电子线路单元测试题(二极管部分)
电子线路基础测试题库(网络教育)
总分: 100 得分: 0单选题(共100题)(1).关于集成运放的应用说法不正确的是（）。
(1分)回答:正确答案:D.在同应用中不可能有时处于开环状态有时处于闭环状态得分:0(2).对镜像电流源电路的说法不正确的是（）。
(1分)回答:正确答案:C.其交流内阻越小越好得分:0(3).以下关于负反馈的说法错误的是( )。
(1分)回答:正确答案:D.可减小噪声得分:0(4).N沟道JFET参与导电的载流子是（）。
(1分)回答:正确答案:A.自由电子得分:0(5).对于结型场效应管，当|Vgs|>|Vgs(off)|时，管子工作在（）。
(1分)回答:正确答案:C.截止区得分:0(6).根据反馈放大器框图，当反馈信号与输入信号的极性相同，从而使净输入信号减小时，称此反馈为（）。
(1分)回答:正确答案:B.负反馈得分:0(7).对于电流放大器，我们希望（）。
(1分)回答:正确答案:B.输入电阻小，输出电阻大得分:0(8).把交流电转化为直流电的过程称为（）。
(1分)回答:正确答案:A.整流得分:0.(9).以下关于负反馈的说法错误的是（）。
(1分)回答:正确答案:D.并联负反馈应取xi=vi得分:0(10).关于集成运放的闭环应用以下说法错误的是（）。
(1分)回答:正确答案:D.包括触发器应用得分:0(11).关于发射极接电阻的共射放大器说法不正确的是（）。
(1分)回答:正确答案:D.该电阻减小了输出电阻得分:0(12).可将小信号放大器看成有源四端网络，则以下说法错误的是（）。
(1分)回答:正确答案:B.输出电压除以输出电流为输出电阻得分:0(13).若两个单级放大器负载短路时的电流增益分别为A1和A2，两级级联后测得总的电流增益约等于A1A2，则可判断（）。
(1分)回答:正确答案:B.前级输出电阻远小于后级输入电阻得分:0(14).若系统是个无零三极点系统，A(s)的三个极点角频率满足wp3=10wp2=100wp1，则以下说法不正确的是（）。
电子技术基础第一单元《半导体二极管》测试卷
《电子基础基础》单元测试卷姓名：学号：得分：一、填空题：1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。
3、PN结具有特性，即加正向电压时PN结，加反向电压时PN结。
4、硅二极管导通时的正向管压降约V，锗二极管导通时的管压降约V。
5、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已；有一硅管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已。
6、三极管有三个电极，即极、极和极，分别用符号、和或、和表示。
7、半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管发射结的死区电压约V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三接管电流放大系数太小，电流放大作用，电流放大系数太大，会使三极管的性能。
11、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、选择题：1、最常用的半导体材料是（）A、铜B、硅C、铝D、锗2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通3、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路D、电阻4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）A、约等于150VB、略大于150VC、等于75VD、等于300V5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、增大B、减小C、不变D、先变大后变小6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆档拨到（）A、R╳100B、R╳1KC、R╳1D、R╳10K7、用万用表R╳100档来测试二极管，如果二极管（），说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零B、正、方向电阻都为无穷大C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D、反向电阻为几百欧，正向电阻为几百千欧8、发光二极管工作时，应加（）A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压9、三极管放大的实质是（）A、将小能量换成大能量B、将低电压放大成高电压C、将小电流放大成大电流D、用较小电流的变化控制较大电流的变化10、在一块正常放大的电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为－10V、－10.3V、－14V，下列符合该三极管叙述的是（）A、该三极管是PNP型B、该三极管是硅三极管C、1脚是发射极D、2脚是基极11、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是U B=4.7V，U C=4.3V，U E=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）A、截止状态B、饱和状态C、放大状态D、击穿状态12、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）A、NPN管的集电极B、PNP管的集电极C、NPN管的发射极D、PNP管的发射极13、三极管各极对地电位如图所示，工作于饱和状态的三极管是（）A 、B 、C 、14、满足I C=βI B的关系，三极管工作在（）A、饱和区B、放大区C、截止区D、击穿区15、晶体三极管处于饱和状态，它的集电极电流将（）A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C16、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
