多晶电池工艺培训
多晶电池生产工艺流程培训课件
• 原理：利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对硅进行氧化和络合 剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成 类似“凹陷
坑”状的绒面。
•
Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O
•
SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O
二、太阳电池生产工艺
二、的接触和遮光率；Ag浆料中的 玻璃添加料在高温（~700度）下烧穿SiN膜，使得Ag金属接触硅 片表面，在银硅共熔点（760度）以上进行合金化。
二、太阳电池生产工艺
分类检测
工作原理：
本系统通过模拟AM（Air Mass）1.5 1000W/m2太阳光脉冲照射PV电 池表面产生光电流，光电流流过可编程模拟负载，在负载两端产生电 压，负载装置将采样到的电流、电压传送给SCLoad计算,得到IV曲线 及其它指标，并根据实际光强和温度对它们进行修正。SCLoad 根据 测试结果，按照给定的分类规则分类，将分类结果传送给分检系统，
多晶电池生产工艺流程
目录
一、 太阳电池简介 二、 太阳电池生产工艺
一、太阳电池简介
1、太阳电池简介 太阳电池是一种对光有响应并能将光能转 换成电力的器件。
太阳能电池，又叫光生伏打电池，它是以半 导体材料为基础的一种具有能量转换功能 的半导体器件，是太阳能光伏发电的最核 心的器件。
一、太阳电池简介
二、太阳电池生产工艺
二、太阳电池生产工艺
• 工序六，丝网印刷：
•
用丝网印刷的方法，完成背场、背电极、正栅
线电极的制作，以便引出产生的光生电流；
•
工艺原理：
•
给硅片表面印刷一定图形的银浆或铝浆，通过
多晶硅的生产工艺图及车间工艺培训21页
还原氢化工序工艺讲义第一节工序划分及主要设备一、三氯氢硅还原的工序划分单元号工序名称T1100/T1101三氯氢硅(TCS)蒸发T1200/T1201四氯化硅(STC)蒸发T100/T101还原T200/T201氢化T300硅芯拉制T400硅芯腐蚀T500破碎、分级T600超纯水制取T700实验室(分析检测中心)T800/801钟罩清洗T900冷却水循环系统T1000HF洗涤二、主要原辅材料及质量要求物质纯度原料三氯氢硅TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb）四氯化硅STC≥98%氢气H2≥99.999%硅芯Si≥99.999%；电阻率≥50Ω·cm(暂定)；Φ5mm ；长2m石墨电极高纯辅料硝酸分析纯氢氟酸优纯级或分析纯洗涤剂氢氧化钠分析纯或化学纯酸洗剂氨基磺酸化学纯超纯水电阻率＞18M·Ω三、主要设备设备个数位号三氯氢硅(TCS)蒸发器4T1100AB001/002 T1201AB001/002四氯化硅(STC)蒸发器4T1200AB001/002 T1201AB001/002还原炉及氢化炉的静态混合器2AM100还原炉18T100/T101AC001-009氢化炉9T200AC001-005 T201AC001-004硅芯拉制炉6T300AC001-006区熔炉1T700AC001冷却水及冷却去离子水缓冲罐4T900/T901AB001-002全自动硅块腐蚀清洗机1T400HF洗涤塔1T1000AK001A/B第二节 三氯氢硅氢还原工艺一、还原工艺描述图1 三氯氢硅氢还原工艺流程简图经提纯的三氯氢硅原料，按还原工艺条件的要求，经管道连续加入蒸发器中。
向蒸发器夹套通入蒸汽使三氯氢硅鼓泡蒸发并达到10bar ，三氯氢硅的汽体和一路一定压力的高纯氢气（包括干法分离工序返回的循环氢气）在混合器AM100中以1：3的比例混合，经三层套管换热器加热后经进气管喷头喷入还原炉内。
工艺培训2-22 (NXPowerLite)
P9
员工培训资料
准备组
焊带
装
轴 式 包
光伏组件焊接过程中的重要 原材料， 原材料，焊带质量的好坏将 直接影响到光伏组件电流的 收集效率， 收集效率，对光伏组件的功 率影响很大 的
盘式包装
Confidential
P10
员工培训资料
准备组
EVA
公司用的EVA ：Bridgestone 公司用的 EVA的特性：在常温下无粘性， 的特性： 的特性 在常温下无粘性， 便于裁剪操作。使用时， 便于裁剪操作。使用时，发生 热交联固化， 热交联固化，产生永久性的粘 合密封， 合密封，可经受各种气候环境 和恶劣条件下使用。 和恶劣条件下使用。 常见缺陷：破损、污渍、 常见缺陷：破损、污渍、杂物 等
