DDR 内存参数
DDR内存时序设置详解
内存时序设置详解内容概要关键词：内存时序参数设置导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。
本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。
与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。
FSB与内存频率的关系首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率实际运行频率1/1 200MHz1/2 100MHz2/3 133MHz3/4 150MHz3/05 120MHz5/6 166MHz7/10 140MHz9/10 180MHz对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。
而其他的设置都是异步的。
同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。
如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。
下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为：∙CPC : Command Per Clock∙tCL : CAS Latency Control∙tRCD : RAS to CAS Delay∙tRAS : Min RAS Active Timing∙tRP : Row Precharge Timing∙tRC : Row Cycle Time∙tRFC : Row Refresh Cycle Time∙tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)∙tWR : Write Recovery Time∙……及其他参数的设置CPC : Command Per Clock可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
内存参数
内存内存的主流品牌目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。
这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。
内存的分类现在市场上内存可以分为两种。
①SDRAM：SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。
②DDR SDRAM：DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。
DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。
因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。
DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。
现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。
从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。
预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。
内存的主要性能参数①容量每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。
主流DDR区分方法
主流DDR区分方法
主流DDR（Double Data Rate）内存可以根据不同的标准和参数进行区分。
以下是几种常见的DDR区分方法：
1. DDR标准：主流DDR内存可以根据其符合的DDR标准进行区分，如DDR3、DDR4等。
每个DDR标准都有不同的规格和性能特点。
2. 频率：DDR内存的频率是指其内部时钟的速度。
频率越高，内存的传输速度越快。
主流DDR内存的频率通常以MHz为单位进行表示，例如DDR3-1600、DDR4-2400等。
3. CL时序：CL时序是DDR内存的延迟参数之一，表示存储器处理读写命令时需要的时钟周期数。
较低的CL时序意味着内存响应更快。
主流DDR内存的CL 时序通常为CL9、CL11等。
4. 容量：DDR内存可以根据其容量进行区分，例如4GB、8GB、16GB等。
较大的容量意味着内存可以存储更多的数据。
5. DDR通道：DDR内存通常通过多个通道进行连接，以提高数据传输效率。
主流DDR内存可以根据其通道数量进行区分，例如单通道、双通道等。
以上是几种常见的主流DDR内存区分方法，根据这些参数，用户可以选择适合
自己需求的DDR内存产品。
DDR内存介绍
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。
之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM 都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR 则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR内存不向后兼容SDRAMDDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。
从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。
DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。
最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。
DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令。
DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB内存2KB的寻址设置。
DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只有2位。
DDR内存参数范文
DDR内存参数范文DDR（Double Data Rate）内存是一种主要用于计算机的随机存取存储器（RAM）。
它具有高速读写、低功耗和可靠性等优点，因此在计算机系统中广泛使用。
DDR内存的参数包括容量、频率、时序和供电电压等。
1.容量：DDR内存的容量通常以GB为单位。
常见的容量有2GB、4GB、8GB、16GB等，也有一些高端计算机使用32GB、64GB甚至更大容量的DDR内存。