电子线路练习题二
电子线路练习题二一、选择题1. 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（ ）。
A. 晶体管的非线性B. 电阻阻值有误差C. 晶体管参数受温度影响D. 静态工作点设计不当2. 已知变压器二次电压为t U u ωsin 222=V ，负载电阻为R L ，则半波整流电路流过二极管的平均电流为（ ）。
A. L R U 245.0 B. L R U 29.0 C.LR U 22D. L R U 222 3. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降4. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈。
A. 直流B. 交流电流C. 交流串联D. 交流并联5. 乙类互补对称功率放大电路（ ） A ．能放大电压信号，但不能放大电流信号 B ．既能放大电压信号，也能放大电流信号 C ．能放大电流信号，但不能放大电压信号D ．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号6. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>7. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联8. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈，反向饱和电流I S ≈，则在35oC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th ≈，I S ≈B U th ≈，I S ≈C U th ≈，I S ≈D U th ≈，I S ≈9. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入1 k Ω负载电阻后输出电压降为1V 。
高频电子线路试题
一、填空题（每空1分，共16分）1．放大器的噪声系数N F是指输入端的信噪比与输出端的信噪比两者的比值，用分贝表示即为10lg（P si/P Ni）/(P so/P No)。
2．电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Z ce性质应为容性，发射极至基极之间的阻抗Z be性质应为容性，基极至集电极之间的阻抗Z cb性质应为感性。
3．根据干扰产生的原因，混频器的干扰主要有组合频率干扰、副波道干扰、交调干扰和互调干扰四种。
4．无论是调频信号还是调相信号，它们的ω（t）和φ（t）都同时受到调变，其区别仅在于按调制信号规律线性变化的物理量不同，这个物理量在调相信号中是∆ϕ（t），在调频信号中是∆ω（t）。
5．锁相环路由鉴相器、环路滤波器和压控振荡器组成，它的主要作用是用于实现两个电信号相位同步，即可实现无频率误差的频率跟踪。
二、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内1．当两个频率不同的单频信号送入非线性器件，产生的组合频率最少的器件是（C）A．极管B．三极管C．场效应管2．单频调制时，调相波的最大相偏Δφm正比于（A ）A．UΩB．uΩ(t)C．Ω3．利用高频功率放大器的集电极调制特性完成功放和振幅调制，功率放大器的工作状态应选（ C ）A．欠压 B．临界 C．过压4．正弦振荡器中选频网络的作用是（A）A．产生单一频率的正弦波 B．提高输出信号的振幅 C．保证电路起振5．石英晶体谐振于fs时，相当于LC回路的（A）A．串联谐振现象 B．并联谐振现象 C．自激现象 D．失谐现象6．利用非线性器件相乘作用来实现频率变换时，其有用项为（ B ）A、一次方项B、二次方项C、高次方项D、全部项7．判断下图是哪一类振荡器（C）A．电感三点式B．电容三点式C．改进的电容三点式D．变压器耦合式8．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则普通调幅波的表达式为（C）A．u AM(t)=U C cos（ωC t＋m a sinΩt）B．u AM(t)=U C cos（ωC t＋m a cosΩt）C．u AM(t)=U C（1＋m a cosΩt）cosωC t D．u AM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt9．某超外差接收机的中频f I＝465kHz，输入信号载频fc＝810kHz，则镜像干扰频率为（C）A．465kHz B．2085kHz C．1740kHz10．混频器与变频器的区别（B）A．混频器包括了本振电路B．变频器包括了本振电路C．两个都包括了本振电路D．两个均不包括本振电路11．直接调频与间接调频相比，以下说法正确的是（C）A．直接调频频偏较大，中心频率稳定B．间接调频频偏较大，中心频率不稳定C．直接调频频偏较大，中心频率不稳定D．间接调频频偏较大，中心频率稳定12．一同步检波器，输入信号为u S=U S cos（ωC＋Ω）t，恢复载波u r =U r cos（ωC t＋φ）,输出信号将产生（C）A．振幅失真B．频率失真C．相位失真13．鉴频特性曲线的调整内容不包括（B）A．零点调整B．频偏调整C．线性范围调整D．对称性调整14．某超外差接收机接收930kHz的信号时，可收到690kHz和810kHz信号，但不能单独收到其中一个台的信号，此干扰为（D）A．干扰哨声B．互调干扰C．镜像干扰D．交调干扰15．调频信号u AM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）经过倍频器后，以下说法正确的是（C）A．该调频波的中心频率、最大频偏及Ω均得到扩展，但m f不变B．该调频波的中心频率、m f及Ω均得到扩展，但最大频偏不变C．该调频波的中心频率、最大频偏及m f均得到扩展，但Ω不变D．该调频波最大频偏、Ω及m f均得到扩展，但中心频率不变三、简答题（每小题7分，共14分）1．小信号谐振放大器与谐振功率放大器的主要区别是什么？答：1）小信号谐振放大器的作用是选频和放大，它必须工作在甲类工作状态；而谐振功率放大器为了提高效率，一般工作在丙类状态。