Confidential
P32
员工培训资料
外观检查过程中常见问题
操作不当： 动作不规范，造成电池片破损 尺寸控制不严格，排版不齐，造成组件不良或返工 检验不到位，组件内有毛发、杂物等 待层压组件放置不规范，造成电池片移位 防护措施不当： 未戴指套、指套破损或没有及时更换指套，汗渍、 指纹印在电池片和背板上，无法去除
P28
员工培训资料
串联焊接过程中常见问题
操作不当： 电烙铁温度监控不当，容易造成虚焊、爆片 取放不规范，造成电池片破损、脏污等 不同颜色的电池片串联在一起，造成组件不良或返工 未将焊带完全焊接在银浆上，会造成虚焊。 防护措施不当： 未戴指套、指套破损或没有及时更换指套，汗渍、 指纹印在电池片上和背板上，无法去除 串联板上清洁工作未做好，造成电池片正面脏污
—层叠组— 层叠组—
Confidential
P30
员工培训资料
层叠过程中常见问题
多晶硅生产工艺培训
多晶硅生产工艺培训1. 简介多晶硅（Polycrystalline silicon，简称poly-Si或多晶硅）是一种重要的半导体材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和电池制造等领域。
多晶硅的生产工艺非常关键，正确掌握工艺技术可以提高生产效率和产品质量。
本文档将介绍多晶硅生产的基本工艺和注意事项。
2. 原料准备多晶硅的制备过程需要使用高纯度硅粉作为原料。
硅粉的纯度对多晶硅的品质有直接影响，通常要求硅粉的杂质含量控制在ppm级以下。
同时，硅粉的粒径也要根据具体工艺要求进行选择。
在原料准备过程中，还需要进行混料和筛选等操作，确保原料的均匀性和质量。
3. 炉内反应多晶硅的制备主要通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）的方法进行。
在炉内反应过程中，首先向炉腔中注入硅源气体，例如氯气和硅烷气体等。
同时，通过加热炉腔使气相反应进行，生成多晶硅。
炉内反应的条件包括温度、压力和气体流量等。
温度和压力的控制对于多晶硅的纯度和结晶度有重要影响，一般需要在严密控制的炉腔内进行。
气体流量的控制则决定了多晶硅的生长速率和晶粒尺寸。
4. 结晶和提拉在炉内反应结束后，多晶硅以小晶粒的形式存在于反应室内。
为了进一步提高晶粒尺寸和纯度，需要进行结晶和提拉操作。
在结晶过程中，多晶硅在高温下逐渐长大，晶粒逐渐增大。
同时，通过控制结晶速度和晶体形态，可以调控多晶硅的性质。
提拉指的是将结晶好的多晶硅通过拉伸操作变成长晶体。
在提拉过程中，需要控制拉伸速度和拉伸的方向，以获得所需的晶体尺寸和外形。
5. 制品后处理在多晶硅的生产工艺中，制品后处理是不可忽视的环节。
主要包括去除表面杂质、研磨和切割等步骤。
去除表面杂质是为了提高多晶硅的纯度和表面质量。
常用的方法包括化学抛光和酸洗等。
研磨和切割则是为了获得所需的多晶硅片。
通过机械研磨和切割操作可以获得平整、光滑的多晶硅片，以用于太阳能电池等领域的制造。
6. 质量控制多晶硅生产的质量控制非常重要。
单晶硅多晶硅的生产工艺以及性质特点培训课件
流
硅烷化
溶剂
溶液回收与 NaAlF4分离
合格多晶硅 脱氢
的热分解
（粒状）
程
NaAlF4（干燥）
反应制取
图
NaAlF4
高纯硅。 脱氢硅（粒状）
反应原理
硅镁合金法工艺
Komatsu
硅化镁法
硅烷制法
氯硅烷歧化工艺
Union Carbide
歧化法
金属氢化物工艺
MEMC公司发 明的新硅烷法
硅烷法小结
❖ 硅烷热分解法能耗仅为40 KW·h／kg
（2）与氧化性酸反应： 在常温下硅对多数酸是稳定 Si + 4HF == SiF4↑ + 2H2↑ Si + 4HNO3+6HF == H2SiF6+4NO2+4H2O
（3）与碱反应： 在常温下硅能与稀碱溶液反应 Si + 2OH - + H2O == SiO32- + 2H2↑
硅的分类
硅
工业硅
传统方法
1
2
3
改良西门子法 硅烷法
流态床反应法
改良西门子法
改 良 西 门 图子 工 艺 流 程
西门子法， 即采用H2还 原SiHCl3生 产高纯多晶
硅的方法，
由德国 Siemens公 司发明并于 1954年申请 了专利， 1965年左右 实现了工业 化。
改良西门子法主要包括五个环节
SiHCl3的合成 精馏提纯SiHCl3 SiHCl3的氢还原 尾气回收
尾气回收方法主要有冷冻法和吸附分离法
尾气回收示意图
活性炭吸附纯化氢气
从吸收塔顶部出来的氢气被送到活性炭吸附柱进行吸附，以除 去其中含有的极少量氯硅烷和氯化氢，获得纯净的氢气。纯氢 气可以直接返回相应的原工序中使用。
多晶电池生产工艺流程
