Unknown - 晶体硅太阳电池金属电极光学损失的 理论分析与实验研究

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实验20 太阳能电池特性的测量-推荐下载

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实验20 太阳能电池特性的测量太阳能是一种新能源,对太阳能的充分利用可以解决人类日趋增长的能源需求问题。

目前,太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。

利用太阳能发电目前有两种方法,一是利用热能产生蒸汽驱动发电机发电,二是太阳能电池。

太阳能的利用和太阳能电池的特性研究是21世纪的热门课题。

太阳能电池也称光伏电池,是将太阳辐射能直接转换为电能的器件。

由这种器件与相配套的装置组成的太阳能电池发电系统具有不消耗常规能源、无转动部件、寿命长、维护简单、使用方便、功率大小可任意组合、无噪声、无污染等优点。

世界上第一块实验用半导体太阳能电池是美国贝尔实验室于1954年研制的。

经过50多年的努力,太阳能电池的研究、开发与产业化已取得巨大进步。

目前太阳能电池的应用领域除人造卫星和宇宙飞船外,已应用于许多民用领域,如太阳能汽车、太阳能游艇、太阳能收音机、太阳能计算机、太阳能乡村电站等。

太阳能是一种清洁的“绿色”能源,因此世界各国十分重视对太阳能电池的研究和利用。

【实验目的】1.探讨太阳能电池的基本特性;2.研究无光照时太阳能电池在外加偏压时的伏安特性;3.测量太阳能电池有光照时的输出特性,并求出它的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子;4.测量太阳能电池的短路电流、开路电压与相对光强的关系,求出它们的近似函数关系。

【预备问题】1.如何对光具座的同轴等高调节?2.太阳能电池在使用时正负极能否短路?普通电池在使用时正负极能否短路?3.太阳能电池的基本工作原理是什么?4.填充因子的物理意义是什么?如何通过实验方法测量填充因子?【实验仪器】太阳能电池特性实验仪(包括光具座、滑块、光源、太阳能电池、遮光板、光功率计、直流稳压电源、遮光罩、单刀双掷开关等)、万用表、电阻箱。

【实验原理】1.太阳能电池的结构以晶体硅太阳能电池为例,它以P型硅半导体材料作为基质材料,通过在表面的N型杂质扩散而形成PN结,N型半导体为受光面,为了减少光的反射损失,一般在整个表面覆盖一层减反射膜,在N型层上制作金属栅线作为正面接触电极,在整个背面也制作金属膜作为图20-1 太阳能电池结构图背面欧姆接触电极,这样就形成了晶体硅太阳能电池,如图20-1所示。

晶体硅太阳能电池原理与制造工艺

晶体硅太阳能电池原理与制造工艺

晶体硅太阳能电池原理与制造工艺晶体硅太阳能电池原理与制造工艺1.硅太阳能电池丄作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应一般的半导体主要结构如图1-1:图1-1 半导体主要结构正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子当硅晶体中掺入其他的杂质如硼、磷等当掺入硼时硅晶体中就会存在着一个空穴它的形成可以参照图1-2o图1-2 P型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的硼原子因为硼原子周围只有3个电子所以就会产生如图1-2所示的蓝色的空穴这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和形成Ppositive型半导体。

同样掺入磷原子以后因为磷原子有五个电子所以就会有一个电子变得非常活跃形成Nnegative型半导体。

黄色的为磷原子核红色的为多余的电子。

如图1-3所示。

图1-3 '型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示圉绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的磷原子当P型和'型半导体结合在一起时在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层界面的P型一侧带负电'型一侧带正电。

这是由于P型半导体多空穴X型半导体多自由电子出现了浓度差。

N区的电子会扩散到PP的“内电场”从而阻止扩区P区的空穴会扩散到N区一旦扩散就形成了一个由N指向散进行如图1-4所示。

达到平衡后就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差这就是P\结。

图1-4内电场的形成当晶片受光后PN结中N型半导体的空穴往P 型区移动而P型区中的电子往X型区移动从而形成从X型区到P型区的电流。

然后在P\结中形成电势差这就形成了电源。

如图1-5所示图1 -5硅太阳电池结构示意图由于半导体结后如果在半导体中流动电阻非常大损耗也就非常不是电的良导体电子在通过pn大。

但如果在上层全部涂上金属阳光就不能通过电流就不能产生因此一般用金属网格覆盖p-n结如图1-6梳状电极以增加入射光的面积。

图1-6梳状电极及SiO2保护膜另外硅表面非常光亮会反射掉大量的太阳光不能被电池利用。

太阳能光伏电池检验测试结果与分析

太阳能光伏电池检验测试结果与分析
其中 在I-V关系中构成一个矩形,叫做最大功率矩形。如图4光特性I-V曲线与电流、电压轴交点分别是闭路电流和开路电压。最大功率矩形取值点pm的物理含义是太阳能电池最大输出功率点,数学上是I-V曲线上坐标相乘的最大值点。闭路电流和开路电压也自然构成一个矩形,面积为IscVoc,定义 为占空系数,图形中它是两个矩形面积的比值。占空系数反映了太阳能电池可实现功率的度量,通常的占空系数在0.7~0.8之间。
由此可见随着温度升高,反向饱和电流随着指数因子 迅速增大。且带隙越宽的半导体材料,这种变化越剧烈。
半导体材料禁带宽度是温度的函数 ,其中 为绝对零度时候的带隙宽度。设有 ,Vg0是绝对零度时导带底和价带顶的电势差。由此可以得到含有温度参数的正向电流电压关系为:
显然正向电流在确定外加电压下也是随着温度升高而增大的。
1、光源与太阳能电池部分
采用高压氙灯光源,高压氙灯具有与太阳光相近的光谱分布特征。光源标称功率750W。
2、光路部分
本设备光路简洁,有光源、滤色片、光强探测器构成。滤色片用于研究近似单色光作用下太阳能的光谱响应特性。光强探测器标定入射光强度。
3、外电路
外电路包括光源驱动电路、温度控制电路和测试分析电路三部分。光源驱动电路用于氙灯的点燃和轴流风冷。温控电路用于太阳能电池片的温度控制,加热采用电阻丝加热,冷却采用两级半导体冷堆方式。可在60℃~150℃范围内对样品进行特性测量。测试分析电路提供测试分析仪表的工作电压。
2、太阳能电池无光照情况下的电流电压关系-(暗特性)
太阳能电池是依据光生伏特效应把太阳能或者光能转化为电能的半导体器件。如果没有光照,太阳能电池等价于一个pn结。通常把无光照情况下太阳能电池的电流电压特性叫做暗特性。简单的处理方式是把无光照情况下的太阳能电池等价于一个理想pn结。其电流电压关系为肖克莱方程:

