【转】光敏二极管的主要特性参数

【转】光敏二极管的主要特性参数
①最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。

②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。

暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。

③光电流IL:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。

其测量的一般条件是:2856K钨丝光源，照度为10001x。

④光电灵敏度Sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μA/μW。

隔⑤响应时间Tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。

响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。

⑥正向压降VF:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。

⑦结电容Cj:指光敏二极管PN结的电容。

Cj是影响光电响应速度的主要因索。

结面积越小，结电容Cj也就越小，则工作频率越高。

光敏二极管又称光电二极管，目前使用最多的是Si光电二极管。

它有四种类型：PN结型，PIN结型，雪崩型和肖特基结型。

以下简介PN结型光敏二极管。

PN结型光敏二极管同普通二极管一样，也是PN结构造，只是结面积较大，结深较浅，管壳上有光窗，从而使人射光容易注入PN结的耗尽区中进行光电转换，大的结面积增加了有效光面积，提高了光电转换效率。

在无光照射时，光敏二极管的伏安特性和普通二极管一样，此时的反向饱和电流叫暗电流，一般在几微安到几百微安之间，其值随反向偏压的增大和环境温度的升高而增大。

在检测弱光电信号时，必须考虑用暗电流小的管子。

在有光照时，光敏二极管在一定的反偏电压范围内（UR≥5V），
其反向电流将随光照强度（10-3~103lx范围内）的增加而线性增加，这时的反向电流又叫光电流。

因此，对应一定的光照强度，光敏二极管相当于一个恒流源。

在有光照而无外加电压时，光敏二极管相当于一个电池，P区为正，N区为负。

光敏二极管有一定光谱响应范围，并对某波长的光有最高的响应灵敏度（峰值波长）。

因此，为获取最大的光电流，应选择光谱响应特性符合待测光谱的光敏二极管，同时加大照度和调整入射的角度。

光敏二极管的响应时间，一般小于几百微秒，主要取决于结电容和外部电路电阻的乘积。

表B316列出了几种光敏二极管的参数，其中灵敏度指输入给定波长的单位功率时，光敏二极管能输出的光电流值。