多晶电池生产工艺流程引言多晶电池是一种常见的太阳能电池，其制造过程需要经历多个工艺环节。
本文将介绍多晶电池的生产工艺流程，包括硅料制备、电池片生产、电池组装等环节。
硅料制备多晶电池的关键材料是硅料，它主要由硅石制得。
硅石经过选矿、破碎、粉碎等步骤后，通过冶炼和晶体生长等工艺加工成多晶硅。
选矿选矿是将含有较高硅含量的矿石从众多矿石中分离出来的过程。
常见的矿石有石英砂、石英岩等。
选矿的目的是获得纯度较高的硅石。
破碎和粉碎选矿后的硅石需要进一步破碎和粉碎，以获得符合要求的粒度。
通常采用颚式破碎机和球磨机进行破碎和粉碎。
冶炼破碎和粉碎后的硅石通过高温冶炼的方式提取纯度较高的硅。
冶炼过程中，硅石加入还原剂和助熔剂，通过高温反应生成纯度较高的硅。
晶体生长通过冶炼得到的硅制成硅棒，再通过晶体生长工艺，使硅棒逐步生长为多晶硅。
晶体生长通常采用Czochralski方法或素描方法。
电池片生产多晶电池片是多晶电池的核心组成部分，通过将硅材料制成电池片，可以将太阳能转化为电能。
切割硅片首先，将制得的多晶硅进行切割，制成薄片。
切割硅片的过程需要使用专用的切割机械，以保证切割的精确度和平整度。
研磨和抛光切割好的硅片表面可能存在一些不平整的部分，需要进行研磨和抛光。
研磨和抛光可以提高电池片表面的质量和光吸收能力。
电池片制备经过研磨和抛光的硅片需要进行光栅化处理和P-N结制备。
光栅化处理是为了提高电池片的光吸收能力，而P-N结制备是为了实现正负极之间的电荷传导。
金属化经过P-N结制备的电池片需要进行金属化处理，即在电池片表面涂覆金属电极。
金属电极的作用是将电池片中的电荷导出，形成电流。
电池组装电池组装是将多个电池片组装在一起，形成一个完整的电池。
清洗和检查在组装过程之前，需要对电池片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
清洗后，还需要对每个电池片进行检查，确保无缺陷和损坏。
接线焊接接下来，将多个电池片通过焊接连接起来。
焊接通常使用铜带或铝带进行，以确保电流的传导性和可靠性。
多晶硅培训计划
多晶硅培训计划第一部分：培训背景和目的1.1 背景介绍多晶硅是一种广泛应用于光伏产业的重要材料，其质量和生产工艺的优劣直接影响光伏电池的性能和成本。
随着光伏产业的快速发展，多晶硅的需求量也在不断增加。
因此，培训多晶硅的相关知识和技能对光伏企业和研发人员来说至关重要。
1.2 培训目的本培训计划旨在为光伏产业相关从业人员提供全面而系统的多晶硅知识和技能培训，让学员能够掌握多晶硅相关的基本原理、工艺流程、设备操作和质量控制等知识，提升其在光伏产业中的竞争力和专业水平。
第二部分：培训内容和形式2.1 培训内容本培训计划主要包括以下几个方面的内容：（1）多晶硅的基本原理：包括多晶硅的结构与性质、原料选用、熔炼方法等基本知识；（2）多晶硅的生产工艺：介绍多晶硅的生产流程、设备使用和工艺控制等；（3）多晶硅的质量控制：重点介绍多晶硅的质量标准、检测方法和质量控制技术；（4）多晶硅的应用前景：探讨多晶硅在光伏产业中的应用前景和发展趋势，以及相关的市场需求和竞争形势。
2.2 培训形式本培训计划将采用多种形式进行，包括课堂授课、实验操作、案例分析、讨论交流等。
课堂授课将由多晶硅领域的专家和资深从业人员担任，他们将结合自身的经验和研究成果，为学员们提供全面而深入的知识和技能培训。
实验操作环节将由实验技术人员指导学员进行相关操作，以增强学员们的实际操作能力和技能。
第三部分：培训对象和时间安排3.1 培训对象本培训计划主要面向光伏产业相关从业人员、科研院所的研究人员以及大专院校的本科和研究生学生等。
希望参与本培训的学员们具有一定的材料科学和工程领域的基础知识和技能，并对多晶硅的相关技术和应用领域感兴趣。
3.2 培训时间安排本培训计划将采取集中授课和实践操作的形式进行，总计培训时间为30天。
具体时间安排如下：（1）第1天至第5天：多晶硅基本原理和生产工艺的讲授和实验操作；（2）第6天至第10天：多晶硅质量控制和检测方法的讲授和实验操作；（3）第11天至第15天：多晶硅的应用前景和市场需求的讲授和案例分析；（4）第16天至第20天：学员们进行相关项目的研讨和总结，并撰写相关论文或报告；（5）第21天至第30天：学员们进行实际项目的操作和实践，由专家和导师进行现场指导和指导。
多晶硅电池制备工艺研究
多晶硅电池制备工艺研究首先，多晶硅电池的制备一般分为几个主要步骤，包括硅原料制备、硅棒制备、硅片裁切、电池片制备和模块组装等。
在硅原料制备过程中，关键是选择高纯度硅原料并采取合适的熔融技术。
高纯度硅原料可以提高多晶硅的质量和晶格结构。
熔融技术则可以控制硅熔体的温度和压力，以获得高质量的硅棒。