晶体硅太阳能电池工作原理

晶体硅太阳能电池工作原理

晶体硅太阳能电池工作原理引言随着环境保护意识的提高和清洁能源的需求增加,太阳能作为一种可再生能源受到广泛关注。

其中,晶体硅太阳能电池作为最常见的太阳能电池类型,被广泛应用于光伏发电领域。

本文将深入探讨晶体硅太阳能电池的工作原理。

二级标题:晶体硅太阳能电池结构晶体硅太阳能电池的结构主要包括P-N结、P型硅层、N型硅层、金属电极和淋银层等组成部分。

三级标题:P-N结P-N结是晶体硅太阳能电池的核心部分,由P型硅和N型硅构成。

P型硅中掺入三价杂质(如硼),形成空穴,而N型硅中掺入五价杂质(如磷),形成自由电子。

P-N结的形成使得P型硅和N型硅之间形成一种电势差。

三级标题:P型硅层和N型硅层P型硅层和N型硅层分别位于P-N结的两侧。

P型硅层中的空穴在P-N结中受到电势差的作用下向N型硅层扩散,而N型硅层中的自由电子则向P型硅层扩散,形成了电子和空穴的浓度梯度。

三级标题:金属电极和淋银层晶体硅太阳能电池中,金属电极位于晶体硅片的上下表面,用于引出电流。

淋银层则用于提高电流的传导效率,减小电阻损耗。

二级标题:晶体硅太阳能电池工作原理晶体硅太阳能电池的工作原理基于光电效应。

三级标题:光电效应光电效应是指当光照射到物质表面时,光子的能量被电子吸收而导致电子获得足够的能量跃迁到导带,从而产生电流。

这是晶体硅太阳能电池转换太阳能为电能的基本原理。

三级标题:光吸收晶体硅太阳能电池中的光吸收主要发生在P-N结附近的薄层区域。

当光线照射到晶体硅中时,光子能量被硅材料中的电子吸收,激发电子从价带跃迁到导带。

三级标题:电荷分离和漂移当光子激发的电子跃迁到导带后,形成了电子空穴对。

由于P-N结形成的电势差,电子和空穴被分离。

电子被N型硅层吸收,而空穴则被P型硅层吸收。

这导致在晶体硅中形成正负电荷分离的电场。

三级标题:电流产生由于电荷分离和漂移的过程,形成了P-N结两侧的正负电荷分布。

这导致了电子从晶体硅底部的金属电极流向顶部的金属电极,形成了电流。

硅光电池实验报告

硅光电池实验报告

光电探测实验报告系别:电子信息工程学院班级:光电08305班组长:李元帅组员:许满,王成,张舒红,王俐刚,蒋鹏举,罗立实验名称:硅光电池特性测试实验实验组名:第一组实验时间:2010年四月六号指导教师:***2010年四月十八号一、实验目的1、学习掌握硅光电池的工作原理2、学习掌握硅光电池的基本特性3、掌握硅光电池基本特性测试方法4、了解硅光电池的基本应用二、实验内容1、硅光电池短路电路测试实验2、硅光电池开路电压测试实验3、硅光电池光电特性测试实验4、硅光电池伏安特性测试实验5、硅光电池负载特性测试实验6、硅光电池时间响应测试实验7、硅光电池光谱特性测试实验设计实验1:硅光电池光控开关电路设计实验设计实验2:简易光照度计设计实验三、实验仪器1、硅光电池综合实验仪 1个2、光通路组件 1只3、光照度计 1台4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根6、三相电源线 1根7、实验指导书 1本8、20M 示波器 1台四、实验原理1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。

零偏反偏正偏图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合时,由于P 型材料空穴多电子少,而N 型材料电子多空穴少,结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散,N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散,扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷,N 型区带正电荷,形成一个势垒,由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行,当两者达到平衡时,在PN 结两侧形成一个耗尽区,耗尽区的特点是无自由载流子,呈现高阻抗。

当PN 结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;当PN 结正偏时,外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外电场作用下变窄,势垒削弱,使载流子扩散运动继续形成电流,此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。

硅光电池特性研究

硅光电池特性研究
图1硅光电池的构造
硅光电池的主要特性为:
(1)硅光电池的主要参数和照度特性
开路电压曲线。硅光电池在一定的光照条件下的光生电动势称为开路电压,开路电压与入射光照度的特性曲线称为开路电压曲线。
短路电流曲线。在一定光照条件下,光电池被短路时所输出的光电流值称为短路光电流。光电流密度与照度的特性曲线称为短路电流曲线。
图5硅光电池的光谱响应特性曲线
从硅光电池的光谱响应特性曲线可以看出,光电流在波长4000A到6200A的范围内,是随着波长的增长而逐渐的变大。
(二)测量硅光电池的负载特性
1、按图6连接好电路实验装置
图6测量硅光电池负载特性装置图
2、盖住硅光电池的光入射口,把电流计调零。
3、打开He-Ne激光器,正射到硅光电池上,测量不同负载电阻值下的电流和电压值,并将实验数据列于表二
图2 硅光电池的光电特性
1-开路电压特性曲线 2-短路电流特性曲线
(2)硅光电池的负载特性
硅光电池的伏安特性与最佳匹配。随着负载电阻的变化,回路中电流I和硅光电池两端的电压U相应地变化,称为硅光电池的伏安特性。当负载电阻取某一值时,其输出功率最大,这称为最佳匹配,此时所用的电阻称为最佳匹配电阻。
硅光电池的内阻。从理论上可以推导出硅光电池的内阻等于开路电压除以短路电流。可以观察到光照面积不同时,硅光电池的内阻将发生变化。
图4硅光电池温度特性
1-开路电压 2-短路电流
【实验内容和步骤】
(一)测量硅光电池的光谱的响应特性
1.把入射光挡掉,把检流计打到“×1”挡,然后把检流计调到零。
2.点亮白炽灯光源(12V),并把发光灯丝对焦成像在单色议的狭缝上面,使硅光电池接受的光电流不要超过检流计的刻度。
3.以硅光电池为接受接收元件,转动波鼓为:17.8cm,18.0cm,18.2cm,18.4cm,18.6cm,18.8cm,19.0cm,19.2cm,19.4cm,19.6cm,19.8cm,20.0cm,20.4cm,21.0cm,21.4cm,21.8cm,22.6cm,22.8cm。在进行测量前,一定要把波鼓转到17.8的位置,检查光电流是否大小适当,不要超过检流计的量程。

采用硅光电池实现光照度计电路设计与分析

采用硅光电池实现光照度计电路设计与分析

采用硅光电池实现光照度计电路设计和分析作者姓名:# # #专业名称:应用物理学指导教师:# # # 讲师摘要本文通过理论分析与数值比对来确定光照强弱与光电池输出光电信号的关系,并且通过这种关系设计了相应的光电检测电路,更直观展现光伏技术在实际生活中的应用。

随着光伏技术的日渐成熟以及应用的扩展,对光照的研究也日新月异。

所以对如何更加准确的测定光照参数也提出了更高的要求。

针对不同的要求,如何快速设计出对应的光电探测器,又有了新的课题。

本文在此背景下,进行了光照度计电路的设计与分析。

本论文共分四部分:第一部分为光电池特性介绍及实验特性参数,第二部分为电路方案设计和电路实现,第三部分为利用Protel 99SE进行电路设计,第四部分为电路实物制作与调试。

