GM8125产品简介
一转多串口芯片GM8125的初始化程序

一转多串口芯片GM8125的初始化程序2009-02-22 09:38由于新产品的需求,原先mega64l的两个串口不够用了,需要在产品里加入一个扩展串口芯片,选择了GM8125(成都一家公司产的,用到现在感觉还行),但开始和这位同志的沟通上出现了不少问题,现在终于是和他熟悉了,把我做的GM8125初始化程序写在这里,希望能对大家有点用,不完善之处请指出,我会很感激的。
//用PB口控制GM8125的各个控制引脚#define CHOOSE_MODE PB0 //8125通道模式选择#define STADD0 PB2 //8125 STADD0#define STADD1 PB3 //8125 STADD1#define STADD2 PB4 //8125 STADD2#define SRADD0 PB5 //8125 SRADD0#define SRADD1 PB6 //8125 SRADD1#define SRADD2 PB7 //8125 SRADD2//将某引脚置1void setb_port(uint8_t i0,uint8_t i1){switch(i0){case 1:PORTA|=(1<<i1);break;case 2:PORTB|=(1<<i1);break;case 3:PORTC|=(1<<i1);break;case 4:PORTD|=(1<<i1);break;case 5:PORTE|=(1<<i1);break;case 6:PORTF|=(1<<i1);break;case 7:PORTG|=(1<<i1);break;default:break;}}//将某1引脚清0void clr_port(uint8_t i0,uint8_t i1) {switch(i0){case 1:PORTA&=~(1<<i1);break;case 2:PORTB&=~(1<<i1);break;case 3:PORTC&=~(1<<i1);break;case 4:PORTD&=~(1<<i1);break;case 5:PORTE&=~(1<<i1);break;case 6:PORTF&=~(1<<i1);break;case 7:PORTG&=~(1<<i1);break;default:break;}}//延时函数---1msvoid delay_ms2( uint16_t iysh){uint16_t iy;for(iy=0;iy<iysh;iy++){_delay_loop_2(1842);}}//接收中断1SIGNAL(SIG_UART1_RECV){unsigned char c00=UDR1;uint8_t rdpinb=0;rdpinb=PINB;switch((rdpinb&0xe0)>>4){case 0:scon_order[0]=c00;break;....//program codedefault:break;}}//发送中断1INTERRUPT(SIG_UART1_TRANS) //INTERRUPT{return;}//把GM8125初始化为多通道工作模式void uwart_init(void){uint8_t result=0;UCSR1B=0xdc; //8125复位后贞格式为11bit,与8125同步while(result!=0xf3){wd_tmer=0;delay_ms2(30);clr_port(7,PG4); //芯片复位 rst8125-PG4delay_ms2(50);setb_port(7,PG4);delay_ms2(700);clr_port(2,PB0); //多通道 MS=1时工作在单通道模式,=0工作在多通道模式PORTB&=0xe3; //111 0,00 11 PB2、PB3、PB4置0,进行8125设置此模式下MS=1读命令字,=0写命令字delay_ms2(30);//4800:UBRR1L=191; //7200:UBRR1L=127; //9600:UBRR1L=95;//19200:UBRR1L=47; //57600:UBRR1L=15; //115200:UBRR1L=7;//14400:UBRR1L=63; //28800:UBRR1L=31; //UBRR1L=127; //7200--`120--133 60--67delay_ms2(2);UDR1=0xf3; //波特率设定9600delay_ms2(25);setb_port(2,PB0); //读设定delay_ms2(300);result = scon_order[0];}clr_port(2,PB0);UBRR1L=15; //母串口波特率要为自串口波特率的6倍 57600delay_ms2(1);PORTB|=0x1c;delay_ms2(3);UCSR1B=0xd8;delay_ms2(1000); //初始化完要等一段时间才能对其接发数据}//通过串口1经8125向各个模块发送数据(多通道模式)void send1_obt(uint8_t pot,uint8_t cs){uint8_t ss;ss=PORTB&0xe3; //111 0,00 11 STAD0~2 置0附给ssswitch(pot){case 0:PORTB=ss; //111 0,00 11 PB2,PB3,PB4置0,进行8125工作方式的设置break;case 1:PORTB=ss|0x04; //000 0,01 00 选择子串口1发送break;case 2:PORTB=ss|0x08; //000 0,10 00 选择子串口2发送break;case 3:PORTB=ss|0x0c; //000 0,11 00 选择子串口3发送break;case 4:PORTB=ss|0x10; //000 1,00 00 选择子串口4发送break;case 5:PORTB=ss|0x14; //000 1,01 00 选择子串口5发送break;default:break;}//把GM8125初始化成单通道工作模式void uwart_init(void){clr_port(7,PG4); //芯片复位 rst8125-PG4delay_ms2(50);setb_port(7,PG4);delay_ms2(700);setb_port(2,PB0); //MS=1,工作在单通道工作模式下delay_ms2(30);PORTB=0x91; //选择串口4作为输出输入通道delay_ms2(30);UBRR1L=7; //63---对应波特率为14400,47----对应19200 对应115200---7delay_ms2(2);UCSR1B=0xd8;delay_ms2(1000);}//在单通道工作模式下通过串口1发送数据void send1_obt(uint8_t cs){UDR1 = cs;delay_ms2(5);}以上就是GM8125的单多通道初始化过程,注意的是在多通道工作模式下切换到单通道工作模式要等各串口数据发送完毕,否则可能出现丢数据的现象。
H27UCG8T2MYR_REV0.0 现代 8GB FLASH 芯片规格书

Revision History
Revision No.
0.0
Initial Draft.
1.0
Finalize
History
Draft Date Remark Apr. 27. 2010 Preliminary Aug. 17. 2010 Advanced
Rev 1.0 / Aug. 2010
2
Product Feature
COMMAND LATCH ENABLE
CLE
This input activates the latching of the I/O inputs inside the Command Register on the Rising edge of Write
Enable (WE#).
ADDRESS LATCH ENABLE
■ Organization - Page size : 8,640 Bytes(8,192+448 bytes) - Block size : 256 pages(2M+112K bytes) - Plane size : 2,048 blocks - Chip size : 2 planes (4,096 blocks)
ALE
This input activates the latching of the I/O inputs inside the Address Register on the Rising edge of Write
Enable (WE#).
CHIP ENABLE
This input controls the selection of the device. When the device is busy, CE# low does not deselect the
GM8125应用