硅棒制备是多晶硅电池制备过程中的一个重要环节。
其中，硅棒的生长方式有多种选择，包括单晶法、细晶法和渣化法等。
不同的生长方式对硅棒质量、成本和制备周期等有着不同的影响。
目前，多晶硅电池主要采用渣化法生长硅棒。
硅片裁切是将硅棒切割成合适尺寸的硅片的过程。
硅片的质量和尺寸对电池的性能有着重要影响。
常用的硅片裁切方法有线锯法和切割盘法。
线锯法具有高效率和低成本的优点，但会产生较大的损耗。
切割盘法可以减少硅片损失，但制备过程较复杂，成本较高。
电池片制备是将硅片转化为多晶硅电池的关键步骤。
其中，关键的工艺包括表面漂白、扩散、沉积反应、金属化和打孔等。
扩散技术是提高多晶硅电池转换效率的关键工艺之一、常用的扩散方法有液相扩散法和气相扩散法。
液相扩散法具有简单易行、温度和时间可控等优点，而气相扩散法则具有高效、成本低和无液相污染等特点。
最后，模块组装是多晶硅电池生产的最后一个环节。
电池片通常通过焊接技术连接成电池组，再通过封装工艺封装成完整的太阳能电池模块。
模块组装的质量和工艺的稳定性对电池的性能和寿命有着重要影响。
综上所述，多晶硅电池制备工艺的优化和改进措施主要包括优化硅原料制备、改进硅棒制备、提高硅片裁切技术、改进电池片制备工艺和优化模块组装等方面。
通过对这些环节的改进和优化，可以提高多晶硅电池的转换效率、降低成本并提高生产效率，从而推动太阳能电池的发展和应用。
光伏组件工艺员培训计划
光伏组件工艺员培训计划一、背景介绍随着清洁能源的发展，光伏发电成为了一种重要的可再生能源来源。
光伏组件是光伏发电系统中的一个关键部件，其质量和性能直接影响着整个光伏发电系统的运行和发电效率。
因此，培养一批专业的光伏组件工艺员对于提高光伏组件的生产质量和性能至关重要。
二、培训目标针对未来光伏市场的需求，培养具备光伏组件生产工艺、质量控制、问题分析与解决能力的工艺员，提供一批技术过硬，责任心强，积极进取的员工，以满足光伏组件行业的用人需求。
三、培训内容1. 光伏组件工艺基础知识：包括光伏组件的结构与原理、材料组成、生产工艺等基础知识。
2. 光伏组件生产流程：包括硅片清洗、电池片切割、组件焊接、封装等生产流程。
3. 光伏组件质量控制：包括组件入库检验、生产过程中的质量控制、出货前的检测等内容。
4. 光伏组件问题分析与解决：包括组件生产中常见问题的分析与解决方法。
5. 安全生产知识：包括生产过程中的安全注意事项，急救知识等。
四、培训方式1. 理论培训：通过课堂讲授和专业培训材料的学习，让学员掌握光伏组件生产的理论知识。
2. 实操培训：通过实际操作光伏组件生产设备，让学员了解和掌握生产流程并提高操作技能。
3. 实地考察：参观光伏组件生产企业，了解实际生产过程和现场管理。
五、培训时间安排为了让学员能够充分掌握培训内容，本培训计划安排为周期为3个月。
具体每周培训时间为5天，每天8小时，包括理论和实操培训。
六、培训考核1. 理论考核：对学员的培训内容进行考试，考核学员对光伏组件工艺相关知识的掌握程度。
2. 实操考核：对学员在操作光伏组件生产设备时的技能进行考核。
3. 出勤考核：对学员在培训期间的出勤情况进行考核。
七、培训师资本培训计划将邀请在光伏组件生产领域具有丰富经验的专家学者和行业精英担任培训师，他们将为学员提供理论和实操培训，并分享他们在光伏组件生产领域的宝贵经验。
八、结业证书完成培训并通过相关考核的学员将获得结业证书，证明其在光伏组件工艺方面的专业能力。
电池片培训计划
电池片培训计划一、培训目标1. 使培训对象了解电池片的基本原理和工作原理，掌握电池片的分类和特点。
2. 使培训对象掌握电池片的安装、使用和维护方法，提高操作技能和安全意识。
3. 提高培训对象对电池片的认识，增强其对环保、节能和可再生能源的意识和责任感。
二、培训内容1. 电池片的基本原理和工作原理（1）电池片的结构和功能（2）电荷的移动和电流产生（3）光伏效应和光伏原理2. 电池片的分类和特点（1）单晶硅电池片、多晶硅电池片和非晶硅电池片的特点和适用范围（2）其他新型电池片的发展和应用情况3. 电池片的安装和维护方法（1）电池片的安装方式和注意事项（2）电池片的使用和维护方法（3）电池片的故障检修和处理方法4. 环保、节能和可再生能源意识（1）环保意识的重要性和实践（2）节能意识的重要性和实践（3）可再生能源的意识和责任三、培训方法1. 实地考察和讲解2. 理论与实践相结合3. 互动讨论和案例分析四、培训计划培训时间：3天培训地点：公司培训室及实地考察地点培训人员：公司电池片使用人员和相关技术人员培训安排：第一天上午：电池片基本原理和工作原理讲解下午：电池片分类和特点讲解第二天上午：电池片的安装和维护方法讲解下午：实地考察和讲解第三天上午：环保、节能和可再生能源意识培训下午：总结、答疑和考核五、培训评估1. 考核方式：闭卷笔试和实地操作考核2. 考核内容：电池片的基本原理、分类和特点、安装和维护方法3. 考核结果：合格者发放培训证书，不合格者提供补考机会六、培训总结通过此次培训，相信员工们对电池片有了更深入的了解，同时也提升了对环保、节能和可再生能源的认识，更加具备了处理和维护电池片的能力和意识。
