09-10学年度电子技术基础期末卷1-3章
中职《 电子技术基础 》期末试卷(含参考答案)
2015 学年第 1 学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR 越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
《电子技术基础》试题及参考答案
《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是（A ）A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时，应引入（C ）反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是（D）。
A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝（B）。
A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B）。
A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为（A）。
A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中，若变压器副绕组电压有效值为10V，而测得输出电压为14.1V，则说明：（B ）A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时，应引入（D ）反馈。
A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（C）。
A.大于B.小于C.等于D.大于，小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= （A ）A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是（ C）A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ C）A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指（B）。
A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。
A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中，若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点，且瞬时极性相同，则属于（B ）A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（B）。
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。
(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。
7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。
(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。
(完整版)中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)
2015学年第1学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。
电子技术基础第一学期期末考试试卷.docx
新安职高2015-—2016学年第一学期期末考试一年级《电子技术基础》试卷命题人：吴住住一、填空题（每空0.5分，共20分）1、整流是把交流电变换为_____ ,所用的元件是_______ ;虑波是把_____ 变换为 _______ ，所用的元件是______ O2、色环电阻屮与其他色环间距较大的那一环表示______ 。
3、单相桥式整流电路中，如果负载电流为10A,则流过每只二极管的电流为 ____ O4、放大电路屮表示三极管的静态工作点Q的参数是______ 、—和 ______ 。
5、二极管有—个PN结，从P区引出的是—极，从N区引出的是—极；三极管冇—个PN结，从三个区分别引岀的是_____ 、____ 和___ 极。
6、为了确保二极管安全工作，通常最大反向工作电压U R”二—U BR。
7、N型半导体中多数载流子是_____ , P型半导体中多数载流子是______ o8、二极管具有_________ 性，而三极管具有________ 作用。
9、当温度变化时，三极管的静态工作点也会变化，通常采用_________ 电路来稳定静态工作点。
10、工作在放大状态下的三极管，各极电流Z间的关系式为____________ o11、多级放大屯路的级间耦合方式有________ 、______ 和_________ 三种。
12、引入负反馈后放大器的放大倍数________ ,其稳定性。
13、____________________________ 错二极管的正向电压降为V；硅二极管的正向电压降为___ V14、射极输岀器是共极放大电路，电压放大倍数为，输岀电压与输入电压的相位关系是 ,它无—放大能力，但有放大能力，且貝有输入电阻和输出屯阻的特点。
