关闭Flshburn界面。

在file工具栏选择load GEL,加载DEC6713.gel文件。

文件。

如上图说明连接正常。

首先点击Erase Flash选项。

单击program下的proram Flash工具,等待烧写完毕,然后关闭ccs,重新给目标板上电,烧写过程结束。

TMS320C62x HPI引导过程的实现摘要:TMS320C62x和TMS320C67x DSPs提供了几种不同的启动模式,不同的启动模式决定了DSP复位后的初始化以及代码装载方式。

本文就TMS320C62x DSP 的HPI启动模式进行详细的说明。

flash烧录说明书

flash烧录说明书

flash烧录说明书
第一步:启动烧录器软件,打开“设置”界面,选择“载入工程”;
图1 启动烧录软件并选择载入工程
第二步:找到烧录工程文件samsung_a5s_factory_ar0130.prj并打开,打开时会要求输入密码(图3),密码是数字123456,然后等待工程载入的完成;
图2 选择工程文件
图3 打开文件时的密码为123456
第三步:检查烧录工程信息的正确性,器件名为SUMSUNG K9F1G08U0D@TSOP48,勾选”
量产模式”,在弹出框中点“确定”,如下图示:
第四步:点击“确定”;(注意:不需要“载入文件”,工程文件已经包含了烧录文件)。

图4 载入工程后的界面
第五步:回到烧录软件的主界面,进行批量烧写;。

FLASH烧录程序说明

FLASH烧录程序说明

NOR FLASH烧录程序说明本文主要介绍怎样使用nor flash烧录程序来烧录代码到nor flash 中,烧录的目标程序是bootloader.dat(启动代码)和asixos.axf(系统代码)。

调试软件的环境是ARM Developer Suit v1.2。

在路径burn kernel or mp3\A FLASH DOWNLOAD\FLASH DOWNLOAD\下打开工程文件FLASH DOWNLOAD.mcp。

打开main.c文件,可以看见烧录代码主程序如下图图1 烧录主程序图中第一步temp = NorFlash_unlock(0x20000000 )为FLASH解锁,如果FLASH的状态为“关”状态,则无法对NOR FLASH进行操作;第二步是擦除NOR FLASH,FLASH只有在擦除之后才能进行写操作。

其擦除是以块为单位,现在Garfield开发板的擦除块大小为ERASESIZE(=0x40000)。

第三步便是加载bootloader到内存中,然后将bootloader从内存中烧录到NOR FLASH中;其中,bootloader放在内存中地址为0x31000000,将其烧录到NOR FLASH地址为0x20000000,大小为0x400;第四步的方法与第三步相同,只是内容不同,是将aisxos.axf加载到内存中,然后将aisxos.axf从内存中烧录到NOR FLASH中;其中,aisxos.axf放在内存中地址为0x31000000,将其烧录到NOR FLASH地址为0x20001000,大小为0x140000。

第五步则是将NOR FLASH置为NORMAL状态,这样可以像访问内存一样访问NOR FLASH。

烧录步骤如下:1. 在ARM AXD窗口点击“File”菜单,如下图所示;图2 Load Memory From File 菜单2. 选择“Load Memory From File…”,将出现下面的对话筐:图3 Load Memory From File 菜单对话框选择所要烧录的文件,即bootload.dat文件或者asixos.axf文件,然后在Address 栏中填入所需的地址(本例中必须填写为0x31000000),最后按“打开”。

flash的烧写

flash的烧写

一、环境搭建1.将开发板用网线接到路由器上(目的是为了开发板能够与pc机在同一个网段上,方便tftp传输)。

2.打开网上邻居->查看网络连接,右击打叉的网卡,如下图:(设置pc机的ip与开发板在通一个网段)3.在打开的对话框中选TCP/IP属性,设置网络地址。

下图中的IP地址可以自由设定,子网掩码同图中保持一致。

4.选择一个工作目录,新建一个文件夹,文件名为tftp(也可自己定义),将u-boot.bin文件、zImage文件等,拷贝到该目录。

5.解压tftpd32.400.zip,打开tftpd32.exe软件,设置文件夹位置和IP地址,如下图所示:6.将开发板用串口同PC串口相连,打开SecureCRT,新建一个串口连接,连接的设置如下:7.开发板接上电源,打开电源开关,在串口终端中可以看到以下内容:二、制作镜像文件(制作版本)1、进入ipc的后台执行如下命令:生成u-boot.bin:cat /dev/mtdblock0 > u-boot.bin生成uImage:cat /dev/mtdblock1 > uImage生成rootfs.img:cat /dev/mtdblock2 > rootfs.img生成config.bin:cat /dev/mtdblock3 > config.bin上面的命令要正确的执行首先得确保分区是存在的,而且分区里面都已烧写了对应的文件。