希望公司能够继续加强对员工的培训和教育，为未来可持续发展做出更大的贡献。
PECVD培训教材
21
产线常见的薄膜缺陷
正常片
常见缺陷
表面发白（膜厚偏厚）
表面脏片(后清
色差(气路堵塞, 石英管漏气,微
白点(后清洗问题）
洗问题）
22
波故障等)
5.常见异常处理
1.膜厚问题：
SPEC：监测频率一批测5片 （某一框一横排）， 膜厚 80+/-5 mm, 折射率2.05~2.15 反射率<6.5
2.薄膜中的氢对电池的表面钝化降低了发射结 的表面复合速率，减小了暗电流，提升了 开路电压，从而提高了光电转换效率；在 烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些SiH、N-H键，游离出来的H进一步加强了对 电池的钝化。
多晶硅电池镀膜前后的I-V曲线
14
二.工艺体系
1.工艺原理 2.PECVD工艺影响因素 3.PECVD的工艺调整原则 4.检验标准 5.常见异常处理 6.工艺流程注意点
24
5.常见异常处理
B.单侧膜厚折射率偏大或偏小： 现象：一般两侧膜厚应差不多，但偶尔会出现左边或右边偏红，偏红是说明Wafer偏薄，这是 气孔被堵住导致或可能石英管漏气。 异常处理： a. 先多量几片，排除单片性，单框性的异常。看目前的折射率是否正常。 b. 确定需调整则 调整折射率 SiH4 flow 100.3~0.4 (集气系统界面）至正常范围内看片子是 否仍然发红，膜厚是否达到要求。(气流量也会影响膜厚） c. 调整折射率无效，调整微波。 微波调整原则： ① 左侧偏红调整右侧，右侧偏红调整左侧。 ② 在工艺腔/参数界面修改，修改后需要重新加载工艺才能生效。 ③ 停止/加载/开启要注意在工艺腔内没有wafer的情况下进行。因此停止前要记录目前 speed/flow。 ④ 六根管子修改要一致，修改步长建议50，不要超过200 . d. 记录修改时间及前后参数，多测量几片确定修改效果。 e. 异常材料返工。
多晶电池片生产工艺
多晶电池片生产工艺
多晶电池片生产工艺是制造太阳能电池的关键步骤之一。
多晶电池片以多晶硅为基材生产，经过一系列的工艺步骤来制造出高效、高质量的太阳能电池。
首先，原材料的准备是多晶电池片生产工艺的第一步。
多晶硅是制造多晶电池片的主要原料，它是通过石英砂经过高温冶炼、纯化、结晶等步骤得到的。
这些过程需要严格控制温度、压力和纯度，以确保多晶硅的质量。
接下来，多晶硅通过切割机械切割成薄片，厚度通常为0.2-
0.3毫米。
这些薄片将成为太阳能电池片的基材。
之后，薄片进入扩散炉，经过高温处理。
在扩散炉中，将磷源涂覆在薄片表面，然后通过高温使磷浸入薄片内部，形成p型硅区。
完成扩散后，薄片需要进行腐蚀处理。
腐蚀可以去除表面的氧化层，使薄片表面更加光滑。
这可以提高电池片的光电转换效率。
接下来是沉积反应层。
在沉积反应层内，利用高温和气体反应，将硅化物沉积在薄片表面，形成n型硅区。
沉积层的厚度要经过严格控制，以确保薄片的性能稳定。
完成沉积后，薄片需要进行打孔。
通过激光或机械打孔，使电池片的正负电极相连。
这可以提供电流传输的通道，以使电池
片能够输出电能。
最后，电池片经过清洗和检查等步骤，然后进行筛选和分级。
只有质量合格的电池片才能继续用于太阳能电池组件的生产。
多晶电池片生产工艺是复杂而精细的过程，需要严格控制各个环节的工艺参数，以确保产品的质量和效率。
随着技术的不断发展，多晶电池片生产工艺也在不断创新和改进，以提高太阳能电池的性能和降低成本。
电池片全工序基础工艺培训资料
电池片全工序基础工艺培训资料一、引言电池片是太阳能光伏发电系统的核心组件之一，其质量直接影响着光伏发电系统的性能和效益。
为了提高电池片的生产质量和工艺水平，本培训资料旨在介绍电池片全工序基础工艺，包括材料准备、切割、清洗、扩散、沉积、腐蚀、电极印刷、烧结、检测等环节。
二、材料准备1. 硅片选择：硅片是制造电池片的基础材料，应选择高纯度、低杂质的硅片。
2. 硅片切割：使用切割机将硅片切割成适当大小的方片，以适应后续工艺的要求。
3. 硅片清洗：将切割好的硅片放入清洗槽中，使用超纯水和清洗剂进行清洗，去除表面污染物。