二、选择题（每题1.5分，共30分）1、色环电阻中从第一环开始颜色依次是红、紫、橙、银、棕，则这个色环电阻的阻值是A、273 Q ± 1%B、2. 73 Q 土1%C、273 Q 土0. 1%D、2.73Q±0・ 1%2、判断三极管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（B、V CEC、V BED、Ic3、硅、铭二极管的开启电压和导通后的止向压降分别是5、单相桥式整流滤波电路中，如果变压器副边电压为10V,则负载两端电 压为（）色环电阻中红色环离其他色环较远，则此色环表示的数是测得NPN 型三极管的三个电极的电位分别为山二1.2V, "0. 5V, U C =3V, 该三极管处于 ____ 状态。
数字电子技术期末考试卷
职 业 技 术 学 院2010 -- 2011学年 第 一 学期《 数字电子技术 》期末试卷A 卷考试班级： 09电气、电子 答题时间： 90 分钟 考试方式： 闭卷一、填空题（每空格1分，共15分）1、逻辑代数中的基本运算关系有 ， ， 。
2、十进制数27对应的二进制数是 ，（110001）2=（ ）103、TTL 逻辑门电路的典型高电平值是 V ，典型低电平值是 V 。
4、数字逻辑电路分为两大类，它们是__________和________ 电路。
5、逻辑代数常用的表示方法有四种，它们是_____________、_____________、_______________和______________。
6、JK 触发器的特性方程是 、D 触发器的特性方程是 。
二、判断题（每题2分，共10分）1、两只TTL 与非门电路的输出端可以实现线与的功能。
（ ）2、一般地说，2n 个相邻最小项合并，可以消去n 个变量。
（ ）3、555定时器的电源电压范围宽，双极型555定时器为5~16伏，COMS555定时器为3~18V 。
（ ）4、0,0d d R S ==是基本RS 触发器允许的输入信号。
( )5、组合逻辑电路在任意时刻的输出信号只取决于输入信号，与前一状态无关。
（ ） 三、单项选择题（每题2分，共20分）1、可用于总线结构，分时传输的门电路是（ ） A ．异或门 B 、同或门 C 、OC 门 D 、三态门2、n 个输入端的二进制译码器共有（ ）个最小项输出。
A 、 n B 、2n C 、2n D 、n 23、（5）8和（5）10 这两个数（ ）A 、相等B 、前一个大C 、后一个大D 、无法比较 4、连续85个1异或，其结果是（ ） A 、1 B 、85 C 、286 D 、0 5、接74LS00与非门的电源用（ ）伏电压 A 、+8V B 、+12VC+5V D 、-12V 6、下列表达式中正确的是（ ）A 、1.0=1B 、1+0=0C 、 1+1=1D 、1+A=A 7、如图所示，电路输入与输出间实现的功能是（ ） A 、与 B 、或C 、与非D 、或非8．已知某电路的输入A 、B 和输出Y 的波形如下图所示，该电路实现的函数表达式为（ ） (A)A ⊙B (B)A ⊕B (C)AB (D)B A +9.下列电路中属于组合电路的是（ ）(A)集成触发器 (B)多谐振荡器 (C)二进制计数器 (D)3—8译码器 10.下列电路中只有一个稳定状态的是（ ）(A)集成触发器 (B) 施密特触发器 (C)单稳态触发器 (D) 多谐振荡器 四、化简下面各题（每题3分，共12分）1、 Y=AB +A C +C B +C A （代数法）2、 Y=BC A ABC A ++B BC ++C （代数法）3、Y （A ，B ，C ，D ）=∑m （0，2，5，7，8，10，13，15）（卡诺图）封4、Y（A，B，C，D）=∑m（0，1，4，6，9，13）+∑d（2，3，5，7，11，15）（卡诺图）五、分析计算题（共43分）1、设边沿JK触发器的初始状态为0，触发器的触发翻转发生在时钟脉冲的下降沿，已知输入J、K的波形图如图所示，（1）写出JK触发器的特性方程式；（2）画出输出Q的波形图。
电子技术期末试卷 (2)
电子技术期末试卷一、选择题（共30分，每题2分）1.下列元件中，属于接收器元件的是： A. 二极管 B. 晶体管 C. 场效应管 D. 可变电容器2.下列关于半导体的说法中，不正确的是： A. 半导体具有比导体更高的电阻率 B. 掺杂半导体的电导率可以被改变 C. p型半导体中的空穴是导电载流子 D. n型半导体中的电子是导电载流子3.硅晶体管的主要特点是（） A. 噪声大，但增益高 B. 器件简单，制作工艺成熟 C. 衰减小，频率响应范围广 D. 耐压高，温度稳定性好4.下列元器件中，属于集成电路的是（） A. 电容器 B. 可变电阻 C.晶体管 D. 逻辑门电路二、填空题（共30分，每题2分）1.一个电路中，元件端口之间的电压为5V，元件端口之间的电流为10mA，则此元件的电阻值为__500__Ω。
2.互感器的线圈数为1000，通入200Vrms的电压，此时产生的电感为__2__H。
3.在共集电极电路中，输入电阻一般为几千欧姆到几十千欧姆之间，输出电阻较低，一般为__几__欧姆左右。
4.如果集成电路中包含有一个与非门和两个或非门，则该集成电路为__7405__。
三、简答题（共30分，每题10分）1.简述B接法和C接法的区别，以及各自的特点。
2.什么是反馈？有什么作用？3.请简述半导体二极管的正向特性和反向特性，并说明其应用。