2.频率：DDR内存的频率指内存模块每秒钟能够进行的数据传输次数。
这个频率通常以MHz为单位。
常见的DDR内存频率有1600MHz、1866MHz、2133MHz等。
在同一代DDR内存中，频率越高，性能越好，但价格也相对较高。
3. 时序：DDR内存的时序指的是内存芯片能够响应请求以及访问数据所需的时间。
时序通常用一组数字表示，如CL 9-9-9-24、其中，“CL”代表CAS延迟，即列地址选择延迟；后面的数字分别表示CAS Write Latency、RAS Precharge Time和RAS Active Time。
时序越低，内存响应速度越快，性能也相对较好。
4.供电电压：DDR内存的供电电压通常为1.5V或1.35V。
近年来，低电压DDR内存（1.35V）成为趋势，因为它们能够在相同频率下降低功耗和发热，并且与笔记本电脑等低功耗设备更兼容。
此外，DDR内存还有一些其他的参数和技术特性：5.模块类型：DDR内存分为不同的物理模块类型，例如DDR3、DDR4、DDR5等。
每一代DDR内存都有不同的规格和性能特点。
例如，DDR4相较于DDR3具有更高的频率和更低的供电电压。
6. 多通道：DDR内存目前普遍支持多通道技术，可以通过安装多个内存模块来提高内存带宽和性能。
常见的多通道配置包括双通道（Dual Channel）和四通道（Quad Channel）。
7.错误检测与纠正（ECC）：ECC是一种能够检测并修复内存中的错误的技术。
DDR400内存时序参数的意义与设定方法
标签：杂谈 分类：电脑相关
大家在购买内存时往往会注意到内存的标签上往往帖有“3-4-4-8”或“3-8-4-4”这类数字，这些数字就是内存SPD设定的时序参数，举例来说在标识为“3-4-4-8”的参数下分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。下面我们将着重介绍这四个参数的意义与设定方法。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
内存的性能指标有哪些主要参数是什么
内存的性能指标有哪些主要参数是什么展开全文随着现在电子产品的盛行，人们对于电子产品的选购也越来越多，这就对于电子产品的质量及内存空间提出了很高要求，尤其是内存的性能指标一定要达标，下面就来介绍一下。
内存的性能指标知不知道内存的主要性能参数有哪些？1.容量。
内存的容量当然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。
单条DDR内存的容量有128MB、256MB、512MB、1GB和2GB等几种。
主板上通常都至少提供两个内存插槽。
2.工作电压。
SDRAM的工作电压为3.3V，DDR为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V。
3.tCK时钟周期。
tCK时钟周期代表内存所能运行的最大频率，一般用存取一次数据所需的时间( 单位为ns，纳秒)作为性能指标，时间越短，速度越快。
一般内存芯片型号的后面印有-60、-10和-7等字样，...4.CAS延迟。
简称CL，指内存存取数据所需的延迟时间，也就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
一般的参数值是2和3两种。
数字越小，代表反应所需的时间越短。
5.SPD芯片。
SPD(Serial Presence Detect)是一块附加在内存条上的8针ROM芯片，容量为256字节，里面主要记录了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商等。
内存的性能指标SPD芯片 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。
当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
工作电压：由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。
因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。
内存的性能指标电脑内存的性能指标有哪几种1、速度将内存的速度放在重要性的第一位是不容置疑的，不少使用组装机的朋友甚至后期通过扩大内存的容量来加快内存的存取速度，对于内存的速度来说，时间越短，速度就越快。
内存条上面参数详解
内存条上面参数详解先上总结！1.对于大多数普通用户，8G*2组双通道内存足够用了。
2.优先双通道内存，比单通道读写运行速度要快很多。
（包括单条高频内存）3.买前一定要先检查已有主板是否支持高频内存。
AMD相比Intel，对内存频率要求更高。
AMD主板基本都支持3000频率以上，Intel除了Z系高端主板支持3000频率以上，其他系列主板支持2666频率。
慢慢买，买对不买贵！内存条一般指随机存取存储器。
当CPU处理数据太快时，硬盘的读写速度根本没办法满足CPU的运算需求，而CPU又不能直接与硬盘通信。
这个时候，硬盘暂时把数据存在内存条这里，CPU处理完上一个数据以后，从内存条里拿取数据继续进行处理，上一个处理完的数据也是放在内存条里面，由内存条最终存储到硬盘内。
这么来看，内存条更像是一个中间人，促成一件事的完成。
但是内存容量并不是越大越好，比如64位CPU最大支持的内存是128G，因而在选择内存容量时还要考虑你的CPU和主板能支持多大的内存，多了也没意义。
内存代数从1代到4代内存条常见频率：•DDR内存主要频率：200MHz、266MHz、333MHz、400MHz•DDR2内存主要频率：400MHz、533MHz、667MHz、800MHz、1066MHz•DDR3内存主要频率：1333MHz、1600MHz等等•DDR4内存2133MHz、2400MHz、2800MHz、3200MHz目前内存主要购买DDR4，性价比最高的是3200MHz。
其代数不同内存卡槽的设置也是不一样的，DDR2防呆槽设计靠中间，DDR3靠左，DDR4靠右。
因而在购买内存条之前，必须要检查好主板，主板支持哪一代的内存条，就选择哪一代内存条，千万不要选错。
内存主要购买DDR4，性价比最高的是3200MHz内存频率频率越高，工作效率越高。
当下热销的内存频率有2666-3000+不等，至于我们要选多少频率的条子，要看主板的限制情况；另外超频条子买回来一般只显示默频状态，上高频需要再BIOS中设置更改。
【转】DDRDDR2DDR3DDR4详细
【转】DDR DDR2 DDR3 DDR4详细【转】DDR,DDR2,DDR3,DDR4详细介绍00DDR显存 DDR显存分为两种，一种是大家习惯上的DDR内存，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM。
