电子技术基础期末复习
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第1章检测题
一、填空题:(每空0.5分,共25分)
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错)
3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错)
4、PN结正向偏置时,其外电场方向一致。(错)
5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)
6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)
7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。(错)
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时,该管必被击穿。(错)
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错)
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错)
三、选择题:(每小题2分,共20分)
1、单极型半导体器件是(C)。
A、二极管;
B、双极型三极管;
C、场效应管;
D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。
A、三价;
B、四价;
C、五价;
D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。
A、导通状态;
B、截止状态;
C、反向击穿状态;
D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。
A、已经击穿;
B、完好状态;
C、部老化不通;
D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。
A、多子扩散;
B、少子扩散;
C、少子漂移;
D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。
A、较大;
B、较小;
C、为零;
D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。
A、矩形方波;
B、等腰三角波;
C、正弦半波;
D、仍为正弦波。
9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM;
B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;
C、集电极最大允许耗散功率P CM;
D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)
A、发射结正偏、集电结正偏;
B、发射结反偏、集电结反偏;
C、发射结正偏、集电结反偏;
D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题:(每小题4分,共28分)
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电
子,所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答:管脚③和管脚②电压相差0.7V ,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。
3、图6-23所示电路中,已知E =5V ,t u ωsin 10i =V ,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R =0,反向阻断时电阻R =∞),试画出u 0的波形。
答:分析:根据电路可知,当u i >E 时,二极管导通u 0=u i ,
当u i 所示: 4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况 又有何不同? 答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。 5、半导体二极管由一个PN 结构成,三极管则由两个PN 结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?如不能,说说为什么? 答:将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为,两个背靠背的二极管,其基区太厚,不符合构成三极管基区很薄的部条件,即使是发射区向基区发射电子,到基区后也都会被基区量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么? 答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大,且结面积也不同。 课后习题1-1,1-7 图6-23 u/V t 0 u i u 0 10 5