四、计算题（共10分，每题5分）1.一个电感为0.1H的线圈，通入交流电50Hz，电阻为10Ω。
求其电抗和阻抗大小。
2.现有一个三极管，其输入电阻为1KΩ，输出电阻为100Ω，放大倍数为50。
输入信号为1V，求输出电压大小。
五、设计题（共面试题50分，设计题50分）1.利用晶体管、电感和电容器设计一个无线电调频（FM）收音机，实现收听调频广播。
具体设计方案需要包括以下内容：•组件清单•电路图•理论分析•实际调试结果六、分析题（共30分，每题10分）1.在无源电路中，为什么不能设计出电压放大器？2.对于信号较小、要求放大的电路，应该采用共射极、共基极还是共集电极电路？为什么？3.设计一款适用于5G通信的射频前端模块（RF Front-End Module），需要考虑哪些因素？如何提高其性能？以上为电子技术期末试卷，共100分。
(完整版)电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子技术基础与技能 期末考试题
姓名 班级 考号 座位号（10×5’=50’）（10×5’=50’）请将选择判断题答案写在上方答题卡上一、选择题（4分×10题=40分）1.逻辑功能为：“有0出0，全1出1”的逻辑门是（ ）A.与门B.或门C.非门2.凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高、低电平的矩形波信号，称为（ ）A.模拟信号B. 直流信号C.数字信号 3.半导体数码管是由（ ）发光显示数字图形的。
A.小灯泡B.辉光器件C.发光二极管 4.优先编码器同时有两个信号输入时，是按（ ） A.高电平 B.低电平 C.高优先级 5.将下列十进制数12转换为二进制数（ ）A ．1011 B. 1100 C.1111 6.当逻辑函数有n 个变量时，共有几个变量取值组合（ ）A.2nB. n 2C. 2n 7.8421BCD 编码器的输入量有4个，输出量有（ ）个 A.8 B.10 C.168.将十六进制数CD 转化为二进制（ ）A. 11011101B. 11001101C.11001100 9. 要是集成电路74LS138正常译码，须将A S 、B S 、C S 置成（ ）A .000 B.100 C.11110.七段共阴极半导体数码管要显示数码“3”，则与之相连接的显示译码器a ～g输入的电平应为（ ）A.0000110B.1111001C.1001111 二、判断题（5分×8题=40分） （ ）1、逻辑变量的取值，1比0大。
（ ）2、编码器任意时刻都只能有一个输入有效，故编码器只允许一个输入端输入有效信号。
（ ）3、若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。
（ ）4、译码器的功能是将二进制码还原成给定的信息符号。
（ ）5、代码不仅代表信息，也能表示数制的大小。
（ ）6、逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。
（ ）7、根据最简表达式设计的逻辑电路是最佳的组合逻辑电路。
电子技术基础期末试卷及参考答案
XX 中学XX 年XX 学期期末考试电子技术基础试卷（XX 班）（试卷满分100分 考试时间90分钟 闭卷考）班级 姓名 学号 得分 题目一 二 三 四 五 总分 得分一、填空题（每空1分，共25分）1. 由脉冲组成的数码称为 数字信号 。
2. 基本逻辑门电路有 与门 、 或门 、 非门 三种。
3. 二进制数(1101)2转化为十进制数为 13 ，将十进数28用8421BCD 码表示，应写为 00101000 。
十六进制数3AD 转化为十进制数为 941 。
4. 脉冲幅值V m 表示 脉冲电压的最大值 ，其值等于脉冲 底部 至脉冲 顶部 之间的电位差。
脉冲周期T 的倒数为脉冲的 频率 。
5. 并项法公式=+B A AB B ,消去法公式=+B A A AB 。
6. 摩根定律表示式为B A •= B +A , B A AB += 。
7. 数字集成电路按组成的元件不同，可分为 TTL 和 CMOS 两大类。
8. 编码器的功能是把输入的信号（如 十进制数 、 文字 、 符号 ）转化为 二进制 数码。
9. 二-十进制编码器有 10 个输入端，有 4 个输出端。
10.触发器是一种具有 记忆 功能的逻辑单元电路。
11.用来累计输入脉冲数目的部件称为 计数器 。
二、选择题（每题2分，共30分）1.将二进制数(1110100)2转换成十进制数是 B 。
A. (74)10B. (116)10C. (110)10D. (68)102. 在逻辑运算中，只有两种逻辑取值，它们是 D 。
A.0V 和5VB.正电位和负电位C.正电位和地电位D.0和13. 等于（58.7）10的8421BCD 码是 C 。
A. (0110110.101)8421B. (0011110.1100)8421C. (01011000.0111)8421D. (0011001.0111)84214. 如右图所示的电路符号代表的是 A 门电路。
A.与非B.或非C.非D.与5. 如右图所示为某逻辑门电路的输入A 、B 和输出Y 的波形图，该逻辑门的逻辑功能是 B 。
电子技术基础期末考试试卷