1 概述GM812X系列串口扩展芯片可为用户提供最简单和高性能的通用串口扩展方案,该系列芯片子串口最高波特率达38400bps。
该芯片提供两种工作模式,用户可根据需要灵活选择。
该芯片母串口和子串口的工作波特率可由软件调节,而不需要修改外部电路和晶振频率。
GM812X系列芯片的外部控制少,应用灵活,编程使用简单,适合于大多数需要多串口扩展的应用场合。
2 应用说明2.1 硬件接口GM812X系列的典型应用如图1所示:图1 典型硬件接口电路图1中选用89C51作为系统的主机,通过GM8125扩展了5个子串口,5个子串口可以与5个从机相接。
如果用户只需要扩展3个串口,则可采用GM8123,硬件连接方法和GM8125相同。
2.2 程序示例2.2.1 单通道工作模式程序示例此程序应用的环境是5个从机分别以1200、2400、4800、9600、19200bps的波特率工作,并且主机与5个从机的数据通讯采用分时的方式,即每次只对一个从机发送和接收数据。
程序以C51为例:/**************************************************************//*CPU:AT89C51 *//*晶体频率:22.1184MHz *//*机器周期:0.54uS *//*语言:C51 *//**************************************************************/#include <reg51.h>#define DELAY_TIME 60000 //Delay time/**********************I/O定义***********************/sbit MS=P3^6; //GM8125工作模式控制sbit RESET=P3^7; //GM8125复位引脚控制/******************数据变量定义*****************/unsigned char SendBuff[5]={0xaa,0x45,0x67,0xbc,0xc9};unsigned char ReceiveBuff[5]={0x00,0x00,0x00,0x00,0x00};unsigned char i=0 ,j=0 ,k=1,c=0;/*********************************************//*函数名称:delay.C *//*函数功能:延时程序*//*********************************************/void delay(unsigned int m){unsigned int n;n=0;while(n < m){n++;}return;}/******************************************************//*函数名称:MAIN.C *//*函数功能:主机主程序*//*********************************************/void main(void){TMOD = 0x20; //指定定时器1工作在方式2IE = 0x90; //开串行口中断SCON=0xc0; //串行口工作在方式3for(c=0;c<5;c++) //选择5个子串口以5种不同波特率工作{switch(c){case 0:{TH1=0xd0; //装入定时器1初值,设置工作波特率为1200bps TL1=0xd0;PCON=0x00;P1=0x11; //选择8125子通道1工作break;}case 1:{TH1 = 0xe8; //装入定时器1初值,设置工作波特率为2400bpsTL1 = 0xe8;PCON=0x00;P1=0x22; //选择8125子通道2工作break;}case 2:{TH1 = 0xf4; //装入定时器1初值,设置工作波特率为4800bpsTL1 = 0xf4;PCON=0x00;P1=0x33; //选择8125子通道3工作break;}case 3:{TH1 = 0xfa; //装入定时器1初值,设置工作波特率为9600bpsTL1 = 0xfa;PCON=0x00;P1=0x44; //选择8125子通道4工作break;}case 4:{TH1 = 0xfd; //装入定时器1初值,设置工作波特率为19200bpsTL1 = 0xfd;PCON=0x00;P1=0x55; //选择8125子通道5工作break;}default:break;}TR1=1; //启动定时器1MS=1; //GM8125工作在单通道工作模式下/*主控MCU发送/接收程序*/SBUF=SendBuff[i];while(TI==0);TI=0;i++;REN = 1;while(j!= k); //等待接收完成REN = 0; //停止接收k++;TR1=0; //T1停止}}void CommReceive(void) interrupt 4{if(RI){SBUF;ReceiveBuff[j]=RI = 0;j++;}}2.2.2 多通道工作模式程序示例此程序应用的环境是5个从机均以19200bps的波特率工作,要求主机对5个从机分别发送完数据后要等待从机向主机返回一个数据。
8125规格书 V1.0

产品规格书
一、概述
LG11EA机芯由机芯板﹑按键板﹑遥控接收板和遥控器组成,由于按键板和遥控接收板的规格因机壳不同而不同,在后面的机芯说明中不再进行详细的说明。
该产品采用GenesisFLI8125芯片方案,伴音处理采用AN5832A或者TDA9874A ,音频功率放大器采用TDA1517。
适用于配接26英寸以下TTL电平和LVDS接口的液晶屏,包括AU、SAMUSUNG、HANSTAR、SHARP、BOE、LG、CMO等。
本机芯适应于中东、亚洲及澳洲等地区。
二、主要特性
2.其他功能
●童锁
●时钟
附表2:本机按键功能表(视机壳的不同,按键与对应的电压值可相互交换)
附表3: PC 支持模式表
三、主板外观图 1. 单TV 模块
四、接口定义及电参数
六、结构尺寸
1.PCB厚度+最高零件的高度=20 mm 2.螺丝孔规格: 直径3.3 mm螺丝孔
3. 如结构尺寸和实物有偏差请以实物为准。
聚洵低功耗运算放大器GS8591 8592 8594