电子线路分析试题
模拟电子技术试题库一填空题1．在常温下，硅二极管的门限（开启）电压约为0.5V，导通后其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；锗二极管的门限电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
4、稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
6、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
7、8、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ 增大，ICQ增大，UCEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb= 0.5V,Vc= 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。
22、某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb=-3.2V, Vc=-3.9V, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。
通信电子线路习题(2)
第六章 振幅调制、解调与混频6.1某调幅波表达式为u AM （t ）=（5+3cos2π×4×103t ）cos2π×465×103t (v)1、 画出此调幅波的波形2、 画出此调幅波的频谱图，并求带宽3、 若负载电阻R L ＝100Ω，求调幅波的总功率 解：1.2. BW ＝2×4kHz ＝8kHz3. Ucm=5 m a =0.6Pc ＝U 2cm/2 R L ＝125mW P Σ=(1+ m 2a /2 )P c ＝147.5mW6.2 已知两个信号电压的频谱如下图所示，要求：(1)写出两个信号电压的数学表达式，并指出已调波的性质； (2)计算在单位电阻上消耗的和总功率以及已调波的频带宽度。
解：u AM =2(1+0.3COS2π×102t) COS2π×106t(V) u DSB =0.6 COS2π×102t COS2π×106t (V)P C =2W ；P DSB =0.09W ；P AM =2.09W ；BW=200HZ6.3 已知：调幅波表达式为u AM （t ）=10（1+0.6cos2π×3×102t+0.3cos2π× 3×103t)cos 2π×106t (v) 求：1、调幅波中包含的频率分量与各分量的振幅值。
2、画出该调幅波的频谱图并求出其频带宽度BW 。
解：1.包含载波分量：频率为1000kHz ，幅度为10V上边频分量：频率为1003kHz ，幅度为1.5VkHz469465461上边频分量：频率为1000.3kHz ，幅度为3V 下边频分量：频率为997kHz ，幅度为1.5V2.带宽BW ＝2×3＝6kHz6.4 试用相乘器、相加器、滤波器组成产生下列信号的框图（1）AM 波；（2） DSB 信号；（3）SSB 信号。
电子线路练习题
练习题1（二极管的单向导电性）一、判断题：1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。
（）2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。
（）3、晶体二极管具有单向导电性。
（）二、选择题：1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（）。
A导通B截止C烧坏二极管D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。
一、判断题：1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。
（）2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。
（）3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。
（）4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。
（）5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。
（）6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。