另外一种则是DDR SGRAM，此类显存应用较少、不多见。
DDR SDRAM人们习惯称DDR SDRAM为DDR。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR SDRAM是在SDRAM 基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现 DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR 内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。
DDR SDRAM是目前应用最为广泛的显存类型，90%以上的显卡都采用此类显存。
DDR SGRAMDDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。
可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。
DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。
内存技术参数有哪些
内存技术参数有哪些内存技术参数简单介绍DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快可达800MHZ ，耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。
即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片内存SPD芯片SPDSerial Presence Detect: SPD是一颗8针的EEPROMElectrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器,容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。
SPD的内容一般由内存模组制造商写入。
支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。
DDR参数详细解释和流程学习
作者：Havis.WangLPDDR5 DRAM工作流程详解 11. 发送地址和命令CPU发送地址和命令：当CPU需要访问LPDDR5中的数据时，首先发送一个地址和相应的命令（读取或写入命令）到内存控制器。
2. 地址解码和行选通行地址选择： LPDDR5根据接收到的行地址（RAS信号）选择特定的行。
行选通延迟（tRCD）：从RAS信号发出到CAS信号发出之间的时间延迟。
这段时间内，LPDDR5准备选中的行开始处理。
3. 选中行并准备数据列地址选择和数据准备： LPDDR5接收到列地址（CAS信号），选中特定的列以准备读取或写入数据。
CAS延迟（CL）：从CAS信号发出到可以读取或写入数据之间的时间延迟。
这个时间取决于LPDDR5的CL值。
数据传输准备：•DQS（Data Strobe）：用于在数据传输时同步和锁存数据的信号。
•DQM（Data Mask）：数据屏蔽信号，指示哪些数据位应该被忽略或不处理。
•CK（Clock）：时钟信号，用于同步数据传输的时序。
•PREFETCH： LPDDR5采用了32倍prefetch技术，每个存储周期内能够同时传输32个数据位，提高了数据吞吐量。
4. 数据传输和操作时序数据传输和操作时序：•DLL（延迟锁存器）：用于控制数据信号的延迟，以确保数据的正确读取和写入。
•SKEW（数据偏移）：不同数据信号到达时间的差异，需要通过调整来保持同步。
•Setup Time：数据在有效触发沿到来之前数据保持稳定的时间。
•Hold Time：数据在有效触发沿到来之后数据保持稳定的时间。
5. 预充电和刷新过程预充电和刷新：•预充电（Precharge）：在进行下一次读取或写入操作之前，LPDDR5会对未使用的存储单元进行预充电，清空存储单元中的电荷状态。
• 1.2VCC比较刷新过程： LPDDR5在工作时会定期进行行的刷新操作，以保持存储单元的电荷状态，防止数据丢失。
6. 特殊信号处理ODT（On-Die Termination）和ZQ（ZQ Calibration）：•ODT：内存总线终端，用于匹配信号阻抗以减少反射和功耗。
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。
在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。
还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。
以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
基本参数介绍目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。
因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
DDR内存参数
DDR内存参数DDR内存参数是指双倍数据率随机存取存储器（Double Data Rate Random Access Memory, DDR RAM）的一些技术规格和参数。
DDR内存是计算机系统中常用的一种内存类型，其速度和带宽为计算机提供了高效的数据存取和传输能力。
1.DDR代表“双倍数据率”，它相比较SDRAM（同步动态随机存取存储器）能够在每个时钟周期中传输更多的数据。
DDR内存通过在上升和下降沿时传输数据，实现了“双倍数据率”的传输效果。
2.DDR内存的频率表示每秒钟时钟的周期数。
常见的DDR内存频率有DDR3、DDR4等，它们分别表示第三代和第四代DDR内存。
DDR3内存的频率通常在800MHz到2133MHz之间，而DDR4内存的频率则更高，通常在2133MHz到3200MHz之间。
3. 内存容量是DDR内存的另一个重要参数。
它表示DDR内存可存储的数据量大小。
通常以GB（Gigabytes）为单位，常见的DDR内存容量有2GB、4GB、8GB、16GB等。
内存容量的大小决定了计算机可以同时处理的数据量大小，对于大型应用程序和多任务处理有着重要的影响。
4.内存带宽是DDR内存的数据传输速度。
它表示内存模块能够同时传输的数据量大小。
内存带宽直接影响计算机的性能，较大的带宽意味着更快的数据传输速度。
内存带宽通常以MB/s（兆字节/秒）为单位，可以通过内存频率和数据位宽计算得出。
5. DDR内存的延迟也是一个重要参数。
它表示内存访问数据所需的时间，通常以数字CL（CAS Latency）表示，较低的数值意味着更快的访问速度。
延迟是DDR内存性能的关键指标之一，较低的延迟有助于提高计算机的响应速度和性能。