GS8591/GS8592/GS8594放大器是单/双/四电源,微功耗,零漂移CMOS运算放大器,这些放大器提供4.5MHz的带宽,轨至轨输入和输出以及1.8V至5.5V的单电源供电。
GS859X使用斩波稳定技术来提供非常低的失调电压(最大值小于50µV),并且在整个温度范围内漂移接近零。
每个放大器550µA的低静态电源电流和20pA的极低输入偏置电流使这些器件成为低失调,低功耗和高阻抗应用的理想选择。
GS859X提供了出色的CMRR,而没有与传统的互补输入级相关的分频器。
这种设计在驱动模数转换器(ADC)方面具有卓越的性能,而不会降低差分线性度。
GS8591提供SOT23-5和SOP-8封装。
GS8592提供MSOP-8和SOP-8封装。
GS8594 Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。
在所有电源电压下,-45oC 至+ 125oC的扩展温度范围提供了额外的设计灵活性。
特性:+ 1.8V〜+ 5.5V单电源供电•嵌入式RF抗EMI滤波器•轨到轨输入/输出•小型封装:•增益带宽乘积:4.5MHz(典型@ 25°C)GS8591采用SOT23-5和SOP-8封装•低输入偏置电流:20pA(典型值@ 25°C)GS8592采用MSOP-8和SOP-8封装•低失调电压:30µV(最大@ 25°C)GS8594采用SOP-14和TSSOP-14封装•静态电流:每个放大器550µA(典型值)•工作温度:-45°C〜+ 125°C•零漂移:0.03µV / oC(典型值)Features•Single-Supply Operation from +1.8V ~ +5.5V •Embedded RF Anti-EMI Filter•Rail-to-Rail Input / Output •Small Package:•Gain-Bandwidth Product: 4.5MHz (Typ. @25°C) GS8591 Available in SOT23-5 and SOP-8 Packages•Low Input Bias Current: 20pA (Typ. @25°C) GS8592 Available in MSOP-8 and SOP-8 Packages•Low Offset Voltage: 30µV (Max. @25°C) GS8594 Available in SOP-14 and TSSOP-14 Packages •Quiescent Current: 550µA per Amplifier (Typ.)•Operating Temperature: -45°C ~ +125°C•Zero Drift: 0.03µV/o C (Typ.)General DescriptionThe GS859X amplifier is single/dual/quad supply, micro-power, zero-drift CMOS operational amplifiers, the amplifiers offer bandwidth of 4.5MHz, rail-to-rail inputs and outputs, and single-supply operation from 1.8V to 5.5V. GS859X uses chopper stabilized technique to provide very low offset voltage (less than 50µV maximum) and near zero drift over temperature. Low quiescent supply current of 550µA per amplifier and very low input bias current of 20pA make the devices an ideal choice for low offset, low power consumption and high impedance applications. The GS859X offers excellent CMRR without the crossover associated with traditional complementary input stages. This design results in superior performance for driving analog-to-digital converters (ADCs) without degradation of differential linearity.The GS8591 is available in SOT23-5 and SOP-8 packages. And the GS8592 is available in MSOP-8 and SOP-8 packages. TheGS8594 Quad is available in Green SOP-14 and TSSOP-14 packages. The extended temperature range of -45o C to +125o C over all supply voltages offers additional design flexibility.Applications•Transducer Application •Handheld Test Equipment•Temperature Measurements •Battery-Powered Instrumentation•Electronics ScalesPin ConfigurationFigure 1. Pin Assignment DiagramAbsolute Maximum RatingsCondition Min Max Power Supply Voltage (V DD to Vss) -0.5V +7.5V Analog Input Voltage (IN+ or IN-) Vss-0.5V V DD+0.5V PDB Input Voltage Vss-0.5V +7V Operating Temperature Range -45°C +125°C Junction Temperature +160°CStorage Temperature Range -55°C +150°C Lead Temperature (soldering, 10sec) +260°CPackage Thermal Resistance (T A=+25 )SOP-8, θJA 125°C/WMSOP-8, θJA 216°C/WSOT23-5, θJA 190°C/WESD SusceptibilityHBM 6KVMM 400VNote: Stress greater than those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions outside those indicated in the operational sections of this specification are not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.Package/Ordering InformationMODEL CHANNEL ORDER NUMBERPACKAGEDESCRIPTIONPACKAGEOPTIONMARKINGINFORMATIONGS8591 SingleGS8591-TR SOT23-5 Tape and Reel,3000 8591 GS8591Y-SR SOP-8 Tape and Reel,4000 GS8591YGS8592 Dual G S8592-SR SOP-8 Tape and Reel,4000 GS8592 GS8592-MR MSOP-8 Tape and Reel,3000 GS8592GS8594 Quad GS8594-TR TSSOP-14 Tape and Reel,3000 GS8594 GS8594-SR SOP-14 Tape and Reel,2500 GS8594Electrical Characteristics(V S = +5V, V CM = +2.5V, V O = +2.5V, T A = +25 , unless otherwise noted.)PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS INPUT CHARACTERISTICSInput Offset Voltage (V OS) 1 5 µV Input Bias Current (I B) 20 pA Input Offset Current (I OS) 10 pA Common-Mode Rejection Ratio(CMRR)V CM = 0V to 5V 110 dB Large Signal Voltage Gain ( A VO) R L = 10kΩ, V O = 0.3V to 4.7V 145 dB Input Offset Voltage Drift (∆V OS/∆T) 30 nV/ OUTPUT CHARACTERISTICSOutput Voltage High (V OH) R L = 100kΩ to - V S 4.998 V R L = 10kΩ to - V S 4.994 VOutput Voltage Low (V OL) R L = 100kΩ to + V S 2 mV R L = 10kΩ to + V S 5 mVShort Circuit Limit (I SC) R L =10Ω to - V S 43 mA Output Current (I O) 30 mA POWER SUPPLYPower Supply Rejection Ratio (PSRR) V S = 2.5V to 5.5V 115 dB Quiescent Current (I Q) V O = 0V, R L = 0Ω 180 µA DYNAMIC PERFORMANCEGain-Bandwidth Product (GBP) G = +100 4.5 MHz Slew Rate (SR) R L = 10kΩ 2.5 V/µs Overload Recovery Time 0.10 ms NOISE PERFORMANCEVoltage Noise (e n p-p) 0Hz to 10Hz 0.2 µV P-PnV Voltage Noise Density (e n) f = 1kHz 30 HzTypical Performance characteristicsLarge Signal Transient Response at +5V Large Signal Transient Response at +2.5VC L=300pF R L=2kΩA V=+1C L=300pFR L=2kΩA V=+1Time(4µs/div) Time(2µs/div)Small Signal Transient Response at +5V Small Signal Transient Response at +2.5VC L=50pF R L=∞A V=+1C L=50pFR L=∞A V=+1Time(4µs/div) Time(4µs/div)Closed Loop Gain vs. Frequency at +5V Closed Loop Gain vs. Frequency at +2.5V G=-100 G=-100 G=-10 G=-10G=+1 G=+1Frequency (kHz) Frequency (kHz)Typical Performance characteristicsOpen Loop Gain, Phase Shift vs. Frequency at +5V Open Loop Gain, Phase Shift vs. Frequency at +2.5VPhase ShiftV L=0pFR L=∞V L=0pFR L=∞Phase ShiftOpen Loop GainOpen Loop Gain Frequency (Hz) Frequency (Hz) Positive Overvoltage Recovery Negative Overvoltage RecoveryV SY= 2.5VV IN=-200mVp-p(RET to GND)C L=0pFR L=10kΩA V=-100 V SY= 2.5VV IN=-200mVp-p(RET to GND) C L=0pFR L=10kΩA V=-100Time (40µs/div) Time (40µs/div) 0.1Hz to 10Hz Noise at +5V 0.1Hz to 10Hz Noise at +2.5VG=10000G=10000 Time (10s/div) Time (10s/div)Application NoteSizeGS859X系列运算放大器具有单位增益稳定的特性,适用于各种通用应用。
几款发烧运放听感测试报告