（）7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（）二、选择题：1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定2、（）又称为空穴型半导体。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定3、（）又称为电子型半导体。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定4、（）内部空穴数量多于自由电子数量。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定5、（）内部自由电子是多数载流子。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定练习3（二极管的伏安特性）一、判断题：1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。
（）2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。
（）3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。
（）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
（）二、填空题：1、硅管的截止电压为，锗管的截止电压为。
晶体二极管三极管测试题
晶体二极管、三极管测试题中国计量学院2021 ~ 2021学年第二学期《模拟电子线路》单元考试试卷开课系部：信息工程学院 _ ，考试时间：年____月____日时考试形式：闭卷□√、开卷□，允许带笔、尺子、计算器等文具入场考生姓名：学号：专业：班级：题序得分评卷人一二三四五六七总分一、选择题（共22分，1-6，8各2分，第七题1分） 1、稳压二极管是工作在伏安特性的（）区。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 D．放大区 2、某三极管工作于放大状态，则其发射结和集电结的偏置为( )。
装 A. 正偏，正偏B. 正偏，反偏 C. 反偏，正偏 D. 反偏，反偏 3、下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是 ( )。
++ RLRLVi Vi 定 --AB++ 线ViViC--D4、共集电极放大电路的特点是( )。
A．输入电阻很小，输出电阻很大 B. 输入电阻很大，输出电阻很小 C．电压放大倍数很高 D. 可用作振荡器5、下列各组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用是（）A．共射组态 B. 共基组态 C. 共集组态6、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100 7、现有直接耦合基本放大电路如下：A.共射电路B.共集电路C.共基电路2021-2021（二）中国计量学院《模拟电子线路》单元考试试卷共 6 页第 1 页选择正确答案填入空内，只需填A、B、……（1）输入电阻最小的电路是，最大的是；（2）输出电阻最小的电路是；（3）有电压放大作用的电路是；（4）有电流放大作用的电路是；（5）高频特性最好的电路是；（6）输入电压与输出电压同相的电路是；反相的电路是。
8、某电路中晶体三极管的符号如图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（）A. 放大状态B. 饱和状态5VC. 截止状态1.7VD. 状态不能确定1V二、 1、（6分）如图所示电路中，D为硅二极管，导通电压为0.7V，求Vo和I。
电子线路期中试卷2
2004—2005学年第二学期电子线路期中试卷班级______姓名_______学号______一、填空题（36分）1、在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。
2、PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。
但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为。
3、硅二极管导通时的正向压降为伏，锗二极管导通时的正向压降为伏。
4、一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已，又有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明该二极管已。
5、晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
6、三极管各电极电流的分配关系是。
7、晶体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
8、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即、和。
当三极管工作在区时，关系式I C＝βI B才成立；当三极管工作在区时，I C≈0；当三极管工作在区时，U CE≈0。
9、放大器的放大倍数有三种，即为、和。
10、共发射极基本放大电路兼有和的作用。
11、画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短路。
12、放大器中电压、电流的瞬时值包括分量和分量两部分。