关键词:光电池转换电路光电效应伏安特性AbstractA comparsion between analysis theory and numerical ratio, which can determine the relationship between the intensity of illumination and optical signal of photocell output in this paper. And we design a corresponding circuit of photoelectric detection by the relationship showing the application of photoelectric technology in our daily life.With the development and widespread of photoelectric technology, fracture treatment has been changing quickly. So there have more high requirements about how to determine the parameter of the light more exactly. As for different requirements, it is a new project to design the corresponding electrophptonic detector. Under this background, this paper discuss design and analysis of the circuit of light meter.There are four parts in this paper:In the first part, it introduce the character of photoelectric cell and characteristic parameter of experiment. The second part is about designing scheme of circuit and realizing the circuit, The third part is using Protel 99SE to design circuit, The fourth part is to manufacture and adjust the circuit.Keywords: Potoelectric cell, Conversion circuit,Photoelectric effect, V olt-Ampere characteristic目录摘要 (I)Abstract (II)目录 (III)前言 (1)1 光伏技术的发展历程简介 (2)1.1 光伏技术的历程 (2)1.2 光伏技术的现状 (3)2 硅光电池的工作特性 (4)2.1 硅光电池的工作原理 (4)2.2 硅光电池的负载特性 (6)2.2.1硅光电池零偏和负偏时光电流与输入光信号的关系 .. 72.2.2 硅光电池输出接恒定负载时产生的光伏电压与输入光信号的关系 (8)3 电路的设计方案 (10)3.1 电路的设计要求 (10)3.2 电路的方框图 (10)3.3 电路的原理图 (11)3.4 电路的工作过程 (11)4 各单元电路实现 (12)4.1 光电池的输入信号电路 (12)4.2 电平放大转换电路 (12)4.2.1 运算放大器LM741的性能简介 (13)4.2.2 同相比例放大电路 (13)4.2.3 电平转换串联电路 (14)4.3 电平显示电路 (14)5 利用Protel对光照度计电路设计 (15)5.1 Protel电子绘图软件简介 (15)5.2 电路原理图绘制 (16)5.2.1 生成电路原理图过程 (16)5.2.2 生成BOM表 (19)5.2.3 生成网络表Netlist (21)5.2.4 电路ERC表 (22)5.3 电路PCB图绘制 (23)5.3.1 生成单面PCB图过程 (23)5.3.2 电路DRC检测 (26)6 光照度计电路制作 (27)6.1 电路的焊接 (27)6.2 电路的调试及结果 (27)总结 (30)致谢 (31)参考文献 (32)附件1 软件安装说明 (33)Protel的安装与配置 (33)前言1839年,法国科学家贝克雷尔(becωurel)就发现,光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。

结晶硅太阳电池效率的影响因素及优化方案

结晶硅太阳电池效率的影响因素及优化方案

结晶硅太阳电池效率的影响因素及优化方案本文基于结晶硅太阳电池的构造原理,理论上分析了影响太阳电池转换效率的主要因素,并为提高太阳电池的光电转换效率,提出优化方案。

进行电极优化以减小表面电极所引起的功率损失是一种行之有效的方法。

目前主要有减小电极栅线宽度、增加电极栅线高度、减少电极栅线电阻率、减小发射极与电极栅线之间的接触电阻四种方法。

其中第一种方法能够减少太阳电池的光学损失,后三种方法能够减少太阳能电池的电学损失。

综合考虑电池前表面的电学损失和光学损失,介绍了优于单层电极结构的双层电极技术。

对于俄歇复合与表面面积增加导致的电学损失,介绍了全背电极技术。

关键词:结晶硅太阳电池、光学损失、转换效率、双层电极技术第一章绪论1.1 结晶硅太阳电池的发展历史及现状中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。

进入二十一世纪,随着欧洲市场的放大,特别是德国市场,以及横空出世的无锡尚德太阳能电力有限公司,中国光伏产业在其超常规的发展中找到了前所未有的发展契机和机遇。

目前,我国在太阳能电池领域产业已经成功超过欧洲、日本,成为全球主要的太阳能电池生产国,也是世界太阳能电池生产第一大国。

在产业布局方面,我国的太阳能电池产业在环渤海、珠三角、长三角、中西部地区,已经形成了一定的集聚态势,衍生出了各具特色的太阳能产业集群。

在技术方面,国外的太阳能电池技术发展比国内早了近二十多年,尽管最近几年国家在太阳能电池方面加大了投入,但国内的太阳能电池技术与国外差距依旧很大。

想要有较大的发展,政府要给予政策上较大的引导和激励,有效合理的解决太阳能发电定价的问题和上网问题。

与此同时要较多借鉴国外的成功经验,要充分发挥政府的示范作用,可将太阳能强制推广到公共设施、政府办公楼等应用领域,推动国内太阳能电池市场需求,促使太阳能电池技术尽快起步和良性发展。

晶体硅太阳能电池基本原理课件

晶体硅太阳能电池基本原理课件

05 晶体硅太阳能电池的制造 工艺
硅片的制备
硅片是晶体硅太阳能电池的基础材料,其质量对电池性能有着至关重要的影响。
硅片的制备通常采用多晶硅作为原料,通过一系列的物理或化学方法,如机械切割、研磨、 抛光等,得到具有特定厚度和表面质量的硅片。
硅片的厚度和表面粗糙度对太阳能电池的光吸收和电性能具有重要影响,因此制备过程中需 严格控制相关参数。
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03 晶体硅太阳能电池的材料 与结构
单晶硅太阳能电池
单晶硅太阳能电池是以高纯度的单晶硅棒为原料,经过切割 、研磨、腐蚀、抛光、清洗、烘烤等工序后制成。其结构通 常包括导电电极、P型硅片、N型硅片、PN结等部分。
单晶硅太阳能电池的效率较高,技术成熟,是目前应用最广 泛的太阳能电池之一。
多晶硅太阳能电池
多晶硅太阳能电池是以多晶硅材料为原料,经过铸锭、切片、清洗、制绒、扩散 、减反射膜制备、金属化等工序后制成。其结构与单晶硅太阳能电池类似,但多 晶硅材料内部晶粒大小和分布不均匀,导致其光电转换效率相对较低。
多晶硅太阳能电池成本较低,适合大规模生产,因此在光伏发电领域应用广泛。
薄膜硅太阳能电池
薄膜硅太阳能电池具有成本低、重量轻、可弯曲等特 点,因此在便携式设备、建筑一体化等领域具有广阔 的应用前景。
02 晶体硅太阳能电池的工作 原理
光吸收原理
晶体硅太阳能电池通过光吸收原理将太阳光转化为电能。当太阳光照射到电池表面 时,光子能量激发硅原子中的电子,产生光生载流子。
光吸收系数与入射光的波长有关,不同波长的光子具有不同的能量,能够激发不同 能级的电子。
光吸收系数随着硅材料中掺杂浓度的增加而减小,因此高掺杂浓度的硅材料具有更 好的光吸收性能。