电子技术基础期末考试试卷电子技术基础期末考试试卷《电子技术基础》期末试卷A（考试时间90分钟）命题人：适用班级：班级________________姓名________________分数______________一、填空题 (每空1分，共40分)1．半导体具有_____________特性_____________特性和______________特性。
2．PN结具有__________特性，即加正向电压时PN结__________ ，加反向电压时PN结__________。
3．按二极管的所用材料不同可分为__________和__________ 两类。
4．二极管的正向接法是__________极接电源的正极，__________极接电源的负极；反向接法是__________极接电源的正极，__________极接电源的负极。
5．使用二极管时应考虑的主要参数是__________________和__________________。
6．光电二极管将信号转换成信号；发光二极管是将信号转换成信号。
7．半导体三极管有_________型和_________，前者的图形符号是__________，后者的图形符号是_________。
8．有一锗二极管正、反电阻均接近于无穷大，表明该二极管__________________。
9．三极管工作在放大状态时其__________结必反偏，__________ 结必正偏。
10．直流电源一般由___________，____________，_________________和__________组成。
11．在变压器次级电压相同的情况下，桥式整流电路输出的直流电压比半波整流电路高__________倍，且脉动__________ 。
12．在选择整流二极管时主要考虑__________和__________两个参数。
13．在滤波电路中滤波电容和负载_________连，滤波电感和负载_________连。
(完整版)中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)
2015学年第1学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。
电子技术基础习题答案合集
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子信息工程技术专业《电子技术基础》专科秋季学期期末考试题试卷(卷一)
电子信息工程技术专业 《电子技术基础》专科秋季学期期末考试题试卷 （卷一） 题号 一 二 三 四 五 六 总 分 得分 一、单项选择题。
1．三类负荷对供电可靠性的要求是（ ）。
A. 任何时候都不能突然停电； B. 一般情况下不能突然停电； C. 可以随时突然停电； 2．磁电式电工仪表一般用来测量（ ）电流、电压。
A ．交流； B ．直流； 3．感应式电工仪表一般用来测量（ A ）。
A ．电能量； B ．电功率； 4．电磁式仪表的优点是（ ）测量直流，（ ）测量交流。
A ．能； B ．不能； 5．二进制数01111转换为十进制数为( A )。
A ．15； B ．21； …○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：C．18；6．8421BCD码0111表示十进制数为( B )。
A．8；B．7；C．42；7．欲表示十进制数的8个数码,需要二进制数码的位数是( B )。
A．2位；B．3位；C．4位；8．逻辑函数式A+AC,化简后结果是( )。
A．C；B．A；C．AC；9．逻辑函数式F=ABC+ABC的逻辑值为( )。
A．0 ；B．1；C．ABC；10．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态( B )。
A．恢复原状态；B．保持原状态；C．出现新状态；11．三输入D、E、F或门的逻辑表达式为( A )。
A ．D+E+F ；B ． D+E ；C ．F ED ++；12．触发器的状态是Q=1,Q =0,称为（ A ）。
A ．“1”态；B ．“0”态；C ．两个都不是；13．JK 触发器,当J=0,K=1时,其输出状态是( A )。
A ．Q=0；B ．Q=1；C ．不确定；14.功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A.一次击穿；B.二次击穿；C.临界饱和；D.反向截止；15.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )；A.大功率三极管；B.逆阻型晶闸管；C.双向晶闸管；D.可关断晶闸管；16.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )；A.干扰信号；B.触发电压信号；C.触发电流信号；D.干扰信号和触发信号；17.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )；A.导通状态；B.关断状态；C.饱和状态；D.不定；18.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )；A. 90°；B. 120°；C. 150°；D. 180°；19.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. U2；C. 2U2；D. U2；20.