6.DDR内存还有其他一些参数，例如电压、主板兼容性等。
DDR内存通常需要特定的电压供电，例如DDR3内存的标准电压为1.5V，而DDR4内存的标准电压为1.2V。
另外，DDR内存需要与主板兼容才能正常工作，因此选择适配的DDR内存型号至关重要。
(新)教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。
在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。
还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。
以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
基本参数介绍目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。
在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。
受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。
面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。
以下我们讲解一些重点参数的含义。
CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。
一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。
虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。
因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。
这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。
SDR,DDR123,GDDR12345 详细规格解释 显存 内存超牛的文章
SDR，DDR1/2/3，GDDR1/2/3/4/5 详细规格解释（上）－超牛的文章(2011-04-04 18:07:40)转载标签：sdrddr1/2/3分类：电脑知识gddr1/2/3/4/5详细规格解释it通常大家所说的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其实并非是内存的真正频率，而是业界约定俗成的等效频率，这些DDR1/2/3 内存相当于老牌SDR内存运行在400MHz、800MHz、1600MHz时的带宽，因此频率看上去很夸张，其实真正的内核频率都只有200MHz而已！内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。
核心频率即为内存Cell阵列(Memory Cell Array，即内部电容)的刷新频率，它是内存的真实运行频率；时钟频率即I/O Buffer（输入/输出缓冲）的传输频率；而有效数据传输频率就是指数据传送的频率（即等效频率）。
● SDR和DDR1/2/3全系列频率对照表：常见DDR内存频率对照表通过上表就能非常直观的看出，近年来内存的频率虽然在成倍增长，可实际上真正存储单元的频率一直在133MHz-200MHz之间徘徊，这是因为电容的刷新频率受制于制造工艺而很难取得突破。
而每一代DDR的推出，都能够以较低的存储单元频率，实现更大的带宽，并且为将来频率和带宽的提升留下了一定的空间。
● SDR和DDR1/2/3存储原理示意图：虽然存储单元的频率一直都没变，但内存颗粒的I/O频率却一直在增长，再加上DDR是双倍数据传输，因此内存的数据传输率可以达到核心频率的8倍之多！通过下面的示意图就能略知一二：那么，内存IO频率为什么能达到数倍于核心频率呢？相信很多人都知道，DDR1/2/3内存最关键的技术就是分别采用了2/4/8bit数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍，与此同时I/O控制器也必须做相应的改进。
内存数据预取技术示意图：并行转串行这种存储阵列内部的实际位宽较大，但是数据输出位宽却比较小的设计，就是所谓的数据预取技术，它可以让内存的数据传输频率倍增。
Ddr2，ddr3，ddr4内存条的读写速率
Ddr2，ddr3，ddr4内存条的读写速率
理论极限值是可以计算的：1333MHz * 64bit（单通道，双通道则128bit） / 8（位到字节单位转换） = 10.664GB/s。
这只是理论，实际发挥还要看，实际上1333单条跑出来的数据在7～9GB/s差不多了。
⾸先，实际中我没见过内存速度超过10GB/s的情况，不知道是不是题主你把单位弄错了？实际见过的像RamDisk之类的软件，连续读写能达到的速度也不过5~8GB/s左右，如果是随机读写，性能⼤概还要下降接近⼗分之⼀。
所以内存没你想的那么快。
其次，内存检测不是把内存读写⼀遍就完事，读写完还要检测读写数据是否⼀致，这些都是要通过CPU的ALU完成，CPU的负载会⾮常重，⽽且很多时候也并⾮是⼤块读写，⽽是4字节甚⾄单字节读写，这样算下来，为了检测⼀个字节的内存单元，CPU可能需要⼗⼏个到⼏⼗指令，这⾥还包含不少算数指令，速度很慢。
这样最终算下来，内存检测的速度⼤概在100MB/s或者更慢，这还没完，为了检测内存的每个bit是否正确，通常来说要擦写很多中不同的数据，⽐如uboot⾥的内存检测就写了好⼏次，如果以4字节16进制数来看，那么写⼊的东西包括：全0，全1，全5，全A，全F，基于地址的移位，地址值，地址值求反……
这还没完，还要检测物理地址的地址线是否有效，地址线可能会断开、互绕、短路等等，还有⼀堆堆的数字要写进去、读出来，有些地址线还可能把同⼀个内存位置错误的映射成两个不同的地址，因此写⼊的次序也有要求。
所以最终的结果就是内存检测的时间⾮常漫长，不亚于压缩⼀部像内存那么⼤的⽚⼦。
补充：以上仅限于⽤专门的内存检测⼯具测试的效果，PC机开机⾃检⼀般只做很简单的测试，速度很快。
DDR3参数详解
DDR3参数详解1. 时间参数：CAS LatencyThe CAS latency is the delay, in clock cycles, between sending a READ command and the moment the first pice of data is available on the outputs.简称: CL. 是DDR的重要参数，用来表示发出读命令到管脚接收到数据之间的时间。