光伏技术7-8-晶体硅太阳能电池

光伏技术7-8-晶体硅太阳能电池

45
★ 柱状多晶硅np太阳电池可以用多个硅微晶体(晶粒)并联而成的电路来描述。
42
3. 1.多晶硅生产工艺
冶金级硅 99% 太阳能级 多晶硅(6N)
还原法
SiO
2
2 C Si CO
2
改良西门子法 Si 3 HCl
SiHCl
1100

3 C
H
2
SiHCl
3
H
2
Si 3 HCl
减小表 面复合 增加光 吸收
提高晶 硅电池 效率
31
减小串 联电阻
4.1.1 光吸收的优化
1
• 受光面制成绒面结构 • 受光面镀减反膜 • 激光刻槽埋栅结构,较小遮光面积 • 背面全部镀上金属电极
2
3
4
32
4.1.2 表面复合的优化
1
• 背表 面场
2
• 钝化 发射 极
3
• 背面 点接 触
图. 背表面场对电子有势垒的作用, 降低表面复合速度Sn
H
2
SiHCl
3
H
2
Si 3 HCl
单晶硅棒
直拉单晶法, 引入B元素 切片,化学腐 蚀修复机械损 伤
7
P型硅洁
双面研磨至晶圆厚度约200µm,NaOH刻蚀
注入硼(B),在基极产生p型高掺杂区,用于产 生背场和接触区 在石英管中进行磷扩散,扩散深度:0.1~0.2 μm
多晶硅铸锭
定向凝固法, 引入B元素 切片,化学腐 蚀修复机械损 伤
43
P型硅片
3.2 多晶硅电池的制备工艺
原料:柱状多晶硅锭
切割与清 洗
发射极扩 散掺杂

晶体硅太阳能电池结构及原理

晶体硅太阳能电池结构及原理

射层的原因是由于硅材料在可见光到红外线波段400~1100nm的区域
内有相对于空气较大的折射率3.5~6.0.也就是说,在可见光区域有接
近50%,红外线区域内有30%的反射损失。在三层物质的界面的电磁
波反射系数R为:
R=
2 −0 .
2
2 +0 . 2
18
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
比(111) 面快。
(100)硅片的各向异性腐蚀导致在表面产生许多密布的表面为
(111)面的四面方锥体。形成绒面的硅表面。
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
可通过不同途径实现表面织
构化:晶体硅可通过腐蚀晶
面的刃面来实现织构化
如果晶体硅表面是沿内部原
子排列的,则织构化表面类
似金字塔。商业单晶硅电池
常用的手段。
21
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
电极图形设计:设计原则是使电池的输出最大。要兼顾两个方面:
使电池的串联电阻尽可能小,电池的光照作用面积尽可能大。
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
1.
电极材料的选择
(1) 能与 硅形成牢固的接触;
(2) 这种接触应是欧姆接触,接触电阻小;
(3) 有优良的导电性;
(n=2.3)、Al2O3(n=1.86)、SiO2(n=1.44)
19
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
单晶硅太阳能电池在不同入射角与不同防反射材质条件下的光反射率:
20
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
上电极
上电极的作用是将移动至表面的电子/空穴取出,以形成外部电流,
提供给外部负载。由于电极与硅材料接触,为了降低串联电阻,电极

激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展

激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展

激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展李涛;周春兰;赵雷;李海玲;刁宏伟;刘振刚;王文静【摘要】Laser doping is an ideal technology option in preparation of highly efficient crystalline solar cells for its advantages, such as strong controllable, simple process, and little laser-induced damage to materials. This paper summarizes the research of laser-doping at home and abroad, introduces the main laser technology in doping preparation of crystalline silicon solar cells, and analyzes the influence of laser density of energy, laser pulse number, laser wavelength and surface textured or not to laser doping effects, as well as the advantages and characteristics of crystalline silicon solar cells fabricated by laser-doping.%激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。

本文总结了国内外激光掺杂的研究工作,介绍了掺杂制备晶体硅太阳电池主要激光技术,分析了激光能量密度、激光脉冲个数、激光波长,和材料表面织构与否对激光掺杂效果的影响,以及激光掺杂制备的晶体硅太阳电池的优势特点。

氮化硅薄膜的钝化作用对太阳能电池片性能的影响分析和研究

氮化硅薄膜的钝化作用对太阳能电池片性能的影响分析和研究

氮化硅薄膜的钝化作⽤对太阳能电池⽚性能的影响分析和研究氮化硅薄膜的钝化作⽤对太阳能电池⽚性能的影响分析和研究摘要作为⼀种器件表⾯介质膜,SiNx薄膜已被⼴泛应⽤于IC以及太阳能光伏器件的制造中。

在⾼效太阳能电池研究中,发射结表⾯钝化和减反射⼀直是其研究的主题。

电池正⾯发射结不仅要求表⾯钝化层有优良的钝化性能,同时也要求介质层能够与表⾯层减反射膜⼀起产⽣很好的减反射效果,从⽽进⼀步提⾼太阳电池器件的光⽣电流、开路电压以及电池效率。

本⽂阐述了⾼效太阳电池研究中正⾯发射结上的钝化与减反射⼯艺与原理,重点对PECVD法制备SiNx的钝化机制,H 钝化进⾏了详细的分析。

主要对⽣产中常使⽤的管式PECVD和板式PECVD 制备的薄膜,通过少⼦寿命测试仪(WT2000)检测少⼦寿命,椭偏仪测试膜厚和折射率,积分反射仪测试反射率以及利⽤HF腐蚀来检验薄膜致密性等⼿段对薄膜性能进⾏了分析和⽐较。

⼜对板式PECVD 制备薄膜条件进⾏了优化。

研究发现,氮化硅最佳的沉积条件是:温度370℃,SiH4:NH3=500:1600,时间3min;获得了沉积氮化硅后硅⽚少⼦寿命⾼钝化效果好、膜厚与折射率搭配好反射率低的⼯艺条件。