二、选择题（24分）1、在P型半导体中（）A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子C．空穴的数量略多于电子D．没有电子2、把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）A．电流为零 B．电流基本正常 C．击穿 D．被烧坏3、二极管两端加上正向电压时（）A．一定导通 B．超过死区电压才能导通C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通4、在如图所示电路中工作于正常导通状态的二极管是（）5、电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB 为（）Ａ．－３伏Ｂ．５伏Ｃ．８伏Ｄ．－８伏6、测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示，其中硅材料的NPN 管是（）7、PNP型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）A. U C>U B>U EB. U C<U B<U EC. U C>U E>U B8、3DG6D型晶体三极管的P CM=100毫瓦，I CM=20毫安，U BR(CEO)＝30伏，如果将它接在I C＝15毫安，U CE＝20伏的电路中，则该管（）A. 被击穿B. 工作正常C. 功耗太大过热甚至烧坏9、如果三极管的集电极电流I C大于它的集电极最大允许电流I CM，则该管（）A. 被击穿B. 被烧坏C. 电流放大能力下降10、用万用表R×1kΩ的电阻档测量一只能正常放大的三极管，若用红表棒接触一只管脚，黑表棒接触另两只管脚时测得的电阻均较大，则该三极管是（）A. PNP型B. NPN型C. 无法确定11、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（）A. 三极管可以把小能量放大成大能量B. 三极管可以把小电流放大成大电流C. 三极管可以把小电压放大成大电压D. 三极管可用较小的电流控制较大的电流12、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是（）A．NPN管发射极 B．PNP管发射极C．PNP管集电极 D．NPN管基极三、简答题（10分）1、怎样用万用电表判别硅二极管和锗二极管？怎样用万用电表判断小功率二极管的好坏与极性？（3分）2、一个放大器的电压增益是120dB，相当于多大的放大倍数？如电压增益为－80dB，有什么含义？（3分）3、根据如图所示三极管的各管脚电位，试分析其工作状态，并将结果用“√”填入表内，其中NPN型管为硅材料，PNP型管为锗材料。
《二极管应用电路测试题A》
鄂 尔 多 斯 生 态 环 境 职 业 学 院 考 试 试 卷 第 1 页 共2页班级姓名：学号：________考场号：__________座位号：装订线内不要答题 ◆◆◆◆◆◆◆◆◆装◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆订◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆线◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆鄂 尔 多 斯 生 态 环 境 职 业 学 院 考 试 试 卷第 2 页 共2页 C 全波整流波形 D 变为极性相反的输出电压。
14稳压电路是接在（ ）电路之后。
A 电源变压器 B 整流电路 C 滤波电路 D 整流二极管 15电容滤波器是在负载回路（ ）而构成。
A 串联电容 B 并联电感 C 串联电阻 D 并联电容 16在桥式整流滤波电路中若电容断开，则电路变为（ ） A 半波整流电路 B 半波整流电容滤波 C 桥式整流电路 D 全波整流电路， 四、计算分析题 1、桥式整流电路中，若: 1）V 1内部短路，会出现什么现象？ 2）V 1虚焊，会出现什么现象？ 3）V 1方向接反，会出现什么现象？ 4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？2、在桥式整流电路中，若要求输出电压为18V ，负载电流为2A ，试求： 1）电源变压器次级电压V 2； 2）整流二极管承受的最大反向电压V RM ； 3）流过二极管的平均电流I V 。
4）若V 1管内部短路，整流电路会出现什么现象？3、有一直流负载,输出额定电压为20V ，阻值为20Ω,如采用桥式整流电源供电，设电网交流电压为220V 。
（1）求电源变压器的变压比；（2）选择二极管。
4变压器次级交流电压为20V ，在下列情况下输出直流电压各为多少V ？每只整流管承受的最高反向峰值电压各是多少？（1）单相半波整流，（2）单相全波整流电路（3）单相桥式整流电路。
5单相桥式整流电容滤波电路中，已知V2=20V ，若用电压表测得负载两端的电压有（1）28V （2）24V （3）20V （4）9V 五种情况，分析每种电压所代表的电路状态以及出现这种状态的原因。
《二极管测试题B》
鄂 尔 多 斯 生 态 环 境 职 业 学 院 考 试 试 卷级 姓名： 学号：________ 考场号：__________座位号： 装订线内不要答题 ◆◆◆装◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆订◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆线◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆◆《电子技术基础》二极管单元考试题B一、 判断题1.在N 型半导体中，主要是依靠电子来导电。
( )2.二极管具有单向导电性。
( )3.二极管加正向电压时一定导通。
( )4.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( )5.因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( )6.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( ) 二、填空题1．P 型半导体中 是多数载流子。