几款发烧运放听感测试报告几款发烧运放听感测试报告写在前面的话:5年前写的了,现在翻出来,还是觉得有些小用,正好朋友聊起,就发了。
陆续用了一个月多时间,前后间隔三个呀,写下一些文字,名为运放听感测试报告。
虽然希望尽力给爱摩机的朋友带来一点参考,但是设备极其有限、器材相当匮乏,所以更多的也只能是一种基于爱好的相互交流。
说起来难以使人相信,从2001年入手帝盟S100开始算作发烧初始,但是一直没有真正像样一点儿的器材。
07年6,然后11月入手乐之邦玲珑3纪念版,于是一发不可收拾,接着入手HIFIDIY MINI USB DAC,再接着是甩二——我不可挽回的中毒了,为了使MINI SUB DAC和甩二工作得更好,我玩起了运放……在各类发烧器材店蹭听总计不到10小时算是熟悉器材。
08年8无损成为这次测试的音源。
本次评测目的是理性了解各个运放的特点,因此,测试者的主观认识、测试条件,就像物理学里的参照系一样重要。
所有评测以HIFIDIY MINISUB DAC增强电源打摩版(将数字、模拟部分共7粒nichicon 滤波电解换为思碧轴向钽电解电容)为基准设备,DAC的I/V 变换、LPF和放大同时使用相同的两对OP,并参考用作甩二SE输出运放的表现。
基准测试器材是ThinkPadT61+HIFIDIY MINI USB DAC+HD590,参考测试是台电T39+StreetWires ZN73.5toRCA+SXT-2+HD590&foobar0.955+帝盟S100+StreetWires ZN73.5toRC+SXT-2+HD590,搭配性测试器材是森海MX760、达音科S01、舒尔E4C、EC700 by lilelelee。
播放器为foobar0.955中文版,插件为音源为60%的人声、30%的器乐、10%的交响和古典,第一次随机选取,以后每次按第一次播放列表顺序播放。
所有评测均有相当音量(终端输出器材的音量均在8点到11点)以保证足够的声压,并用DT9205A万用表测量,使得每次同一终端输出器材1KHz下开环输出电压一致。
GM8125数据手册

4.2 多通道工作模式
当模式控制引脚 MS = 0 时,芯片工作在多通道工作模式下,多通道模式允许 5 个子串口同
时全双工地工作。在该工作模式下,芯片的地址线 STADD2~0 是输入口,由 MCU 控制选择希
表 5 命令字寄存器的默认状态
参数名
默认状态
BR2~0
000(1200bps)
FL
1(11bit 一帧)
注:该芯片不具备上电复位功能,用户在使用前必须通过复位引脚对芯片进行复位。
4.4 芯片的工作方式设置
芯片的工作方式设置包括串口帧格式设置和通讯波特率设置。芯片进行工作方式设置时, MS 为‘0’、STADD2~0 为‘000’时写命令字,MS 为‘1’、STADD2~0 全为 0 时读命令字。 此时芯片的帧格式和母串口工作波特率与上一次进行数据通讯时一致,比如上一次通讯采用
地址线可以不相同,则连接到母串口上的 RXD 和 TXD 可以属于不同的子串口。
注意:通讯时不能将 STADD 置为‘000’。
单通道工作模式各地址线定义如表 2:
表 2 单通道工作模式下地址线定义
STADD2 STADD1 STADD0 SRADD2 SRADD1 SRADD0
定义
001~101
0
旧版 文档页数
当前版本 文档页数
主题(和旧版本相比的主要变化)
11
14
增加封装机械尺寸、取消 DIP 封装
14
14
修改读命令字操作的工作方式
14
14
修改输入高电平 VIH 的最小值
14
GM8125串口扩展芯片

4.2 多通道工作模式
当模式控制引脚 MS = 0 时,芯片工作在多通道工作模式下,多通道模式允许 5 个子串口同
时全双工地工作。在该工作模式下,芯片的地址线 STADD2~0 是输入口,由 MCU 控制选择希
望发送数据的子串口,地址线 SRADD2~0 是输出口,用于向 MCU 返回接收到数据的子串口地
址。注意:通讯时不能将 STADD 置为‘000’。
各地址线定义如表 3 和表 4 所示:
表 3 多通道工作模式下子串口发送地址线定义
STADD2 STADD1 STADD0
定义
0
0
1
选择子串口 1 发送
注意:由于母口波特率是子口波特率的 6 倍,母口发送 6 帧的时间子口才能发送一帧,所 以若只需要对一个子口进行连续发送,则必须对母口发送进行延时操作,延时可采用延时程序 实现,也可通过对母串口发送无效数据来实现,具体方法为将地址线 STADD 置为全 0,然后对 母串口写 0x00。例如只需要对子串口 2 连续写两帧数据,则先向子串口 2 发送一帧数据,然后 将地址线置为 0,MCU 发送 5 个 0x00,然后再向子串口 2 发送第二帧数据,若不进行延时操作 或发送延时数据不为 0x00 将导致不可预料的结果。只向一个子串口连续发数据的时序如图 5 所 示。如果需要向所有子串口发送,则不需要延时操作,只需要依次向各个子串口发送即可。
成都国腾微电子有限公司
GM8125
1 概述
GM8125 可以将一个全双工的标准串口扩展成 5 个标准串口,并能通过外部引脚控制串口 扩展模式:单通道工作模式和多通道工作模式,即可以指定一个子串口和母串口以相同的波特 率单一的工作,也可以让所有子串口在母串口波特率基础上分频同时工作。
MEMORY存储芯片MAX823TEUK+T中文规格书