关键词:氮化硅薄膜;PECVD;减反膜;钝化;太阳能电池THE PASSIVATION OF SILICON NITRIDEFILM ON SOLAR CELLS ANALYSIS ANDRESEARCHABSTRACTAs a dielectric thin film of device, SiNx has been widely used in IC and Solar cells manufacturing . In the research and investigation of high efficiency silicon solar cell, the passivation of front emitter and anti reflection has been their focus. Because,for the front emitter, we need it have excellent passivation quality and good antireflection property, in this way to improve the Isc an d Uoc, further more to get much high efficiency.In this thesis we describe the passivation & Antireflection of high efficient Silicon Solar cells on the front emmiter and then we focus on PECVD analysising the Mechanism of hydrogen passivation. In the experiments I used the tubular and plate PECVD preparing silicon nitride thin film.Then,I texted minority carrier lifetime by minority carrier lifetime tester(WT2000),film thickness and refractive index by ellipsometer,reflectivity by D8 integral reflectivity,and using HF solution tested the film density.These were used to ailalyze the properties of silicon nitride films.Another,Improving the condition of the plate PECVD deposition .The results show that the temperature of deposition is 370, SiH4:NH3=500:1600, time:3min.In this condition Silicon have a good passivation quality, film thickness and refractive index well matching and low reflectance.KEY WORDS: silicon nitride film ; PECVD; ACR; passivation; silicon solar cells⽬录第⼀章绪论 (1)§1.1 太阳电池的应⽤前景 (1)§1.1.1 能源危机 (1)§1.1.2 光伏政策及现状 (1)§1.2 光伏太阳电池钝化减反射膜介绍 (3)§1.2.1 减反射介绍 (3)§1.2.2 钝化介绍 (6)§1.3 实验意义 (7)第⼆章实验⽅法和过程 (9)§2.1 样品制备选择 (9)§2.2 管式PECVD与板式PECVD对⽐实验 (9)§2.1.2 实验⼯艺过程 (10)§2.3 NH3与SiH4不同流量⽐对薄膜性能的影响 (12)§2.4 实验设备及检测 (13)§2.4.1 设备与仪器 (13)§2.4.2 检测⼿段 (15)第三章实验结果与分析 (17)§3.1 板式PECVD和管式PECVD对⽐实验 (17)§3.1.1 膜厚和折射率对⽐ (17)§3.1.2 两种设备制得薄膜反射率对⽐ (18)§3.1.3 镀膜后钝化效果的⽐较 (18)§3.2 NH3/SiH4对薄膜性能的影响 (19)§3.2.2 NH3/SiH4对SiNx薄膜厚度的影响 (19)§3.2.3 NH3/SiH4对SiNx 薄膜折射率的影响 (21)§3.2.4 NH3/SiH4对SiNx薄膜反射率的影响 (22)§3.2.5 NH3/SiH4对SiNx薄膜钝化效果的影响 (23)结论 (25)参考⽂献 (26)致谢 ...................................................错误!未定义书签。

实验20 太阳能电池特性的测量

实验20  太阳能电池特性的测量

实验20 太阳能电池特性的测量太阳能是一种新能源,对太阳能的充分利用可以解决人类日趋增长的能源需求问题。

目前,太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。

利用太阳能发电目前有两种方法,一是利用热能产生蒸汽驱动发电机发电,二是太阳能电池。

太阳能的利用和太阳能电池的特性研究是21世纪的热门课题。

太阳能电池也称光伏电池,是将太阳辐射能直接转换为电能的器件。

由这种器件与相配套的装置组成的太阳能电池发电系统具有不消耗常规能源、无转动部件、寿命长、维护简单、使用方便、功率大小可任意组合、无噪声、无污染等优点。

世界上第一块实验用半导体太阳能电池是美国贝尔实验室于1954年研制的。

经过50多年的努力,太阳能电池的研究、开发与产业化已取得巨大进步。

目前太阳能电池的应用领域除人造卫星和宇宙飞船外,已应用于许多民用领域,如太阳能汽车、太阳能游艇、太阳能收音机、太阳能计算机、太阳能乡村电站等。

太阳能是一种清洁的“绿色”能源,因此世界各国十分重视对太阳能电池的研究和利用。

【实验目的】1.探讨太阳能电池的基本特性;2.研究无光照时太阳能电池在外加偏压时的伏安特性;3.测量太阳能电池有光照时的输出特性,并求出它的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子;4.测量太阳能电池的短路电流、开路电压与相对光强的关系,求出它们的近似函数关系。

【预备问题】1.如何对光具座的同轴等高调节?2.太阳能电池在使用时正负极能否短路?普通电池在使用时正负极能否短路?3.太阳能电池的基本工作原理是什么?4.填充因子的物理意义是什么?如何通过实验方法测量填充因子?【实验仪器】太阳能电池特性实验仪(包括光具座、滑块、光源、太阳能电池、遮光板、光功率计、直流稳压电源、遮光罩、单刀双掷开关等)、万用表、电阻箱。

【实验原理】1.太阳能电池的结构以晶体硅太阳能电池为例,它以P型硅半导体材料作为基质材料,通过在表面的N型杂质扩散而形成PN结,N型半导体为受光面,为了减少光的反射损失,一般在整个表面覆盖一层减反射膜,在N型层上制作金属栅线作为正面接触电极,在整个背面也制作金属膜作为背面欧姆接图20-1 太阳能电池结构图触电极,这样就形成了晶体硅太阳能电池,如图20-1所示。

硅基有机太阳能电池光学性能分析

硅基有机太阳能电池光学性能分析

+ 中图分类号: TM914. 4 2
Analysis of Optical Performance for Organic Solar Cell on Si Substrate
2* 2 LI Xiang1 ,WEN Shangsheng1, ,YAO Rihui1,
( 1 . Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,South China University of Technology,Guangzhou 510640 ,China; 2 . State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,South China University of Technology,Guangzhou 510640 ,China) * Corresponding Author,Email: shshwen@ scut. edu. cn
: 2 πcε0 kn E ( x) λ
2
Q( x) =

( 8)
式中 c、 λ、 ε0 分别为真空中的光速、 波长和介电常 k 和 n 分别为活 性 层 的 消 光 系 数 和 折 射 率。 数, 11 ] , 根据文献[ 活性层对波长为 λ 的入射光的吸 收效率可以表示为: A( λ ) = 1 Q( x) dx, I( λ)
摘要: 采用传输矩阵法的光学模型以及 MATLAB 软件模拟了硅基有机太阳能电池对入射光的吸收率和各层
厚度的关系。模拟表明活性层对入射光的吸收率主要受其自身厚度影响 , 且由于微腔效应, 这种结构的电池 可以很大程度上优化活性层厚度 ; 另外通过调节折射率匹配层厚度和传输层厚度也可以优化活性层对入射 光的吸收率。在本文所讨论的厚度中 , 最佳传输层厚度为 10 nm 左右, 最佳匹配层厚度为 30 nm ZnS 或者 60 nm Alq3 。 关 键 词: 有机太阳能电池; 吸收率; 传输矩阵法; 光电场分布 文献标识码: A DOI: 10. 3788 / fgxb20123303. 0286

金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池

金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池

金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池吴伟梁;林文杰;赵影文;包杰;刘宗涛;邱开富;梁宗存;沈辉【摘要】采用金属氧化物多层膜作为新型晶体硅太阳电池发射极,并成功制备出多层膜背接触(MLBC)太阳电池,对其器件性能进行详细分析发现,金属氧化物多层膜具有高载流子浓度、低界面复合速率、低方阻,以及优异的光学性能.最终所制备的MLBC太阳电池光电转换效率达17.16%,开路电压可达631 mV,相比于V2Ox/n-Si太阳电池,器件效率提高了1.36%.测试结果表明,V2Ox/Ag/V2Ox作为晶体硅太阳电池发射极,具有低界面复合速率和接触电阻率,具有成为高效率太阳电池的潜力.【期刊名称】《太阳能》【年(卷),期】2017(000)004【总页数】4页(P35-38)【关键词】金属氧化物;晶体硅;免掺杂;多层膜;太阳电池【作者】吴伟梁;林文杰;赵影文;包杰;刘宗涛;邱开富;梁宗存;沈辉【作者单位】中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;顺德中山大学太阳能系统研究所;中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;顺德中山大学太阳能系统研究所;中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;顺德中山大学太阳能系统研究所【正文语种】中文2016年,日本Kaneka公司将背接触异质结(HBC)晶体硅太阳电池效率提升到了26.33%,成为全球最高效率的硅基异质结太阳电池[1]。