三、扩散工艺1. 扩散介质制备：将扩散介质溶解在适当的溶剂中，制备成扩散浆料。
2. 扩散工艺参数设定：根据硅片的要求和产品规格，设定合适的扩散工艺参数，如温度、时间、浓度等。
3. 扩散过程控制：将硅片放入扩散炉中，控制好温度和时间，使扩散介质中的掺杂元素能够渗透到硅片中。
四、沉积工艺1. 沉积介质制备：将沉积介质溶解在适当的溶剂中，制备成沉积浆料。
2. 沉积工艺参数设定：根据电池片的要求和产品规格，设定合适的沉积工艺参数，如温度、时间、浓度等。
3. 沉积过程控制：将硅片放入沉积槽中，控制好温度和时间，使沉积介质中的材料能够均匀地覆盖在硅片表面。
五、腐蚀工艺1. 腐蚀介质制备：将腐蚀介质溶解在适当的溶剂中，制备成腐蚀浆料。
2. 腐蚀工艺参数设定：根据电池片的要求和产品规格，设定合适的腐蚀工艺参数，如温度、时间、浓度等。
3. 腐蚀过程控制：将硅片放入腐蚀槽中，控制好温度和时间，使腐蚀介质能够去除硅片表面的不需要部分。
六、电极印刷工艺1. 电极浆料制备：将电极浆料中的材料粉末与适当的溶剂混合，制备成电极浆料。
2. 电极印刷工艺参数设定：根据电池片的要求和产品规格，设定合适的电极印刷工艺参数，如压力、速度、温度等。
3. 电极印刷过程控制：将电极浆料均匀地印刷在硅片表面，控制好印刷的厚度和均匀性。
七、烧结工艺1. 烧结装置准备：将印刷好电极的硅片放入烧结装置中，设定合适的温度和时间。
多晶硅太阳电池培训
多晶硅太阳电池培训一、多晶硅太阳电池的原理和制造过程多晶硅太阳电池是利用多晶硅材料的光电效应将太阳能转化为电能。
其工作原理是当太阳光照射到多晶硅太阳电池上时，光子的能量会激发多晶硅中的电子，使其跃迁到导带中，从而形成电流。
多晶硅太阳电池的制造过程包括多个步骤，主要包括原料准备、硅棒拉制、硅片切割、电池片制备和组件制造等环节。
二、多晶硅太阳电池的应用多晶硅太阳电池可以广泛应用于家庭、工业和商业领域。
在家庭用途方面，多晶硅太阳电池可以安装在屋顶或者庭院等地方，供应家庭用电；在工业领域，多晶硅太阳电池可以用于发电设备的供电以及电网的应急备用电源；在商业领域，多晶硅太阳电池可以用于建筑物的嵌入式发电系统，满足商业用电需求。
三、多晶硅太阳电池培训的内容多晶硅太阳电池培训通常包括理论课程和实践操作两个部分。
在理论课程中，学员将学习太阳能发电的基本原理、多晶硅太阳电池的结构和性能以及制造工艺等知识；在实践操作中，学员将学习多晶硅太阳电池的组装、安装和维护等技能，以及安全操作规范和应急处理等内容。
四、多晶硅太阳电池培训的重要性多晶硅太阳电池培训对于从事太阳能领域的人员来说非常重要。
首先，多晶硅太阳电池是一种高技术产品，其制造和应用需要专业知识和技能，培训可以帮助学员掌握相关知识和技能，提高工作效率和质量。
其次，太阳能发电是未来能源发展的重要方向，培训可以帮助学员了解行业发展趋势和市场需求，提高就业竞争力。
再次，多晶硅太阳电池培训可以提高学员的安全意识和责任心，减少事故发生的可能性，确保生产和使用的安全。
总之，多晶硅太阳电池培训是太阳能领域从业人员必须接受的培训项目，通过培训可以提高从业人员的专业技能和知识水平，确保太阳能发电设备的安全、高效运行，推动太阳能产业的快速发展。
希望未来能有更多的人员接受多晶硅太阳电池培训，为太阳能产业的发展做出贡献。
五、多晶硅太阳电池培训的未来发展随着清洁能源产业的快速发展，多晶硅太阳电池培训将会迎来更广阔的发展前景。
电池片生产车间培训计划
电池片生产车间培训计划一、培训目标为提高电池片生产车间员工的技能和专业知识，提高产品质量和生产效率，制定以下培训计划：1. 提高员工对电池片生产工艺和流程的理解和掌握；2. 增强员工的操作技能和安全意识；3. 培养员工团队合作意识，提高团队协作能力；4. 树立员工对公司产品质量、环保和安全的责任意识。
二、培训内容1. 电池片生产工艺和流程的介绍- 硅材料加工和制备- 晶体生长和切片- 电池片的清洗、检测和封装2. 电池片生产设备的操作和维护- 加工设备的操作技巧- 设备日常维护和故障处理- 紧急情况的处理和安全意识培养3. 产品质量控制和检测技能- 产品质量检测的操作流程- 常见质量问题及解决方法- 质量管理体系的要求和执行4. 环保和安全生产方面的知识培训- 生产废气、废水的处理和排放管理- 可燃、易爆等危险品的安全操作- 火灾、泄漏等紧急情况的处理方法5. 团队合作和沟通技巧培训- 团队协作的重要性和原则- 沟通技巧和解决问题的方法- 团队目标的确定和达成三、培训计划针对以上培训内容，制定如下培训计划：1. 硅材料加工和制备培训- 培训时间：2天- 培训方式：理论培训+实际操作- 培训内容：硅材料的性质和加工工艺，加工设备的操作和维护2. 