Manual Reset Input Many μP-based products require manual reset capabil -ity, allowing the operator, a test technician, or external logic circuitry to initiate a reset. A logic low on MR asserts reset. Reset remains asserted while MR is low, and for the Reset Active Timeout Period (t RP ) after MR returns high. This input has an internal 20kΩ pull-up resistor, so it can be left open if it is not used. MR can be driven with TTL or CMOS-logic levels, or with open-drain/collector outputs. Connect a normally open momentary switch from MR to GND to create a manual-reset function; external debounce circuitry is not required. If MR is driven from long cables or if the device is used in a noisy environment, connecting a 0.1μF capacitor from MR to ground provides additional noise immunity.Reset Threshold Accuracy The MAX811/MAX812 are ideal for systems using a 5V ±5% or 3V ±5% power supply with ICs specified for 5V ±10% or 3V ±10%, respectively. They are designed to meet worst-case specifications over temperature. The reset is guaranteed to assert after the power supplyfalls out of regulation, but before power drops below theminimum specified operating voltage range for the systemICs. The thresholds are pre-trimmed and exhibit tight dis -tribution, reducing the range over which an undesirable reset may occur.PINNAME FUNCTION MAX811MAX81211GND Ground 2—RESET Active-Low Reset Output. RESET remains low while V CC is below the reset threshold or while MR is held low. RESET remains low for the Reset Active Timeout Period (t RP ) after the reset conditions are terminated.—2RESET Active-High Reset Output. RESET remains high while V CC is below the reset threshold or while MR is held low. RESET remains high for Reset Active Timeout Period (t RP ) after the reset conditions are terminated.33MR Manual Reset Input. A logic low on MR asserts reset. Reset remains asserted as long as MR is low and for 180ms after MR returns high. This active-low input has an internal 20kΩ pull-up resistor. It can be driven from a TTL or CMOS-logic line, or shorted to ground with a switch. Leave open if unused.44V CC +5V, +3.3V, or +3V Supply Voltage Detailed DescriptionReset OutputA microprocessor’s (μP’s) reset input starts the μP in aknown state. These μP supervisory circuits assert resetto prevent code execution errors during power-up, power-down, or brownout conditions.RESET is guaranteed to be a logic low for V CC > 1V.Once V CC exceeds the reset threshold, an internal timerkeeps RESET low for the reset timeout period; after thisinterval, RESET goes high.If a brownout condition occurs (V CC dips below the resetthreshold), RESET goes low. Any time V CC goes belowthe reset threshold, the internal timer resets to zero, andRESET goes low. The internal timer starts after V CC returns above the reset threshold, and RESET remainslow for the reset timeout period.The manual reset input (MR ) can also initiate a reset. See the Manual Reset Input section.The MAX812 has an active-high RESET output that is theinverse of the MAX811’s RESET output.MAX811/MAX8124-Pin μP Voltage Monitorswith Manual Reset InputPin DescriptionTerminal Voltage (with respect to GND)V CC.....................................................................-0.3V to 6.0V All Other Inputs .....................................-0.3V to (V CC + 0.3V) Input Current, V CC, MR......................................................20mA Output Current, RESET or RESET ....................................20mA Continuous Power Dissipation (T A = +70°C)SOT143 (derate 4mW/°C above +70°C) .....................320mW Operating Temperature Range ...........................-40°C to +85°C Junction Temperature ......................................................+150°C Storage Temperature Range ............................-65°C to +160°C Lead Temperature (soldering, 10sec) .............................+300°C(V CC = 5V for L/M versions, V CC = 3.3V for T/S versions, V CC = 3V for R version, T A = -40°C to +85°C, unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITSOperating Voltage Range V CC T A = 0°C to +70°C 1.0 5.5V T A = -40°C to +85°C 1.2Supply Current I CC MAX81_L/M, V CC = 5.5V, I OUT = 0615µA MAX81_R/S/T, V CC = 3.6V, I OUT = 0 2.710Reset Threshold V TH MAX81_LT A = +25°C 4.54 4.63 4.72V T A = -40°C to +85°C 4.50 4.75MAX81_MT A = +25°C 4.30 4.38 4.46T A = -40°C to +85°C 4.25 4.50MAX81_TT A = +25°C 3.03 3.08 3.14T A = -40°C to +85°C 3.00 3.15MAX81_ST A = +25°C 2.88 2.93 2.98T A = -40°C to +85°C 2.85 3.00MAX81_RT A = +25°C 2.58 2.63 2.68T A = -40°C to +85°C 2.55 2.70Reset Threshold Tempco30ppm/°CV CC to Reset Delay (Note 2)V OD = 125mV, MAX81_L/M40µs V OD = 125mV, MAX81_R/S/T20Reset Active Timeout Period t RP V CC = V TH(MAX)140560ms MR Minimum Pulse Width t MR10µs MR Glitch Immunity (Note 3)100ns MR to Reset PropagationDelay (Note 2)t MD0.5µsMR Input Threshold V IHV CC > V TH(MAX), MAX81_L/M2.3V V IL0.8V IHV CC > V TH(MAX), MAX81_R/S/T0.7 x V CCV IL0.25 x V CCMR Pull-Up Resistance102030kΩRESET Output Voltage (MAX812)V OH I SOURCE = 150µA, 1.8V < V CC < V TH(MIN)0.8 x V CCV V OLMAX812R/S/T only, I SINK = 1.2mA,V CC = V TH(MAX)0.3MAX812L/M only, I SINK = 3.2mA,V CC = V TH(MAX)0.4MAX811/MAX8124-Pin μP Voltage Monitorswith Manual Reset Input Absolute Maximum RatingsStresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.Electrical Characteristics。
SeaBat 8125-超高分辨率聚焦多波束测深系统

SeaBat 8125-超高分辨率聚焦多波束测深系统具有动态聚焦功能,波束角仅为0.5o 共有240个波束 近场分辨率可达2.5cm 测深分辨率为6mm 覆盖宽度为120o 耐压能力为600m (标准)或1500m (可选) 可选用双探头配置SeaBat 8125是世界上第一台已投入使用的商品化、宽扇区、宽频带、聚焦式多波束测深仪。
接收换能器同时形成240个动态聚焦波束,覆盖海底120o宽的扇区。
测深分辨率为6mm 。
波束后向散射强度图象和检测到的水深条带实时显示在声呐监视器上,可用于快速质量检查。
用SeaBat 8125自带的图形用户界面即可控制系统运行;也可以通过由Reson 开发的数据采集及导航软件实现外部控制。
SeaBat 8125换能器可安装在水面舰船上,也可用在ROV 上,最大作业深度可达1500米。
前者可通过标准同轴电缆实现高速数据通信,后者通常选用光纤传输数据。
如采用两台SeaBat 8125组成双探头系统进行同步测量,可得到海底立体视图及更宽的覆盖范围。
同时采用6043控制器,可将双探头测得的声呐图象融合成一个图像。
高效性SeaBat 8125的数据密度大,分辨率极高,效果类似视频图象,在要求较高的场合调查效率可提高几倍,大大减少了作业时间,有效降低了工程成本。
适用场合• 高分辨率工程调查,如大坝、防波堤、码头、船底、电缆及管线等 • 细小管线抛石固位的实时控制 • 管线及电缆敷设入位的实时控制 • 对已布设管线的检测 • 电缆路由调查 动态聚焦的工作原理传统波束形成器是利用单组阵元对每个波束的延迟,生成虚拟平面阵,指向预定方向;而聚焦波束形成器则利用一系列的延迟,生成虚拟圆形阵,半径随距离而改变。
动态聚焦波束形成比传统波束形成所需处理能力大近十倍,近场分辨率高约20倍,其效果示于下图:传统波束,距离为5米聚焦波束,距离为5米接口方式系统供电 115V/230V50/60Hz,最大350W视频显示SVGA, 800x600, 72Hz系统控制轨迹球或通过以太网数据输出 10MB以太网或串行RS232C数据上传高速数字同轴缆(光纤可选)声呐头供电 24V,4A(由声呐处理器提供)工作温度0 ~ +40°C存储温度-30 ~ +55°C机械特性声呐头尺寸192×499×383 mm HWD处理器尺寸177×483×417 mm HWD换能器重量600 m 空气中重24.3kg, 水中重8.6kg1500 m 空气中重35.2kg, 水中重19.1kg处理器重量 20kg系统主要性能指标工作频率 455kHz测深分辨率6mm覆盖扇区120°最大量程 120m波束数240个纵向波束宽1°横向波束宽0.5°测深准确度符合IHO及美国陆军工程兵特级标准作业速度可达12节最大更新速率40 Hz换能器耐压深度 600m(标准),1500m(可选)北京代表处:北京市朝外大街乙12号昆泰国际大厦1807 100020Tel:(010)5879 0099Fax:(010)5879 0989Email: laurel@。
串口扩展芯片GM8125在多功能车载移动终端中的应用