PN 结具有 特性。
2．理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。
3.半导体具有热敏特性、光敏特性和 特性。
4. 导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为 。
5. N 型半导体中，主要依靠 来导电。
P 型半导体中，主要依靠 来导电。
6. PN 结的正向接法是将电源的正极接 区，电源的负极接 区。
7. 硅二极管的死区电压约为 V ，锗二极管的死区电压约为 。
8•本征半导体热激发时的两种载流子分别是 、 。
9. •N 型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。
10.P 型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。
11.在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 ,在常温下锗二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 。
12.理想二极管正向电阻为__________，反向电阻为_________，这两种状态相当于一个___________。
13.用万用表“R ×1k ”挡测试二极管，若所测得电阻较大时，则黑表笔接触的是二极管的________极，与红表笔接触的是二极管的__________极。
三 选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
2022二极管练习公开课
慈溪市职业高级中学XX学年XX学期XX年级随堂练习电子电工试题卷姓名班级本试题卷共9大题，共X页。
满分60分，考试时间X分钟。
第一部分基础理论（必做题，满分X分）一、单项选择题（本大题共20小题，每小题1.0分，共20分）在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。
错选、多选或未选均无分。
L在如图所示的电路中，假设二极管的正向导通电压为0.7 V,则图中A电位为（）A. 3.7 V2 .桥式整流电容滤波电路如图所示，已知变压器中次级绕组的电压有效值S=20V,若其中一个二极管出现开路故障，则输出电压约为O （）A. 18 VB. 20 VC. 24 VD. 28 V3 .错二极管的死区电压为（）A.0.2VB.0.3VC.0.5VD.0.7V4 .单相半波整流电路的输入电压为20sinωt,则输出平均电压为（）A.9VB.5VC.4.5VD.4.52V5 .在带电容滤波的单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次电压最大值为1OO√∑V,则负载电压为（）A.120VB.100VC.90VD.45V6 .如下图所示的电路中，二极管的导通情况是（）A.VD1导通，VD2截止B.VD1截止，VD2导通C.VD1、VD2都导通D.VD1、VD2都截止7 .电容滤波与电感滤波相比较，下列说法正确的是（）A.电容滤波输出电压高，带负载能力强B.电容滤波输出电压低，带负载能力弱C.电容滤波输出电压高，带负载能力弱D.电容滤波输出电压低，带负载能力强8 .将单相半波整流电容滤波电路、全波整流电容滤波电路和桥式整流电容滤波电路分别接到相同的交流电源上，已知半波整流电路中二极管所承受的最大反向电压为U, 则全波整流电路、桥式整流电路中二极管所承受的最大反向电压分别为（）A.2U UB.U IUC.U 2UD.2U 2U9 .在单相桥式整流电路的实际应用中，经常用“全桥”整流堆代替4个整流二极管。
如下图所示为其中一种“全桥”堆的外形，它的负载电阻RL接法正确的是（）A.®—a> ®—bB.③一a、®—bC.①一a、③一bD.②一a、b10 .如下图所示的电路中，二极管VDl、VD2的导通情况分别是（）A.VD1导通，VD2截止B.VD1截止，VD2导通C.VD1、VD2都导通D.VD1、VD2都截止11 .在滤波电路中，滤波效果好，且能起降压、限流作用的电路是（）A.电容滤波器B.电感滤波器C.RC-π型滤波器D.LC—兀型滤波器12 .在桥式整流电容滤波电路中，输出电压U°=12V,电容的耐压值应大于（）A.10 VB.12 VC.1O√2 VD.2Q√2 V13 .当整流输出电压相同时∙，二极管承受反向电压最小的电路是A.单相半波B.单相全波C.单相桥式D.以上都一样14 .在单相桥式整流电路中，每只整流二极管的导通角（）A.等于90。
电子线路非线性部分第五版课后练习题含答案
电子线路非线性部分第五版课后练习题含答案1、P-N结的基本结构是什么？P-N结是由一块N型半导体和一块P型半导体的结合构成的。
其中P型半导体带正电荷、空穴浓度高，而N型半导体带负电荷、电子浓度高。
加上正向偏置电压，电子从N型区域向P型区域移动，空穴从P型区域向N型区域移动，使两个半导体的电子和空穴相互耦合，从而使电子汇集在P区域，形成P区的电子云，同时空穴汇集在N区域，形成N区的空穴云。
2、二极管是什么？其主要作用是什么？二极管是一种基于P-N结的电子元件，一般用于限制电压和整流，即只允许电流从P端流向N端，而不允许电流从N端流向P端。
其主要作用有以下几种： 1. 整流作用：用于将交流电转换成直流电，也就是只允许当前向传导。
2. 限制作用：用于保护元件和电路不受电压过高的损害。
3. 校准作用：根据二极管的反向饱和电流与温度之间的对数关系，可以通过反向电流的变化来测量温度。
4. 电压参考作用：可以通过将一个稳定的反向电流流过二极管来稳定电压。
3、什么是Zener二极管？Zener二极管是一种特殊的二极管，它在反向电压较低情况下可以维持其工作电流，其主要特点是：在其额定反向压力下，只有很小的反向电流流过。