晶体生长和切片培训- 培训时间：2天- 培训方式：理论培训+实际操作- 培训内容：晶体生长和切片的工艺流程，设备操作技巧和安全注意事项3. 电池片清洗、检测和封装培训- 培训时间：2天- 培训方式：理论培训+实际操作- 培训内容：清洗、检测和封装工艺流程及设备操作，质量控制方法和环保要求4. 设备操作和维护培训- 培训时间：2天- 培训方式：理论培训+设备操作- 培训内容：各类加工设备的操作技巧和注意事项，设备日常维护和故障处理方法5. 产品质量控制和检测技能培训- 培训时间：2天- 培训方式：理论培训+案例分析- 培训内容：产品质量检测的操作流程和方法，常见质量问题分析和解决方法6. 环保和安全生产知识培训- 培训时间：1天- 培训方式：理论培训+模拟演练- 培训内容：环境保护和安全生产法规，危险品的安全操作和紧急情况处理方法7. 团队合作和沟通技巧培训- 培训时间：1天- 培训方式：理论培训+团队合作活动- 培训内容：团队协作原则和技巧，沟通方法和问题解决模拟演练四、培训评估1. 培训前测评：通过对员工的基础知识和技能进行测评，为培训前确定培训内容的难易程度和重点。
太阳电池工艺培训资料
硅片表面化学腐蚀处理（一次清洗）
• 绒面微观图
100X光学显微镜-单晶
100X金相显微镜-单晶
1000X电子扫描镜-单晶
1000X电子扫描镜-多晶 1000X电子扫描镜-多晶
容非常复杂，这里不再赘述）
• 重要参数
光照强度：100mw/cm2（即1000W/m2）
关系：
转换效率，功率，电池片面积（125单晶为例148.6cm2）的
功率=光照强度*面积 *转换效率
短路电流（Isc），开路电压（Voc），填充因子（FF），功 率的关系：
功率=Isc*Voc*FF
最大工作电流（Im），最大工作电压（Vm），功率的关系：
制PN结（扩散）
目的：在P型硅表面上渗透入很薄的一层磷，使前表面变成N型，使
之成为一个PN结。
原理 ：
POCl3液态源：通过气体携带POCL3分子进入扩散炉管，使之反应生 成磷沉淀在表层。磷在高温下渗透入硅片内部形成N区。
POCl3液态源扩散原理图
4POCL3 + 5O2 = 2P2O5 + 6Cl2↑ 2P2O5 + 5Si = 4P + 5SiO2
很容易发
离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，
生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
直接式PECVD
间接式PECVD
镀减反射膜（PECVD）
利用波的干涉 原理来达到减 反射效果
镀减反射膜（PECVD）
反射率
S iH 4N H 3 S ixN yH z
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• 设备因素
• 中途跳闸，中途降温
• 温度、流量异常 • 尾管不热（尾管堵塞） • 尾管热，炉内尾管断裂 • 均流板 • 保温棉 • 偏磷酸污染
• 操作因素
• 程序加载错误 • 程序跳步 • 提前结束 • 提前运行
• 水痕，指纹等污染导致的颜色异常片
注意事项：
• 注意扩散炉高温危险。 • 保持扩散炉台面的清洁。 • 保持生产用具的清洁。 • 定期清洗石英炉管、石英舟等物件。 • 按照净化间要求着装。 • 装、卸硅片时，需带棉布和PVC双层手套，
2P O 5Si 5SiO 4P
2
5
2
扩散重要衡量数据方块电阻：
方块电阻：就是表面为正方形的半导体薄层，在电流方向所 呈现的电阻。
生产规范：
1、扩散上、下片时，规范操作，轻拿轻放，过程中 硅片不得撞击石英舟槽、舟杆,舟壁 (严禁听到硅 片撞击石英舟的声音)
2、注意工艺卫生，及时更换PVC手套，严禁手直接 接触硅片。
清洗
目的：为了保证多晶电池制绒后，进行扩散工序时， 硅片表面的清洁、干燥，利用盐酸、氢氟酸和去 离子水，去除硅片表面残留的溶液和杂质；利用 甩干机将硅片表面的水甩干。
生产注意点：
硅片经清洗后表面脱水效果良好，甩干后表面 清洁、干燥。
操作要求:
1，要求员工生产或维修等作业时，需按要求着装， 佩戴干净的手套；
上 片
刻蚀槽
HNO3/ HF
水 喷 淋
碱洗槽
水 喷
水 去PSG槽 喷
风
KOH 淋
HF
淋刀
下 片
“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。
多晶制绒原理：
在酸性溶液的腐蚀作用下硅片表面产 生蜂窝状绒面，该腐蚀现象可以用氧化化 学腐蚀的理论进行解释。化学反应方程如 下：
硅被HNO3氧化，反应为：
制绒后硅片上表面: 颜色较亮
制绒后硅片下表面:颜色较暗（作为扩散面）