串口扩展芯片GM8125在多功能车载移动终端中的应用曹忠成【摘要】当前,基于微处理器的嵌入式系统得到了广泛的应用,许多外围电路功能模块也具备了UART串口通讯功能,而现阶段的微处理器芯片通常只有1~2个串口,很少带有3个或3个以上的串口,很难满足多串口通讯的需要.基于此,介绍了一种1转5的串口扩展芯片GM8125,并分析了其功能特性.该方案已经成功应用到多功能车载移动终端中,并取得了满意的效果.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2006(029)013【总页数】3页(P132-133,136)【关键词】单片机;串口扩展;GM8125;车载终端【作者】曹忠成【作者单位】胜利油田,钻井工艺研究院,山东,东营,257017【正文语种】中文【中图分类】TN406多功能车载移动终端,主要由单片机及全球定位系统GPS模块、通用无线分组业务GPRS模块、指纹识别、汽车黑匣子等模块组成。
单片机与这些模块之间进行串行通讯,直接利用单片机的功能特点,无法满足这一需要,利用一片串口扩展芯片GM8125则可以很好地解决这个问题。
1 GM8125介绍GM8125具有将1个全双工串口扩展为5个全双工串口的功能,其封装形式有单电源和多电源之分。
多电源封装的GM8125 多用在航空等工程应用中,实际中采用的是单电源封装的GM8125 ,图1是其引脚图。
图1 GM8125引脚排列图5个子串口的波特率可调,最高可达38 400 b/s,通信协议的帧长度可调,分为10位1帧或者11位1帧两种模式。
GM8125共有6个串口,1个母串口,5个子串口,允许同时接收或者发送数据。
5个子串口分别与5个外围设备相连,母串口与单片机的串口相连,由此实现了只有1个串口的单片机与5个设备的连接。
GM8125 有3根发送地址线和3根接收地址线,用来确定数据的接收或者发送操作是发生在哪个子串口。
GM8125 扩展后,单片机向串口设备发送信息的过程如下:(1) 单片机先向地址STADD2~0 置入希望发送数据的子串口地址,再通过单片机的TXD口向母串口发送希望传输的数据。
TPS8125 6中文资料
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TPS8125 6 SLVSAZ93-W,高效率的升压转换器中MicroSiP™包装检查样品:TPS81256特点∙在4MHz运行效率91%∙宽V∙我≥ 550毫安在V OUT = 5.0V,V IN ≥ 3.3V∙±2%总直流电压精度∙43μA电源电流∙最好的一流的电压和负载瞬态∙V IN ≥至五输出操作∙低纹波轻载PFM模式∙真正的负载断开在关机期间∙热关断及过载保护∙分1毫米简介解决方案∙整体解决方案尺寸<9毫米2∙9针MicroSiP 商标包装应用∙手机,智能手机,平板电脑∙单声道和立体声演艺学院应用∙U SB-OTG功能,HDMI应用∙U SB充电接口(5V)图1。
效率与负载电流描述TPS8125x器件是的完整MicroSiP™的DC / DC升压用于电池供电的便携式应用的电源解决方案。
包中包含的开关稳压器,电感器和输入/输出电容器。
只有一个很小的额外的输出电容要求完成设计。
TPS8125x是基于高频率同步升压型DC / DC转换为电池供电的便携式应用而优化。
该DC / DC转换器工作在规定的4 MHz的开关频率,并进入省电模式在轻负载电流在整个负载电流范围内保持高效率的运作。
PFM模式扩展电池寿命,电源电流降低至43 μ A(典型值)在轻负荷运行。
TPS8125x支持低功耗应用的目的,一个完整的锂离子电池电压范围超过3W的输出功率。
在关机模式下的输入电流小于1μA(典型值),从而最大限度地延长电池寿命。
TPS8125x提供的比9毫米非常小解决方案尺寸,由于外部元件的最低金额。
在紧凑低调(2.6毫米x2.9毫米)(1.0MM)BGA封装标准的表面贴装设备的自动化装配合适的解决方案打包。
图2。
最小解决方案尺寸的应用请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并使用在关键应用德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的结束。
MicroSiP是德州仪器的商标。
除非另有说明,本文件包含版权所有©2012年,德州仪器生产数据信息为出版日期。
海哥尔德电子产品简介说明书

APRIL 2013Quick-Refere nce GuideLAPTOP, DESKTO P AND VIDEO STORAGE DRIVESSeagate Partner Program MembersVisit the Sales Tools section to access the latestproduct roadmap, end-of-life schedule and product information. DistributorsEMEA SPP Support00-800-6890-8282US Sales Support1-800-SEAGATE or 1-405-324-4700Visit for more information or call 1-800-SEAGATE (1-800-732-4283) © 2013 Seagate Technology LLC. All rights reserved. Printed in USA. Seagate, Seagate Technology and the Wave logo are registered trademarks of Seagate Technology LLC in the United States and/or other countries. Barracuda, G-Force Protection, Momentus, Pipeline HD, SmartAlign and SV35 Series are either trademarks or registered trademarks of Seagate Technology LLC or one of its affiliated companies in the United States and/or other countries. The FIPS logo is a certification mark of NIST, which does not imply product endorsement by NIST, the U.S., or Canadian governments. All other trademarks or registered trademarks are the property of their respective owners. When referring to drive capacity, one gigabyte, or GB, equals one billion bytes and one terabyte, or TB, equals one trillion bytes. Your computer’s operating system may use a different standard of measurement and report a lower capacity. In addition, some of the listed capacity is used for formatting and other functions, and thus will not be available for data storage. Actual data rates may vary depending on operating environment and other factors. The export or re-export of hardware or software containing encryption may be regulated by the US Department of Commerce, Bureau of Industry and Security (for more information go to ). Seagate reserves the right to change, without notice, product offerings or specifications. QR502.15-1304GB, April 2013APRIL 2013Quick-Reference GuideLAPTOP, DESKTOP AND VIDEO STORAGE DRIVESNew Seagate Model Number KeyDesktop, laptop and video storageST 500 DX 001BRANdCAPACiTySegMeNTATTRiBuTeS2 letters ST= Seagate MX= Maxtor2 to 4 digits 80 = 80GB 500 = 500GB 1500 = 1,500GB Capacities>9,999GB: 10 = 10TB 15 = 15TB2 lettersDX = Desktop Premium DM = Mainstream DL = Entry LevelLX = Laptop Premium LM = Laptop Mainstream LT = Laptop Thin VX = Surveillance VM = DVR VT = DVR Thin3 digits, non-intelligent Varies for:Z-height Form Factor RPM Cache Interface SED, FIPS Drop Sensor Interface SpeedView a brief training presentation on how our model numbering format has changed at /seagate/ModelNumber 1 One gigabyte, or GB, equals one billion bytes; and one terabyte, or TB, equals one trillion bytes when referring to drive capacity.2See FIPS 140-2 Level 2 Certificate at /groups/STM/cmvp/documents/140-1/1401vend.htm.37mm z-height expanded to 9.5mm enables compatibility with standard laptop chassis.4Advanced Format 4K sector drive with SmartAlign ™ technology resolves misalignment conditions.5Seagate makes this drive in both 4K and 512-byte sectors. SmartAlign technology is included on 4K sector drives. Both drives are functionally and physically equivalent.6Formerly Barracuda ®drive。
MT8125四核处理器和MT8389解析对比