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. 2U2；C. U2；D. U2；21.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )；A. 0°～90°；B. 0°～180°；C. 90°～180°；D. 180°～360°；22.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )；A.π-α；B.π+α；C.π-δ-α；D.π+δ-α；23.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )；A. α负载电流Id以及变压器漏抗XC；B. α以及负载电流Id；C. α和U2；D. α和U2以及变压器漏抗XC；24.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )；A.交流相电压的过零点；B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处；C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°；25.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )；A.三相半波可控变电流电路；B.单相半控桥；C.接有续流二极管的三相半控桥；D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路；26.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )；A. 功率晶体管；B. IGBT；C. 功率MOSFET；D. 晶闸管；27.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( )；A.增大三角波幅度；B.增大三角波频率；C.增大正弦调制波频率；D.增大正弦调制波幅度；28.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )；A.减小输出幅值；B.增大输出幅值；C.减小输出谐波；D.减小输出功率；29.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )；A.电容；B.电感；C.蓄电池；D.电动机；30．把电力系统中实施电能远距离传输的环节叫做（）。
(完整版)中职《电子技术基础》期末试卷(含参考答案)
2015学年第1学期《电子技术基础》期末试卷（A卷，四大题型34小题）考试形式：闭卷一、填空题（10小题，20空格，每空格1分，共20分。
）1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。
2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。
3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。
4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。
5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。
6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。
7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。
8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。
9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。
10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。
二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。
电二《电子技术基础》期末考试试卷2
一、填空题（20分）1、数字电路按照是否有记忆功能通常可分为逻辑电路和逻辑电路两类。
2、半导体数码显示器的内部接法有共极和共极两种接法。
3、触发器按逻辑功能可以分为、、、四种触发器。
4、在数字电路中最基本的逻辑门有，，。
5、存储9位二进制信息要个触发器。
6、寄存器按照功能不同可分为寄存器和寄存器。
7、逻辑关系可以用、和三种方式表示。
8、异或门的逻辑函数式为，同或门的逻辑函数式为。
9、基本RS触发器，若现态为1，S＝R＝0，则触发状态应为__ ___。
二、选择题（30分）1、逻辑功能为：“全1出0、有0出1”的逻辑门是（）A、与非门B、或非门C、非门D、与或非门2、数字电子设备中最常采用的数制是（）A.二进制B.八进制C. 十进制D.十六进制3、下列电路中属于时序逻辑电路的是（）A. 编码器B. 计数器C. 译码器D. 数据选择器4．欲使JK触发器按Q n+1=Q n工作，可使JK触发器的输入端（）。
A.J=K=1B.J=0,K=1C.J=0,K=0D.J=1,K=05、N个触发器可以构成能寄存( )位二进制数码的寄存器。
A.N-1B.NC.N+1D.2N6、二进制计数的原则是逢（）进一。