HBC太阳电池具有较高的制备工艺难度,是将背接触和异质结技术相结合,由晶体硅和非晶硅形成的高效电池结构,可避免前表面金属电极遮光损失,背面可实现全金属化,进一步降低串联电阻,整个背面将有本征非晶硅进行钝化,其开路电压可达740 mV以上[2]。

赵慧杰 - 哈尔滨工业大学材料学院

赵慧杰 - 哈尔滨工业大学材料学院

材料科学与工程学院赵慧杰工学博士副教授;硕士生导师+86-451-86412462hjzhao@主要研究方向空间环境作用下太阳电池的损伤机理及可靠性评价主要学术成果1.赵慧杰,何世禹,孙彦铮.100keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响.物理学报,2009.1.SCI ISI:0002628343000622.H.J.Zhao,J.D.Xiao,S.Y.He and D.Z.Yang.A study on the electric properties of single-junction GaAs solar cells under the combined radiation of low-energy protons and electrons.Nuclear Inst&Methods in Physics Research,2008.7.SCI ISI:0002601574000223.H.J.Zhao,Y.Y.Wu,S.Y.He.Effects of low-energy Proton Irradiation on the Electrical Property of GaAs/Ge Solar Cells.9th International Conference on“Protection of Materials and Structures from Space Environment”,2008.5.SCI ISI:0002635827000614.H.J.Zhao,Y.Y.Wu,S.Y.He.PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS(SPIE).Conference on Fundamental Problems of Optoelectronics and Microelectronics III,2007.1.SCI ISI: 0002461710001415.JiaqiZhu,HuijieZhao,Chunzhu Jiang.HanBoron doped amorphous diamond window layer deposited by filtered arc for amorphous silicon alloy p-i-n solar cells.SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS,2009.5.SCI ISI:0002683732000306..H.J.Zhao,Y.Y.Wu,S.Y.He,G.Lu,Z.Y.Ye.Effects of low-energy Proton Irradiation on the electrical property of GaAs/Ge Solar Cells. International Russia-China symposium“Modern materials and technologies”,2007.107.赵慧杰,何世禹,肖志斌.张益君.50~170keV质子照射对GaAs/Ge太阳电池光谱响应的影响.核技术,2008.1.EI ISI: 200809111252548.赵慧杰,肖景东,吕伟.70~170keV质子辐照下GaAs/Ge太阳电池的性能退化.电源技术.2007,109.金晓鸥,赵慧杰,何世禹.真空环境下峰时效态2A12合金的疲劳行为.《材料工程》,2004.8EI收录2009271217169310.金晓鸥,赵慧杰,何世禹.真空环境下欠时效态2A12合金的疲劳行为.材料科学与工艺.2004.6EI收录200509886594611.金晓鸥,赵慧杰,何世禹.真空环境下自然时效态2A12合金的疲劳行为.材料工程.2006.3EI收录200619986889712.金晓鸥,窦韬,赵慧杰.真空环境下过时效态2A12合金的疲劳行为.材料科学与工艺.2006.2EI收录20063110042771。