tWR - Write Recovery Time:tWR is the number of clock cycles taken between writing data and issuing the precharge command. tWR is necessary to guarantee that all data in the write buffer can be safely written to the memory core.tRAS - Row Active Time:tRAS is the number of clock cycles taken between a bank active command and issuing the precharge command.tRC - Row Cycle Time:The minimum time interval between successive ACTIVE commands to the same bank is defined by tRC.tRC = tRAS + tRPtRCD - Row Address to Column Address Delay:tRCD is the number of clock cycles taken between the issuingof the active command and the read/write command. In this time the internal row signal settles enough for the charge sensor to amplify it.行选通周期。
内存参数换算及讲解
内存参数换算及讲解PC3200其实是指DDR内存的。
由于现在的内存是64位，所以带宽=400*64/8(频率*位宽/一个字节的位数)=3200，这也就是平常说的PC3200的含义了。
由此推算内存为DDR400。
而DDR333则是333*64/8=2700，即PC2700DDR400,333,266它们除了频率上的区别外，还有延迟时间上的区别，DDR400的频率是最快的，达到了200MHZ(为什么是200MHZ，因为DDR内存是双倍速率随机动态同步存储器的意思，所以DDR400是200乖以2得来的，那么换算过了，DDR400的实际频率就是200MHZ，333的实际频率是166的，266的是133的，DDR2533的是266，DDR2667是333的，DDR2800的是400MHZ 的。
)但是DDR400也是DDR内存中延迟最后的，一般的，速度快的内存，相对速度慢的内存延迟要高些。
从外观上看它们大致相同，但是也有一定的区别，这主要是从与它们容量和速度相关的内存颗粒上看出的，256MB的内存不管是DDR几的，都是单面的，而512与512兆以上的，多半是两面都有颗粒的。
还有，DDR400的内存所使用的颗粒的速度是5NS的，而333的是6NS的，266的是7NS(一般是这样的)。
其次还有电压和针脚定义的不同，还有封装形式，大多是采用TSOP(薄型小尺寸封装)还有MBGA(微型栅格球形阵列封装)的。
DDR266,333,400的区别是这样的。
一般的内存条上的标签上会标明它们是DDR多少的。
这个DDR多少实际上就是DDR内存的运行频率。
如DDR266就是266兆赫兹的，注意这里的266兆赫兹不是就是以这个频率运行的。
而是由于DDR内存时钟上下沿都能处理数据这样双倍得出的，也就是我们常说的等效频率，那么它的真实频率要除以2，就是133兆赫兹了。
其它的DDR多少也是这样算。
当然有的内存上没有标明是DDR多少，而是标的PC多少，如PC2700，PC3200等，这些标的是内存的带宽。
Ddr2,ddr3,ddr4内存的读写速率
Ddr2,ddr3,ddr4内存的读写速率DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）为双信道两次同步动态随机存取内存。
DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍），DDR2的I/O频率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。
举例：核心频率同样有133～200MHz 的颗粒，I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率约为533～800 MT/s不等，也就是常见的DDR2 533、DDR2 800等内存规格。
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）为双信道三次同步动态随机存取内存。
DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。
DDR3传输速率介于800～1600 MT/s之间。
此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。
DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200 MT/s。
DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性，Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象，亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内，至多可以处理4 笔数据，效率明显好过于DDR3。
另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。
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一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。
CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL）RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间”二、DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级：DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4三、SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。
当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。
内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。
因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。
CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。