分区的创建:(参考)Creating 5 MTD partitions on "hi_sfc":mtdbloc0 0x000000000000-0x000000100000 : "boot"mtdbloc1 0x000000100000-0x0000003e0000 : "kernel"mtdbloc2 0x0000003e0000-0x000000dc0000 : "rootfs"mtdbloc3 0x000000dc0000-0x000000f00000 : "config"mtdbloc4 0x000000f00000-0x000000f10000 : "key"三、进入u_boot烧写nand flash1、启动ipc,在u_boot启动完成后,按任意键进入u_boot命令模式。

烧录FLASH笔记

烧录FLASH笔记

U1朝上,芯片朝上(1脚),靠近自己放芯片,底座也是
打开桌面:
步骤1:XACCESS—Device—Select—Mxil(选择芯片公司)—勾选SerialE/EEROM—选择型号—Run—read—Run(选项)—
--记录Counter:的数据,如08001FF,再直接点击Run,检查第二次Counter:的数据是否相同,相同就点击Close。

步骤2:点击File –Save File from Programme Buffer
文件名填写XX.bin XX为自己命名的文件,可以是中文
文件类型:选择“.bin”
步骤3:点击File,打开需要烧录的软件路径,然后点击load—ok—Auto—Run—busy灯变绿就OK 了。