注意事项：
– 制绒设备运行过程中必须确保负压排风系统运行正常。
– 制绒设备的观察窗在生产过程中除维修外必须关闭，如 确实需要开启，处理完问题后必须及时关闭；设备运行 过程中，严禁将身体的任何部位伸入设备内，任何情况 下严禁单独在设备内工作。
2，要求加换液操作时，需先擦拭干净化学品瓶的外 壁，换液时需对各槽进行清洗并取出清洗槽中残留 的碎硅片。
3，清洗机槽体、进出料口需保持清洁；
4，甩干机内部需保持干净；
5，晶片盒，花篮等按规定区域存放，避免沾污引入 清洗甩干过程
注意事项：
• 清洗机的酸液排放量和频次需要与外围废水处理能 力相适合，避免环境事故；
多晶硅太阳电池培训
一期太阳电池生产大致分为： 1，制绒 2，清洗 3，扩散 4，刻蚀 5，PECVD 6，印刷烧结 7，测试分档
制绒
目的： • 去除损伤层 • 形成减反射绒面（陷光结构）
多晶制绒:
原材料检验 酸制绒机 扩散前清 洗
制绒槽 水洗槽 碱洗槽 水洗槽 酸洗槽 水洗槽
烘干
SCHMID 大致构造
扩散目的：
在硅片表面，通过三氯氧磷液态源扩散的办 法形成PN结。
扩散装置示意图
扩散原理
• POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷 （PCl5）和五氧化二磷（P2O5），有充足的 氧气时，其反应式如下：
POCl3 O2 600C P2O5 Cl2
生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二 氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：
SiO2 6HF H 2[SiF6 ] 2H 2O
工艺关键控制点：
1、腐蚀深度，即硅片减少的厚度（腐蚀速率）
2、溶液配比，自动补液量
3、温度(制绒槽反应的温度 ) 4、带速，烘干情况等
• 刻蚀：通过HF-HNO3溶液与硅片的化学反应 去除边缘及背面的P-N结。
– 在使用腐蚀性化学制品时必须做好防护工作。
– 设备使用过程中各部位必须保持清洁，要求定期清理碎 片和清洗槽体。
– 操作人员必须按要求佩戴好防护用品，严禁裸手接触硅 片。
工艺关键控制点：
1、腐蚀深度，即硅片减少的厚度（腐蚀速率）
2、溶液配比，自动补液量
3、温度(制绒槽反应的温度 ) 4、带速，制绒槽循环流速等
3Si 4HNO3 3SiO2 2H2O 4NO
用HF去除SiO2层，反应为：
SiO2 6HF H 2[SiF6 ] 2H 2O
总反应为：
3Si 4HNO3 18HF 3H2[SiF6 ] 8H2O 4NO
生产规范：
不允许手直接接触硅片，需佩戴PVC手套。手套污 染后必需更换。
3、工作现场禁止进食和饮水。
生产关注点：• 电阻大小控制 • 温度源自线，工艺程序运行是否正常（时间，温度
）
• 炉门密封性 • 磷源（源温，磷源剩余量，漏液） • 极差控制 • 炉门密封性 • 温度补偿 • 调整气流配比(N2；O2；LN2) • 少子寿命控制 • 炉管以及舟的清洗，饱和 • 操作规范性，人为污染
刻蚀
目的：
经过SCHMID化学溶液刻蚀的处理，将扩散 后硅片的背面和边缘进行刻蚀，去除PN结（只保 留正面的PN结），同时去除正面的PSG（磷硅玻
璃）。
刻蚀流程：
扩散
SCHMID刻蚀
镀膜
刻蚀 水洗 碱洗 水洗 HF酸洗 水洗 吹干
刻蚀原理：
同制绒原理。
去PSG原理：
扩散过程中在硅片表面形成一层含有磷元素的 SiO2，称之为磷硅玻璃。
• 进行加液和换液操作时，人员需按规定佩戴劳保用 品；
• 正常生产时，清洗机的窗口需关闭，保证抽风效果 ，避免酸雾外泄；
• 遇到酸泄露或人员接触酸液后，需按照MSDS（化 学品安全说明书）的方法进行正确处理；
• 甩干机运转未停止时，禁止开盖； • 正常生产时，关闭清洗机的照明灯
扩散
• 制作太阳电池的硅片导电类型是P型的，也就是说在制造 硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P型的硅 片。如果我们把这种硅片放在一个石英容器内，同时对此 石英容器内加热到一定温度，并将含磷的气体通入这个石 英容器内，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容 器内充满着含磷的蒸汽。磷原子能从四周进入硅片的表面 层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。在 有磷渗透的一面就形成了N型，在没有渗透的一面是原始 P型的， 这样就达到了在硅片内部形成了所要的PN结。---这就是所说的扩散。