MT8125四核处理器和MT8389解析对比以前中国内地的白牌(White-Box)平板电脑制造商大多的是选择珠海的全志和福州的瑞芯微处理器,因为是白牌,所以对价格很敏感,现在越来越多的厂商已经转向联发科解决方案,特别是联发科MT8125 和MT8135 等四核处理器。
除了白牌厂商,联发科的平板芯片解决方案也被多家大厂采用,包括宏碁、华硕、联系和小米等,这些厂商推出的基于联发科方案的平板电脑价格在99-199 美元之间,抢夺了白牌平板厂商的市场。
白牌平板厂商只有转向联发科,希望推出同等性能、但价格更低的产品来夺回市场。
MT8125 四核处理器介绍MT8125 是一颗MTK 专门为平板设计的四核处理器,这颗处理器采用了Cortex-A7 架构,主频为1.3GHz 并集成了PowerVR Series5XT 图形处理器,理论上最高支持1080P 高清屏幕。
最高主频为1.5GHz,包含了四个Cortex-A7 核心,内置的GPU 为PowerVR Series 5XT(最高支持1920 乘以1200 分辨率),同时还支持最高1300 万像素摄像头和1080 视频录制。
此外,联发科的这款MT8125 四核处理器还支持3G HSPA+、2G EDGE 网络,整合Wi-Fi、蓝牙4.0、GPS 和FM 收音机功能模块。
MT8125 四核处理器怎么样--MT8125 和MT8389 解析对比在联发科发布MT6589 四核SoC 后,四核手机和平板入雨后春笋般的爆发,四核手机用的MT6589SoC,而四核平板用的MT8389/MT8125 SoC,这三者到底是什么关系,他们的差异又在哪里呢?MT6589 把大屏四核带入千元时代,名声赫赫,市场上的千元四核手机。
国际通用GM音色表

电子琴的音色:电子琴是世界上音色变化最丰富的乐器,为了区分各种音色,产生了许多格式,如GM、XG、GS,GM格式是General MIDI(通用MIDI)的缩写,是由国际MIDI协会(MMA)制定,该规格规定了128种音色的排列顺序XG是YAMAHA公司1994年继GM标准建立之后推出的新规格,在保持与GM兼容的同时,又增加了许多功能。
GS是Roland(罗兰)公司推出的新标准。
MIDI音高打击乐声音35 Acoustic Bass Drum36 Bass Drum 137 Side Stick38 Acoustic Snare39 Hand Clap40 Electric Snare41 Low Floor Tom42 Closed Hi-Hat43 High Floor Tom44 Pedal Hi-Hat45 Low Tom46 Open Hi-Hat47 Low-Mid Tom48 Hi-Mid Tom49 Crash Cymbal 150 High Tom51 Ride Cymbal 152 Chinese Cymbal53 Ride Bell54 Tambourine55 Splash Cymbal56 Cowbell57 Crash Cymbal 258 Vibraslap59 Ride Cymbal 260 Hi Bongo61 Low Bongo62 Mute Hi Conga63 Open Hi Conga64 Low Conga65 High Timbale66 Low Timbale67 High Agogo68 Low Agogo69 Cabasa70 Maracas71 Short Whistle72 Long Whistle73 Short Guiro74 Long Guiro75 Claves76 Hi Wood Block77 Low Wood Block78 Mute Cuica79 Open Cuica80 Mute Triangle81 Open Triangle。
徕卡镜头介绍,以及编号和生产年限

徕卡镜头介绍,以及编号和生产年限徕卡R系是不可复制的经典,因为其高昂的制造成本和及其复杂的制做工艺加之数码时代的冲击,2009徕卡忍痛宣布R系停产。
徕卡本是贵族的专利,R停产之后二手价格急剧下挫,顺道让我等小老百姓也有了一亲芳泽的机会。
这两年陆陆续续接触了不少R头,现在小小的总结一下,有错的地方请前辈们更正一下,*镜头数据来源于多个国外网站, 镜头评价心得来源于自用心得的总结和这几年来所听到的看到的摄友评价。
广角篇:Leica Super-Elmarit-R 15mm f/2.8 ASPH2001-2009(序列号3914223 – xxx)年出产,10组13片镜设计,与德国施蔡司作生产,自带内置四色滤镜,做工非常复杂,超广角能达到2.8的光圈实属难得,因其昂贵的价格,稀少的产量,拥有此镜的人非常少,评价:质感好色彩层次一流,值得收藏。
此镜全球产量500只左右。
历史价格:$US 6,995 in 2008 - $US 3,850 in 2010Leica Super-Elmar-R 15mm f/3.51980-1996(序列号3004101- 3309700),12组13片镜设计,与蔡司合作生产,自带内置四色滤镜,做工非常复杂,是一枚值得拥有的超广角镜头,畸变控制非常好,细节上表现突出。
1997-2000(序列号3879367- 3947883)ROM版(ROM即ReadOnly Memo,是在镜头尾部加装了只读存储芯片,使用在R8,R9机身上可以得到更精确的曝光控制。
用在佳能,尼康或索尼等机身上这个功能是没有用的),ROM版因为后期工艺更为先进成熟,普遍比非ROM版锐度和解析度高。
此镜全球产量3000只左右,历史价格:EU 2,640 in2008$US 2,500 (3-cam) , 3,000 (ROM) in 2010Leica Fisheye-Elmarit-R 16mm f/2.81974-1979(序列号2682801-3009650),8组11片镜,美能达代工,因其日本血统,价格一路下跌。
gm8135s方案