备注:所谓的烧录FLASH,是把旧的程序烧到新的芯片上,检查芯片是否正常罢了.
步骤1,步骤2为读操作,要是只要烧录软件,直接操作步骤3即可。

程序烧录说明范文

程序烧录说明范文

程序烧录说明范文程序烧录是指将已经编写好的程序通过相应的方法写入微控制器/微处理器芯片中,使其能够在硬件平台上运行。

在烧录过程中,需要将程序通过一些特定的工具或设备写入到目标芯片的存储空间中,以实现对芯片的控制。

程序烧录的目的是将程序固化到芯片中,使得芯片可以在没有外部存储器的情况下独立运行。

烧录过程中需要注意一些问题,下面将对程序烧录的详细步骤和注意事项进行介绍。

1.准备烧录工具:常见的烧录工具包括烧录器、编程器、仿真器等。

根据不同芯片的类型和接口要求,选择合适的烧录工具。

有些烧录工具需要连接到计算机上进行操作,而有些则可以独立工作。

3.连接烧录工具和目标芯片:将烧录工具连接到计算机或者目标芯片的接口上。

连接方式可以是USB、串口、JTAG等,不同芯片有不同的接口要求,需要根据具体情况进行选择。

4.指定目标芯片和烧录参数:在烧录软件中选择目标芯片的型号和烧录参数。

这些参数包括芯片的供电电压、时钟频率、存储区域分配等信息。

确保烧录参数与目标芯片的规格要求一致,避免烧录失败或者损坏芯片。

5.导入程序文件:将编写好的程序文件导入到烧录软件中。

程序文件可以是可执行文件、二进制文件、HEX文件等。

确保程序文件的正确性和完整性,以免烧录后程序无法运行或者出现异常。

6.擦除目标芯片:在烧录之前,需要清空芯片中的存储空间,以确保新的程序能够完整地写入。

烧录软件一般提供擦除操作,选择擦除芯片或者指定需要擦除的存储区域。

7.开始烧录:在确认没有问题之后,点击烧录软件中的烧录按钮,开始进行烧录操作。

烧录过程可能需要一定的时间,具体时间取决于程序的大小和烧录器的速度。

8.验证烧录结果:烧录完成后,烧录软件会自动进行烧录结果的验证。

验证过程包括读取芯片中的程序数据,并与原始文件进行比对,以确保烧录的正确性。

9.测试程序功能:在烧录完成并验证通过后,可以将目标芯片连接到相应的硬件平台并进行功能测试。

确保烧录的程序在硬件上能够正常运行,并满足预期的功能需求。

烧录培训教程

烧录培训教程
▪ 按下烧录器的“YES”按纽,开始下一组芯
片的烧录。
▪ 烧录结束后,烧录器上的相应指示灯会变
亮,不亮的为烧录不成功。
注意事项
▪ 操作人员必须戴防静电腕带或防静电手套。 ▪ 放入、取出芯片必须轻拿轻放,防止将芯片引脚
折弯、折断。
▪ 放入芯片时,注意芯片方向,不准放反。 ▪ 在芯片烧录时,烧录器上的“BUSY”指示灯(红
HILO程序烧录机
状态指 示灯: 烧录结 束后, 烧录器 上的相 应指示 灯会变 亮,不 亮的为 烧录不 成功。
电源指 示灯
BUSY 指示灯
YES 按钮
HILO软件说明
校 验 和
当前设 备动作 指示
状态 视窗
操作说明
▪ 依次将烧录芯片放入芯片插座,不可硬按
芯片,只需轻按插座上层,芯片会自动正 确归位。
行判断原材料的状态。
▪ IC烧录好后,用铅笔在烧录良品的IC
本体上写上烧录标示,标示编号方法 为:“机种编号+IC版本+烧录元编号” 或“机种代号+烧录员编号”,具体要 求详见工艺卡,严格要求必须先烧录 后做标记。
机器型号
▪ ELNEC ▪HI LO
BeeHive4 GANG-08
ELNEC操作说明
色)会点亮,此时不可放入、取出芯片,不可强 行关闭计算机及正在运行的程序。
▪ 注意已烧录的芯片和待烧录芯片须区分放置,防
止相互混淆。
点检保养
▪ 每日对机台除尘、去污、整理清洁。 ▪ Check脚座底盘清洁密合,每日检
查,Check电源开关、灯号检查、 及设备接地。
8﹑发放使用
程序烧录控制表
生 班 物料 规 程 校 标 领用 烧录良 余 不 作 验

【最新】flash实验指导书-优秀word范文 (14页)

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NAND Flash烧录说明及注意事项

NAND Flash烧录说明及注意事项

烧录时的注意点(2)
4)是否使用Spare Area?(Spare Area:小页 Nand为每页的最后16个字节,大页Nand为 每页的最后64个字节,也有其他格式,具 体根据芯片) 5)Spare Area要存放的数据在准备烧录的数 据文件里,还是由编程器或者程序产生?
烧录时的注意点(3)
6)如果Spare Area要存放的信息由编程器或者程序 产生,需要客户提供它的数据结构。要求细致 到字节的含义。 7)如果在Spare Area中存放ECC信息,请问您使用 那种ECC算法? A.512B ECC Code B.256W ECC Code C.4-bit ECC Code D.其他 8)客户是否可以提供ECC算法源程序?如果SPARE 区无须烧录器常用的三种坏块处理方法
• A) 跳过坏块 (Skip bad block)。 这是一种最常用的坏块处理方法。它的实 现原理比较简单,顺序烧录,发现某一块 为坏块后,将相应数据烧录到下有个好块, 如果发现连续的坏块的话,也连续的跳过 这些坏块,并把数据烧录的下一个出现的 好块中。其原理如下图
谢谢
北京兆易创新科技股份有限公司 北京市海淀区学院路30号 科大天工大厦A座12层 电话:+86-10-82881666 info@
NAND FLASH烧录的复杂性(4)
烧录时的注意点(1)
1)使用哪一种坏块处理方式? A.直接跳过(Skip Bad Block) B.保留替代 (Reserved) C.分区模式(Partition) D.XSR E.其他 2)要烧录的映像文件有多大?由几个文件构 成,对地址有没有定位要求? 3)烧录程序中是否改变了坏块标志位,如果 改变了,重新存放在什么地方?
跳过坏块 (Skip bad block)

Flash烧录SOP

Flash烧录SOP

Flash烧录SOP本文主要针对工厂出现的批量烧录问题,以9832CV项目为例着重介绍了Flash基础知识、生产母片的制作过程、烧录器烧录过程;希望读者通过阅读本文能够对Flash的烧录有一个比较全面、大概的了解,便于后续项目的开发,减少不必要的重复工作。

一、Flash基础知识1、Flash的存储原理与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。

栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。

采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存掉电记忆能力。

与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。

NAND型Flash的擦和写操作均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层,对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。