不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。
内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。
要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。
内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。
在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。
在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。
此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。
在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执行周期。
RAS-to-CAS的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这也是延迟的基本因素。
CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。
内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）。
首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。
存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。
举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，其内存时钟周期为6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率，DDR333内存频率为333，则可计算出其时钟周期为6ns）。
我们在主板的BIOS中将其CL设置为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。
从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。
所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。
目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS 延迟时间来提高内存性能。
不同类型内存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值为2.5或者2，而大部分DDR2 533的延迟参数都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以达到3。
不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。
例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。
再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。
最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。
SDRAM DDR DDR2 内存参数详解严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA 的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。
但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。
DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。
DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。
两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
最后说下DDR3其实它相对来说我觉得叫DDR2pro应该更为贴切.因为它其实是DDR2的延伸..只是提升了频率降低了能耗..实际的技术并没有特别的变化现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少..DDR2内存参数DR内存既然叫做双倍速率SDRAM（Dual date rate SDRSM），就是说是SDRAM的升级换代产品。
从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
那么大家就应该知道了，我们所说的DDR400，DDR333，DDR266，他们的工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400工作频率为 200MHz。
FSB与内存频率的关系首先请大家看看表一：FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率实际运行频率1/01 200MHz1/02 100MHz2/03 133MHz3/04 150MHz3/05 120MHz5/06 166MHz7/10 140MHz9/10 180MHz对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1(DFI 用1/01表示)是使性能最佳的选择。
而其他的设置都是异步的。
同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的 FSB正好同步。
如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
表2更详尽列出了FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。
由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。
这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。
但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。
因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。
目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。