PN结的形成及特性讲课文档

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第十一页,共43页。
内电场E
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ + + +++
P
N
漂移运动
电场的的方向是从正离子往负离子走。电场的作用就会促进少数载流子的运动, 自由电子从低电位往髙电位走,空穴是从髙电位往底电位走,由于少子的运动很弱
PN结的形成及特性
第一页,共43页。
优选PN结的形成及特性
第二页,共43页。
载流子的漂移与扩散
以N型半导体为基片
+ + + + + ++ + + + + +
+ + + + + ++ + + + + + + + + + + ++ + + + + + + + + + + ++ + + + + +
+ + + + + ++ + + + + + + + + + + ++ + + + + +
- - - - - -+ + + +++
P
N
当扩散与漂移作用平衡时
a. 流过PN结的净电流为零
b. PN结的厚度一定(约几个微米)
c. 接触电位一定(约零点几伏)
第十八页,共43页。
PN结形成过程动画演示
第十九页,共43页。
扩散使PN结变宽,使它的内电场变强,而漂移的作 用又使空间电荷区变薄,最终PN结稳定在一定的宽度.
第二十九页,共43页。
2.PN结反向偏置
(数量很少),少子的运动叫做漂移运动。
第十二页,共43页。
结的形成
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ + + +++
N
扩散运动
扩散的结果是使空 间电荷区逐渐加宽
因为在PN结上只剩下了正负离子(正负电荷),也可以。称作空间电荷区 .N区中的导
电电子为了进入P区,必须克服正离子的吸引和负离子的排斥力。在粒子层建立后,
PN结内的区域实际上已经耗尽了导电电子和空穴,所以PN结也称作是耗尽层。
第十五页,共43页。
空间电荷层
P
N
第四页,共43页。
P 型半导体
N 型半导体
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ + + +++
少子(自由电子)
P
N
少子(空穴)
动。促进了少子的漂移运动.,
3.P 区中的电子和N区中的空穴(都是少),数量
有限,因此由它们形成的电流很小。
4.随着内电场的增强,扩散运动越来越缓慢,此
时它就达到了动态平衡.
第二十一页,共43页。
结的单向导电性
一个PN结就是一个二极管,在平衡状态下,PN结中没有电流。 PN结最重要的特性是单向导电特性。
第十页,共43页。
形成内电场
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- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
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P
N
内电场(E)方向
一旦扩散以后,在它的介面上,就剩下了正离子和负离子,这时候就存形成一个电场.方 向是从带正电的N区指向带负电的P区。这个电场是在内部形成的,称为内电场E.
介面上自由电子和空穴就结合了。
第十六页,共43页。
形成电位势垒
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
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P
电位V
P
N
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- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ + + +++
P
N
扩散运动
在浓度差的作用下,两边多子互相扩散。由于他们的量比较大, 我们称作多子在进行扩散运动.
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空间电荷层
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++
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- - - - - -+ + + +++
P
N
扩散运动
扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽。
P
N
内电场(E)方向
内电场会促进少子的漂移运动,也抑制了多子的扩散运动,虽然少子的量很少,随 着漂移的增强,而扩散是越来越弱,最终会达到一种平衡。此时我们在这个空间就相 当于有这么一个结,这个结不是面,是一段宽度,这段宽度就叫做PN结。
第十三页,共43页。
PN结一方面阻碍多子的扩散,另一方面加速少子的漂移
左边是P型半导体,右边是N型半导体。P型半导体里面还画出 了它的少子(自由电子)(一个小点),N型半导体里面也画 出了它的少子(空穴)(一个小圆圈 ).
第五页,共43页。
P 型半导体
N 型半导体
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
P
E内
N
S
E
R
因此,导电电子(多数载流子)朝着PN结方向的移动产生了N区 的电流。这些导电电子进入P区后与空穴复合,变成价电子。然后 ,价电子会一个一个空穴地向阳极方向移动。
第二十七页,共43页。
- - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++
N
势垒V0
电场的的方向是从髙电位往底电位走,就是从正离子往负离 子走,于是N区一边的电位高于P区一边,如图所示。
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- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++ - - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
扩散运动
漂移运动
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ ++ +++
- - - - - -+ + + +++
P
N
第十四页,共43页。
内电场越强,漂移运动越强,而 漂移使空间电荷区变薄。
实验:PN结的导电性。按如下方式进行PN结导电性的实验,因为
PN结加上封装外壳和电极引线就是二极管,所以拿一个二极管来当成
PN结。P区为正极;N区为负极。对于图示的实验电路。
第二十二页,共43页。
二极管正向连接
二极管反向连接
仿真P
此时发光二极管发光,说明PN结导电。 若P区的电位高于N区,电流从P区流到N区,PN结呈低阻性 ,所以电流大; PN结正向偏置—— 当外加直流电压使PN结P型半导体的一端的 电位高于N型半导体一端的电位时(也就是允许电流流过PN结的条 件),称PN结正向偏置,简称正偏。
P
E内
N
S
E
R
当外加的偏置电压足以克服势垒电位时,电子就有足够的能量 进入耗尽层并越过PN结。与P区中空穴复合。当这些电子离开N区后
,会有更多的电子从电源的负端流出。
第二十六页,共43页。
- - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++ - - - - - - + ++ +++
P型半导体和N型半导体一结合,在交界面上形成了 稳定的电层,我们利用PN结的这个特性了解它是如何具 备单向导电性 .
还要利用这个特性设计制造二极管和三极管。
第二十页,共43页。
小结
1.空间电荷区中没有载流子。只剩下正负离子.
2.空间电荷区由于存在内电场,内电场阻碍P区中
的空穴(多子)运动.由于多子很多我们称作扩散运
向流动的元件。
第六页,共43页。
(1) 在浓度差的作用下,电子从 N区向P区扩散。
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P
E内
N
S
E
R
价电子的移动实际上产生了空穴反方向的移动。所以P区中电 流是由空穴(多数载流子)朝着PN结方向移动产生的。
第二十八页,共43页。
PN结正偏动画演示
外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动>漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
PN结内的电流由起支配地位的扩散电流决定,称为正向电流。
注:偏置就是指加在半导体元件上设置其工作条件的固定直流电 压。
第二十三页,共43页。
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