而NOR型Flash擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层),但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。

2、NandFlash单元组织结构如下所示,一般而言一片Flash由多个块(block)组成,一个块又分为若干页(page,一般是64页),一页由main area(2K bytes)与OOB area(128 bytes)区域组成。

通俗的讲,我们将一片Flash类比为一个小区。

小区里的一栋房子好比Flash的一个块,房子的每一层好比Flash的一页,而每一层的一户人家就好比Flash的每一page的存储单元,另外每户人家都平均分配有8间房,类比Flash的一个字节存储单元,为了以示区分我们又将每一层某些区域分配给特殊用户居住,这就好比Flash的OOB区域。

块(block)是Flash的最小擦除单位,一般一个块大小为128K(0x20000),也有256K 及512K的,具体查看Flash的规格书;页(page)是NandFlash的写入操作的最小的单位,常见的nand flash页大小大都为为2KB(0x800),被称作big page;老的nand flash,页大小是256B,512B,这类的nand flash被称作small page。

S100TE烧录器读母片+文件处理+量产烧录详细操作说明

S100TE烧录器读母片+文件处理+量产烧录详细操作说明

一、母片数据读取说明1.打开S100T软件.进入到操作界面.2.将所需要读取的母片放置到烧录座内软件上面点击. 勾选对应的烧录座. 将UserAreaBoot0Boot1 点击都勾选进行读取(图1所示) . 再选择文件保存路径.(图2所示)等待进度完成后弹出窗口则表示读取完成.(图3所示)3.读取完成后会生成4个文件.分别为:User.ECSD.Boot0 .BOOt1二、母片文件处理第一步…………………User文件压缩第二步…………………ECSD文件比对第三步…………………BOOT文件查看1. User 文件进行压缩处理:打开我们软件再点击将User文件载入点击开始压缩. 等其进度完成.(如中途弹出窗口请点击OK 在等待其进度到100% 表示压缩完成压缩完成的文件会跟原文件在同一路径文件格式为.C.IMG 如果没有BOOT区无需写数据.此文件可当作最终烧录文件)2.确认ECSD文件设置:我们可以通过文件比对工具将ECSD文件打开跟空白芯片的ECSD进行比较. 如母片跟空白芯片A2-B3段有差异的地方则表示ECSD需要设置举例:下图母片在B3(B3为十六进制转换十进制为179)的位置跟空白芯片有差异母片此处为38 则在烧录器上面设置的时候则如A2-B3段数据处没有差异则表示ECSD 不需要设置.3.确认 BOOt0 、BOOt1 文件是否写入数据:通过提供的比对工具可以进行查看BOOt0 、BOOt1文件是否有数据 .举例1::图1所示BOOt0 Boot1 数据全部为0则表示没有数据.在烧录的时候无需烧录BOOT区.可直接用..C.IMG文件进行烧录举例2:图2所示中BOOt0有数据. BOOt1没数据则需要将BOOt0文件跟.C.IMG文件进行合并合并后的文件格式为 _.C.IMG文件. (如:BOOt0 、BOOt1都有数据则同样要将BOOt0 、BOOt1文件跟C.IMG 文件进行合并)BOOT. User 合并方法见见此文档最后.4.采取读母片的方式烧录必须确认以上步骤后.获取到正确的参数设置后方可进行烧录注:1. 如果母片没有烧录BOOT区则直接用压缩好的.C.IMG文件进行烧录. 2. 如果母片有BOOT区文件则需要将BOOT文件跟User文件进行合并生成的_.C.IMG文件才可当作烧录文件来烧录。

赛普拉斯 烧录指导

赛普拉斯 烧录指导

烧录知道说明:
准备工作:把要烧录的板插上电源和仿真器(注意PIN脚方向:烧录器连接线红色一边对应丝印:BKGD/MS那边),当仿真器上2个指示灯全亮表示正常工作。

1.打开烧录界面:
如图:
A.打开界面
B.界面打开后点击DEBUG图标进去烧录界面
2.进入烧录界面的过程:
A.步骤一
B.步骤二
C.正常进入烧录界面
(注:如果没有正常进入,需要检查连接,重新进行以上操作) 3.烧录过程:
A.选择程序
B.选择程序
C.选择程序
等程序自动运行完毕既是烧录完毕。