在额定反向电流下，电压相对较稳定，因此可以用来作为电路中稳压器的一部分。
Zener二极管的主要应用： 1. 作为电路中的稳压器，可以抵御反向电压的过度提高，使电路保持稳压。
2. 用于灵敏度高的测量设备或检测器件中，可快速响应低电压电流信号，并能提供一定的电流。
4、什么是BJT晶体管？有哪些类型？BJT晶体管是一种三层结构的半导体器件，由两个P-N结或 P-N-P 或 N-P-N 的共同的区域组成，其主要作用是有源放大电路和开关电路。
BJT晶体管有三种类型： 1. NPN型：基极为P型，发射极为N型，集电极为P 型。
当基极电压为正时，PNP管中的电子从N区进入基区。
大部分电子与空穴复合并不再流动，但有一小部分电子到达集电区域，这就是放大效应。
电子线路寒假作业
《电子线路》寒假作业巩固练习一、填空题1．在如图所示电路中，二极管VD1工作于________状态，VD2工作于________状态；若VD1、VD2的型号为2CZ54，则电流IVD2＝________mA，IVD1＝________mA。
2．在如图所示电路中，二极管为理想元件，当E＝4V时，UAB＝________V，I＝________mA；当E＝15V时，UAB＝________V，I＝________mA。
第1题图第2题图3．如图所示电路中，当Ui＝10V时，Uo＝________V；Ui＝12V时，Uo＝________V；Ui＝36V时，Uo＝________V。
(图中二极管为理想的)4．在如图所示电路中VD1为锗管，VD2是硅管，当K打开时，V A＝________V，I ＝________mA；当K闭合时，V A＝________V，I＝________mA。
第3题图第4题图二、选择题1．如图所示的电路，二极管导通电压为0.7V，判断二极管的导通情况()A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2导通C．VD1、VD2均截止D．VD1、VD2均导通第1题图第2题图2．理想二极管构成的电路如图，其输出电压Uo为()A．－6V B．0V C．＋3V D．＋9V3．如图所示电路中，当S接1端时，测得管压降为U1，电流为I1；当S接2端时，又测得管压降为U2，电流为I2，则()A．U1＝U2，I1<I2 B．U1＝U2，I1>I2C．U1>U2，I1＝I2 D．U1<U2，I1＝I2第3题图第4题图4．理想二极管构成的电路如图所示，则()A．VD截止Uo＝－10V B．VD截止Uo＝－3VC．VD导通Uo＝－10V D．VD导通Uo＝－6V5．电路如图所示，二极管VD1，VD2，VD3均为理想元件，则输出电压Uo为() A．0V B．－6V C．－18V D．＋12V6．图示电路中，V A＝3V，VB＝0V，若二极管的正向压降忽略不计，则VF为() A．－12V B．－9V C．0V D．3V7．电路如图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为()A．1mA B．0mA C．1A D．3mA第5题图第6题图第7题图三、计算题1．如图所示，若将理想二极管正极接A点，负极接B点，判断其工作状态；若将正极接B点，负极接A点又将如何？第1题图2．由理想二极管构成的电路如图所示，分别求Ui＝8V时和Ui＝15V时，Uo为多少？第2题图3．如图，VD为理想二极管，求S合上或S断开时的VP。
二极管单元试题
一、单项选择题1．在N型半导体中，多数载流子为自由电子，N型半导体_______A.带正电B.带负电C.不带电D.不能确定2．杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。
A.杂质浓度B.温度C.输入D.电压3.在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N型半导体。
()A.含四价元素的杂质B.含空穴的杂质C.三价元素镓D.五价元素磷4.反向饱和电流越小，二极管的稳定性能________A.越好B.越差C.无变化D.几乎无变化5．用万用表欧姆档测量小功率二极管的极性和好坏时，应把转换开关拨到_______档。
Ω或RX1KΩΩΩΩ6.用于整流的二极管是（）7.半导体受光照以后，其导电能力（）A.增加B.减弱C.不变D.丧失8．如果把一个小功率二极管同一电动势为的电池直接正向连接，则该管（）A.被击穿B.电流正常C.被烧坏D.无法确定9．在P型半导体中（）A.空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子B.没有自由电子C.自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子D.没有空穴10．若用万用表测得二极管的正反向电阻都很大，说明该二极管（）A.很好B.已击穿C.内部已断路D.性能失效11.二极管两端加上正向电压时（）A.立即导通B.超过击穿电压就导通C.超过饱和电压就导通D.超过死区电压就导通12.硅二极管的正极电位是-10V，负极电位是，则该二极管的工作状态是（）A．截止 B.饱和 C.击穿 D.导通13.在测量二极管反向电阻时，若用手把管脚和红黑表笔分别捏紧，电阻值将会（）A．变大 B.变小 C.不变化 D.无法确定14.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为（）A.约为150VB.可略大于150VC.不得大于40VD.等于75V15.二极管的伏安特性曲线是关于（）和（）的关系曲线A.电压和功率B.电流和功率C.电压和电流D.电位和电压二、判断题（）1．一个二极管的内部必然会有一个PN结（）2．二极管导通后，其电流大小与正向电压成正比例（）3．PN结的反向饱和电流越大越好（）4.二极管是线性元件（）表示N型硅材料整流二极管三、填空题1．半导体是一种导电能力介于______和______之间的物质，半导体材料有_____、______和。