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晶体硅太阳电池金属电极光学损失的理论分析与实验研究∗李 涛1)† 周春兰1) 宋 洋2) 杨海峰3) 郜志华2) 段 野2) 李友忠2) 刘振刚1) 王文静1)1)(太阳能热利用及光伏系统重点实验室,电工研究所,中国科学院,北京 100190)2)(中轻太阳能电池有限责任公司,北京 101111)3)(中国检验检疫科学研究院,北京 100123)(2010年11月4日收到;2010年12月15日收到修改稿) 本文基于丝网印刷和丝网印刷后光诱导电镀太阳电池,分析了太阳电池前表面金属电极引起的光学损失的各种情况.考虑到空气⁃玻璃界面和金属电极两侧边缘区域的反射,通过将金属电极截面近似为半椭圆形模拟了电极的光学损失,计算得到的有效宽度比约为金属电极几何宽度的40%.通过对不同类型样品反射谱的测量计算,同时在理论模拟和实验测量上得到了太阳电池前表面金属电极的光学损失,相应的理论与实验结果相符合.关键词:光学损失,有效宽度比,光诱导电镀,反射谱PACS :88.40.jj,88.40.H -,88.40.-j∗中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2⁃YW⁃382)和国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z437)资助的课题.†E⁃mail:litao@1.引言目前常规产业化晶体硅太阳电池前表面主要是由产生光电流[1—3]的氮化硅受光区域和收集电流的金属栅线电极组成,而由于电极电阻引起的电学损失和电极遮光引起的光学损失是制约太阳电池效率提升的主要因素.加大栅线宽度可以减低栅线的线电阻,减小电学损失,但是也同时增大了金属电极的遮光面积,优化的电池设计需要综合考虑电池电学损失和光学损失两方面的因素,例如在前表面制备大的高宽比的金属电极.德国Fraunhofer 研究所为此采用了前表面双层金属电极的方法:首先采用丝网印刷在前表面制备金属电极种子层,然后应用光诱导电镀的方法加厚银电极,得到低栅线电阻的太阳电池.在光诱导电镀的过程中,太阳电池浸入银镀液,电池背表面与外电源阴极相连,前表面受光照产生光电流.与外电源阳极相连的银棒浸入电镀液体,在电势驱动下产生银离子沉积在前表面金属电极上.使用光诱导电镀技术得到了效率高达23.3%的实验室级的太阳电池[4],而采用双层电极技术得到了效率为18.4%的产业化高效太阳电池[5].在光诱导电镀过程中,栅线宽度不断增加,增大了前表面的光学损失,影响了效率的提升,因此分析前表面金属电极的所引起的光学损失的产生机理,研究平衡电学损失和光学损失矛盾的技术路线至关重要.已有文献将金属电极的截面假定为半圆形,通过在太阳电池表面覆盖异丙醇和玻璃半定量的分析了前表面电池的光学损失[6].本文基于产业化太阳电池普遍采用的丝网印刷技术和新兴的丝网印刷后光诱导电镀技术,综合考虑了封装后乙烯醋酸乙烯脂共聚物(EVA)和玻璃的影响,分析了太阳电池前表面光学损失产生的各种情况,将金属电极近似为半椭圆形,通过扫描电子显微镜(SEM)观测和反射谱[7—9]测量,定量模拟计算了前表面金属电极引起的光学损失,并与实验上所得到的封装太阳电池的光学损失结果进行了比较.2.理论计算当太阳光透过玻璃和EVA 入射到晶体硅太阳电池上时,入射到电池电极表面的太阳光部分被吸收,部分被反射出组件,部分反射到电池氮化硅受光区域.由于金属电极对太阳光的吸收会造成吸收损失,而电极将入射的太阳光反射出组件会造成反射损失,这两部分损失之和就是金属电极所产生的光学损失.决定晶体硅太阳电池前表面光学损失的因素并不是简单的细栅和主栅的几何宽度,而是根据栅线具体的形态所决定的有效宽度比.由于部分入射的太阳光被金属电极和封装玻璃反射到太阳电池的受光区域,与直接入射到太阳电池氮化硅减反薄膜的太阳光共同产生光电流,因此有效宽度比实际上明显小于金属电极的几何宽度.表征光学损失的有效宽度比定义为经太阳电池金属电极反射后离开电池组件的部分太阳光与入射到太阳电池表面的太阳光总量的比值.晶体硅太阳电池被封装在玻璃下面,其中封装材料EVA 的厚度远大于入射太阳光的波长,因此可以忽略入射光的干涉效应[10—12].根据太阳电池自动跟踪系统能够自动跟踪太阳的高度角与方位角,使得入射的太阳光始终垂直于封装的太阳电池阵列的表面以获取最大发电效率的特点,前表面银电极对太阳光的反射主要分为以下4种情况,如图1所示.1)金属电极的反射光线在空气⁃玻璃界面的反射角超过全反射的临界角,光线全反射回到太阳电池受光区域.2)太阳光入射到金属电极两侧边缘区域,直接反射到电池受光表面.3)太阳光透过玻璃和EVA 入射到金属电极中间区域,然后经反射回到太阳电池表面.4)太阳光透过玻璃和EVA 入射到金属电极中间区域,然后经折射离开组件.图1 太阳光被金属电极反射的四种不同情况在第1),2)和3)种情况中,太阳光虽然入射到金属电极表面,但是还是被反射到太阳电池氮化硅受光区域,参与了光电流的产生.然而在第4)种情况中,太阳光被金属电极反射后在空气⁃玻璃界面折射出太阳电池组件,决定了金属电极光学损失的有效宽度比.在可见光波段玻璃的折射率近似为n glass =1.52,EVA 的折射率为n EVA =1.48,根据斯涅尔定律[13,14],空气⁃玻璃界面的全反射临界角β和相应的玻璃⁃EVA 界面入射角α表示为β=sin -1(n air /n glass ),(1)α=sin -1(n air /n EVA ).(2) 由于空气的折射率近似为n air =1,因此在发生全反射时,β=41.1°和α=42.5°.根据实验上SEM 的观测,丝网印刷与丝网印刷后光诱导电镀太阳电池的金属电极的截面近似于半椭圆形.如果采用直角坐标系,取坐标原点位于椭圆中心,并且假设椭圆的长半轴为a ,离心率为e ,根据椭圆方程和反射定律,恰好发生全反射的位置表示为x 1=±a ·sin α2()·11+sin 2α2()-e 2⎛⎝⎜⎜⎞⎠⎟⎟1/2,(3) 而当太阳光入射到金属电极边缘,电极对光线的反射角逐渐变大,则太阳光将直接反射到太阳电池氮化硅区域,通过几何关系计算得到第2)种情况中的临界位置表示为x 2=±a ·12-e 2()1/2.(4) 根据光的波动理论和菲涅耳公式[15—17],将入射太阳光分为振动平面平行于入射面的水平偏振光和垂直于入射面的垂直偏振光[18],在空气⁃玻璃界面处的透射率表示为T =12·[2sin θair cos θglass sin(θair +θglass )cos(θglass -θair )⎛⎝⎜⎞⎠⎟2+2sin θair cos θglass sin(θair +θglass )⎛⎝⎜⎞⎠⎟2],(5)其中θair 和θglass 分别代表在空气⁃玻璃界面处,出射太阳光的入射角和折射角.当太阳光入射在金属电极的中间区域,即在第3)和第4)种小角度反射的情况中,反射的太阳光被折射出电池组件的透射率超过95%;而当太阳光入射在金属电极两侧区域,即在第1)种大角度反射的情况中,透射率为0,发生全反射,如图2所示.考虑到实际中太阳电池金属电极表面的起伏,并非所有入射在金属电极中间区域的太阳光都会被直接小角度反射,金属电极表面更接近于漫反射图2 空气⁃玻璃界面处透射率与入射角度的关系太阳光的朗伯面[19],如图3所示.最终可能被折射出电池组件的太阳光在金属电极上的反射角应该小于α/2,因此入射在金属电极中间区域的太阳光最终被反射出电池组件的比例可以表示为ρ=12π∫2π0d φ∫αsin θd θ,(6)图3 太阳电池金属电极表面微结构图4 晶体硅太阳电池金属电极光学损失实验流程其中θ和φ分别代表球坐标系中的方位角和仰角.太阳光入射到金属电极后,部分会被银电极吸收,造成金属电极的吸收损失.如果假设金属银电极对太阳光的吸收系数为ηsilver ,那么表征光学损失的金属电极的有效宽度比可以表示为OL contact =ηsilver +(1-ηsilver )·T ·ρ·x 1a.(7) 太阳电池金属电极的光学损失是包括氮化硅受光区域在内的电极吸收损失和反射损失之和与入射总光强的比值,表示为OL cell =OL contactS /2a,(8)其中,S 代表金属电极的间距.3.样品制备本文实验采用电阻率2Ω·cm,太阳能级的p 型125mm ×125mm 单晶硅片作为样品.单晶硅片经过NaOH,Na 2CO 3和IPA 的碱式制绒,三氯氧磷管式热扩散(方块电阻为60±2Ω/□),CF 4和O 2的等离子体去边,去除表面残余磷硅玻璃,平板式PECVD 沉积折射率2.05,厚度80nm 的SiN x :H 减反钝化薄膜,然后丝网印刷背电极和背电场.将样品分为两部分:一部分丝网印刷前表面银电极,其中栅线间距2mm;另一部分丝印银电极后进行光诱导电镀银增加前表面电极几何面积.取部分样品作为参考片进行SEM 的观测,其余样品使用EVA 和玻璃封装这两种电池样品,然后进行确定前表面光学损失的反射谱测试.我们使用美国光伏测量公司(PV Measurements,Inc.)的QEX7测试系统测试反射谱,其中采用氙弧灯作为太阳光的模拟光源,入射的圆形光斑直径为1cm.单晶硅太阳电池前表面光学损失实验的基本流程如图4所示.通过SEM 的观测可知,丝网印刷样品的金属电极截面宽度约为102μm,而丝网印刷后光诱导电镀银的样品电极截面宽度为118μm,因此理论计算的椭圆半长轴长分别取为51μm 和59μm,如图5所示.图5 太阳电池金属电极截面图 (a)丝网印刷;(b)丝网印刷后光诱导电镀4.结果与讨论介绍前表面银电极所引起的光学损失是电极的吸收损失和反射损失之和,需要通过测量计算五种不同类型的样品的反射谱获得,分别是:丝网印刷太阳电池、丝网印刷后光诱导电镀太阳电池、表面丝网印刷栅线面积超过反射谱测量光斑尺寸的太阳电池、表面光诱导电镀银电极面积超过反射谱测量光斑尺寸的太阳电池、表面只有氮化硅的太阳电池.