如果需要进行下个板的烧录,只需要换上需要烧录的板(通电,插上烧录器),重复<3:烧录过程>这个步骤即可
几点注意事项:
1.连接不正常时可能出现的情况(这时需要检查连接:电源或者烧录器):
A.烧录器上的蓝黄两灯没亮。

B.出现以下这种情况。

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[S100各种FLASH烧录指导文档]
Prepared by
拟制贺飞
Date
日期
2012-12-15
Reviewed by 评审人Date
日期
yyyy-mm-dd
Approved by
批准
Date
日期
yyyy-mm-dd
深圳创维数字技术股份有限公司
Revision Record 修订记录
Table of Contents 目录
目录
1Purpose 目的 (4)
2Scope 范围 (4)
3NAND FLASH芯片型号选择 (4)
4S100烧录器NAND FLASH烧录指南 (5)
5S100烧录器历史问题和解决方法 (10)
1 Purpose 目的
为确保创维数字技术股份有限公司(以下简称创维数字)在产品开发项目中的工作产品质量稳定,对S100烧录器烧录各种Flash过程进行规范化描述,特制定本文档。

制定此文档的目的是为了达到以下预期:
1.对正在使用的各种平台各种FLASH进行整理
2.建立完善的各平台FLASH数据库
3.了解并正确使用S100烧录器对Flash进行烧录操作
4.控制和预防在烧录贴片文件过程中存在的各种风险
2 Scope 范围
S100烧录器适用于各平台大部分Flash的烧录
3 NAND FLASH芯片型号选择
[在本节中,列举了这篇文档中所使用的所有缩写和简称等术语。

]
4 S100烧录器NAND FLASH 烧录指南
请在使用S100烧录器之前确认好硬件连接无误,使用烧录软件正确。

4.1 将Flash 放入到烧录器烧录座上,打开烧录器;打开烧录工具S100
(桌面上有,或者
E:\bin\s100.exe )
4.2 选择“器件”,打开器件选择对话框,输入芯片的完整或部分型号字母,选
择相应的算法,确认后会弹出相应的Flash 信息,选择对应的算法。

4.3装载烧录软件,选择点击打开,选择分区表和数据文件,并按确认键确认。

确认后将自
动加载。

加载需要时间,请耐心等待。

4.4选择字节反转(此步骤若无要求,禁止执行)。

选择点击打开,点击编辑框中
“交换”会出现字交换选择框,选择反转字节后确认,待字节反转后按“确定”退出。

4.5选择器件配置字。

点击打开“器件配置字”,按下图要求填写,并确认进行下一步操作
1.芯片一般工作电压在一个范围内,假设是
2.7-
3.6V,那么烧录器默认提供的电压为折中值为3.3V,那么V Adust默认的值10就是表示3.3V的电压,该16进制数每增加或者减少1,电压值会相应的增加或减少0.1V。

2.UBA(use block area):在烧录时我们可以设定指定范围内区块的烧写及校验。

3.设定指定范围内坏块的检测。

4.是否使用spare区,若不使用点disable,否则选择used。

5.选择坏块处理模式,常用的是skip和partition方式,Hardcopy方式是无论是读写都不考虑坏快标记位,不考虑芯片
出厂的坏快标记位。

6.只有Boot Check Assert选择Enable,上述1和2的功能才能正式被开启。

7.按照默认设置即可。

8.按照默认设置即可
4.6编辑烧录步骤。

点击“编辑AUTO”进入编辑框,根据需要编辑烧录步骤,NAND FLASH 烧录
时建议选择“Erase-〉Program-〉Verify”三步,顺序不可倒置。

点击确认进行下一步操作
4.7开始烧录。

所有设置OK后,选择烧录工具左侧“Auto”进行烧录即
可。

烧录过程如下图:
当出现校验成功的提示时,烧录完成,烧录成功。

5 S100烧录器历史问题和解决方法
5.1若烧录过程中出现“缓冲区地址、数据”报错,如下图,需进行“硬擦除”处理:
[文档名称]
Copyright © 深圳创维数字技术股份有限公司 Page 11, Total 11 第11页,共11页
操作:重新选择“器件配置字”,如下图设置并确认。

然后点击烧录器软件左侧“Erase ”选项进行擦除操作,会提示擦除成功。

然后再重新设置“器件配置字”,进行烧录操作。

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