A、1 B、2 C 、8 D 、107、若输入变量数为n，则输入变量不同的组合数目为（）A、2nB、n2 C 、8n D 、n108．十进制数25用8421BCD码表示为( )。
A.11001B.0010 0101C.100101D.100019、对于JK触发器，若KJ ，则可完成( )触发器的逻辑功能。
A、RS触发器B、JK触发器C、T触发器D、D触发器10、组合逻辑电路的分析就是（）A、根据实际问题的逻辑关系画逻辑电路图B、根据逻辑电路图确定其完成的逻辑功能C、根据真值表写出逻辑函数式D、根据逻辑函数式画逻辑电路图三、计算题（10分），1、写出下列二—十进制之间互化的结果。
(1101)2=( )10,(1010)2=( )10,(13)10=( )2,(8)10=( )2。
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富裕县职教中心高一电子技术基础2009-2010学年期末考试题
命题人：任仲影
一、填空题（1分⨯20=20分）
1、杂质半导体分为_____ 型半导体和_____ 型半导体。
2、晶体三极管在放大电路中，_______结必须正偏，________结必须反偏。
3、晶体三极管是一种_______控制型器件，场效晶体管是一种_______控制型器件。
4、将__________变换成__________________的过程称为整流。
5、桥式整流电路中，变压器二次侧电压有效值V2=10V，则负载上的输出电压
V O=____V。
6、稳压二极管工作在____________，光电二极管在___________下工作。
7、一个放大器的_____________设置是否合适是放大器能否正常工作的重要条件。
8、放大器的三种基本组态为___________、___________和____________三种电路。
9、为了减小信号源的负担，应使输入电阻尽量_____，为了增加放大器的带负载能力，
应使输出电阻尽量_____。
10、共射极放大电路输出电压与输入电压相位______，共集电极放大电路输出电压与
输入电压相位______，具有较强的______放大能力。
二、选择题（2分⨯10=20分）
1、三极管输出特性曲线常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）
A、i C
B、v CE
C、i B
D、i E
2、晶体三极管PN结处于导通状态时电压V P与V N的关系是（）
A、V P>V N
B、V P=V N
C、V P<V N
D、不确定
3、在桥式整流电路中，若有一只整流二极管开路，则（）
A、变压器烧毁
B、输出电压为零
C、电路变为半波整流电路
D、二极管烧坏
4、在滤波电路中，滤波效果最好的是（）
A、电容滤波
B、Π型RC滤波
C、Γ型LC滤波电路
D、Π型LC滤波电路
5、测得三极管各电极电位如图所示，则该三极管（）
A、PNP管，放大状态
B、NPN管，放大状态
C、PNP管，饱和状态
D、NPN管，截止状态
6、分压式偏置电路中，与发射极电阻Re并联的电容Ce的作用是（）
A、稳定静态工作点
B、提供交流通道，减少信号损耗
C、改善输出电压波形
D、减小信号失真
班级：___________ 姓名：___________ 总分：__________
7、单管共射放大器输入正弦电压，测得输出电压波形的负半周被削波，则该放大器
静态工作点设置得（）
A、正常
B、偏低
C、偏高
D、无法确定
8、既能放大电压，又能放大电流的放大器组态为______；只放大电流，不放大电压
的放大器组态为______。
（）
A、共基、共射
B、共射、共集
C、共集、共射
D、共集、共基
9、共射极放大电路中，放大器外接一个负载电阻，输出电阻将（）
A、增大
B、减小
C、不变
D、等于R L//Rc
10、图中所示放大电路（）
A、能稳定静态工作点
B、不能稳定静态工作点
C、不仅能稳定静态工作点，且效果比接有射极电阻时更好
D、不能确定
三、判断题（2分⨯5=10分）
1、晶体三极管击穿后立即烧毁。
（）
2、增强型MOSFET的工作原理是栅源电压控制栅极电流。
（）
3、RC滤波电路中，R和C2起进一步平滑作用，而且电阻R具有降压作用。
（）
4、在基本共射放大电路中，当电源电压VCC减小时，若电路其他参数不变，则电压
放大倍数Av值应增大。
（）
5、射极跟随器的输出电压略小于输入电压。
（）
四、问答题（1题4分，2题6分）
1、放大器的基本要求是什么？
2、分压式偏置电路能够自动稳定静态工作点吗？若能，请分析当温度上升时，稳定
静态工作点的过程。
五、作图题（10分）
试画出图中所示电路的直流通路与交流通路。
六、计算题（1题14分，2题16分）
1、整流电路如图所示，若负载电阻RL上的直流输出电压为12V，试求：（1）变压
器二次侧电压是多少？（2）每只二极管承受的最高反向工作电压为多少？（3）若电容C开路，负载上的电压为多少？（4）若有一只二极管脱焊，试求此时负载上的输出电压为多少？2、放大电路如图，已知晶体三极管的β=50，V BEQ=0.7V，R b1=8.2KΩ,
R b2=3.8KΩ,Rc=Re=R L=3 KΩ,V CC=12V.
试求：（1）求静态工作点I CQ、I BQ、V CEQ；
（2）求出电压放大倍数Av，输入电阻和输出电阻；
（3）当电路中没有负载电阻R L时，电压放大倍数Av
为多少？。