HMQR-R-015B(人工检查版图清单)

□电源线为鱼脊骨形状分布
□多电源时（例如Vcc、VEE、VGG等），Vcc和VSS优先通过交叉
□电源线和地线宽度尽可能宽，宽度至少大于2倍信号线宽度（含间距）
□电源线与地线宽度由通过电流大小来决定，一般为5-8μ宽，大电流处已加宽
□宽的电源线和地线的铝条上开有隙缝
8、检查阱和衬底偏置
□在版图的每个单元中都有阱偏置和衬底偏置
□在640μm2面积内必须有衬底或阱偏置
9、走线过“地道”的检查
A铝栅工艺（P阱）
□与电源连接的“通道”是N+，而不是P+
□与电源连接的N+“通道”电阻尽可能小
B硅栅工艺
□阱内仅使用多晶作“通道”
□阱外仅使用多晶作“通道”
□没有采用有源区通道
□输出管和压点间的“通道”电阻尽可能小
10、耗尽注入检查
□作逻辑电路用的耗尽管，已由LVS检查过
检查说明：在完成DRC、ERC和LVS后，进行上述人工检查。如果小项检查结果是合题意的，请在小方框内打上“√”，不合题意的，请在小方框内打上“×”，并在条款后注明原因或结果，与芯片无关的，请在小方框内画“/”。大项检查结果则分别用“√”、“×”、“/”表示合格、不合格、无关。
检查项目
结果
项目清单
原因
□电阻选用N+电阻，并在P型衬底上或P阱中
□电阻选用P+电阻，并在N型衬底上或N阱中
□电阻选用多晶电阻
□电阻选用阱电阻，阱电阻通过有源区同A1连接
□电阻选用阱电阻，P阱电阻用P型有源区连接，N阱电阻用N型有源区连接
□电阻不是夹层电阻，阱电阻上无扩散区
□已考虑了场注入对阱电阻的影响
5、抗光照检查
□阱电阻上加有铝复盖
□压点下面的多晶与AL之间接触孔小于5μm×5μm
□压点根部引出线宽度≥25μ
□压点根部引出线与多晶或扩散区连接时，接触孔面积和≥30μ2
□压点与有效图形之间的间距大于15μm
2、ESD保护的检查
□保护电路有保护二极管
□保护二极管面积≥600μ2，且尽可能大（在频率许可时）
□保护二极管采用多孔接触
□保护二极管的同类接触孔到PN结的距离一致
□总体布局是否合理
□各功能块测试点检查
□作连线用的耗尽管的电阻值要尽可能小
□除电容区和耗尽区有注入外，没有出现其他不需要的注入区
11、正向PN结检查
□全部用作“地道”接线的扩散区，已避免正向PN结偏置
□MOS管漏区电压和衬底偏置没有正向PN结偏置
12、电荷分配效果检查
□动态电路的输出节点和内部节点间要考虑电容上的电荷再分配
□动态电路要考虑不同电路形式单元间的连接关系
□驱动电感与电容的输出级的电源线和输出线不与其他信号线交叉
□驱动电感与电容的输出级的电源线和输出线与其他信号线之间已用Vss或Vdd隔开
检查项目
结果
项目清单
原因
7、检查电源线与地线（VSS）
□数字部分与模拟部分用的电源线和地线分开压焊
□电源线及地线没有被隔断，没有用其他层连接
□电源线及地线未隔断，并采用其他层连接时，接触孔已足够多
□在模拟电路栅极上加有铝复盖
□在漏电流敏感的结区加有铝复盖
6、抗噪音检查
□数字电路与模拟电路中间有间隔
□模拟电路之间有间隔
□有驱动要求的信号线已加宽
□在输入端口增加了延迟或去抖动电路
□已调整了晶体管的W/L，使噪音容限提高
□把大电流缓冲级的电源线单独分开
□高频信号线由Vss或Vdd与其他信号线隔开
□驱动电感与电容的输出级的电源线和输出线远离其他信号线
□保护电路有MOS保护管
□保护电路有场开启保护管
□MOS输出管的漏区面积≥600μ2，且尽可能大（在频率许可时）
□采用双环保护，保护环直接与A1接触，并有足够接触孔
□用于保护的MOS管漏加有阱
□MOS输出管、MOS保护管的同类接触孔到栅的距离一致
□MOS保护管N管栅接地；P管栅接电源
□MOS保护管的宽长比大于150/1
□采用改变一块版就能休整逻辑或版图的布局变化
16、DRACULA命令文件检查
□采用了标准DRACULA检查命令文件
□DRACULA检查输出有错误的地方已全部人工查错
□确认已采用最新的输入文件及数据
□检查命令文件改进后重复检查了上述二项内容
17、中间修改的检查
□压点分布没有变化
□电路图没有修改
□修改数据后做过DRC、ERC、LVS验证
□掩模版公差值修改合理
18、Frame检查
□PCM图形正确
□PCM中有采用的全部器件结构
□预先考虑了流片结果，并在PCM设计有准备改进或采用的器件结构
□制版文件正确，制版文件的层名和层号是否对应
□制版数据，特别是新生成的数据已检查
□制版数据的涨缩已检查
19、总体检查
□各典型元器件结构、尺寸设计是否合理
□输入端的上拉或下拉MOS管引起的电流在规定的规范内
□驱动外接NPN管的输出端静态时为“0”电平
□驱动外接PNP管的输出端静态时为“1”电平
□CMOS管倒相器没有P管和N管同时导通
15、提供版图修改方便的实施检查
□在可修改的地方增加了额外晶体管、电阻、电容
□电流输出器件的沟长不能太小（防止工艺过程的沟长变化而引起输出电流不够大）
无锡市芯丰半导体有限公司
人工检查版图清单
项目名称
检查人
检查结论
项目组长
检查日期
检查项目
结果
项目清单
原因
1、压焊点的检查
□压焊点的分布满足封装要求
□钝化孔的位置与对应管脚顺序是正确的
□钝化孔大于85μm×85μm
□钝化孔的中心间距大于135μm
□输入电阻条宽大于10μm
□压点下面有阱
□压点下面有多晶
□压点下面的多晶与AL之间有接触孔
检查项目
结果
项目清单
原因
13、对于模拟电路设计
□采用了抑制从电源线、时钟线和地线串入噪声的设计
□采用了抑制从衬底注入噪声的设计
□考虑了上升时间、过冲或电路高频响应
□考14、静态功耗的检查
□静态时振荡器线路保证不起振
□ROM中的上拉或下拉MOS管或输入电路在静态时是开路的
3、电容的检查
电路选用的电容结构：□P型电容；□N型电容；□MOS电容；□多晶1与多晶2电容；□其他
□P型电容或N型电容的下极版（有源区）有正确的注入层
□P型电容或N型电容的二个电极（多晶区和扩散区）连接正确
□若电容有一电极直接接电源时，极性连接正确
□若电容有一电极直接接地时，极性连接正确
4、电阻检查