gm8135s方案
是由一家专业的芯片制造公司研发的一款高性能集成芯片。
该芯片不仅具有高性能和低功耗的特点,还具有高集成功能和通用性,广泛应用于电视机顶盒、智能音箱、安防监控等领域。
一、概述
采用ARM Cortex-A7架构,集成了丰富的多媒体处理器和高效的视频硬解码器,可以支持多种视频格式的解码和播放。
该方案还拥有多种接口,包括USB、SD卡、以太网接口等,支持人机交互和数据传输等各种应用。
二、的特点
1. 高性能和低功耗:GM8135S芯片采用了低功耗技术,可以实现高性能和低功耗的完美平衡,为用户提供更好的使用体验。
2. 高集成功能和通用性:GM8135S芯片内置了多媒体处理器和硬件解码器,可以支持多种视频格式的解码和播放,也支持以太网、SD卡等多种接口,提供了更多的扩展和应用空间。
3. 安全可靠:GM8135S芯片采用了多种加密技术,可以提供更高的安全性和可靠性,保证用户数据和隐私的安全。
三、应用领域
广泛应用于电视机顶盒、智能音箱、安防监控等领域。
其中,在电视机顶盒领域,该方案具有低功耗、高性能、高清晰度等优势,在智能音箱领域,该方案具有丰富的音频处理功能和高效的通信能力,在安防监控领域,则可提供更高的安全性和可靠性。
总之,具有高性能、低功耗、高集成功能和通用性、安全可靠等优点,可以满足不同领域用户的需求,是一个非常出色的集成芯片方案。
联想S600平板芯片详解

MT8125大家都比较陌生,但如果我说MT6589或者MT8389估计大家都懂了,MT8389在联想A3000平板上已经和大家见过面了,性能和各项规与MT6589几乎一致,MT6589更是如雷贯耳,联想S920、S820、P780等等等等,清一色的使用MT6589芯片。
实质上,不论是MT8125还是MT8389,它们都是MT6589的一个分支,一个克隆分支,说得再明了些,就是MT6589的高耗版(这接下去会详细和大家说),如果把它们看成是同一个CPU也是可以的。
写这篇文字之前,我非常想找出MT8125与MT8389的区别来,可惜翻遍了整个技术文档,却毫无收获,就像玩大家来找茬一样,找了半天找不出不同来。
目前看来MT8125与MT8389唯一的不同仅有“名称”不同罢了,而MT8125与MT6589的区别在于能耗不同。
我认为,在讲解MT8125前,先给大家普及一下MTK CPU的基本知识是很有必要的,因为MTK的CPU发展有很大的连续性,比如智能手机芯片中蕴含着着功能手机的技术,而功能手机芯片中又融合了智能手机的基因,所以了解MTK新U前一定要追溯本源,才能理解的透彻,当然老鸟可以忽略,新人请往下看:MTK在移动领域CPU目前可以分为3个系列:1、MT62xx系列:该系列属于功能手机产品线,主要采用ARM7、ARM9、ARM11三种架构,ARMv5T、ARMv6L指令集,这些功能手机芯片并不羸弱,应该说很有特点。
有的性能规格甚至超过了09年顶级智能机的性能水准,如:MT6276。
有的在省电造诣上独步天下:如MT6250,耗电仅为MT8125的1/10。
目前的MTK比较新的安卓智能芯片也普遍延续着功能手机设计优势。
注意,在MT62xx系列功能机平台中,并非CPU架构越先进主频越高,手机越好,原因很简单,功能手机和智能机不同,追求的并非只是单纯的性能,而是功能、速度、价格及待机等特性的结合体,所以即便是MTK最低端的功能机端机都有着全能的心态,MTK可以实现用规格较低的硬件,做出很全面的机子。
GM8126_GM8128介绍

GM8126_GM8128介绍首先介绍GM8126处理器。
它采用了四核Cortex-A7架构,最高主频可达1.2GHz。
由于采用了较新的Cortex-A7架构,GM8126在性能上有了较大提升。
同时,它还集成了ARM Mali-400MP2 GPU,提供了良好的图形处理能力,能够满足大部分应用的需求。
此外,GM8126还集成了高性能的视频和音频编解码器,支持多种格式的视频和音频播放。
GM8126采用了低功耗设计,功耗控制得到了进一步优化。
此外,它还可以通过设计延长系统的工作时间。
这使得GM8126非常适合一些对续航能力要求较高的应用,比如便携式设备、智能家居和物联网应用等。
GM8126还支持H.265和H.264的硬件解码,可以在减少功耗的同时提供高画质的视频。
其次介绍GM8128处理器。
它也采用了四核Cortex-A7架构,最高主频可达1.3GHz。
GM8128相比于GM8126,在性能上有一定提升。
它同样集成了ARM Mali-400MP2 GPU和高性能的视频和音频编解码器,能够支持复杂的图形和多媒体应用。
GM8128同样采用了低功耗设计,并且具备较高的能效比。
它可以满足高性能应用中的功耗和热管理的需求,同时保持较长的续航时间。
GM8128支持多种接口和外设,如USB、HDMI、SPI、I2C、UART等。
这使得GM8128可以很方便地与其他硬件设备进行连接和通信,提高设备的应用灵活性。
GM8126和GM8128均采用了28纳米工艺制造,这使得它们的成本大幅降低,从而提供了更好的性价比。
这也使得它们非常适合用于智能移动终端、视频监控、智能家居、工业自动化和物联网等领域。
它们不仅仅在高性能上取得突破,同时也能满足低功耗、低成本和高集成度的需求。
综上所述,GM8126和GM8128是瑞芯微推出的高性能应用处理器。
它们采用了四核Cortex-A7架构,有着较高的性能、低功耗和低成本等优势。
它们适用于智能移动终端、视频监控、智能家居、工业自动化和物联网等多个领域。
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GM8125可为用户提供最简单和高性能的串口扩展方案,该芯片子串口最高波特率支持20Mbps。
该芯片提供两种工作模式,用户可根据需要灵活选择。
该芯片母串口和子串口的工作波特率可由软件调节,而不需要修改外部电路和晶振频率。
GM8125芯片的外部控制少,应用灵活,编程使用简单,适合于大多数需要多串口扩展的应用场合。
★特性
·扩展5个子串口
·采用写控制字的方式对芯片进行控制
·各子串口波特率可调(统一调节)
·数据格式10位或11位可选
·两种工作模式,用户可根据自己的系统需求灵活选择.单通道模式下最高波特率支持20Mbps;多通道模式下最高波特率38400bps
·与标准串口通讯格式兼容
·宽工作电压
·工作温度范围:-40℃~85℃
·输出波特率误差小于0.2%,输入波特率误差要求小于2.8%。