通过在测量过程中改变样品类型和入射光斑的覆盖区域可以测量得到不同物理含义的反射谱:入射光斑同时覆盖金属电极栅线和氮化硅受光区域得到太阳电池的反射谱R cell ;入射光斑完全照射在太阳电池金属电极区域可以获得银电极的反射谱R silver ;入射光斑完全照射在氮化硅表面得到参考反射谱R SiN ,因此实验上太阳电池前表面金属电极所引起的光学损失表示为[9]OL cell =(1-R silver )·A silver/cell A silver +R cell -R SiN ·A SiN/cell A SiN ⎛⎝⎜⎞⎠⎟,(9)其中,A silver /cell 和A SiN/cell 分别表示测量反射谱R cell 时入射光斑照射在银电极区域的面积和氮化硅区域的面积,而A silver 和A SiN 则分别表示测量反射谱R silver和R SiN 时入射光斑的面积,如图6所示.通过将银电极的吸收系数确定为为ηsilver =1-R silver ,根据(7)和(8)式可以得到理论上太阳电池前表面光学损失的数值,因此丝网印刷和丝网印刷后光诱导电镀太阳图6 样品反射谱测量示意图电池前表面光学损失的实验与理论曲线如图7所示.根据(8)式中有效宽度比与金属电极光学损失的关系,可以得到丝网印刷和丝网印刷后光诱导电图7 丝网印刷和丝网印刷后光诱导电镀太阳电池的前表面光学损失的实验与理论曲线镀太阳电池的有效宽度比的实验数据,OL contact =OL cell ·S /2a ,有效宽度比的理论和实验曲线如图8所示.其中,有效宽度比数值都在40%以下,说明在直接入射到金属电极上的太阳光中,约有60%的光仍然会参与产生光电流.此外,丝网印刷后光诱导电镀银太阳电池具有更大的金属电极面积,增大了反射损失,因此有更大的光学损失.进行光诱导电图8 丝网印刷和丝网印刷后光诱导电镀太阳电池有效宽度比的实验与理论曲线镀银后,金属电极的宽度增加了15.7%,理论光学损失平均增加了8.5%,实验光学损失平均增加了10.9%,理论与实验的相差主要来自于理论计算所采用的SEM观测的参考电池栅线宽度与测量反射谱所采用的太阳电池栅线实际宽度的差异. 5.结 论本文分析了产业化太阳电池前表面光学损失的各种情况,研究了常规丝网印刷和新兴的丝网印刷后光诱导电镀太阳电池的前表面金属电极的光学损失,通过将太阳电池前表面金属电极截面近似为半椭圆形,结合SEM的观测和不同类型样品反射谱的测量计算,理论模拟和实验测量了金属电极的有效宽度比和光学损失.结果表明表征光学损失的电池电极的有效宽度比约为金属电极几何宽度的40%,理论模拟的有效宽度比和光学损失结果与相应的实验测量结果相符合.[1]Wang N N,Yu J S,Zang Y,Jiang Y D2010Chin.Phys.B19038602[2]Zhou Y H,Yang Z F,Wu W C,Xia H J,Wen S P,Tian W J2007Chin.Phys.162136[3]Liu X D,Xu Z,Zhang F J,Zhao S L,Zhang T H,Gong W,Song J L,Kong C,Yan G,Xu X R2010Chin.Phys.B19118601[4]Glunz S W,Knobloch J,Biro D,Wettling W1997Proceedingsof the14th European Photovoltaic Solar Energy ConferenceBarcelona,Spain,1997p392[5]Mette A,Schetter C,Wissen D,Lust S,Glunz S,Willeke G2006Proceedings of the4th IEEE World Conference onPhotovoltaic Energy Conversion Waikoloa,Hawaii,2006p1056[6]Blakers A2009J.Appl.Phys.715237[7]Luo Z H,Tang D S,Hai K,Yu F,Chen Y Q,He X W,PengY H,Yuan H J,Yang Y2010Chin.Phys.B19026102 [8]Ding P,Liu F M,Zhou C C,Zhong W W,Zhang H,Cai L G,Zeng L G2010Chin.Phys.B19118102[9]Stuckings M,Blakers A1999Sol.Energy Mater.Sol.Cells59233[10]Wu J H,Yuan J M2009Chin.Phys.B185283[11]You H L,Zhang C F2009Chin.Phys.B18349[12]You H L,Zhang C F2009Chin.Phys.B182096[13]Wu J F,Zhang C M2010Chin.Phys.B19034201[14]Wu J F,Zhang C M,Zhang Y T,Liu H C,Zhai X J2008Chin.Phys.B172504[15]Ouyang Q Y,Zhang X R,Jiang L,Chang Q,Wang Y X,SongY L2006Chin.Phys.151810[16]Shi Y L,Zhou Q L,Zhang C L2009Chin.Phys.B185511[17]Shi P,Cao G W,Li Y P2010Chin.Phys.B19074201[18]Tao R C,Yu T J,Jia C Y,Chen Z Z,Qin Z X,Zhang G Y2009Chin.Phys.B182603[19]Liu Z M,Liu W Q,Gao M G,Tong G G,Zhang T S,Xu L,Wei X L2008Chin.Phys.B174184Theoretical analysis and experimental study of opticalloss of metal contacts of crystalline silicon solar cells∗Li Tao1)† Zhou Chun⁃Lan1) Song Yang2) Yang Hai⁃Feng3) Gao Zhi⁃Hua2) Duan Ye2) Li You⁃Zhong2) Liu Zhen⁃Gang1) Wang Wen⁃Jing1)1)(The Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System,Institute of Electrical Engineering,CAS,Beijing 100190,China)2)(Chinalight Solar Co.Ltd.,Beijing 101111,China)3)(Chinese Academy of Inspection and Quarantine,Beijing 100123,China)(Received4November2010;revised manuscript received15December2010)AbstractOne main factor of restricting industrial crystalline solar cell efficiency is the optical losses caused by the metal front side contacts,including the absorption loss and reflection loss.Based on screen⁃printed and screen⁃printed seed layers thickened by light⁃induced electroplating solar cells,in this paper various cases of optical losses due to the metal contacts are analyzed.Taking into account the reflections in the air⁃glass interface and the edge regions of metal contacts,the optical losses are simulated by assuming approximately half⁃oval cross⁃section of metal contacts.The results show that the effective width ratio is about40%of the metal contact geometry width.By measuring and calculating the reflection spectra of different types of samples,the optical losses of the metal front side contacts of solar cells are obtained in theoretical simulation and experimental measurement.The corresponding theory and the experimental results are in good agreement with each other.Keywords:optical losses,effective width ratio,light⁃induced electroplating,reflection spectraPACS:88.40.jj,88.40.H-,88.40.-j∗Project supported by the Main Direction of Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(Grant No.KGCX2⁃YW⁃382)and the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2007AA05Z437).†E⁃mail:litao@。

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