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电子线路单元测试题（二极管部分）
根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋
一是非题：（每题2分，共40分）
1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。
（）
2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）
3.当温度升高时，半导体的导电能力将增强。
（）
4. PN结反向偏置时，电阻大，电流小，处于截止状态。
（）
5.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。
（）
6.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。
（）
7.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）
8. 以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）
9.普通硅稳压二极管起稳压作用时，是工作在反向偏置状态。
（）
10.桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。
（）
11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）
12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）
13.在常温下，硅二极管的死区电压约为0.1-0.2V，正向导通电压为0.3V。
（）
14.单向桥式整流电路在输入交流电压时每半周内只有两只二极管导通。
（）
15.P、N型半导体都不带电。
（）
16.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增,说明二极管被击穿。
（）
17.发光二极管点亮后它的正向压降一般大于0.7V. （）
18.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流就是流过负载电流。
（）
19.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，点接触型二极管适用于高频、小电流的场合，面接触型二极管适用于低频、大电流的场合。
（）20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。
（）
二单选题：（每题3分，共60分）
1.以下属于半导体的是（）。
A. 锗
B.塑料Ｃ.铜Ｄ.云母2.P型半导体中的多数载流子是（）。
A.负电荷
B.自由电子Ｃ.正电荷Ｄ.空穴.
3.将PN结P区接电源负极，N区接电源正极，此时PN结处于（）偏置。
A. 正向
B.双向Ｃ.单向Ｄ.反向
4.将PN结两端加反向电压时，在PN结内参与导电的是（）。
A.空穴
B.自由电子Ｃ.自由电荷Ｄ.空穴和自由电子
5.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A、B两端的电压为（）。
A. -12V
B.+6V Ｃ.-6V Ｄ.+12V
6.在单相桥式整流电路中，如果一只二极管接反，则（）。
A.正常工作
B.成为半波整流
Ｃ.仍是全波整流Ｄ.将引起电源短路
7.能改善波形脉动程度的是（）电路。
A.滤波
B.稳压Ｃ.整流Ｄ.放大
8.在单相桥式整流电路中，次级输出电压U2为20V，负载为3Ω，则流过每只二极管的正向平均电流ID为（）。
A.1.5A
B. 12A Ｃ.6A Ｄ. 3A
9.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）
A.正常
B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路
10.桥式整流电路中，当次级电压U2为正半周时，导通二极管为（）
A.D1和 D2
B.D2和D3 Ｃ.D3和D4 Ｄ.D1和D3
11.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压Ｃ.反向击穿电压Ｄ.正向压降
12.把交流电转化为直流电的过程叫（）。
A.整流
B.滤波Ｃ.稳压Ｄ.放大
13.单相桥式整流电路的输出电压平均值为（ ）
A. U2 B .0.45U2 Ｃ.0.9U2 Ｄ.0
半波整流电路的输出电压平均值为（ ）
A.0.9U2 B .0.45U2 Ｃ. U2 Ｄ.0
测量二极管反向电阻时，若用双手把管脚捏紧，则测量值比实际值（ ） A. 不变 B . 大 Ｃ. 小 Ｄ.不确定 单相半波整流电路中，次级输出电压U2=9V ，则二极管承受的最高反向电压（ ）。
A.4.05V B.8.1V Ｃ.9√2V Ｄ.18√2V
将PN 结P 区接电源正极，N 区接电源负极，此时PN 结处于（ ）偏置。
A. 反向 B . 双向 Ｃ.单向 Ｄ. 正向 结反向击穿后，存在哪两种击穿，称为（ ）。
A.反向击穿 热击穿 B .热击穿 电击穿 Ｃ. 电击穿 反向击穿 Ｄ.完全击穿 热击穿
在单相桥式整流电路中，次级输出电压U2为40V ，负载为3Ω，则流过每只二极 ）。
A.1.5A B .12A Ｃ.6A Ｄ.3A
某单相桥式整流电路中，当变压器初级电压为10V ，初次级匝数比为1：10则整 ）
A. 0V B .45V Ｃ.90V Ｄ.100V
答题卡
是非题：（每题2分，共40分）
单选题：（每题3分，共60分）。